「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(265ページ目) - Weblio英語例文検索

Between the first and the second word lines is secured a first metal wiring region along the row direction, allowing a first metal layer to be wired.例文帳に追加

第１及び第２ワード線の間に行方向に沿って第１のメタル配線領域が確保され、第１メタル層が配線可能とされる。 - 特許庁

The magnetic memory cell further includes a second conductive write line (350) having a gap, the gap being filled by at least a portion of the sense layer (340).例文帳に追加

磁気メモリセルはさらに、ギャップを有する第２の書込み導線(350)を含み、このギャップは、センス層(340)の少なくとも一部分によって充填される。 - 特許庁

Since development processing can be performed after the damaged layer has been removed by the pretreatment, second development can be performed with uniformity in a smooth manner.例文帳に追加

前処理によりダメージ層を除去した後で現像処理を行うので、２回目の現像処理をスムーズに均一性良く行うことができる。 - 特許庁

Further, a second ink 18 is printed on a first ink layer 17 by the screen printing process with the screen printing plate 12 and the squeegee 13.例文帳に追加

第１インク層１７上に、スクリーン印刷用の版１２及びスキージ１３を用いて、第２インク１８をスクリーン印刷により印刷する。 - 特許庁

The second semiconductor layer includes salients contacting the metal portion and recesses provided at the bottom of the openings and retracting from the salient in the above-mentioned direction.例文帳に追加

第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 - 特許庁

A cap part 20 includes a dummy pattern 26 on a position facing to a domain wherein the vibrator 16 is moved to a facial direction of a second silicon layer 12.例文帳に追加

キャップ部２０は、第２シリコン層１２の面方向に振動子１６が移動する領域に対向する位置にダミーパターン２６を備えている。 - 特許庁

At least the second optical guide layer 15 is formed in the thickness of 2nm or more but 6nm or less or Al composition ratio of 0.55 or more but under 0.7.例文帳に追加

少なくとも、第２光ガイド層１５の厚さを２ｎｍ以上６ｎｍ以下、またはＡｌ組成比を０．５５以上０．７未満に設定する。 - 特許庁

In a seal part enclosing a liquid crystal layer, a second seal wall is preferably provided at a position opposite to a liquid crystal injection port in a non-display part.例文帳に追加

液晶層を囲むシール部には、非表示部のうち液晶注入口と反対側の位置に、第二のシール壁を設けることが好ましい。 - 特許庁

Subsequently, the parts of the second resin layer 56 becoming the partition wall 28 and a reinforcing wall 30 are exposed (the parts becoming an ink chamber 22 and the removing part 102 are not exposed).例文帳に追加

第２樹脂層５６に隔壁２８と補強壁３０となる部分を露光する（インク室２２と除去部１０２となる部分は未露光）。 - 特許庁

A guard ring area 17 of a p-type group III nitride semiconductor is provided on the second area 13c of the n-type barium nitride semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体のガードリング領域１７はｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃ上に設けられる。 - 特許庁

The second insulating wiring layer 11 includes at least one grooved recessed part 12 arranged on the upper surface side so as to extend in the length direction.例文帳に追加

第２インダクタ配線層１１は、その長さ方向に延びるように上面側に設けられた少なくとも一つの溝状凹部１２を有する。 - 特許庁

The second dielectric layer 13 is formed by reactive sputtering in a gaseous mixture atmosphere composed of Ar gas, O_2 gas and N_2 gas.例文帳に追加

第２誘電体層１３は、Ａｒガス、Ｏ_2ガス及びＮ_2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

The process for forming the second ferroelectric layer 13b comprises a process for effecting the crystalizing annealing of a sol gel film, formed through the sol-gel method.例文帳に追加

第２の強誘電体層１３ａを形成する工程は、ゾルゲル法で成膜したゾルゲル膜を、結晶化アニールする処理を有している。 - 特許庁

The second layer 122 has a two-dimension code on which a laser beam reflectance at a predetermined wavelength is printed with a material of a predetermined size.例文帳に追加

第２層１２２には、所定の波長のレーザビームの反射率が所定の大きさの素材で印刷された２次元コードが形成されている。 - 特許庁

A second protective film 10 made of a polyimide-based resin etc. is provided on the surface of an upper metal layer 9 made of copper of the wiring 7.例文帳に追加

配線７の銅からなる上部金属層９の表面にはポリイミド系樹脂等からなる第２の保護膜１０が設けられている。 - 特許庁

Then, a lead-out electrode 13 connected electrically with the pad electrode 14 of the normal chip 14 is formed on the second insulation layer 17.例文帳に追加

その後、良品チップ１２のパッド電極１４に電気的に接続される取り出し電極１３を第２絶縁層１７上に形成する。 - 特許庁

The electrode consisting of the transparent conductive film is preferably formed on part of the surface of the second n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

透明導電膜からなる電極は、上記第２のｎ型窒化物半導体層の一部の表面上に形成されることが好ましい。 - 特許庁

Then, when an organic light-emitting layer 36 is vapor-deposited by the mask, only the portion where the second planarized membrane 32b exists contacts with the mask.例文帳に追加

その後、有機発光層３６をマスク蒸着する際には、第２平坦化膜（外側）３２ｂが存在する部分のみがマスクと接触する。 - 特許庁

A shading layer 12 made of a shading film 12a and an oxidation preventing film 12b formed by sputtering is formed on the second surface 11b of the substrate 11.例文帳に追加

基板１１の第２面１１ｂには、スパッタ法で遮光膜１２ａ及び酸化防止膜１２ｂからなる遮光層１２が形成されている。 - 特許庁

The first refrigerant 14 heated by a heating element 24 is boiled, and sent to the layer of the second refrigerant 16 in a liquid state as bubbles 14v.例文帳に追加

発熱体２４にて加熱された第１冷媒１４が沸騰し、気泡１４ｖとなって液体の第２冷媒１６の層に送られる。 - 特許庁

In a second step, a first semiconductor layer 31 is epitaxially grown on the semiconductor substrate 11 exposed over on the bottom of the concave 19.例文帳に追加

次に、凹部１９の底部に露出された半導体基板１１上に、第１の半導体層３１をエピタキシャル成長させる工程を行う。 - 特許庁

The first and second conductor lines 1 and 2 of the couplers Q1-Q4 are mutually opposed through a dielectric layer 30 by a dielectric substrate 3.例文帳に追加

カプラＱ１〜Ｑ４の第１及び第２の導体線路１，２は誘電体基体３による誘電体層３０を介して互いに対向する。 - 特許庁

Internal parts 3 are interposed between first resin sheets 31a which has an elastic modulus lower than that of second resin sheets 32a which form an outer layer.例文帳に追加

外層を形成する第２の樹脂シート３２ａよりも弾性率が低い第１の樹脂シート３１ａによって、内部部品３を挟み込む。 - 特許庁

The second layer 19 is molded by cross-linking the rubber composition including polybutadiene of 40 mass% or more in the base polymer.例文帳に追加

第二層１９は、基材ポリマー中に４０質量％以上のポリブタジエンを含むゴム組成物が架橋されることによって成形されている。 - 特許庁

The high dielectric constant sheet 20 comprises a dielectric layer 21 having a first principal surface 117 and a second principal surface 118.例文帳に追加

高誘電率材シート２０は誘電体層２１を備え、誘電体層２１は第１主面１１７及び第２主面１１８を有する。 - 特許庁

The fourth organic light-emitting layer 437 is formed on the first sub-pixel area, the second sub-pixel area, and the third sub-pixel area.例文帳に追加

第４の有機発光層４３７は、第１のサブ画素領域、第２のサブ画素領域及び第３のサブ画素領域上に配置される。 - 特許庁

The ultrafast recovery diode comprises a plurality of wells 150, separated from one another in the lightly doped layer, comprising doping of a second polarity.例文帳に追加

超高速リカバリダイオードは、互いに離間され、低濃度ドープ層内に形成され、第２の極性のドーピングを備える複数のウェル１５０を含む。 - 特許庁

A second layer is made of one and more materials having a large Z2/A (the square of an atomic number/atomic weight) ratio selectively decreasing braking radiation.例文帳に追加

第２層は、選択的に制動放射線を減じる大なるZ^2/A（原子番号の二乗／原子量）比を有する１つ以上の材料からなる。 - 特許庁

A metal layer 19-1 has lattice defects which are present densely and enable hydrogen occlusion, and is provided on the second region 13b-1.例文帳に追加

金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。 - 特許庁

Electrostatic shield insulation layers respectively consist of an electric insulation layer formed on a press board and first and second conductive layers provided on the inner and outer surfaces of the electric insulation.例文帳に追加

静電遮蔽絶縁層６はプレスボードでできた電気絶縁層と、その内外面に設けられた第１、第２の導電層からなる。 - 特許庁

Consequently, a non-magnetic recording region 27 is formed in an injection region which extends to the injection direction of ions from the surface of the second magnetic layer 53.例文帳に追加

その結果、第２磁性層５３の表面からイオンの注入方向に延びる注入領域で非記録領域２７が形成される。 - 特許庁

A second internal electrode 31 included in the first electrode layer 20 is electrically connected to third and fourth terminal electrodes 3 and 4.例文帳に追加

第１の電極層２０に含まれる第２の内部電極３１は、第３及び第４の端子電極３、４と電気的に接続される。 - 特許庁

The phosphor layer is configured to convert the first band of wavelengths of light emitted from the active region to a second band of wavelengths.例文帳に追加

蛍光体層は、アクティブ領域から放出される光の第１のバンドの波長を第２のバンドの波長に変換するように構成される。 - 特許庁

The device includes a second MOSFET 190 having a first source/drain regions 154 formed on the first layer 100.例文帳に追加

本デバイスはまた、第１の層１００の中に形成された第１のソース／ドレイン領域１５４を有する第２のＭＯＳＦＥＴ１９０を含む。 - 特許庁

The first layer (32) shuts off the light of a first wavelength and absorbs or transmits light of a second wavelength different from the first wavelength.例文帳に追加

そして、第１の層（３２）は、第１の波長の光を遮断し、第１の波長と異なる第２の波長の光を吸収又は透過する。 - 特許庁

At least a part of electroluminescent fluorescence material and the first and the second dielectric layer position between the picture element electrode and a transparent electrode.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス蛍光物質と第１及び第２誘電体層の少なくとも一部分が画素電極と透明電極との間に位置する。 - 特許庁

Next, in the second vacuum chamber 20, a photoresist-forming layer is immediately laminated to the printed circuit board under heat and mechanical pressure.例文帳に追加

次いで、第２の真空チャンバー２０において、フォトレジスト形成性の層は、熱および機械的圧力の下で、プリント回路ボードに直ちにラミネートされる。 - 特許庁

Cracks previously provided on a second nitriding compound semiconductor layer 2 have an action to reduce a tensile distortion caused by a difference in a lattice constant.例文帳に追加

第２の窒化化合物半導体層２に予め設けられたクラックは、格子定数の違いによる引張り歪みを緩和する作用がある。 - 特許庁

The ferroelectric substance capacitor 300 has a three layer structure comprising a ferroelectric substance film 105, a first electrode portion 102 and a second electrode portion 107.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ３００は強誘電体膜１０５、第一電極部１０２および第二電極部１０７の三層構造をしている。 - 特許庁

A communicating hole 10 between a first combustion chamber 5a and a second combustion chamber 5b is blocked by a double seal tape 11 through an adhesive layer.例文帳に追加

第一の燃焼室5aと第二の燃焼室5b間の連通孔10が、粘着剤層を介した２枚重ねのシールテープ11により閉塞されている。 - 特許庁

In a Schottky barrier diode 11, a main surface 13a of an n-type barium nitride semiconductor layer 13 includes first and second areas 13b and 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の主面１３ａは、第１のエリア１３ｂと第２のエリア１３ｃとを含む。 - 特許庁

The electrostatic chuck member is stuck on the base material so that the second electrode layer is located on the base material side to thereby manufacture the electrostatic chuck device.例文帳に追加

この静電チャック部材を、基材上に第２電極層が基材側に位置するように貼着して静電チャック装置を作製する。 - 特許庁

To process a substrate comprising a resist layer overlying a dielectric feature, in a substrate processing chamber comprising an antenna, and first and second process electrodes.例文帳に追加

誘電体フィーチャを覆うレジスト層を備える基板を、アンテナ、第１及び第２処理電極を備える基板処理チャンバ内で処理する。 - 特許庁

The photoresist is exposed from the rear surface with the gate electrode 10 as a mask for patterning, which is used as a mask for etching the second dielectrics layer 19.例文帳に追加

このフォトレジストをゲート電極１０をマスクとして裏面より露光し、パターン化し、これをマスクとして第２誘電体層１９をエッチングする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first element isolation region 19 and a second element isolation region 29 which are both provided in a semiconductor layer 10.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層１０に形成された第１素子分離領域１９および第２素子分離領域２９を含む。 - 特許庁