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second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
The light emitting element comprises a semiconductor layer containing a polymer having the repeated unit represented by a general formula (I); a structure which has a first electrode contacted with the semiconductor layer for injecting holes into the semiconductor layer, and has a second electrode contacted with the semiconductor layer for injecting electrons into the semiconductor layer; and a third electrode provided on the structure via an insulator.例文帳に追加
下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する重合体を含有する半導体層と、この半導体層に接し、半導体層へ正孔を注入するための第一の電極および半導体層へ電子を注入するための第二の電極を設けてなる構造体と、該構造体に絶縁体を介して設けた第三の電極とからなる。 - 特許庁
The two-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt metal-insulator transition (MIT) semiconductor material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor material layer.例文帳に追加
本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。 - 特許庁
A method comprises the steps of forming a gate oxide film and an amorphous silicon layer on a semiconductor substrate, changing an amorphous silicon layer into a first polysilicon layer with large grain by carrying out an SPG process, forming a nitride film on a first polysilicon layer, and forming a second polysilicon layer for floating gates by carrying out an element segregation process and a nitride film elimination process.例文帳に追加
半導体基板上にゲート酸化膜及び非晶質シリコン層を形成する段階と、ＳＰＧ工程を行って非晶質シリコン層をグレインの大きい第１ポリシリコン層にする段階と、第１ポリシリコン層上に窒化膜を形成する段階と、素子隔離工程及び窒化膜除去工程を行い、フローティングゲート用第２ポリシリコン層を形成する段階とを含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the multilayer interconnection circuit substrate comprises the steps of laminating the thermosetting adhesive layer 15 on a first conductor layer 12, then forming an opening 14 in the layer 15, filling the opening 14 with solder powder 17 at an ambient temperature, and then laminating a second conductor layer 23 on the layer 15 including the opening 14 filled with the powder 17.例文帳に追加
第１の導体層１２の上に、熱硬化性接着剤層１５を積層した後、その熱硬化性接着剤層１５に開口部１４を形成し、その開口部１４に、はんだ粉末１７を常温で充填し、次いで、はんだ粉末１７が充填された開口部１４を含む熱硬化性接着剤層１５の上に、第２の導体層２３を積層する。 - 特許庁
This semiconductor light emitting device comprises a semiconductor laminate 5 stacking a first semiconductor layer 2 with an active layer (light emitting layer) 3, and a second semiconductor layer 4; and a light extraction layer 10 which is formed at least partially on the surface of the above semiconductor laminate 5 and is composed of a silicon resin material whose refraction factor is smaller than that of the semiconductor laminate 5.例文帳に追加
半導体発光装置は、活性層（発光層）３を含む第１の半導体層２及び第２の半導体層４が積層されてなる半導体積層体５と、該半導体積層体５の少なくとも一部の表面上に形成され、半導体積層体５の屈折率よりも小さい屈折率を有するシリコーン樹脂材からなる光取り出し層１０とを有している。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device comprises an ion implantation step for implanting ions into a first epitaxial growth layer 2 as a base layer at 300°C or higher, an anneal step for annealing following to the ion implantation step and a growth step for forming a second epitaxial growth layer 4 by epitaxial growth on the first epitaxial growth layer 2 as the base layer.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、基層としての第１のエピタキシャル成長層２に対して３００℃以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第１のエピタキシャル成長層２の上にエピタキシャル成長を行ない、第２のエピタキシャル成長層４を形成する成長工程とを含む。 - 特許庁
The film has a laminate structure of two or more layers including an outermost layer, where the outermost layer comprises a thermoplastic resin composition containing a thermoplastic resin having a melting-point of 98°C or higher, and at least one layer other than the outermost layer (second layer) comprises a resin composition containing an ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer having 17 mass% or more of unsaturated carboxylic acid content, or its ionomer.例文帳に追加
最外層を含む二層以上の積層構造を有し、最外層は、融点が９８℃以上の熱可塑性樹脂を含有する熱可塑性樹脂組成物からなり、最外層以外の少なくとも一層（第二層）は、不飽和カルボン酸含有量が１７質量％以上のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体、またはそのアイオノマーを含有する樹脂組成物からなる。 - 特許庁
A groove pattern 4 is formed in the second insulating layer 3 consisting of a multi-layer film accumulated in sequence from a lower layer with an organic SOG film 3a and a TEOS oxide film 3b, and a barrier layer 6 is formed through the TEOS oxide film 5 formed on a wall of the groove pattern 4 to prevent the organic SOG film 3a from touching the barrier layer directly.例文帳に追加
有機ＳＯＧ膜３ａおよびＴＥＯＳ酸化膜３ｂが下層から順に堆積された積層膜によって構成される第２絶縁層３に溝パターン４が形成されており、この溝パターン４の側壁に設けられたＴＥＯＳ酸化膜５を介してバリア層６を形成することで、有機ＳＯＧ膜３ａとバリア層６とが直接接するのを防ぐ。 - 特許庁
On the second insulation film 4b, a semiconductor layer 5 formed of ZnO or the like is formed.例文帳に追加
第１絶縁膜４ａを絶縁性の高いＳｉＮ_x などで形成する一方、第２絶縁膜４ｂを酸化物（例えば、ＳｉＯ_2 ）によって形成する。 - 特許庁
After the electrical plating, the thin part is perforated along with the conductive layer, thereby attaining an electrical insulation between the first and the second circuit patterns.例文帳に追加
電気めっき後、導体層とともに薄肉部を打抜くことで第１回路パターンと第２回路パターンとの間の電気絶縁が得られる。 - 特許庁
The protruded shape part 9 is pushed toward the shape transfer face 21b by the compressed thermoplastic resin in a process for forming the second layer.例文帳に追加
第２層を形成する工程では、圧縮された熱可塑性樹脂２５により凸形状部９が形状転写面２１ｂの方へと押される。 - 特許庁
The spatial light modulator comprises: a first substrate 25; a second substrate 26; and a layer of electrooptic material disposed between both substrates.例文帳に追加
空間光変調器は、第１の基板２５と第２の基板２６とこの両基板との間に配置された電子光学材料の層とを備える。 - 特許庁
Then, the coil pattern 60, insulated layers 61 and 62, and magnetic substrate 63 are laminated on the static protection layer 5 to form the second coil block 6.例文帳に追加
そして、静電保護層５上にコイルパターン６０と絶縁層６１，６２と磁性体基板６３とを積層して、第２コイルブロック６を形成した。 - 特許庁
The freely deforming layer (4) has a plastic deformability allowing bidirectional transition between the first shape transition state and the second shape transition state.例文帳に追加
変形自由層（４）は第１形状遷移態と第２形状遷移態との間の双方向遷移を許容する可塑的変形性を有している。 - 特許庁
A metal bump 50 of the outside circuit is connected by heat welding through an anisotoropic conductive film 41 on the second conductive layer 26.例文帳に追加
第２の導電層２６上には、異方性導電フィルム４１を介して、外部回路の金属バンプ５０が熱圧着により接続されている。 - 特許庁
A third process includes a step of removing a desired part or the whole part of the etching mask layer 3a on the substrate obtained in the second step.例文帳に追加
第３工程が、第２工程で得られた基板におけるエッチングマスク層３ａの所望の一部、又は全部を除去する工程を有する。 - 特許庁
A spiral inductor portion 15a is formed of the second conductive layer, and a pad portion 15b is disposed in an outer peripheral area as compared with the inductor portion.例文帳に追加
第二導電層から構成されるスパイラル状のインダクタ部１５ａおよび該インダクタ部より外周域に位置するパット部１５ｂを有する。 - 特許庁
The first and second skin materials are respectively bonded to both opposed surfaces of the intermediate layer by primary injection molding.例文帳に追加
前記第一表皮材及び前記第二表皮材は、一次射出成形によって前記中間層の対向する両面にそれぞれ結合される。 - 特許庁
A first alignment guide 36 is formed on the removable layer, and a second alignment guide 21 is formed on the front side surface of a chip 30.例文帳に追加
除去可能な層上に第１位置合せガイド３６を形成し、チップ３０の表側表面上に第２位置合せガイド２１を形成する。 - 特許庁
The side surface part 13 is also formed into a three-layer structure for covering an outer peripheral surface of the second foam body 16 with a third foam body 17.例文帳に追加
さらに、側面部１３については、第二発泡体１６の外周面を第三発泡体１７が覆う三層構造となっている。 - 特許庁
A first metallic material 1 to be joined and a second material 2 to be joined are stacked across a thin layer joining material 3 so as to form a stacked body 4.例文帳に追加
第１金属被接合材１と第２金属被接合材２とを薄層接合材３を介して積層し積層体４を形成する。 - 特許庁
The chip antenna unit comprises: a dielectric material layer 102; a first bent line 104; a second bent line 106, and a plurality of flexed lines 108.例文帳に追加
誘電体材料層１０２、第１の曲折線路１０４、第２の曲折線路１０６および複数の屈曲線路１０８を備える。 - 特許庁
Thus, the second wiring layer 114 is oxidized and corroded, and protective effect of a semiconductor device due to the seal ring 110 can be prevented from deteriorating.例文帳に追加
よって、第２配線層１１４が酸化、腐食し、シールリング１１０による半導体装置の保護効果が劣化するのを防止することができる。 - 特許庁
The non-magnetic material layer 32 is formed on a mounting surface side (second principal surface side) with respect to a wiring board that is a mounting destination and includes the surface conductor film 7.例文帳に追加
非磁性体層３２は実装先の配線基板に対する実装面側（第２主面側）に形成され、表面導体膜７を含む。 - 特許庁
A channel protection film 26 is formed on a third region 24 sandwiched between a first region 20 and a second region 22 of the semiconductor layer 18.例文帳に追加
半導体層１８の第１領域２０及び第２領域２２に挟まれる第３領域２４上にチャネル保護膜２６を形成する。 - 特許庁
Then a second grown layer 22 is grown so that the growth rate in the direction perpendicular to the growing surface may become ≤10 μm/h.例文帳に追加
そののち、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。 - 特許庁
While a tube 43 is put on the outer side of the coil 35, a second resin is injected between the coil 35 and the tube 43, and a shell layer 37 is formed.例文帳に追加
コイル３５の外側にチューブ４３を被せ、コイル３５とチューブ４３の間に第２の樹脂を注入して外皮層３７を形成する。 - 特許庁
A first face 34 of the second adhesive layer 32 adheres to the entire surface of the lower polarizing plate 30 opposing to the optical sheet 20 and the frame 24.例文帳に追加
第２粘着層３２の第１面３４は、下偏光板３０の、光学シート２０及びフレーム２４を向く面の全面に粘着する。 - 特許庁
The heating elements 9 are connected to second wiring layers 10 different from the wiring layer 5 and are provided to correspond to the memory chips 6.例文帳に追加
加熱素子９は、配線層５とは異なる第２の配線層１０に接続されているとともに、メモリ素子６に対応して設けられている。 - 特許庁
The semiconductor layer laminate 102 has a striped optical waveguide extending between a first end face 151 and a second end face 152.例文帳に追加
半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。 - 特許庁
Since a general signal wiring 5 exists in the same first metal as the wiring 8, it is possible to avoid a short circuit with a wiring 9 of the second metal layer.例文帳に追加
一般信号配線５は配線８と同じメタル第１層なので、メタル第２層の配線９とのショートを回避することができる。 - 特許庁
When the second phtothermal conversion layer 43B is previously formed in the form of a donor identification pattern ID, the donor identification pattern can be easily formed.例文帳に追加
第２光熱変換層４３Ｂを、ドナー識別パターンＩＤの形状で形成しておけば、ドナー識別パターンを容易に形成することができる。 - 特許庁
The tire radial outer edge 16 of the second reinforcing cord layer 14 is mounted to a standard rim and located outside in the tire radial direction more than a rim flange.例文帳に追加
第２補強コード層１４のタイヤ径方向外端縁１６が、標準リムに装着して、リムフランジよりもタイヤ径方向外側に位置する。 - 特許庁
A first group of the lines in each field defines a transport layer region of that field, and a second group of the lines defines a service data region.例文帳に追加
各フィールドにおけるラインの第１群は、そのフィールドのトランスポート層領域を規定し、そしてラインの第２群は、サービスデータ領域を規定する。 - 特許庁
The lighting system 200 is formed by sandwiching an organic EL layer 15 between a first transparent substrate 10 and a second transparent substrate 20.例文帳に追加
照明装置２００は、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０との間に有機ＥＬ層１５が挟まれて形成されている。 - 特許庁
A magnetic tunneling effect element 10 comprises first and second ferromagnetic layers 14 and 16 separated by an insulator layer 12.例文帳に追加
磁気トンネル効果素子１０は、絶縁体層１２によって分離された第１強磁性体層１４および第２強磁性体層１６を含む。 - 特許庁
Each of the first and the second portions 13a and 13b has the active layer 23, an n-type clad region 25 and a p-type clad region 27.例文帳に追加
第１および第２の部分１３ａ、１３ｂの各々は、活性層２３、ｎ型クラッド領域２５およびｐ型クラッド領域２７を含む。 - 特許庁
A lighting device 106 has a light-emitting element 212 and a light shield layer 216 between a first substrate 217 and a second substrate 211 which are mutually transparent.例文帳に追加
照明装置１０６は、互いに透明な第１基板２１７と第２基板２１１の間に、発光素子２１２と遮光層２１６を備える。 - 特許庁
A shaping body 18 comprising an elastomer is pressed onto the surface of the frozen layer 24 with a load determined beforehand by a second load application mechanism 26.例文帳に追加
エラストマーからなる整形体１８を第２荷重付与機構２６により氷結層２４の表面に予め定めた荷重で押し付ける。 - 特許庁
To further reduce restrictions in a manufacturing process, with respect to a composite substrate structured by bonding a first substrate with a second substrate through an adhesion layer.例文帳に追加
第１基板と第２基板とを接着層で貼り合わせた構造を有する複合基板において、製造工程での制限をより低減する。 - 特許庁
The control unit is connected to the first wiring and the second wiring and supplies at least one of the voltage and the current to the resistance change layer.例文帳に追加
制御部は、第１配線と第２配線とに接続され、抵抗変化層に電圧及び電流の少なくともいずれかを供給する。 - 特許庁
The upper wiring layer has a first region overlapping the characteristic check element and a second region not overlapping the characteristic check element.例文帳に追加
前記上部配線層は、前記特性チェック素子に重なる第１領域と、前記特性チェック素子に重ならない第２領域とを備える。 - 特許庁
The precursor coating layer contains particles and a precursor of a second ceramic material having the same predominant constituent as the first ceramic material.例文帳に追加
前駆体コーティング層は第１のセラミック材料と同じ主成分を有する第２のセラミック材料の粒子と前駆体を含有している。 - 特許庁
In the next second step, the light is radiated to the part corresponding to the disconnection point D in the wettability adjusting layer 5 or the other part.例文帳に追加
次の第２工程では、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。 - 特許庁
The normal heating means 21a heats the solder layer 15 to the melting point or above so as to join the first metal tube 11 and the second metal tube 13.例文帳に追加
本加熱手段２１ａは、はんだ層１５の温度を融点以上にして第１金属管１１と第２金属管１３を接合する。 - 特許庁
An organic EL light-emitting element 1 is configured so that a first electrode 3, an organic EL layer 4, a second electrode 5 are laminated on a substrate 2 in this order.例文帳に追加
有機ＥＬ発光素子１は、基板２上に第１電極３、有機ＥＬ層４、第２電極５、がこの順に積層されて成る。 - 特許庁
On the composition modulation buffer layer 20, first and second semiconductor layers 40 and 50 are formed which include active layers made of nitride semiconductors.例文帳に追加
組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１及び第２の半導体層４０，５０が形成されている。 - 特許庁
The electronic circuit module component 1 includes an electronic component 2, a substrate 3, a first resin 4, a second resin 9, a metal layer 5, and an opening 5H.例文帳に追加
電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、第１樹脂４と、第２樹脂９と、金属層５と、開口部５Ｈと、を含む。 - 特許庁
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