「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(259ページ目) - Weblio英語例文検索

A ground layer 2 is provided on a base plate 1, and the semiconductor constitution body 3 is provided thereupon; and first and second insulating layers 15 and 18 are provided at a periphery thereof, and upper-layer wiring 22 is provided thereupon with an upper-layer insulating film 19 interposed.例文帳に追加

ベース板１上にはグランド層２が設けられ、その上には半導体構成体３が設けられ、その周囲には第１、第２の絶縁層１５、１８が設けられ、それらの上には上層絶縁膜１９を介して上層配線２２が設けられている。 - 特許庁

Wiring layers 631, 632, 633 connected with the light-emitting n-type semiconductor layer 2 and separated electrically from each other are connected, respectively, to a plurality of parts of the n-type semiconductor layer 2 (resistive layer) having different separation dimensions from the second bonding electrode 62.例文帳に追加

ｎ型半導体層２（抵抗層）の第２ボンディング電極６２からの離隔寸法が異なる複数の箇所それぞれに、発光用のｎ型半導体層２に接続され、相互に電気的に分離した配線層６３１、６３２、６３３を接続してある。 - 特許庁

The bipolar electrode 10 has a positive electrode layer 12 and a negative electrode layer 13 formed on a front and rear face of a collector 11, and the positive electrode layer 12 is formed through a process of coating an electrode material twice (first layers 121, 141 and second layers 122, 142).例文帳に追加

集電体１１の表裏面に正極層１２および負極層１３を形成した双極型電極１０であり、正極層１２を電極材料を２回塗布する工程（第１層１２１、１４１と第２層１２２、１４２）によって形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a method comprising: (a) a step of preparing a substrate on which a silicon layer 1c is formed via an insulating layer 1b; and (b) a step of forming an element isolation insulating film 3 in the silicon layer in the first isolation region and the second isolation region of the substrate.例文帳に追加

（ａ）絶縁層１ｂを介してシリコン層１ｃが形成された基板を準備する工程と、（ｂ）基板の第１の分離領域および第２の分離領域のシリコン層中に素子分離絶縁膜３を形成する工程と、を有するよう製造する。 - 特許庁

By arranging an anti-reflection layer 208 on a second part of the surface of the silicon substrate 202, reflection of radiation entering the anti-reflection layer 208 is substantially decreased by cancelable interference on the anti-reflection layer 208.例文帳に追加

シリコン基板２０２の表面の第２の部分上に反射防止層２０８を配置することで、反射防止層２０８における相殺的な干渉によって反射防止層２０８に入射する放射の反射を実質的に減少させるようになっている。 - 特許庁

A first reflective layer 4 having a plurality of openings 41 is arranged on a light extracting surface 31 side of the substrate 3, lenses 5 are arranged by corresponding to respective openings 41, and a second reflective layer 6 is arranged on a face of the organic EL layer 2 opposite to the substrate 3.例文帳に追加

複数の開口部４１を有する第１の反射層４が基板３の光取り出し面３１側に設けられ、レンズ５が開口部４１の各々に対応して設けられ、第２の反射層６が有機ＥＬ層２の基板３とは反対側面に設けられる。 - 特許庁

The thickness of a part 41 in a first region AR1 of a buried layer 40 is arranged to be thinner as it goes away from a second region AR2, and the distance between an emitter region 70E and the buried layer 40 is longer than the distance between a collector region 70C and the buried layer 40.例文帳に追加

埋め込み層４０の第１領域ＡＲ１内の部分４１の厚さは第２領域ＡＲ２から遠ざかるほど薄くなっており、エミッタ領域７０Ｅと埋め込み層４０との距離は、コレクタ領域７０Ｃと埋め込み層４０との距離よりも長い。 - 特許庁

The reproducing layer L0 of the optical disk is composed of: a recording area L0a having an outside diameter R2 shorter than each outside diameter R3 of a first recording layer L1 and a second recording layer L2; and a non-recording area L0b disposed along an outer peripheral part of the recording area L0a.例文帳に追加

光ディスク１の再生層Ｌ０は、第１記録層Ｌ１及び第２記録層Ｌ２の外径Ｒ３よりも短い外径Ｒ２を有する記録領域Ｌ０ａと、記録領域Ｌ０ａの外周に沿って配置してある無記録領域Ｌ０ｂとからなる。 - 特許庁

At this time, the seal layer 13 is gradually cured by irradiation with ultraviolet rays and the liquid crystal LC is blocked by side walls of a first spacer 12 and a second spacer 22 to temporarily stay, so the liquid crystal does not contact the seal layer 13 before the seal layer is cured by the irradiation with ultraviolet rays.例文帳に追加

その際、シール層１３を紫外線照射により徐々に硬化させるが、液晶ＬＣは第１のスペーサ１２及び第２のスペーサ２２の側壁に遮られて一旦停滞するため、紫外線照射により硬化する前のシール層１３に接触しない。 - 特許庁

A semiconductor device 10 is of a two-layered structure which has an element mounting structure 12 as a first layer, an intermediate substrate 14 provided on the first layer, and an element mounting structure 16 as a second layer provided on the intermediate substrate.例文帳に追加

本半導体装置１０は、第１層の素子実装構造１２と、第１層の素子実装構造上に設けられた中間基板１４と、中間基板上に設けられた第２層の素子実装構造１６とを有する２層積層構造として構成される。 - 特許庁

The abrasive grain layer 24 comprises first small abrasive grain layer parts 26A and second small abrasive grain layer parts 26B disposed roughly in a truncated chevron shape in the circumferential direction in order in such a way that they are inclined on both sides of a center line 01 passing a center 0 of the base metal 22.例文帳に追加

砥粒層２４は台金２２の中心Ｏを通る中心線Ｏ１の両側で反対方向に傾斜するように第一の小砥粒層部２６Ａと第二の小砥粒層部２６Ｂとを略ハの字形に配置して周方向に順次配列する。 - 特許庁

The body 10 and the rotating body 20 are attached to each other in a stratified form having the body 10 as a first layer and the rotating body 20 as a second layer and nearly parallel to the ceiling when the body 10 of the first layer is attached to the ceiling.例文帳に追加

本体１０と回転体２０とは、本体１０を第１層とし回転体２０を第２層とする層状であって第１層の本体１０が天井に取り付けられた場合に天井に対して略平行となる層状に組み付けられている。 - 特許庁

An N-type contact layer 21 is obtained by growing a second N-type GaN layer 212 under the condition of the V/III ratio being high, on a first N-type GaN layer 211 grown under the condition with the V/III ratio of the nitrogen material (molar ratio) to a gallium material being low.例文帳に追加

Ｎ型コンタクト層２１は、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が低い条件で成長した第１Ｎ型ＧａＮ層２１１上に、Ｖ／III比が高い条件で第２Ｎ型ＧａＮ層２１２を成長させて得られたものである。 - 特許庁

The re-entering structure makes the light passed through the quantum dot layer reflect to re-enter the quantum dot layer, and makes a polarization component in the first direction re-enter the quantum dot layer after being converted into a polarization component in the second direction different from the first direction.例文帳に追加

再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 - 特許庁

The film thickness of a light distribution region 2aa of the first phosphor layer 3a in which the visible light emitted from the second phosphor layer 3b is distributed is set thinner than that of a region other than the light distribution region 2aa of the first phosphor layer 3a.例文帳に追加

第２蛍光体層３ｂから発せられた可視光が配光される第１蛍光体層３ａの配光領域２ａａの膜厚が、第１蛍光体層３ａの配光領域２ａａ以外の領域の膜厚に比べて薄く設定されている。 - 特許庁

The inside surface of the receiving recess 11 is provided with a second reflection layer 4 consisting of an optical multi-layer film obtained by laminating SiO_2 on TiO_2, and laminated on a first reflection layer 3 consisting of aluminum, in order to reflect out-going light from the light emitting element chip 2.例文帳に追加

収納凹所１１の内側面は、発光素子チップ２からの出射光を反射するために、アルミニウムからなる第１の反射層３の上に、ＳｉＯ_２とＴｉＯ_２とを積層した光学多層膜からなる第２の反射層４を積層している。 - 特許庁

The first rubber layer 25 comprises a rubber material containing no vulcanization promoter, has the first attaching face 29 attached directly to the inner liner 7, on its one side and has the first junction face 31 on the other side, and the second rubber layer 27 is layered on the first rubber layer 25.例文帳に追加

第１ゴム層２５は、加硫促進剤を含まないゴム材料からなり、一側に、インナーライナー７に直接的に取付可能な第１取付面２９を有し、他側に、第１接合面３１を有し、第１ゴム層２５には第２ゴム層２７が重合される。 - 特許庁

In a magnetoresistance device wherein a first magnetic layer and a second magnetic layer both having different coercive forces are laminated on a substrate, between which layers a non-magnetic layer is laminated, a cross sectional configuration of the magnetoresistance device is a trapezoid.例文帳に追加

基板上に保磁力の異なる第１磁性層と第２磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の断面形状が台形であることを特徴とする磁気抵抗素子によって解決される。 - 特許庁

The first narrow width woven fabric layer has inside and outside woven fabric layers, both of the woven fabric layers are sewn-in with a sewing thread and also both end parts in the width direction of the second narrow width woven fabric layer are sewn-in with both end parts in the width direction of the first narrow width woven fabric layer with the sewing thread.例文帳に追加

前記第１細幅織物層が内外の織物層を有して両織物層が綴じ糸で綴じられると共に、第１細幅織物層の幅方向の両端部に第２細幅織物層の幅方向の両端部が綴じ糸で綴じられる。 - 特許庁

In the step of laminating the second semiconductor element 106 with the adhesive layer, the adhesive layer 104 is disposed on the element forming surface of the first semiconductor element 16 with the adhesive layer on the condition that the melt viscosity thereof is not less than 0.07 pa s and not more than 30 pa s.例文帳に追加

第二の接着層付き半導体素子１０６を積層する工程において、接着層１０４は、溶融粘度が０．０７ｐａ・ｓ以上３０ｐａ・ｓ以下となる条件で、第一の接着層付き半導体素子１６の素子形成面上に配置される。 - 特許庁

In the plastic container on the surface of which the thin films are formed, the plastic container is characterized by successively laminating a first layer with a high refractive index, a second layer with a low refractive index, and a third layer with a high refractive index on the surface of the plastic substrate.例文帳に追加

表面に薄膜が形成されたプラスチック容器において、プラスチック基材表面に高屈折率を有する第１層、低屈折率を有する第２層、高屈折率を有する第３層が順次積層されてなることを特徴とするプラスチック容器である。 - 特許庁

The first alignment layer 14 and the second alignment layer 15 are formed different in surface hardness from each other and then collectively subjected to rubbing, whereby the alignment layers are formed different in alignment regulating force for aligning liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 30.例文帳に追加

第１配向膜１４と第２配向膜１５とは、互いの表面硬さが異なる状態に形成された後に一括してラビング処理されたことにより、液晶層３０の液晶分子を配向させる配向規制力が互いに異なって形成されている。 - 特許庁

The fiber sheet includes a first resin sheet having an adhesive layer on one side, first and second optical fibers which are laid on the adhesive layer of the first resin sheet and cross each other, and a plurality of spacers scattered on the adhesive layer of the first resin sheet.例文帳に追加

ファイバシートであって、片面に粘着剤層を有する第１樹脂シートと、第１樹脂シートの粘着剤層上に布線された互いに交差する第１、第２光ファイバと、第１樹脂シートの粘着剤層上に散在された複数のスペーサとを含んでいる。 - 特許庁

The optical laminate includes a first retardation layer having a refractive index profile of nx>ny=nz, a second retardation layer having a refractive index profile of nz>nx=ny, and an adhesion enhancement layer containing polyethyleneimine as a main component in the state order.例文帳に追加

本発明の光学積層体は、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの屈折率分布を有する第１の位相差層と、ｎｚ＞ｎｘ＝ｎｙの屈折率分布を有する第２の位相差層と、ポリエチレンイミンを主成分として含有する易接着層とをこの順に有する。 - 特許庁

A first region 41 positioned above a semiconductor layer 31 and a second region 42 positioned outside the semiconductor layer 31 and having a distance from a substrate 21 longer than that of the first region 41 are continuously formed on a gate insulating film 32 formed on the substrate 21 so as to cover the semiconductor layer 31.例文帳に追加

半導体層31を覆って基板21上に形成したゲート絶縁膜32に、半導体層31上に位置する第１領域41と、半導体層31の外方に位置し基板21からの距離が第１領域41より大きい第２領域42とを連続して設ける。 - 特許庁

Then, by etching using the hard mask, the first conductive layer, the ferroelectric layer, and the second conductive layer are formed into a bottom electrode, a ferroelectric thin film, and a top electrode, respectively, to manufacture a ferroelectric capacitor composed of the multilayer film for forming a capacitor.例文帳に追加

次に、ハードマスクを用いたエッチングにより、第１導電層、強誘電体層及び第２導電層をそれぞれ下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極に加工して、キャパシタ形成用積層膜から強誘電体キャパシタを形成する。 - 特許庁

The first layer 13a and the third layer 13c are formed by using materials, for example, having the nature causing the stress of compression and the second layer 13b held therebetween is formed by using a material having the nature conversely causing the stress of tension.例文帳に追加

更に、第１層１３ａ及び第３層１３ｃは例えば性質が圧縮の応力を生じる材料を用いて形成し、これらに挟まれる第２層１３ｂは上記とは逆に性質が引張の応力を生じる材料を用いて形成する。 - 特許庁

A laminated body 14 with a first electrode 16, an optical absorption layer 18 and a second electrode 20 have been stacked on this reconstituted mica substrate 52, and a smooth layer 54 and a binder layer 56 have been interposed between the reconstituted mica substrate and the laminated body 14.例文帳に追加

この集成マイカ基板５２上には、第１電極１６と、光吸収層１８と、第２電極２０とを有する積層体１４が積層されており、集成マイカ基板５２と積層体１４との間には、平滑化層５４とバインダ層５６とが介装されている。 - 特許庁

A metal base material 4 is provided with a first coating layer 5 whose main component is thermosetting resin excellent in heat resistance, and a second coating layer 6 whose main component is nonadhesive resin excellent in non-adhesiveness is formed on the first coating layer 5 further.例文帳に追加

金属基材４に耐熱性に優れた熱硬化樹脂を主成分とする第１の被膜層５を設け、さらに第１の被膜層５の上に非粘着性に優れた非粘着性樹脂を主成分とする第２の被膜層６を形成させる構成とした。 - 特許庁

The discharging head B3 includes a liquid guide mechanism for discharging from the nozzle 41 the liquid discharged from each dispenser container in a foam form or in a viscous liquid form in a cross sectional pattern having a layer structure where at least the upper surface of the first liquid layer is covered by the second liquid layer.例文帳に追加

各吐出用容器体から泡状或いは粘性液状に吐出された液を、少なくとも第１液層の上面を第２液層が被覆する層構成を備えた断面パターンで、ノズル41から吐出する液誘導機構を吐出ヘッドB3内に備えている。 - 特許庁

Two layers of first-layer wiring 11s and 11d(M1) are respectively connected to the plugs 13(p1), and two layers of second-layer wiring 12s and 12d for back lining are respectively connected to the first-layer wiring 11s and 11d(M1) on the plugs 13(p1).例文帳に追加

その導体プラグ１３（ｐ１）にそれぞれ第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）が接続され、さらにそれら第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）に対して、導体プラグ１３（ｐ１）上で裏打ち用の第２層配線１２ｓ、１２ｄが接続されている。 - 特許庁

The second layer of the dielectric 10 is composed of a plurality of elements 11 to 16 divided to cover the surface of the first layer of the dielectric 20 without leaving any space, and to cover joint portions 20x, 20y between adjacent ones of the elements 21 to 24 of the first layer of the dielectric 20.例文帳に追加

第２層の誘電体１０は、第１層の誘電体２０の表面を隙間なく覆うように、かつ隣接する第１層の誘電体２０の要素２１〜２４間の接合部２０ｘ，２０ｙを覆うように分割された複数の要素１１〜１６からなる。 - 特許庁

A surface of a floating roof is covered by a first resin layer 6, a heat insulating material 7 is installed on a part except weld lines 4 on the first resin layer 6, and the entire floating roof surface is covered by a second resin layer 8 so as to wrap the heat insulating material 7.例文帳に追加

浮き屋根の表面を第１の樹脂層６で被覆し、この第１の樹脂層６の上であって、溶接線４を除いた部分に断熱材７を設置し、この断熱材７を包むように浮き屋根表面の全体を第２の樹脂層８で被覆する。 - 特許庁

The light emitting device is formed using a method including the steps of: preparing a sapphire substrate; growing a first layer of Al_1-xGa_xN on the substrate by vapor deposition at an temperature between about 1,000°C and about 1,180°C, and growing a second layer of III-group nitride on the first layer.例文帳に追加

サファイヤの基板を準備し、約１０００℃と約１１８０℃の間の温度で、蒸着によりＡｌ_1-xＧａ_xＮの第１層を基板上で成長させ、第１層の上にあるＩＩＩ族窒化物の第２層を成長させることを含む発光デバイスを形成する。 - 特許庁

The selective transistor comprises a gate electrode structure composed of the gate insulating film 2 of the cell part, the first conductive layer 3, the conductive interlayer insulating film 4, and the second conductive layer 7 which is electrically connected to the first conductive layer 3 at an opening of the conductive interlayer insulating film 4.例文帳に追加

選択トランジスタは、セル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３、導電層間絶縁膜４、導電層間絶縁膜４中の開口部で第一導電層３と電気的に導通下第二導電層７からなるゲート電極構造を備える。 - 特許庁

A first wiring board 1 which is formed by providing both sides of a rigid insulating layer 2 with wiring layers 3 and 4 and a second wiring board 6 which is formed by providing both sides of a rigid insulating layer 7 with conductor plated wiring layers 8 and 9 are layered and integrated via an insulating layer 11.例文帳に追加

リジッドな絶縁層２の両面に配線層３、４を備えてなる第１の配線基板１と、リジッドな絶縁層７の両面に導体めっき配線層８、９を備えてなる第２の配線基板６とを、絶縁層１１を介して積層一体化する。 - 特許庁

In a polarizing plate having an optical anisotropic layer composed of a liquid crystalline compound, a first transparent protective film, a polarizing film, a second transparent protective film and a light diffusion layer in this order, the haze value of the light diffusion layer is adjusted so as to be 45 to 55%.例文帳に追加

液晶性化合物から形成した光学異方層、第１透明保護膜、偏光膜、第２透明保護膜、そして光拡散層をこの順序で有する偏光板において、光拡散層のヘイズ値を４５％以上５５％以下に調整する。 - 特許庁

The twister belt is obtained by laminating a surface rubber layer 2 contacting an object to be twisted; a first base fabric 3 as a base fabric; a reinforcing rubber layer 5 embedding core wires 4; a second base fabric 6 as another base fabric; and an elastomer layer 7 in the order from the outer peripheral side.例文帳に追加

撚りを付与する対象に対して接触する表面ゴム層２と、基布としての第一基布３と、芯線４が埋設された補強ゴム層５と、他の基布としての第二基布６と、エラストマー層７と、を外周側からこの順に積層して成る。 - 特許庁

This abrasive sheet 10a is manufactured by mixing two or more kinds of abrasive grains 12, 13 in a first adhesive 14 on the surface of a base material 11 to form a lower layer 15, and by covering the lower layer 15 with a second adhesive 16 to form an upper layer 17.例文帳に追加

基材１１の面上に研磨砥粒１２，１３の２種類以上が第１接着剤１４に混入されて下層１５が形成され、第２接着剤１６にて下層１５を覆って上層１７が形成された研磨シート１０ａを製造した。 - 特許庁

The first base layer 12 is formed by using pure Cr having a bcc structure and excellent in crystal orientation properties in the circumferential direction of a substrate and the second base layer 16 is formed by using Cr-20Mo (at.%) having high consistency with the Co magnetic recording layer 13 in the crystal lattice spacing.例文帳に追加

第一下地層１２は、ｂｃｃ構造であり基板円周方向への結晶配向性に優れる純Ｃｒを、第二下地層１６は、Ｃｏ磁性記録層１３との結晶格子間隔の整合性が高いＣｒ−２０Ｍｏ（ａｔ％）とした。 - 特許庁

The structure includes a photonic crystal layer including a first member 1000 having a first refractive index and having a surface with a plurality of holes periodically arranged therein, and a low refractive index layer 1020 adjacent to the photonic crystal layer and having a second refractive index lower than the first refractive index.例文帳に追加

第１の屈折率を有する第１の部材１０００に複数の孔が周期的に配列されたフォトニック結晶層と、該フォトニック結晶層に隣接し、該第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有する低屈折率層１０２０とを備える。 - 特許庁

In the laminated type filter, a coil portion 10 has a nonmagnetic layer 11, magnetic layers 13 provided so as to sandwich at least the nonmagnetic layer 11 between them, and first and second coil conductors 15, 17 provided in the nonmagnetic layer 11 and coupled magnetically to each other.例文帳に追加

コイル部１０は、非磁性体層１１と、非磁性体層１１を少なくとも挟むように配置された磁性体層１３と、非磁性体層１１内に配置されると共に互いに磁気的に結合する第１及び第２のコイル導体１５，１７と、を有している。 - 特許庁

When a concealing instruction accepting section accepts a concealing instruction, a conceal image producing section uses the OSD producing section to produce an image in a non-transparent color on the second layer, thereby concealing the main moving picture being displayed on the lower-order layer than an OSD layer.例文帳に追加

そして隠蔽指示受付部が隠蔽指示を受け付けた際に、隠蔽用画像生成部はＯＳＤ生成部を用いて第二層に不透過色の画像を生成することにより、ＯＳＤ層よりも下位層に表示されている主動画を隠蔽する。 - 特許庁

A side wall part 44 of the guide part 40 and a second lower clad layer 42 as a lower guide layer form a guide groove part 45 for guiding an end 6 of each optical fiber 5 such that the end 6 of the optical fiber 5 is positioned at an end 35 of the core layer 32.例文帳に追加

ガイド部４０の壁部４４及び下部ガイド層としての第２下部クラッド層４２は、光ファイバ５の端部６の位置がコア層３２の端部３５の位置に合うように各光ファイバ５の端部６を案内するためのガイド溝部４５を形成する。 - 特許庁

On the surface of the base comprising a cobalt-chromium alloy, the first metallized layer consisting of minute pure titanium or titanium alloy is formed, and the second coating layer consisting of pure titanium or titanium alloy with a number of holes opening on the surface is formed over the first coating layer.例文帳に追加

コバルト・クロム合金よりなる基体の表面に緻密な純チタンまたはチタン合金からなる第１被覆層を形成し、該第１被覆層上にその表面に開口する多数の穴を有する純チタンまたはチタン合金からなる第２被覆層を形成する。 - 特許庁