「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(257ページ目) - Weblio英語例文検索

In the metal bonding section 30a, a first metal layer 31a is formed on the surface of the wiring board 2, a second metal layer 32a is formed on the surface of the frame 14, and the first and second metal layers 31a and 32a are bonded to each other by being heated nd pressurized.例文帳に追加

金属結合部３０ａでは、配線基板２の表面に第１の金属層３１ａが形成され、枠体１４の表面に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが加熱され加圧されて互いに接合されている。 - 特許庁

Then, test data is recorded in the outer peripheral writing area of the second recording layer based on the recording power value of the inner periphery OPC, an asymmetry value is obtained from its reproduced signal, and an outer peripheral recording power value is obtained for the second recording layer based on the obtained asymmetry value and the coefficient of the optical disk.例文帳に追加

そして、内周ＯＰＣの記録パワー値に基づいて第２記録層の外周試し書き領域にテストデータを記録し、その再生信号からアシンメトリ値を求め、求められたアシンメトリ値と光ディスクの係数に基づいて第２記録層の外周記録パワー値を求める。 - 特許庁

In the electrostatic protection element where an active layer containing conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate and Schottky connected with first and second electrodes, a low resistance region is formed partially on the active layer between the first and second electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に導電型不純物を含有する能動層を形成し、この能動層に第１電極と第２電極とをショットキー接続した静電保護素子であって、前記第１電極と前記第２電極との間の能動層に、部分的に低抵抗領域を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a first process of heating a first semiconductor layer 12 of III nitride compound semiconductor in an atmosphere of gas containing nitrogen atoms, and a second process of growing a second semiconductor layer 13 of III nitride compound semiconductor in crystal.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体からなる第１の半導体層１２を、窒素原子を含む気体中で加熱する工程と、その後、第１の半導体層１２上に、III族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体層１３を結晶成長させる工程とを含む。 - 特許庁

On the insulating layer, while the row wiring electrodes 221 and the second wiring electrodes are connected through a plurality of the through-holes, a plurality of the connection wiring electrodes 223 which cross another second wiring electrodes and row wiring electrodes 221 are formed through the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層上には、複数のスルーホール２４５を経て列配線電極２２１と第２配線電極とを接続すると共に、絶縁層を介して別の第２配線電極及び列配線電極２２１と交差する複数の接続配線電極２２３が形成されている。 - 特許庁

The height of an upper surface of a second part, directly above the second IDT electrode, of the first dielectric layer from the upper surface of the piezoelectric body is larger than the height of an upper surface of a first part, directly above the first IDT electrode, of the first dielectric layer from the upper surface of the piezoelectric body.例文帳に追加

第１のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第１の部分の上面の圧電体の上面からの高さより、第２のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第２の部分の上面の圧電体の上面からの高さが高い。 - 特許庁

A first wiring 56a connected to the electrode terminal 2T of a shortest distance mutually through a part of a first via is formed on the first insulation layer 51 and a second insulation layer 52 wherein a second via leading to another part of a first via is formed is formed on a first wiring (a).例文帳に追加

第１の絶縁層５１上に第１のヴィアの一部を介して短距離の電極端子２Ｔ同士に接続された第１の配線５６ａが形成され、第１の配線ａ上に第１のヴィアの他の一部に至る第２のヴィアが形成された第２の絶縁層５７が形成される。 - 特許庁

The first surface electrodes 4 overlaps with the apical end 8b of the first outermost electrode layer 8 arranged farthest to the side of the side surface 1c, and the second surface electrode 5 overlaps with the apical end 9b of the second outermost electrode layer 9 arranged farthest to the side of the side surface 1d.例文帳に追加

第１の表面電極４は、最も側面１ｃ側に配置された第１の最外電極層８の先端部８ｂと重なり、第２の表面電極５は、最も側面１ｄ側に配置された第２の最外電極層９の先端部９ｂと重なっている。 - 特許庁

Thereby, part of the light incident from the quarter wave retarder or the selective circularly polarized light transmissive reflecting layer to the functional transparent substrate is consecutively reflected on the first facet and the second facet and again to be incident to the second quarter wave retarder or the selective circularly polarized light transmissive reflecting layer.例文帳に追加

それにより、λ／４位相差板または選択的円偏光透過反射層から機能性透明基板に入射する光の一部が第１面と第２面とで続けて反射され、第２のλ／４位相差板または選択的円偏光透過反射層に再び入射する。 - 特許庁

Then, impurities of first and second conductivity types are implanted into the surface of the substrate in respective regions by using the first sidewall and the gate electrode as masks to form a first impurity diffused layer, and impurities of second and first conductivity types are implanted to form an impurity diffusion preventing layer.例文帳に追加

そして、第１側壁及びゲート電極をマスクとして、各領域の基板表面にそれぞれ、第１、第２導電型の不純物を注入し、第１不純物拡散層を形成し、それぞれ、第２、第１導電型の不純物を注入して、不純物拡散防止層を形成する。 - 特許庁

The upper-layer conductive layer 32 is connected to the connecting pad 6 for the other capacitor on the semiconductor substrate 4 via the third connecting wiring 28, a columnar electrode 21 formed on the top face of the connecting pad section of the second connecting wiring 16 and the second connecting wiring 16.例文帳に追加

そして、上層導電層３２は、第３の接続配線２８、第２の接続配線１６の接続パッド部上面に設けられた柱状電極２１および第２の接続配線１６を介して、半導体基板４上の他方のコンデンサ用接続パッド６に接続されている。 - 特許庁

Thereby, only the second relay layer 400 and the pixel electrode 9aa can be reliably electrically connected without being affected by formation accuracy of the contact hole 85 and patterning accuracy of the second relay layer 400 extended from the contact hole 85 along the surface of a third interlayer insulating film 43.例文帳に追加

これにより、コンタクトホール８５の形成精度及びコンタクトホール８５から第３層間絶縁膜４３の表面に沿って延びる第２中継層４００のパターニング精度等に影響されることなく、確実に第中継層４００及び画素電極９ａａのみを電気的に接続できる。 - 特許庁

Namely, the mother particle 18 of the toner T having a low melting point is coated with an external additive 19 of first and second layers before development, and after development, a part of the external additive 19 in the second layer is separated from the mother particle 18 to deposit on an OPC 2 to form an external additive layer (A).例文帳に追加

つまり、現像前ではトナーＴの低軟化点の母粒子１８が第１および第２層の外添剤１９によって被覆され、現像後では第２層の外添剤１９の一部が母粒子１８から遊離してＯＰＯ２上に付着して、外添剤層Ａが形成される。 - 特許庁

In a semiconductor light-emitting element in which a semiconductor layer is formed on a substrate having a crystal growth surface of a non-polar plane or a semipolar plane, a semiconductor layer has a first side surface and a second side surface, and the average inclination of the second side surface is larger than that of the first side surface.例文帳に追加

非極性面又は半極性面を結晶成長面とする基板上に半導体層が形成された半導体発光素子であって、半導体層は、第１の側面と第２の側面とを有し、第２の側面の平均勾配は、第１の側面の平均勾配よりも大きい。 - 特許庁

In an exposure step a1, a first region 64 having a larger amount of leaked light in a photosensitive layer 53 is exposed in a first exposure step a11, and then a second region 65 having a smaller amount of the leaked light in the photosensitive layer 53 is exposed in a second exposure step a12.例文帳に追加

露光段階ａ１において、第１露光段階ａ１１で、感光層５３のうち漏れ光の光量が大きい第１領域６４を露光し、次に第２露光段階ａ１２で、感光層５３のうち漏れ光の光量が小さい第２領域６５を露光する。 - 特許庁

In this photovoltaic element, an intermediate layer 17 which is formed in an atmosphere containing hydrogen at a concentration of ≤15 vol.% is provided between a second transparent conductive film 12-2 and a P-type semiconductor layer 13 so as to cover first and second transparent conductive films 12-1 and 12-2.例文帳に追加

第２の透明導電膜１２−２とＰ型半導体層１３との間に、水素濃度１５体積％以下の雰囲気中において形成されてなる中間層１７を、第１の透明導電膜１２−１及び第２の透明導電膜１２−２を覆うようにして設ける。 - 特許庁

The optical article comprises a first optical member 11 and a second optical member 12 each formed of quartz and differed in linear expansion coefficient, and a junction layer 13 molecularly joining the first optical member 11 and the second optical member 12 together, the junction layer 13 being formed of a plasma polymerization film 131.例文帳に追加

それぞれ水晶からなり線膨張係数の異なる第一光学部材１１及び第二光学部材１２と、これらの第一光学部材１１と第二光学部材１２とを分子接合する接合層１３とを備え、接合層１３をプラズマ重合膜１３１から構成した。 - 特許庁

A first insulation layer 311 and a second insulation layer 321 are formed between a barrier rib 40 and a positive electrode terminal 31 and the barrier rib and a negative electrode terminal 32 respectively, and a first terminal lamination portion 41 and the second lamination portion 42 are formed between the barrier rib 40 and the positive electrode terminal 21 and between the barrier rib and the negative electrode terminal 22 respectively.例文帳に追加

隔壁４０と正極端子３１及び負極端子３２との間に第１及び第２の絶縁層３１１，３２１が形成されており、隔壁４０と正極端子２１及び負極端子２２との間に第１及び第２の端子積層部４１，４２が設けられている。 - 特許庁

The solder plating ball comprises a ball-like core 10 made of a first metal material, at least one first plating layer 12 which is provided so as to surround the core and made of a second metal material, and at least one second plating layer 14 provided to surround the core and made of a third metal material.例文帳に追加

第１金属材料からなるボール状のコア１０と、コアを包囲するように設けられ、第２金属材料からなる少なくとも１つの第１めっき層１２と、コアを包囲するように設けられ、第３金属材料からなる少なくとも１つの第２めっき層１４とを有する。 - 特許庁

The method includes: a step of sequentially laminating a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode, and forming a photoelectric conversion element; a second step of removing the photoelectric conversion layer and second electrode, and forming a first slit; and a third step of removing the first electrode in a region that overlaps with the first slit to form the second slit, and thereafter dividing the photoelectric conversion element into the multiple regions.例文帳に追加

第１の電極、光電変換層、第２の電極を順に積層し、光電変換素子を形成する第１の工程と、光電変換層、第２の電極を除去し、第１のスリットを形成する第２の工程と、第１のスリットと重なる領域において第１の電極を除去して第２のスリットを形成し、光電変換素子を複数の領域に分割する第３の工程と、を含む。 - 特許庁

The filter provided with a first filter layer which is arranged with the electret nonwoven fabric filter material and whose collection efficiency is at least 99% and a second filter layer which is arranged on the downstream side of the first filter layer and whose mechanical collection efficiency is within a range of 70-99.99% is provided.例文帳に追加

エレクトレット不織布濾材を配置してなる、捕集効率が９９％以上である第１の濾層と、第１の濾層の下流側に配置された、機械的捕集効率が７０〜９９．９９％の範囲内にある第２の濾層とを備えているフィルタとする。 - 特許庁

The moisture-proofing layer 6 is formed in such a manner that a temperature at which an ultraviolet curable resin for forming the second resin layer 7 is cured is different in temperature by ≤5°C from a temperature at which an ultraviolet curable resin for forming the first resin layer 4 is cured.例文帳に追加

防湿層６は、第二の樹脂層７を形成するための紫外線硬化性樹脂を硬化させるときの温度が、第一の樹脂層４を形成するための紫外線硬化性樹脂を硬化させるときの温度と５℃以下の温度差となるように形成されている。 - 特許庁

The interval between the radiation conductor layers 3, 4 whose resonance frequencies differ from each other and the ground conductor layer 9 is set to be narrow for the first radiation conductor layer 3 compatible with the high frequency band, and wide for the second radiation conductor layer 4 compatible with the low frequency band.例文帳に追加

共振周波数が異なる各放射導体層３，４と接地導体層９との間隔を、高域周波数帯に対応する第１放射導体層３では狭く、低域周波数帯に対応する第２放射導体層４では広く設定しておく。 - 特許庁

To reduce visibility of non-light-emitting ranges between organic layers arranged in parallel with a substrate in an organic electroluminescent (EL) device having the first organic layer 2, the second organic layer 3, and the third organic layer 5 which respectively emit light of different colors.例文帳に追加

互いに異なる色を発光する第１の有機層２と第２の有機層３と第３の有機層５を有する有機ＥＬ装置において、基板に対して並置される有機層間の非発光領域を視認されることを軽減することを目的とする。 - 特許庁

Namely the pair of the wiring for external connection have a first conductive layer composed of metal alone and metal compound formed on the lower substrate and a second conductive layer composed of a transparent conductive material laminated on the first conductive layer and constitute a two-layered structure.例文帳に追加

即ち一対の外部接続用配線は、下側基板上に形成された金属単体又は金属化合物よりなる第１導電層と、その第１導電層上に積層された透明導電材料よりなる第２導電層とを有し２層構造をなす。 - 特許庁

The texture formation layer 2, the metal gas filling layer 3 and the first electrode 4 are separated by an isolation groove G1 at the predetermined spacing, and the photoelectric conversion layer 6 and the second electrode 7 are separated by isolation grooves G2 and G3 at the predetermined spacing, respectively.例文帳に追加

テクスチャ形成層２、金属ガス封入層３および第１の電極４は所定の間隔で分離溝Ｇ１により分離され、光電変換層６および第２の電極７は所定の間隔でそれぞれ分離溝Ｇ２，Ｇ３により分離されている。 - 特許庁

This printed wiring board 1 is equipped with: an insulation layer 10; first conductor patterns 11 laminated on the insulation layer 10 and becoming signal lines; and a second conductor pattern 12 laminated on the insulation layer 10 and having a large conductor area relative to the first conductor pattern 11.例文帳に追加

プリント配線板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０に積層され、信号ラインとなる第１の導体パターン１１と、絶縁層１０に積層され、第１の導体パターン１１よりも大きな導体面積を有した第２の導体パターン１２とを具備する。 - 特許庁

The second layer 8 has a thickness of 1.0-10 μm and a porocity of 10-70%, so that effect of delaying thermal conduction is surely achieved, and satisfactory electrical conduction is ensured between the first layer 7 and the third layer 9.例文帳に追加

また、第２層８は、１．０〜１０μｍの厚みおよび１０〜７０％の気孔率を有するようにされ、それによって、熱伝導を遅らせる効果が確実に達成され、かつ第１層７と第３層９との間での良好な電気的導通を確保する。 - 特許庁

A surge absorbing element has the prime body 1 formed by laminating a plurality of functional layers (inductor layer, varistor layer, and protective layer), a first coil conductor 11; a second coil conductor 13 arranged in the prime body 1; and the direction discrimination mark 55 arranged in the prime body 1.例文帳に追加

サージ吸収素子は、複数の機能層（インダクタ層、バリスタ層及び保護層）が積層された素体１と、素体１内に配された第１のコイル導体１１及び第２のコイル導体１３と、素体１内に配される方向識別マーク５５とを備えている。 - 特許庁

The projection screen 16 has an active layer 24, of which optical characteristics in the visible region of a spectrum is changed under the influence of an electric field, a first electrode 28 and a second electrode 26 for impressing the electric field among the active layer 24 and a photoelectric layer 30.例文帳に追加

投射スクリーン（１６）は、スペクトルの可視領域の光学的特性が電場の影響の下で変化を受ける能動層（２４）と、能動層（２４）間に電場を印加するための第１の電極（２８）と第２の電極（２６）と、光電性層（３０）を持つ。 - 特許庁

The circuit board includes: a substrate; a polar molecular layer pattern and a nonpolar molecular layer pattern, each being arranged on the substrate; a first electrode and a second electrode, each being arranged on the substrate; and at least one channel arranged on the polar molecular layer pattern, for including linear nanostructures.例文帳に追加

回路基板は、基板と、基板に配置された極性分子層パターンおよび非極性分子層パターンと、基板に配置された第１の電極および第２の電極と、極性分子層パターンに配置され、線状ナノ構造物を含む１つ以上のチャネルとを含む。 - 特許庁

A laminate comprising a first insulation layer 16, a metal layer 17, a second insulation layer 18 and a pad electrode 19 is provided on a side face S1 and an undersurface of at least the light emitting element 10B which emits light of the shortest wavelength among the three light emitting elements 10.例文帳に追加

３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂの側面Ｓ１および下面には、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体が設けられている。 - 特許庁

The buried semiconductor laser 1 is formed of a p-type InP substrate 2 and has a ridge 6 consisting of a first clad layer 3 made of p-type InP, an AlGaInAs distortion quantum well active layer 4 and a second clad layer 5 made of n-type InP which are laminated.例文帳に追加

埋め込み型半導体レーザ１は、ｐ型のＩｎＰ基板２を用いて形成され、ｐ型ＩｎＰからなる第１クラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層４、ｎ型ＩｎＰからなる第２クラッド層５を積層したリッジ部６を有している。 - 特許庁

A substrate 101 comprising silicon carbide (SiC) having a thickness of about 400 μm is overlaid with a single crystal first buffer layer 103, and an amorphous second buffer layer 105 is provided thereon, and further a basel layer 107 comprising an undoped GaN is provided thereon.例文帳に追加

厚さ約４００μｍの炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる基板１０１の上に単結晶の第１バッファ層１０３を設け、その層の上に非晶質の第２バッファ層１０５を設け、その層の上にアンドープのＧａＮから成る基底層１０７を設けた。 - 特許庁

In opening means S1 and S2, a first protruded part 15 is formed in the liquid passage 12, and the top part 15a of the first protruded part 15 is adhered to the weak self-adhesive layer 13d, and the strong self-adhesive layer 13b and the second base material layer 13c are separated from each other.例文帳に追加

そして、開通手段Ｓ１およびＳ２では、液体流路１２に第１凸部１５が形成され、該第１凸部１５の頂部１５ａと弱粘着層１３ｄとが粘着し、かつ、強粘着層１３ｂと第２基材層１３ｃとが離間している。 - 特許庁

The conduction layer 9 is separated from the electrode 6 by the second insulating layer 10, is jointed from the upper face of the semiconductor substrate at a position where the insulating layer 5 is not formed and a part is formed to exist in a position sandwiched by the electrode 6 and the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで導電層９は、電極６とは第２絶縁層１０によって隔絶され、半導体基板上面とは絶縁層５の非形成位置で接合され、その一部は電極６と半導体基板の間に挟まれた位置に存在するように形成される。 - 特許庁

Further, wiring M4 of the fourth layer electrically connecting with the first antenna diode AD2 and wiring M4 of the fourth wiring electrically connecting with the second antenna diode AD2 are connected by wiring 25 of a fifth layer as the top-layer wiring in the antenna block.例文帳に追加

さらに第１アンテナダイオードＡＤ１と電気的に繋がる第４層目の配線Ｍ４と第２アンテナダイオードＡＤ２と電気的に繋がる第４層目の配線Ｍ４とをアナログブロック内の最上層配線である第５層目の配線２５によって結線する。 - 特許庁

This building material includes, in order, a first hard coating layer formed by applying an organic paint onto the surface of a substrate and the second hard coating layer formed by applying the inorganic coating agent including a 5-30% epoxy group-containing acrylic resin onto the surface of the first hard coating layer.例文帳に追加

基材表面に、有機塗料が塗布されて形成される第１硬化被膜層と、さらにその上にエポキシ基含有アクリル樹脂を５〜３０％含む無機系コーティング剤が塗布されて形成される第２硬化被膜層とを順次備えたこととする。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element in which a bilaterally equal overlapping structure can be formed by separately forming an overlapping electrode layer and an electrode layer formed on a second antiferromagnetic layer, and to provide a method of manufacturing the element.例文帳に追加

オーバーラップさせる電極層と第２反強磁性層上に形成される電極層とを別々に形成することで、左右均等のオーバーラップ構造を製造することが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供すること目的としている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 further includes a metal gate electrode layer 22 formed on the gate insulating film, and a semiconductor gate electrode layer 23 of the second conductivity type, which is the inverted conductivity type of the first conductivity type, formed on the metal gate electrode layer.例文帳に追加

半導体装置１０は更に、ゲート絶縁膜上に形成された金属ゲート電極層２２と、金属ゲート電極層上に形成された、第１導電型とは逆の導電型である第２導電型の半導体ゲート電極層２３とを有する。 - 特許庁

The invention relates to the brilliant coating composition comprising a double layered color aluminum flake pigment coated with a metal oxide layer formed by a chemical vapor deposition method as a first layer and a second layer coated with a color pigment and a polymer, and a vehicle.例文帳に追加

第一層が化学気相蒸着法により形成された金属酸化物層により被覆され第二層が着色顔料およびポリマーにより被覆されてなる複層着色アルミニウムフレーク顔料、およびビヒクルを含有する光輝性塗料組成物。 - 特許庁

In this semiconductor device, a defect detecting conductor wiring 1 is formed on the topmost layer 3a in multilayer wiring structure, and then conductor wirings 10, 11, 12 are formed on the topmost layer 3a in multilayer wiring structure or the second layer 3b at a minimum design interval capable of adjacently patterning.例文帳に追加

多層配線構造の最上層３ａに欠陥検出用導体配線１を形成し、それに隣接してパターニング可能な最小設計間隔で多層配線構造の最上層３ａ又は２層目３ｂに導体配線を１０、１１、１２を形成する。 - 特許庁

In the optical-write display element manufactured by successively laminating a first electrode, EC layer, photoconductive layer and second electrode, the photoconductive layer is formed from a photoconductor in which the carrier generated in a photoelectric conversion process is multiplied by a current amplifying mechanism.例文帳に追加

第一電極、ＥＣ層、光導電層、第二電極を順次積層してなる光書込み表示素子において、光導電層を、光電変換過程で生成されたキャリアを電流増幅機構によって増倍させる光導電体によって形成した。 - 特許庁

An optical film 1 according to the present invention includes a first layer 2 containing 50 wt.% or more of an amorphous resin, and a second layer 3 laminated on at least one surface of the first layer 2 and containing 50 wt.% or more of a thermoplastic elastomer resin.例文帳に追加

本発明に係る光学フィルム１は、非晶性樹脂を５０重量％以上含む第１の層２と、第１の層２の少なくとも一方の表面に積層されており、熱可塑性エラストマー樹脂を５０重量％以上含む第２の層３とを備える。 - 特許庁

The transparent conductive membrane 3 installed on a flexible substrate 2 is formed by comprising a first transparent conductive layer 3-1 of amorphous property provided on the substrate side and a second transparent conductive layer 3-2 of crystalline property provided on the first transparent conductive layer.例文帳に追加

可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた非結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。 - 特許庁