「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(254ページ目) - Weblio英語例文検索

The communication system imparts a name on a first name system layer that is used in a first region on a communication network and allows the device to correspond to a network address, and a name on a second name system layer used in a second region more limitedly to the device; and uses the first and second name system layers.例文帳に追加

デバイスに対して、通信ネットワーク上の第１の領域において使用され、デバイスとネットワークアドレスとの対応付けを行う第１のネームシステムレイヤ上のネームと、より限定的な第２の領域において使用される第２のネームシステムレイヤ上のネームとをそれぞれ付与し、第１及び第２の２つのネームシステムレイヤを用いる通信システムを提供する。 - 特許庁

In the lyophilic bank 14a, an opening 15 is formed at a position raised in a projecting shape by stacking first and second wires 12A and 12B and a power feed line LZ on a second interlayer insulation layer S2 through an insulation layer M and first and second interlayer insulation layers S1 and S2, respectively, whereby the raised part is eliminated.例文帳に追加

この親液性バンク１４ａは、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることで凸形状に盛り上った位置に開口部１５を形成して、その盛り上がり部分をなくした。 - 特許庁

A liquid crystal display unit 101 is provided with a plurality of first liquid crystal cells 101-1 having a first liquid crystal layer, a plurality of second liquid crystal cells 101-2 having a second liquid crystal layer, and an array plate 101-3 on which the first liquid crystal cells 101-1 and the second liquid crystal cells 101-2 are arrayed.例文帳に追加

液晶表示ユニット１０１は、第１の液晶層を有する複数の第１の液晶セル１０１−１と、第２の液晶層を有する複数の第２の液晶セル１０１−２と、第１の液晶セル１０１−１及び前記第２の液晶セル１０１−２を配列するための配列板１０１−３と、を具備している。 - 特許庁

In the active lens including a first nano electrode, a second nano electrode facing the first nano electrode, and a liquid crystal layer formed between the first nano electrode and the second nano electrode, liquid crystal molecules forming the liquid crystal layer are arrayed by an electric field formed of voltages applied to the first and second nano electrodes, to thereby generate refractive power.例文帳に追加

第１ナノ電極部と、第１ナノ電極部と対向する第２ナノ電極部と、第１ナノ電極部と第２ナノ電極部との間に設けられた液晶層と、を備え、第１及び第２ナノ電極部に印加される電圧により形成された電場によって、液晶層をなす液晶分子が整列されて屈折力を形成する能動レンズ。 - 特許庁

The retardation plate is to be used for a color display device that performs dot matrix display with pixels of two or more colors that include first and second pixels, and includes a solidified liquid crystal layer formed as a continuous film made of a first material and a second solidified liquid crystal layer formed as a continuous film made of a second material that are disposed successively on a support.例文帳に追加

第１および第２の画素を含む２色以上の画素によってドットマトリクス表示を行なうカラー表示装置に用いる位相差板であって、支持体上に、第１の材料よりなる連続膜として形成された固体化液晶層と、第２の材料よりなる連続膜として形成された第２の固体化液晶層とが順次設けられている。 - 特許庁

The manufacturing method for the thin film solar cell includes: a first photoelectric conversion layer forming step of laminating a first semiconductor film 3 on a substrate 1; and a second photoelectric conversion layer forming step of laminating a second semiconductor film 4 on the first semiconductor film 3, and an area where the second semiconductor film 4 is laminated is smaller than that where the first semiconductor film 3 is laminated.例文帳に追加

基板１上に第１半導体膜３を積層する第１光電変換層形成工程と、第１半導体膜３上に第２半導体膜４を積層する第２光電変換層形成工程とを含み、第２半導体膜４を積層する面積が、第１半導体膜３を積層する面積よりも小さい。 - 特許庁

In connection among the semiconductor layers, the first and fifth semiconductor layers are connected with a first reference voltage, the second and fourth semiconductor layers are connected with a second reference voltage, the third semiconductor layer is connected with a second supply voltage, and the sixth semiconductor layer is connected with a first supply voltage.例文帳に追加

半導体層間の接続は、第１の半導体層および第５の半導体層は、第１の基準電圧に接続され、第２の半導体層および第４の半導体層は、第２の基準電圧に接続され、第３の半導体層は、第２の電源電圧に接続され、第６の半導体層は、第１の電源電圧に接続されている。 - 特許庁

In the light-emitting apparatus with the cap layer 24 on a second electrode 23 and a contact part 15 that is disposed in the external region 18 outside the light-emitting region 17 and which electrically connects the second electrode 23 to a drive circuit 110, a formation end 241 of the cap layer 24 is located in a side nearer to the light-emitting region 17 than a formation end 231 of the second electrode 23.例文帳に追加

第２電極２３の上にあるキャップ層２４と、発光領域１７外の外部領域１８にあり、第２電極２３と駆動回路１１０とを電気的に接続するためのコンタクト部１５と、を有する発光装置において、キャップ層２４の形成端２４１が、第２電極２３の形成端２３１よりも発光領域１７側にある。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is provided with a first electrode, an organic compound layer, and a second electrode on a substrate, and between the first electrode and the second electrode, as an insulating layer for securing insulation between the first electrode and the second electrode, this is provided with a membrane containing an amorphous carbon-based material or a plasma polymerization membrane.例文帳に追加

基板上に、第１電極と、有機化合物層と、第２電極と、を備える有機電界発光素子であって、第１電極と第２電極との間に、第１電極と第２電極との絶縁を確保するための絶縁層として、アモルファスカーボン系材料を含む膜、またはプラズマ重合膜を備える有機電界発光素子である。 - 特許庁

A cam part 45 and a clutch plate 46 of a clutch cam 40, a clutch yoke 41, two pins 44, a releasing member 47 for a clutch return mechanism 43 and a ratchet wheel 48 of the second part body constituting a clutch controlling mechanism 20 are made of a stainless steel alloy, and a second insulation layer is formed on the surface layer of the second part body.例文帳に追加

また、クラッチ制御機構２０を構成する第２部品本体であるクラッチカム４０のカム部４５及びクラッチプレート４６、クラッチヨーク４１、２本のピン４４、クラッチリターン機構４３の解除部材４７及びラチェットホイール４８は、ステンレス合金製であり、第２部品本体の表層側には、第２絶縁膜層が形成されている。 - 特許庁

In a laminated substrate 1 in the four-layer structure, having the top and bottom layers of first and second insulating layers 21 and 22 and laminating first and second dielectric layers 31 and 32 between them, conductor layers 51 and 54 are arranged facing, so as to sandwich the first or second dielectric layer 31 or 32 and three kinds of capacitors 61-63 are formed.例文帳に追加

最上層と最下層が第１および第２絶縁層２１、２２であり、その間に第１および第２誘電体層３１、３２が積層された４層構造の積層基板１において、第１あるいは第２誘電体層３１、３２を挟むようにして導体層５１〜５４が対向配置され、３種類のコンデンサ６１〜６３が形成されている。 - 特許庁

The second resist material absorbs exposure radiation during a first patterning exposure and, after development, during a second patterning exposure to prevent exposure of at least a portion of the first resist material, underneath exposed portions of the second resist material layer, to an exposure dose above a fraction of an energy-to-clear exposure dose associated with the first resist layer.例文帳に追加

第二のレジスト材料は、第一のパターン形成露光の間、および現像後の第二のパターン形成露光の間、露光放射を吸収し、第二のレジスト材料層の露光される部分の下の第一のレジスト材料の少なくとも一部を、第一のレジスト層の限界エネルギー露光ドーズの或る割合より多い露光ドーズに露光させない。 - 特許庁

The radiation bed for mounting an electronic component includes the metal plate on which a first area and a second area are formed independently on its one surface, an dielectric layer which is formed only on the surface of the second area, and first and second conductive layers which are formed on the surface of the dielectric layer.例文帳に追加

本発明は、電子部品を搭載するための放熱台であって、その一面に、第一エリアと、第二エリアとが、互いに独立に形成されている金属板と、前記第二エリアの表面のみに形成されている絶縁層と、前記絶縁層の表面上に形成されている第一導電層と第二導電層とからなっている放熱台を提供する。 - 特許庁

The user can select a first menu for displaying prescribed number of functions by a plurality of layers and a second menu for displaying prescribed number of functions less than the number of functions in the first menu with a single layer, and in the case of displaying the second menu, items of the functions by the second menu are displayed on one screen through the single layer configuration.例文帳に追加

複数の階層によって所定数の機能を表示する第１メニューと、単階層によって第１メニューの数より少ない所定数の機能を表示するための第２メニューとが、ユーザによって選択可能とされ、第２メニューによる表示の際には、単階層構成で第２メニューによる各機能の項目を１画面で表示する。 - 特許庁

A holder 14 that holds an electronic component 4 with first and second external terminal electrodes 2 and 3 pointing toward first and second open ends 6 and 7 of a receiving cavity 5 is provided with a shield layer 15 extending between first and second measuring terminals 9 and 10, and the shield layer 15 is electrically connected to a measurement reference potential 16.例文帳に追加

第１および第２の外部端子電極２，３を収容キャビティ５の第１および第２の開口端６，７側にそれぞれ向けた状態で電子部品４を保持しているホルダ１４に、第１および第２の測定端子９，１０間の位置を横切るように延びるシールド層１５を設け、シールド層１５を測定基準電位１６に電気的に接続する。 - 特許庁

The device (100) having the structure before releasing has at least one first laminated body having at least one first layer (102) based on at least one first material, and a first laminated body is opposedly disposed to a second laminated body having at least one second layer (104) based on at least one second material.例文帳に追加

解放前の構造を有するデバイス（１００）は、少なくとも１つの第１の材料を基礎とする少なくとも１つの第１層（１０２）を有する少なくとも１つの第１の積層体を有し、第１の積層体は、少なくとも１つの第２の材料を基礎とする少なくとも１つの第２層（１０４）を有する第２の積層体に対向配置されている。 - 特許庁

The thermoelectric element 10 is provided with a high-temperature side first substrate 11, a low-temperature side second substrate 12 opposed to the first substrate 11, a thermoelectric material 15 arranged on the second substrate 12 through a silicon layer 20, a first electrode 13 formed on the first substrate 11, and a second electrode 14 formed on the silicon layer 20.例文帳に追加

熱電素子１０は、高温側の第１の基板１１と、第１の基板に対向し低温側の第２の基板１２と、第２の基板１２上にシリコン層２０を介して設置された熱電材料１５と、第１の基板１１上に形成された第１の電極１３と、シリコン層２０上に形成された第２の電極１４とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device formed by laminating first dummy wirings, a layer insulation film and second dummy wirings in this order on a semiconductor chip and forming a plurality of dummy vias into the layer insulation film between the first and second dummy wirings, one of the first dummy wirings or the second dummy wirings is connected to the plurality of dummy vias.例文帳に追加

半導体チップ上に第１ダミー配線、層間絶縁膜及び第２ダミー配線がこの順に積層され、前記第１ダミー配線と第２ダミー配線との間の層間絶縁膜に複数のダミービアホールが形成されてなる半導体装置において、１つの第１ダミー配線又は第２ダミー配線が複数のダミービアホールと接続されてなる半導体装置。 - 特許庁

A cured first ultraviolet-curable resin material layer having a first concave-convex pattern is formed on a first main surface of a magnetic recording medium having a center hole, and a cured second ultraviolet-curable resin material layer having a second concave-convex pattern is formed on a second main surface opposite to the first main surface of the magnetic recording medium.例文帳に追加

中心孔を有する磁気記録媒体の第１の主面上に第1の凹凸パターンを有する硬化した第1の紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、磁気記録媒体の第１の主面とは反対側の第２の主面上に第２の凹凸パターンを有する硬化した第２の紫外線硬化性樹脂材料層を形成する。 - 特許庁

Under a state where the first metal layer 11D and the second metal layer 12D are opposed each other such that the crystals composing the first wafer W1 and the second wafer W2 have crystal directions different from each other, the first wafer W1 and the second wafer W2 are stuck with pressure F and then the growth substrate 100D is removed.例文帳に追加

第１ウェハＷ１および第２ウェハＷ２を構成するそれぞれの結晶が互いに異なる結晶方向を有することとなるようにして、第１金属層１１Ｄおよび第２金属層１２Ｄを互いに対向させた状態で、第１ウェハＷ１および第２ウェハＷ２を圧力Ｆで貼り合わせ、そののち成長基板１００Ｄを除去する。 - 特許庁

The number of first back side via conductors 25 is made smaller than that of first main side via conductors 15 in a first conversion conductive layer 19 positioned between a connecting terminal 3 and the built-in capacitor 13, and the number of second back side via conductors 17 is made smaller than that of second main face side via conductors 17 in a second conversion conductive layer 21.例文帳に追加

接続端子３と内蔵コンデンサ１３との間に位置する第１変換導体層１９では、第１主面側ビア導体１５よりも第１裏面側ビア導体２５の数が少なくされ、一方、第２変換導体層２１では、第２主面側ビア導体１７よりも第２裏面側ビア導体２７の数が少なくされている。 - 特許庁

This is the separator 20 for a fuel cell constituted of a plurality of plates, and equipped with a first plate 40, a second plate 50 consisting of a material except a metal, an adhesive layer 550 in which the first plate and the second plate are adhered, and a negative pressure part 552 formed by the first plate 40, the second plate 50, and the adhesive layer 550.例文帳に追加

複数のプレートから構成される燃料電池用セパレータ２０であって、第１のプレート４０と、金属以外の材料からなる第２のプレート５０と、前記第１のプレートと前記第２のプレートとを接着する接着層５５０と、前記第１のプレート４０と前記第２のプレート５０と前記接着層５５０により形成される負圧部５５２とを備える。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device includes a first electrode having Schottky contact with the second semiconductor layer, a second electrode having ohmic contact with the second semiconductor layer, and a semiconductor region which is provided right below a central portion of the first electrode and in which the two-dimensional electron gas distributed right below the central portion of the first electrode disappears.例文帳に追加

また、半導体装置は、第２の半導体層とショットキー接触を有する第１の電極と、第２の半導体層とオーミック接触を有する第２の電極と、第１の電極の中央部の直下に設けられ、第１の電極の中央部の直下に分布する２次元電子ガスを消失させる半導体領域とを有する。 - 特許庁

A first hole is formed on one surface of a metal plate; a first protective layer is formed on the surface to fill the first hole; a second hole is formed on a surface on the opposite side to the surface with the first hole formed thereon; and a second protective layer is formed on the surface on the opposite side to fill the second hole.例文帳に追加

金属板の片面に第１の穴を形成し、当該第１の穴を充填させるよう当該面に対して第１の保護層を形成し、また、この第１の穴を形成した面と反対側の面に第２の穴を形成し、当該第２の穴を充填させるよう当該反対側の面に対して第２の保護層を形成する。 - 特許庁

A lower shield 25 and first and second conductive layers 28a and 28b constituting a lead to a GMR layer 32 are formed with almost the same film thickness on a substrate 23, and the first and second conductive layers are connected through first and second lead electrode layers 33a and 33b with the both edges of the GMR layer 32.例文帳に追加

基体２３の上に下部シールド２５と、ＧＭＲ層３２に対するリードを構成する第１および第２の導電層２８ａおよび２８ｂをほぼ同じ膜厚で形成し、これら第１および第２の導電層を第１および第２の引き出し電極層３３ａおよび３３ｂを介してＧＭＲ層３２の両端に接続する。 - 特許庁

The coreless substrate comprises: a first insulant 5a having a first fiber layer 6a that is formed in a planar state; a second insulant 5b having a second fiber layer 6b that is disposed on the first insulant 5a and is formed in a planar state; and a conductor 4 that intervenes between the first insulant 5a and second insulant 5b.例文帳に追加

平面状に形成される第１繊維層６ａを有する第１絶縁体５ａと、第１絶縁体５ａ上に配置され、平面状に形成される第２繊維層６ｂを有する第２絶縁体５ｂと、第１絶縁体５ａと第２絶縁体５ｂの間に介在されてなる導体４と、を備えたことを特徴とするコアレス基板。 - 特許庁

A plurality of detection electrodes 44 is arranged on the opposite side of the drive electrode 43 of the second substrate 41, where the electrode adjacent layer (for example, an adhesive layer 48) is in contact with the second substrate 41 and the plurality of detection electrodes 44 and its refractive index na (no) is between the refractive index ns of the second substrate 41 and the refractive index np of the detection electrodes 44.例文帳に追加

複数の検出電極４４は第２基板４１の駆動電極４３と反対の側に配置され、電極隣接層（例えば接着層４８）が第２基板４１と複数の検出電極４４に接し、その屈折率ｎａ（ｎｏ）が第２基板４１の屈折率ｎｓから４４検出電極の屈折率ｎｐまでの範囲内である。 - 特許庁

The semiconductor memory device also includes a first interconnection layer 35 for electrically connecting one end of the first variable-resistance element 10 and one end of the second MOSFET 20 to the bit line BL and a second interconnection layer 35 for electrically connecting one end of the second variable-resistance element 10 and one end of the first MOSFET 20 to the bit line /BL.例文帳に追加

さらに、第１の抵抗変化素子１０の一端及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０の一端とビット線ＢＬとを電気的に接続する第１の配線層３５と、第２の抵抗変化素子１０の一端及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０の一端とビット線／ＢＬとを電気的に接続する第２の配線層３５とを含む。 - 特許庁

The chip antenna includes a first terminal part which is formed on a flat portion of the first side surface of the substrate and has a conductor layer and a second terminal part which is formed in a recessed part provided on the second side surface of the substrate and has a conductor layer, and prescribed one of the first and second terminal parts is connected to the conductor part.例文帳に追加

また、チップアンテナは、基体の第１の側面の平坦な部分に形成された導体層を有する第１の端子部と、基体の第２の側面に設けられている凹部に形成された導体層を有する第２の端子部とを備えており、第１の端子部と第２の端子部との内の所定の一方は、導体部と接続されている。 - 特許庁

The method includes sequentially forming a first insulating layer, a metal shield, and a second insulating layer on a resistive chip of a substrate; etching the second insulating layer to expose the metal shield on a resistive region; etching the exposed metal shield; and etching the first insulating layer to expose the resistive region.例文帳に追加

基板上で抵抗性チップ上に第１絶縁層、メタルシールド及び第２絶縁層を順次に形成する工程と、第２絶縁層をエッチングして抵抗領域上のメタルシールドを露出する工程と、露出されたメタルシールドをエッチングする工程と、第１絶縁層をエッチングして抵抗領域を露出する工程とを含むことを特徴とする自己整列されたメタルシールドを備えた抵抗性探針の製造方法である。 - 特許庁

In the multilayer printed wiring board comprising a plurality of metal foils and conductor layers laid alternately in layers, an interlayer contact via pad provided in a first insulation layer, a wiring circuit, and an interlayer contact via bottom pad of a second insulation layer are provided in the same surface layer and the thicknesses at least of the interlayer contact via pad and the second insulation layer interlayer contact via bottom pad are identical.例文帳に追加

複数の金属箔と導体層を交互に積層してなる多層プリント配線板であって、第一の絶縁層に設けられた層間接続ビアパッドと配線回路と第二の絶縁層の層間接続ビア底部パッドが同一表面層に設けられ、かつ少なくとも当該層間接続ビアパッドと第二の絶縁層層間接続ビア底部パッドの厚みが同じであることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

The nonlinear resistance element 33 is formed by laminating a first metal layer 36, an insulating layer 37, and a second metal layer 38 in order from the side of the substrate, and the pixel electrode 24a is made of polycrystallized indium tin oxide, and the second metal layer 38 is made of an alloy having molybdenum (Mo) as a main component and is connected on the pixel electrode 24a.例文帳に追加

そして、非線形抵抗素子３３が、基材側から第１金属層３６、絶縁層３７、及び第２金属層３８の順に積層されて形成され、画素電極２４ａが、多結晶化されたインジウム錫酸化物から形成されてなり、第２金属層３８が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成されるとともに、画素電極２４ａ上に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A technique includes processes of: generating a data packet in accordance with a communications protocol such that generating the data packet includes encoding the data packet according to a second layer of the protocol in a frame format according to a third layer of the protocol; transmitting the data packet from a computer system to an external printing device according to a first layer of the protocol; and decoding the data packet in accordance with the second layer of the protocol.例文帳に追加

技術は、通信プロトコルに従ってデータパケットを生成する工程であって、プロトコルの第３層に従ったフレーム形式のデータパケットをプロトコルの第２層に従ってエンコードすることを含む、データパケットを生成する工程と、プロトコルの第１層に従ってコンピュータシステムから外部プリント装置にデータパケットを伝送する工程と、プロトコルの第２層に従ってデータパケットをデコードする工程とを含む。 - 特許庁

A composite includes: a first layer 18 comprising a formed film having a plurality of capillary-sized apertured 24 protuberances 22 and a plurality of two-dimensional drains; and a second layer 19 in intimate contact with an apertured end of the capillary-sized protuberances and spaced from the first layer in a z-direction, wherein the second layer is selected from a three-dimensional apertured formed film or a nonwoven web.例文帳に追加

複数の毛管サイズの開口部分２４付き隆起２２および複数の二次元排液路を有する形成フィルムを備える第一の層１８、ならびに該毛管サイズの隆起の開口部付き端部と密接に接触して該第一の層からｚ方向に間隔を空けている第二の層１９を備え、該第二の層が三次元の開口部分付き形成フィルムおよび不織ウェブから選択される、複合材。 - 特許庁

A member 10 with a functional layer includes: a support 16; a first functional layer 12 having on the support, a first domain 12A and a second domain 12B arranged separately from the first domain across a groove 14 along the outer periphery of the first domain, and having a different wet tension from the support; and a second functional layer formed at least on the first domain on the first functional layer.例文帳に追加

機能層付き部材１０は、支持体１６と、支持体上に第１領域１２Ａ及び該第１領域の外周に沿った溝１４を介して該第１領域から分離して配置されている第２領域１２Ｂを有し、前記支持体とぬれ張力が異なる第１機能層１２と、第１機能層上の少なくとも第１領域上に形成されている第２機能層とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; an understructure formed on the semiconductor substrate; a first dielectric formed on the understructure; a first metal layer connected to the understructure through a first metal contact in the first dielectric; a second metal layer formed on the first metal layer; and a plurality of interior dummy gates formed in a pad region formed on the second metal layer.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板上に形成される下部構造と、前記下部構造上に形成される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜内の第１金属コンタクトを介して前記下部構造に接続される第１金属層と、前記第１金属層上に形成される第２金属層と、前記第２金属層に形成されたパッド領域の内部に形成される複数の内部ダミーゲートとを備える。 - 特許庁

The laminate is prepared by successively disposing a first layer 2 made of a heat-resistant rubber, a second layer 3 made of an adhesive resin primarily comprising fluorinated resin and a third layer 4 made of fluororesin on the base 1, wherein the second layer is obtained by compounding at least one among pyridinium ion liquid, imidazolium ion liquid, alicyclic ion liquid and aliphatic amine ion liquid into the adhesive resin.例文帳に追加

基体上１に、耐熱性ゴムからなる第１の層２、フッ素樹脂を主成分とする接着樹脂からなる第２の層３、及びフッ素系樹脂からなる第３の層４が順次設けられた積層体であって、前記第２の層は接着樹脂中にピリジニウム系イオン液体、イミダゾリウム系イオン液体、脂環式イオン液体、及び脂肪族アミン系イオン液体のうちの少なくとも１種を配合して得られる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element forming a base material; a first electrode, an organic light emitting media layer including an organic light emitting layer, and a second electrode formed on the base material; and an inorganic sealing layer formed on the second electrode; prevented from generation and spread of defect for a long period by providing the inorganic sealing layer excellent in a barrier property and free from defect.例文帳に追加

基材と、この基材上に、第一電極と、有機発光層を含む有機発光媒体層と、該有機発光媒体層、第二電極を形成し、第二電極上に無機封止層を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、バリア性に優れた欠陥のない無機封止膜を提供することにより、長期にわたり欠陥の発生、拡大のない有機エレクトロルミネセンス素子を製造することにある。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid jet head includes a step of laminating a first metal layer 191 enhancing adhesion and a second metal layer 192 serving as wiring on one surface of a channel formation substrate 10 where a piezoelectric actuator is formed, a step for patterning the second metal layer 192 by wet etching, and a step for patterning the first metal layer 191 by dry etching.例文帳に追加

圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板１０の当該一方面に密着を向上する第１の金属層１９１と、配線となる第２の金属層１９２とを積層する工程と、前記第２の金属層１９２をウェットエッチングによりパターニングする工程と、前記第１の金属層１９１をドライエッチングによりパターニングする工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

An electronic device 100 is composed of a substrate 11 formed of silicon, a first buffer layer 12 and a second buffer layer 13 laminated by being epitaxially grown in order on a film forming surface of the substrate 11 and having a fluorite structure, a first oxide electrode layer 14 having a laminar perovskite structure, and a second oxide electrode layer 15 having a simple perovskite structure.例文帳に追加

本発明に係る電子デバイス用基体１００は、シリコンからなる基板１１と、基板１１の被成膜面上に順にエピタキシャル成長して積層された、フルオライト構造を有する第一バッファ層１２及び第二バッファ層１３、層状ペロブスカイト構造を有する第一酸化物電極層１４、および単純ペロブスカイト構造を有する第二酸化物電極層１５とから構成されている。 - 特許庁

The second semiconductor layer 115 after being laminated on the first semiconductor layer 114 using the microcrystal silicon is brought into contact with the ohmic contact layers 117, 118 on side faces of the first semiconductor layer 114 and second semiconductor layer 115 to improve the contact yield, thereby providing the transistor substrate having the transistor with the excellent characteristics, and the method of manufacturing the transistor substrate.例文帳に追加

微結晶シリコンを用いた第１の半導体層１１４上に第２の半導体層１１５を積層させた上で、第１の半導体層１１４及び第２の半導体層１１５の側面でオーミックコンタクト層１１７、１１８とコンタクトを取ることにより、コンタクト歩留まりを向上させ、良好な特性を備えるトランジスタを有するトランジスタ基板及びその製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Further, second polycrystalline semiconductor layers 122 and 124 and third polycrystalline semiconductor layer 126 are selectively grown on the portion of the p-type polycrystalline semiconductor film 106 exposed in the lower surface of the visor section without contacting the silicon nitride film 108, while the second semiconductor layers 112 and 114 and the third semiconductor layer 116 are grown, so that the third semiconductor layer is in contact with the third polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

さらに第二の半導体層１１２、１１４、第三の半導体層１１６を成長させつつ、庇部の下面に露出したｐ型多結晶シリコン膜１０６の下方に第二の多結晶半導体層１２２、１２４、第三の多結晶半導体層１２６を、シリコン窒化膜１０８に接触しないように選択的に成長させ、第三の半導体層と、第三の多結晶半導体層を接触させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly comprising using the multilayered lamination sheet having the first layer 50 consisting of the metallic spring material, the intermediate second layer 90 consisting of the electrical insulating material and the third layer 70 consisting of the conductive material and performing the dry etching process after wet etching as a process step of molding the second layer 90 and the laminated structure thereof are provided.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングの後、ドライエッチングプロセスを行うことを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁