「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(258ページ目) - Weblio英語例文検索

A first electrode 12, an auxiliary electrode 13, an inter-layer insulating layer 14, an organic EL layer 15 containing an organic light-emitting material, and a second electrode 16 are laminated on a recessed part of the element substrate 11 surrounded by the bank part 11a.例文帳に追加

この土手部１１ａに囲われた素子基板１１の凹陥部に、有機ＥＬ素子２１の第１の電極１２、補助電極１３、層間絶縁層１４、有機発光材料を含む有機ＥＬ層１５および第２の電極１６が積層して設けられる。 - 特許庁

When a total code amount of the first layer 110 is smaller than a target code amount, added to the first layer 110 is an encoded code 121 to a path in an encoded data string d21 in which less influence is given to image quality from among encoded data strings d21 included in a second layer 120.例文帳に追加

第１のレイヤ110の総符号量が目標符号量よりも少ない場合には，第２のレイヤ120に含まれる符号化データ列ｄ21などのうち画質への影響が少ない符号化データ列ｄ21の中のパスまでの符号化コード121が第１のレイヤ110に加算される。 - 特許庁

Besides, the electronic component is provided with the substrate 12 formed with the circuit 10, a first insulating layer 16, a second insulating layer 18 which is located on the first insulating layer 16 so that the hole 24 can be positioned inside a large hole 22, and a conductive metal.例文帳に追加

また、回路１０が形成された基板１２と、第１の絶縁層１６と、穴２４が大きな穴２２の中に位置するように第１の絶縁層１６上に配置された、第２の絶縁層１８と、導電性金属とを含み、電子部品を構成した。 - 特許庁

The manufacturing method of the substrate comprises a step for forming a first insulation layer on the back of the substrate, a step for forming the pattern of the resistance heater on the first insulation layer, and a step for forming a second insulation layer on the pattern of the resistance heater.例文帳に追加

この基板の製造方法は、基板裏面上に第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層上に抵抗発熱体パターンを形成する工程と、抵抗発熱体パターン上に第２の絶縁層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including a liquid crystal layer showing a blue phase, first and second common electrode layers, which are positioned to face each other, sandwich the liquid crystal layer showing the blue phase therebetween and have opening patterns (slits), and a pixel electrode layer has an opening pattern.例文帳に追加

ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、ブルー相を示す液晶層を対向する開口パターン（スリット）を有する第１の共通電極層及び第２の共通電極層と、開口パターンを有する画素電極層とで挟持する。 - 特許庁

A laminate 14 equipped with a first electrode 16, a light absorbing layer 18, and a second electrode 20 is laminated on the reconstituted mica board 52, and a smoothing layer 54 and a binder layer 56 are interposed between the reconstituted mica board 52 and the laminate 14.例文帳に追加

この集成マイカ基板５２上には、第１電極１６と、光吸収層１８と、第２電極２０とを有する積層体１４が積層されており、集成マイカ基板５２と積層体１４との間には、平滑化層５４とバインダ層５６とが介装されている。 - 特許庁

To facilitate control of the etching rates of a movable part and a fixed part in sacrifice layer etching, in a manufacturing method of a semiconductor dynamic quantity acceleration sensor for forming a groove for partitioning the movable part and fixed part in a second silicon layer and then performing the sacrifice layer etching via a groove.例文帳に追加

第２のシリコン層に可動部と固定部とを画定する溝を形成した後、この溝を介して犠牲層エッチングを行う半導体加速度センサの製造方法において、犠牲層エッチングにおける可動部および固定部のエッチングレートの制御を容易にする。 - 特許庁

A interlayer 3 is intervened between a first magnetic material layer 1 and second magnetic material layer 2, and the interlayer 3 is made of the first material constituting the first magnetic material layer 1, added with at least one of an oxide and a nitride.例文帳に追加

第１の磁性体層１と第２の磁性体層２との間に中間層３が介在されており、中間層３は、第１の磁性体層１を構成する第１の磁性体材料に酸化物及び窒化物のうちの少なくとも一方が添加されている。 - 特許庁

A first epitaxial growth step of forming a buffer layer 3 on a base plate and a second epitaxial growth step of forming a compound semiconductor layer 4 on the buffer layer 3 are carried out at a growth temperature of ≤600°C by an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

基体上にバッファ層３を形成する第１のエピタキシャル成長工程と、このバッファ層３上に化合物半導体層４を形成する第２のエピタキシャル成長工程とを、６００℃以下の成長温度におけるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって行う。 - 特許庁

A first catalyst layer 11a formed to be porous enough to pass exhaust gas is formed in an exhaust channel and a second catalyst layer 11b formed to be porous enough to pass exhaust gas is formed on the surface of the first catalyst layer 11a in the downstream side of exhaust gas flow.例文帳に追加

排ガスが通過可能な多孔質に形成された第１触媒層１１ａが排気通路に設けられ、排ガスが通過可能な多孔質に形成された第２触媒層１１ｂが第１触媒層１１ａの排ガス下流側の表面に積層される。 - 特許庁

The composite sheet comprises a hydrophobic first plastic film layer 2 for forming its upper surface, a second plastic film layer 5 for forming its lower surface, and a hydrophobic intermediate fiber aggregate layer 3 connected to the layers 2, 5 between the layers 2 and 5.例文帳に追加

複合シートがその上面を形成する疎水性の第１プラスチックフィルム層２と、下面を形成する第２プラスチックフィルム層５と、第１，２プラスチックフィルム層２，５間に介在して、これら両層２，５に接合する疎水性の中間繊維集合層３とを有する。 - 特許庁

In a multilayer substrate 101, a dielectric containing Teflon (registered trademark) is stuck onto a first layer substrate 101a, a dielectric made of glass and epoxy is stuck onto a second layer substrate 101b and a third layer substrate 101c, and a through hole for function module mounting is provided.例文帳に追加

多層基板１０１は、第１層基板１０１ａにテフロン（登録商標）を含有する誘電体、第２層基板１０１ｂ及び第３層基板１０１ｃにガラス及びエポキシからなる誘電体を貼り合せ、機能モジュール搭載用の貫通穴が設けられている。 - 特許庁

A second flat interconnection layer 18 on the first flat interconnection layer 14, consists of a dielectric film 26 having a higher elastic modulus than that of a dielectric material in the first flat interconnection layer 14, and an electrical conduction via 28 passing through the dielectric film 26.例文帳に追加

第１の平坦な相互接続層１４上の第２の平坦な相互接続層１８は、第１の平坦な相互接続層１４の誘電体材料より高い弾性係数を有する誘電体膜２６と、誘電体膜２６を通る導電バイア２８とからなる。 - 特許庁

The reinforce annular band 110 has an elastomeric shear layer, at least a first membrane adhered to the radially inward of the elastmeric shear layer and at least a second membrane 140 adhered to the radially outward of the elastomeric shear layer.例文帳に追加

環状バンド１１０はエラストマーの剪断層と、このエラストマーの剪断層の放射方向内側に接着された少なくとも一つの第１のメンブレンと、エラストマーの剪断層の放射方向外側に接着された少なくとも一つの第２のメンブレン１４０とを有する。 - 特許庁

Two or more defective parts 401 in which the portions of the first resin layer 3, the second resin layer 4, and the metal layer 12 are lost over the respective width directions in the middle of the longitudinal direction of the prepreg continuum 40 are periodically formed along the longitudinal direction.例文帳に追加

このプリプレグ連続体４０の長手方向の途中には、第１の樹脂層３、第２の樹脂層４および金属層１２の一部がそれぞれその幅方向にわたって欠損した欠損部４０１が長手方向に沿って周期的に複数形成されている。 - 特許庁

Then, a pattern layer 20 is formed, and according to the pattern, an etch-stopping ion implantation layer 6, whose formation depth position from the first main surface of the second substrate 1 varies, is formed at a position shallower than that of the ion implantation layer 4 for peeling.例文帳に追加

その後、パターン層２０を形成するとともに、そのパターンに応じた形で、第二基板１の第一主表面Ｊからの形成深さ位置がそれぞれ異なるエッチストップ用イオン注入層６を、剥離用イオン注入層４よりも浅い位置に形成する。 - 特許庁

A Co-Fe-B alloy layer being in an amorphous state can be obtained even at B concentration of 10 at% or less by holding temperature of the substrate at 100°C below freezing point from a process in which Co-Fe-B in a second ferromagnetic layer is film-formed through a process in which an insulating barrier layer MgO is film-formed.例文帳に追加

第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。 - 特許庁

The circuit board includes: a substrate; a polar molecular layer pattern and a non-polar molecular layer pattern, each disposed on the substrate; a first electrode and a second electrode, each disposed on the substrate; and one or more channels arranged on the polar molecular layer pattern and including a linear nanostructure.例文帳に追加

回路基板は、基板と、基板に配置された極性分子層パターンおよび非極性分子層パターンと、基板に配置された第１の電極および第２の電極と、極性分子層パターンに配置され、線状ナノ構造物を含む１つ以上のチャネルとを含む。 - 特許庁

An electronic device package has a substrate, an electronic device mounted on the substrate so that a first surface is opposed to the substrate, an adhesive layer formed on a second surface of the electronic device on the backside of the first surface, and a metal layer adhered to the electronic device via the adhesive layer.例文帳に追加

電子デバイスパッケージは、基板と、第１面が基板と対向するように基板に実装された電子デバイスと、第１面の裏側の電子デバイスの第２面に形成された接着層と、接着層を介して電子デバイスに貼り付けられた金属層と、を備える。 - 特許庁

The light guide plate 14 has a thickness of 0.5 to 4 mm, and a three-layered structure of a first layer 14e containing an optical path change element, a second layer 14f not containing the optical path change element and a third layer 14g not containing the optical path change element.例文帳に追加

導光板１４の厚さが０．５〜４ｍｍであり、導光板１４は、光路変更要素を含む第１の層１４ｅと、光路変更要素を含まない第２の層１４ｆと、光路変更要素を含まない第３の層１４ｇとの３層構造である。 - 特許庁

The aperture antenna comprises a dielectric layer 2, a high frequency line 1 comprising a line conductor 3 and a first ground conductor layer 4, a slot 5 formed to intersect the line conductor 3, a second ground conductor layer 8 having an aperture opposing the slot 5, and a shield conductor 6.例文帳に追加

誘電体層２と、線路導体３および第１の接地導体層４からなる高周波線路１と、線路導体３と交差して形成されてたスロット５と、スロット５に対向する開口を有する第２の接地導体層８と、シールド導体６とを備えている。 - 特許庁

The first core layer 21 is made of a material whose thermal expansion coefficient increases in a temperature range higher than or equal to predetermined temperature, and the second core layer 22 includes lower thermal expansion coefficient than the first core layer 21 in a temperature range higher than or equal to the predetermined temperature.例文帳に追加

第１のコア層２１は、所与の温度以上の温度域において熱膨張率が増大する材料からなり、第２のコア層２２は、前記所与の温度以上の温度域において第１のコア層２１の熱膨張率より低い熱膨張率を有する。 - 特許庁

The first optical semiconductor element 10 includes: a first core layer 11; and a first clad layer 12 which is formed above the first core layer 11 and has a crystal plane whose angle θ with the (001) face is ≥55° and ≤90° on a side face on the second optical semiconductor element 20 side thereof.例文帳に追加

第１光半導体素子１０は、第１コア層１１と、第１コア層１１上方に形成され、第２光半導体素子２０側の側面に、（００１）面となす角度θが５５°以上９０°以下の結晶面を有する第１クラッド層１２とを含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a buffer layer 102 formed of a first GaN-based semiconductor, a carrier travelling layer 103 formed of a second GaN-based semiconductor, a carrier supply layer 104 formed of a third GaN-based semiconductor, on a substrate 101.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、基板１０１上に形成された第１のＧａＮ系半導体からなるバッファ層１０２と、第２のＧａＮ系半導体からなるキャリア走行層１０３と、第３のＧａＮ系半導体からなるキャリア供給層１０４とを備えている。 - 特許庁

The organic luminescent element comprises a first electrode, the organic layer comprising at least one layer and a second electrode that are successively laminated in this order, provided that at least one of the layers in the organic layer comprises the compound of the chemical formula.例文帳に追加

また、第１電極、１層以上でなされた有機物層及び第２電極を順次に積層された形態で含む有機発光素子として、前記有機物層のうちで少なくとも一層は前記化学式の化合物を含むことを特徴とする有機発光素子。 - 特許庁

The tuning type optical all pass filter 20 is provided with a multilayered waveguide structure which is supported by a substrate 21 consisting of a first layer in which a waveguide optical ring resonator 23 is provided, a second layer as a spacer 24 and a third layer in which a curved waveguide 25 is provided.例文帳に追加

同調型光学オールパスフィルタ２０は、導波光学リング共振器２３を設けた第１層と、スペーサ２４としての第２層と、曲線導波管２６を設けた第３層からなる基板２１により支持される多層導波構造を備える。 - 特許庁

The organic EL display device 50 is provided with a first glass substrate 11', a luminous layer 17 provided on the first glass substrate 11', a sealing resin layer 18 for sealing the luminous layer 17, and a second glass substrate 31 arranged opposed to the first glass substrate 11'.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置５０は、第１ガラス基板１１’と、第１ガラス基板１１’上に設けられた発光層１７と、発光層１７を封止する封止樹脂層１８と、第１ガラス基板１１’に対向配置された第２ガラス基板３１とを備える。 - 特許庁

A sacrifice layer arranged between a movable electrode 5 and an attraction electrode 4 constituting this MEMS switch is formed by being divided into a first sacrifice layer 8 and a second sacrifice layer 9 formed of materials different from each other, and a region where both of them are superposed on each other is formed.例文帳に追加

ＭＥＭＳスイッチを構成する可動電極５と吸引電極４との間に設けられる犠牲層を、互いに異種材料にてなる第１犠牲層８及び第２犠牲層９にて分割形成すると共に、両者が重なり合う領域を設ける。 - 特許庁

A source region of each MOSFET is electrically connected to a common pad 200 for the source through a contact plug 102a, a first wiring layer 100a, a via 112a, a second wiring layer 110a, a via 122a, and a third wiring layer 120a.例文帳に追加

各ＭＯＳＦＥＴのソース領域は、コンタクトプラグ１０２ａ、第１の配線層１００ａ、ビア１１２ａ、第２の配線層１１０ａ、ビア１２２ａおよび第３の配線層１２０ａを経由して共通のソース用パッド２００に電気的に接続されている。 - 特許庁

The adhesive layer 60 includes a transparent film 62, a first adhesive layer 64 having the transparent film 62 provided on a surface facing a first optical sheet 38 (an optical reflection part 48) and a second adhesive layer 66 having the transparent film 62 provided on a surface facing the diffusion plate 32.例文帳に追加

粘着層６０は、透明フィルム６２と、透明フィルム６２が第１の光学シート３８（光反射部４８）に臨む面に設けられた第１粘着層６４と、透明フィルム６２が拡散板３２に臨む面に設けられた第２粘着層６６とを備えている。 - 特許庁

The photodetectors (58, 60, 72, 75) are embedded in the layer at a position adjoining the second side face, and a plurality of emitters (11, 101-106) are arranged so as to make the light couple with the layer of a material at the critical angle or smaller of the layer from the first end face.例文帳に追加

一実施形態において、フォトディテクタ(58,60,72,75)は第２の側面に隣接する位置で前記層に埋め込まれ、複数の発光体(11,101-106)が第１の端面から前記材料の層の臨界角以下の角度で前記材料の層に光を結合させるように配置される。 - 特許庁

A first shading layer 36 is formed along a circumference of the display region 40 on an array substrate placed opposite to a counter substrate and a second shading layer 44 composed of a coloring layer is arranged on a gap between the shading film and the display region overlapping therewith.例文帳に追加

対向基板と対向配置されたアレイ基板上には、表示領域４０の周囲に沿って第１遮光層３６が形成されているとともに、遮光膜と表示領域との隙間に重ねて、着色層からなる第２遮光層４４が設けられている。 - 特許庁

The second adhesive layer 4 is a resin layer formed by an epoxy resin-based adhesive dropped on the bed plate 1 and hardened, which forms an adhesion face with the bed plate 1 that is concentric with the first adhesive layer 3 and forms a hollow hemisphere (bowl shape) as a whole.例文帳に追加

第２の接着剤層４は、台板１に滴下されたエポキシ樹脂系の接着剤が硬化して形成される樹脂層であり、台板１との接着面は、第１の接着剤層３と同心円をなし、全体として、中空の半球状（椀状）をなしている。 - 特許庁

The electrode finger 2a is comprised of a first layer 12 composed of titanium having film thickness of about 20nm formed on the piezoelectric substrate 1 and a second layer 22 containing aluminum and copper having film thickness of about 374nm formed on the first layer 12.例文帳に追加

電極指２ａは、圧電基板１上に形成されている約２０ｎｍの膜厚を有するチタンからなる第１層１２と、第１層１２上に形成されている約３７４ｎｍの膜厚を有するアルミニウムおよび銅を含む第２層２２とから構成されている。 - 特許庁

A solar cell 1 has a substrate 2, a first electrode 3, a second electrode 6, a counter substrate 7, the photoelectric conversion layer 4 positioned on the first electrode 3 side between the electrodes 3, 6, and a hole transport layer 5 coming in contact with the photoelectric conversion layer 4.例文帳に追加

太陽電池１は、基板２と、第１の電極３と、第２の電極６、対向基板７と、電極３、６間において、第１の電極３側に位置する光電変換層４と、光電変換層４に接触する正孔輸送層５とを有している。 - 特許庁

The wrapping material 1 comprises a first gas permeating layer 11 composed of a gas permeable material of polyethylene terephthalate nonwoven fabric, a second gas permeating layer 12 composed of a polyethylene nonwoven fabric, and a film layer 13 composed of a thermoplastic resin of polyethylene resin film.例文帳に追加

包材１は、通気性素材であるポリエチレンテレフタレート不織布から構成される第一通気層１１と、ポリエチレン不織布から構成される第二通気層１２と、熱可塑性樹脂であるポリエチレン系樹脂製フィルムから構成されるフィルム層１３とを備えている。 - 特許庁

The wound dressing includes a first layer having hydrophobic property and having unevenness on a contact surface that faces the wound surface, a second layer including an absorptive material, and a third layer including a sheet impermeable to liquid.例文帳に追加

疎水性を有し、かつ、創傷面に対面する接触面に凹凸を有する第１層と、吸収性を有する材料を備えた第２層と、液体を透過させない性質を有するシートを備えた第３層とを含むことを特徴とする創傷被覆材。 - 特許庁

The sheet-like adhesive 10 includes a first layer 11 containing a polymerizable compound 11a and a polymerization initiator 13, and a second layer 12 which is laminated onto the first layer 11 and contains a polymerizable compound 12a and a reaction promoter 14.例文帳に追加

シート状接着剤１０は、重合性化合物１１ａ及び重合開始剤１３を含有する第１の層１１と、第１の層１１上に積層され、重合性化合物１２ａ及び反応促進剤１４を含有する第２の層１２とを備えている。 - 特許庁

The inner surface of this process kit is coated with a first material layer having a smaller RMS surface roughness and is further subjected to a texturing by arc spraying a second material layer or additional material layer.例文帳に追加

プロセスキットの内部表面は、より小さいＲＭＳ表面粗さを有する第１の材料層によりその表面をコーティングされ、より大きいＲＭＳ値を有する第２の材料層若しくは追加の材料層によりアークスプレーすることによってテクスチャード加工される。 - 特許庁

In the permselective membrane type reactor 100, a permselective membrane 3 is a Pd membrane or a Pd alloy membrane and a catalyst layer 4 is constituted from a first catalyst layer 4a beside the permselective membrane 3 and a second catalyst layer 4b placed away from the permselective membrane 3.例文帳に追加

選択透過膜型反応器１００は、選択透過膜３がＰｄ膜又はＰｄ合金膜であり、触媒層４が選択透過膜３側の第一触媒層４ａと選択透過膜３から離れた位置の第二触媒層４ｂから形成されている。 - 特許庁

The post-stage three way catalyst 72 is formed by laminating a first post-stage catalyst layer 74 containing at least rhodium and a second post-stage catalyst layer 75 containing at least palladium and an alkali metal more than that in the first post-stage catalyst layer 74 on a post-stage support 73.例文帳に追加

後段三元触媒７２は、少なくともロジウムを含む第１の後段触媒層７４と、少なくとも、パラジウムと第１の後段触媒層７４よりも多くのアルカリ金属とを含む第２の後段触媒層７５とが、後段担体７３に積層してなる。 - 特許庁

A buffer layer 2 made of aluminium nitride with a thickness of 100 nm, a first semiconductor layer 3 made of undoped gallium nitride with a thickness of 1,500 nm and a second semiconductor layer 4 made of undoped gallium nitride with a thickness of 25 nm are formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上には、厚さが１００ｎｍの窒化アルミニウムからなるバッファ層２と、厚さが１５００ｎｍのアンドープの窒化ガリウムからなる第１の半導体層３と、厚さが２５ｎｍのアンドープのアルミニウム窒化ガリウムからなる第２の半導体層４とが形成されている。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a mask touching a first conductive layer, and a step of forming a second conductive layer by etching the first conductive layer using the above-mentioned mask, and the above-mentioned mask is formed by a drop discharge method, further, characterized in that it is not removed.例文帳に追加

第１の導電層に接するマスクを形成するステップ、前記マスクを用いて第１の導電層をエッチングして、第２の導電層を形成するステップを有し、前記マスクは液滴吐出法により形成し、さらに除去しないことを特徴とする。 - 特許庁

The printed wiring board has a plurality of vias including a first via and a second via connected to at least one of a land formed in a surface layer and a power supply pattern formed in a layer other than the surface layer where the land is formed, and a current is shunted to the plurality of vias.例文帳に追加

表層に形成されたランドおよびランドが形成されている表層以外の層に形成された電源パターンの少なくとも１つに接続された第１のビアと第２のビアを含む複数のビアを有し、これら複数のビアに電流を分流させる。 - 特許庁

The X-ray detector 600, to be regenerated, is pasted on an elastic sheet 602 pasted on a transfer plate 603, a stripping solution 606 is sprayed over the surface of a second electrode layer 630, and the layer 630 is stripped from an X-ray detecting layer 620.例文帳に追加

再生対象のＸ線検出器６００を、運搬板６０３上に貼付された弾性シート６０２に貼付し、第２電極層６３０の表面に剥離液６０６を噴射し、第２電極層６３０とＸ線検出層６２０を剥離する。 - 特許庁