「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(256ページ目) - Weblio英語例文検索

An MEA 15 is housed in the inside of framework-like frames 13, 14, and first and second gas passage forming members 21, 22 are interposed between an anode layer 17 and a cathode layer 18 of the MEA 15 and first and second separators 23, 24 joined to the upper and lower surfaces of the frames 13, 14.例文帳に追加

枠状のフレーム１３，１４の内部にＭＥＡ１５を収容し、該ＭＥＡ１５のアノード電極層１７及びカソード電極層１８と、フレーム１３，１４の上下両面に接合固定された第１，第２セパレータ２３，２４との間に第１，第２ガス流路形成部材２１，２２を介在する。 - 特許庁

And grounding electrodes (30, 32, 34, 36) are provided in at least one of a vicinity of part of the first signal line (14) on the same layer as the first signal line (14) and a vicinity of part of the second signal line (16) on the same layer as the second signal line (16).例文帳に追加

そして、第１の信号線路（１４）と同一層上における第１の信号線路（１４）の近傍、及び第２の信号線路（１６）と同一層上における第２の信号線路（１６）の近傍の少なくとも一方に、接地電極（３０，３２，３４，３６）が設けられる。 - 特許庁

The light passageway-changing layer 333 can be formed on the incident surface 331a of the diffusion layer 331 and is equipped with at least one protruding part having a first light passageway-changing surface inclined at a first angle from the incident surface 331a and a second light passageway-changing surface inclined at a second angle.例文帳に追加

ここで、光経路変更層３３３は拡散層３３１の入射面３３１ａに形成されることができ、入射面３３１ａから第１角で傾いた第１光経路変更面、第２角で傾いた第２光経路変更面を有する一つ以上の突出部を備える。 - 特許庁

The first coated layer 13 is formed of a first bright coating agent injected from the first to third coating agent injecting apertures 37a to 39a and the second coated layer 14 is formed of a second coating agent injected from the first to fourth coating agent injecting apertures 33a to 36a.例文帳に追加

第１被覆層１３は第一から第三被覆剤注入口３７ａ〜３９ａより注入される光輝性の第１被覆剤によって被覆され、第２被覆層１４は第１から第４被覆剤注入口３３ａ〜３６ａより注入される第２被覆剤によって被覆される。 - 特許庁

In a related embodiment, the exposure includes the exposure of a non-critical layer in the equipment using the lithography scanner at the first speed and the exposure of an important layer at the second speed, and the first speed is substantially greater than the second speed.例文帳に追加

関連する実施例で、第1速度でリソグラフィースキャナーの利用により、装置のあまり重要でない層の露光と、第2速度で、重要な層の露光で構成され、第1速度は、第2速度より実質的に大きいことを特徴とするマイクロエレクトロニック装置の製造に使用される方法。 - 特許庁

With a second oxide film 3 coated with a first photoresist layer 6 and a polysilicon layer 4B, a first oxide film 2 is etched with a first gate electrode 7 as a mask, so that the thin second oxide film 3 is over-etched to prevent a semiconductor substrate 1 from being exposed.例文帳に追加

第２の酸化膜３を第１のフォトレジスト層６及びポリシリコン層４Ｂで被覆した状態で第１のゲート電極７をマスクにして第１の酸化膜２をエッチングしているので、薄い第２の酸化膜３がオーバー・エッチングされて半導体基板１が露出することが防止される。 - 特許庁

A copper or copper alloy foil includes a copper or copper alloy foil base material, a first layer having a plurality of particles made of a first metal to cover the copper or the copper alloy foil base material, and a second layer having a plurality of tabular bodies made of a second metal stood on the particle surface.例文帳に追加

銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材を被覆する第１の金属からなる複数の粒子を有する第１層と、前記粒子表面に起立する第２の金属からなる複数の平板状体を有する第２層と、を備えた銅又は銅合金箔。 - 特許庁

The second electrode has a linear electrode part 19a, and slopes 24 of which the surfaces being in contact with the liquid crystal layer 50 are inclined are provided in at least areas corresponding to side end parts of the linear electrode part 19a on the side of the liquid crystal layer 50 of the second substrate 20.例文帳に追加

第２電極は線状電極部１９ａを有して構成されており、第２基板２０の液晶層５０側には、少なくとも線状電極部１９ａの側端部に対応した領域に、液晶層５０に接する表面を傾斜させた傾斜面２４が設けられている。 - 特許庁

Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed.例文帳に追加

その語、第２配線用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１配線層４ａを形成するのと同時に第２配線層７を形成する。 - 特許庁

The organic EL element 11 has a first electrode 13, an organic EL layer 14, and a second electrode 15 successively laminated on a glass substrate 12, and the part excluding the face where the first electrode, the organic EL layer, and the second electrode are jointed to each other is covered by a protection film 16.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１２の表面に第１電極１３、有機ＥＬ層１４、第２電極１５が順に積層され、第１電極１３、有機ＥＬ層１４及び第２電極１５の互いに隣接する面以外の部分が保護膜１６で被覆されている。 - 特許庁

A first conductive diffusion layer 32 of an electrolyte membrane/electrode structure 24(1) and a second conductive diffusion layer 34 of another electrolyte membrane/electrode structure 24(2) are arranged so that their respective first and second ends 32a, 34a overlap each other across a solid polymer electrolyte membrane 22.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体２４（１）の第１導電性拡散層３２と、電解質膜・電極構造体２４（２）の第２導電性拡散層３４とは、それぞれの第１および第２端部３２ａ、３４ａが固体高分子電解質膜２２を挟んで重なり合っている。 - 特許庁

A first core layer in a second region A2 in contact with a first region A1 as a portion of a waveguide to be formed on the semiconductor substrate with respect to a wave guiding direction is removed to expose the end surface of the first core layer at a border between the first region and the second region.例文帳に追加

半導体基板の上に形成すべき導波路の導波方向に関する一部分である第１の領域Ａ１に接する第２の領域Ａ２の第１のコア層を除去し、第１の領域と第２の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。 - 特許庁

In the wiring board 10, the film thickness ha of the first region 42 of the dielectric layer 40 positioned between the third conductor 50 and the first conductor 20 is thicker than the film thickness hb of the second region 44 of the dielectric layer 40 positioned between the third conductor 50 and the second conductor 30.例文帳に追加

配線基板１０では、第３の導体５０と第１の導体２０との間に位置する誘電体層４０の第１領域４２の膜厚haの方が、第３の導体５０と第２の導体３０との間に位置する誘電体層４０の第２領域４４の膜厚hbより大きい。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage device has a charge accumulation layer arranged on a first insulating film on a channel, a second insulating film arranged on the charge accumulation layer and composed of a plurality of layers and a control gate electrode arranged on the second insulating film.例文帳に追加

本発明の例に係る不揮発性半導体記憶装置は、チャネル上の第１絶縁膜上に配置される電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に配置され、複数層から構成される第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に配置される制御ゲート電極とを備える。 - 特許庁

The MIS transistor dynamically stores a first data status wherein impact-ionization takes place near a drain junction to set the silicon layer 12 to a first electric potential, and a second data status wherein a forward current is allowed to flow the drain junction to set the silicon layer 12 to a second electric potential.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。 - 特許庁

In this photovoltaic element, an intermediate layer 17 formed in an atmosphere containing hydrogen at a concentration of ≤5 vol.% is provided between a second transparent conductive film 12-2 and a p-type semiconductor layer 13, so as to cover first and second transparent conductive layers 12-1 and 12-2.例文帳に追加

第２の透明導電膜１２−２とＰ型半導体層１３との間に、水素濃度１５体積％以下の雰囲気中において形成されてなる中間層１７を、第１の透明導電膜１２−１及び第２の透明導電膜１２−２を覆うようにして設ける。 - 特許庁

The first sheet 11 is tentatively pasted on the second sheet 12 through a releasing treatment layer 11B under the folded condition, and held between the second sheet 12 and a body W to be pasted by pasting the adhesive layer 12B exposed on the outer side of the first sheet 11.例文帳に追加

第１のシート１１は、折り畳まれた状態で剥離処理層１１Ｂを介して第２のシート１２に仮着され、第１のシート１１の外側に表出する接着剤層１２Ｂを被着体Ｗに接着することにより第２のシート１２と被着体Ｗとの間に保持される。 - 特許庁

Upon reception of a recording request of decoding information from a user, information containing a second secret key in the first decoding information area of a recording layer L1 (step 403), and information containing a first secret key in the second decoding information area of a recording layer L2 (step 407).例文帳に追加

ユーザから復号情報の記録要求があると、第２の秘密鍵が含まれる情報を記録層Ｌ１の第１復号情報領域に記録し（ステップ４０３）、第１の秘密鍵が含まれる情報を記録層Ｌ２の第２復号情報領域に記録する（ステップ４０７）。 - 特許庁

A fabric having a two-layered structure consists of a first layer 10 comprising a net material formed by weaving twisted yarns comprising a hydrophobic material and a second layer 20 comprising a fabric material formed by weaving water absorbable fibers and the first and second layers 10, 20 are bonded at a predetermined interval (bonding interval; 30 mm or less).例文帳に追加

疎水性素材の撚糸で織成した網体よりなる第１の層１０と、吸水性繊維で織成する織物素材よりなる第２の層２０よりなり、第１の層１０と第２の層２０は所定の間隔（結合間隔を３０ｍｍ以下）で結合１２されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a double-sided self-adhesive sheet capable of continuously conducting coating of a second self-adhesive layer and peeling of a second release paper on the same line, not reducing its productibity, and having a smooth self-adhesive agent layer by conducting a rapid curing reaction of the self-adhesive agent.例文帳に追加

粘着剤の硬化反応を速やかに行うことにより、第２粘着剤層の塗工と第２離型紙の剥離とを同ラインで続けて行うことが可能であり、生産性を低下させずに平滑な粘着剤層を有する両面粘着シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

The prepreg 1 includes: a fiber base material 2 of a plate shape; a first resin layer 3 which is located on one surface side of the fiber base material 2, and consists of a first resin composition; and a second resin layer 4 which is located on the other surface side of the fiber base material 2, and consists of a second resin composition.例文帳に追加

プリプレグ１は、平板状の繊維基材２と、繊維基材２の一方の面側に位置し、第１の樹脂組成物で構成された第１の樹脂層３と、繊維基材２の他方の面側に位置し、第２の樹脂組成物で構成された第２の樹脂層４とを備えている。 - 特許庁

At least one of second end points LP and RP as a pair of end points of a second segment which passes the middle point of the first segment, crosses the first segments at right angles in plan view, and overlaps the recording layer 3 in plan view does not overlap the first conductive layer WT in plan view.例文帳に追加

上記第１の線分の中点を通り、平面視において第１の線分に直交し、記録層３と平面視において重なる第２の線分の１対の端点である第２の端点ＬＰ，ＲＰのうち少なくとも一方は、第１導電層ＷＴと平面視において重ならない。 - 特許庁

Width of the conductive layer 25 formed to the third surface 26 is wider than that of the conductive layer 25 formed to the first and second surfaces 18a, 18b and the third surface 26 is formed on the basis of surface symmetry for the symmetrical surface of the first and second surfaces 18a, 18b.例文帳に追加

第３の面２６に形成される導電層２５の幅が第１および第２の面１８ａ，１８ｂに形成される導電層２５の幅よりも広く設定され、第１および第２の面１８ａ，１８ｂに関する対称面に対して第３の面２６が面対称である。 - 特許庁

The shock absorbing part 21 has a laminated portion 22 formed where first and second viscoelastic layers 21a, 21b of asphalt base material and an intermediate layer 21c as a water layer held between the first and the second viscoelastic layers 21a, 21b are laminated in the vertical direction.例文帳に追加

緩衝部２１には、アスファルト系材料からなる第１及び第２粘弾性層２１ａ，２１ｂと、第１粘弾性層２１ａと第２粘弾性層２１ｂとの間に挟まれた水の層からなる中間層２１ｃとが上下方向に積層された積層部２２が形成されている。 - 特許庁

The second major surface side connection terminal 18 has such a structure as a gold plating layer 30 is formed directly on a copper layer 24 and has a larger area than the first major surface side connection terminal 17 and is solder jointed to the connection terminal of another substrate 61 supporting the second major surface 14 side of the substrate 12.例文帳に追加

第２主面側接続端子１８は、銅層２４上に金めっき層３０を直接形成した構造を有し、第１主面側接続端子１７よりも大面積であり、基板１２の第２主面１４側を支持する別の基板６１の接続端子とはんだ接続される。 - 特許庁

A first interconnector 35 is present on one side main surface of a substrate 31, and a solid electrolyte layer 33, an oxygen electrode layer 34 and a second interconnector 36 are present on the other side main surface, and the first interconnector 35 and the second interconnector 36 are formed on both main surfaces of the substrate 31.例文帳に追加

支持基板３１の一方側主面に第１インターコネクタ３５を、他方側主面に固体電解質層３３、酸素極層３４および第２インターコネクタ３６を有するとともに、第１インターコネクタ３５および第２インターコネクタ３６が、支持基板３１の両主面に形成されている。 - 特許庁

Double gate-type FET is formed where the first semiconductor layer is set to be the active layer, the first semiconductor film to be a lower gate insulating film, the first conductive film to be a lower gate electrode, the second insulating film to be an upper gate insulating film and the second conductive film to be an upper gate electrode.例文帳に追加

第１の半導体層を活性層とし、第１の絶縁膜を下側のゲート絶縁膜とし、第１の導電膜を下側のゲート電極とし、第２の絶縁膜を上側のゲート絶縁膜とし、第２の導電膜を上側のゲート電極とするダブルゲート型ＦＥＴを形成する。 - 特許庁

After forming a metallic layer (diffusion preventing layer) 150 of a nickel by cladding the nickel on each surface mutually faced in a first and a second plates 111, 112, a copper is heated to not lower than the m.p. of the copper as a brazing filler metal to join the first and the second plates 111, 112 with brazing.例文帳に追加

第１、２プレート（１１１、１１２）のうち互いに面するそれぞれの面に、ニッケルをクラッドしてニッケルの金属層（拡散防止層）１５０を形成した後、銅をろう材として銅の融点以上まで加熱して第１、２プレート１１１、１１２をろう付け接合する。 - 特許庁

A multilayered electric wave absorber 10 is composed of first and second electric wave absorption layers 12 and 14, and the orientation direction (arrow A) of a ferrite for forming the first electric wave absorption layer 12 orthogonally crosses the orientation direction (arrow B) of the ferrite for forming the second electric wave absorption layer 14.例文帳に追加

複層電波吸収体１０は、第１電波吸収層１２と第２電波吸収層１４とで構成され、第１電波吸収層１２を形成するフェライトの配向方向（矢印Ａ）と第２電波吸収層１４を形成するフェライトの配向方向（矢印Ｂ）とは直交している。 - 特許庁

The semiconductor laser has a first and a second current block layers 106 and 107 and both current block layers 106 and 107 are removed in a current injected region and the first current block layer 106 is left and only the second current block layer 107 is removed in the vicinity of the end face.例文帳に追加

半導体レーザは、第１及び第２電流ブロック層１０６、１０７を有し、電流注入領域では双方の電流ブロック層１０６、１０７を除去し、端面の近傍では第１電流ブロック層１０６を残し、第２の電流ブロック層１０７のみを除去する。 - 特許庁

The second major surface side connection terminal 18 has such a structure as an electroless gold plating layer 30 is formed directly on a copper layer 24 and has a larger area than the first major surface side connection terminal 17 and is solder jointed to the connection terminal of another substrate 61 supporting the second major surface 14 of the substrate 12.例文帳に追加

第２主面側接続端子１８は、銅層２４上に無電解金めっき層３０を直接形成した構造を有し、第１主面側接続端子１７よりも大面積であり、基板１２の第２主面１４側を支持する別の基板６１の接続端子とはんだ接続される。 - 特許庁

In the manufacturing method for a light-emitting device, the material layer on a first substrate as a substrate used for evaporation is pattern-formed by irradiating first light, and the pattern-formed material layer can be evaporated on a second substrate as a deposited substrate by irradiating second light.例文帳に追加

第１の光を照射することにより、蒸着用基板である第１の基板上の材料層をパターン形成し、第２の光を照射することにより、パターン形成した材料層を被成膜基板である第２の基板上に蒸着させることができる発光装置の作製方法である。 - 特許庁

After a first coil 8 formed on a support substrate 2 having a predetermined gap and a second coil 11 disposed opposite the first coil 8 with an insulating layer 10 interposed therebetween are formed, a soft magnetic body is formed around the first coil 8, second coil 11, and insulating layer 10.例文帳に追加

支持基板２上に所定の空隙をもって配置された第１のコイル８と、第１のコイル８と絶縁層１０を介して対向配置された第２のコイル１１とを形成した後、軟磁性体を第１のコイル８、第２のコイル１１および絶縁層１０の周囲に形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a plurality of pixel regions each of which is defined by a first electrode arranged on the liquid crystal layer side of a first substrate, and a second electrode opposite to the first electrode via the liquid crystal layer and arranged on a second substrate.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極と、第２基板に設けられ第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極とによってそれぞれが規定される複数の絵素領域を有する。 - 特許庁

In an optical disk D having first and second recording layers L_1 and L_2 corresponding to two recording forms, encrypted data is recorded in the first recording layer L_1, and encryption key information for decrypting the encrypted data is recorded in the second recording layer L_2.例文帳に追加

２つの記録形式にそれぞれ対応する第１の記録層Ｌ_１と第２の記録層Ｌ_２を有する光ディスクＤにおいて、第１の記録層Ｌ_１に暗号化データを記録し、第２の記録層Ｌ_２に暗号化データの当該暗号化を解くための暗号化キー情報を記録する。 - 特許庁

A transparent second relay layer 400 is electrically connected to an upper capacitance electrode 300 via a contact hole 85 and a transparent pixel electrode 9aa is electrically connected to the second relay layer 400 via a contact hole 86 penetrating a fourth interlayer insulating film 44.例文帳に追加

透明な第２中継層４００は、コンタクトホール８５を介して上部容量電極３００に電気的に、透明な画素電極９ａａは、第４層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール８６を介して第２中継層４００に電気的に接続されている。 - 特許庁

Thereafter, first conductivity type impurities are introduced into the second conductivity type semiconductor layer 20 located above the periphery of the second conductivity type impurity region 13, thus forming first conductivity type isolation regions 24c and 24d being connected with the first conductivity type semiconductor layer 30.例文帳に追加

その後、第２導電型不純物領域１３の周囲の上方に位置する第２導電型半導体層２０に第１導電型不純物を導入することにより、第１導電型半導体層３０に接続する第１導電型の素子分離領域２４ｃ，２４ｄを形成する。 - 特許庁

Since a projecting insulating layer 38 with a second positive electrode 34b formed on its top is present between a second positive electrode 34b and the other electrode (a first positive electrode 34a) installed around it, they are electrically insulated from each other by the insulating layer 38.例文帳に追加

第２陽極３４ｂと、その周囲に設置された他の電極（第１陽極３４ａ）との間には、その第２陽極３４ｂが頂部に設けられた凸状絶縁層３８が存在する為、それらはその凸状絶縁層３８により相互に電気的に絶縁される。 - 特許庁

A first resin film composed of a fluororesin showing adhesivity to the substrate and a second resin film as required are laminated on at least one surface of the substrate, and are pressurized to manufacture a laminate having the substrate, the first resin film layer and the second resin film layer as required.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に、基材に対して付着性を示すフッ素樹脂からなる第１樹脂フィルムおよび所望により第２樹脂フィルムを積層し、加圧することにより、基材、第１樹脂フィルム層および所望により第２樹脂フィルム層を有する積層体を製造する。 - 特許庁

The probe for ultrasonic diagnostic apparatus includes: a sound absorbing layer which is provided with a first electrode part; a piezoelectric body which is connected with the first electrode part; an acoustic matching layer which is provided with a second electrode part connected with the piezoelectric body; and a PCB which is connected with the first electrode part and the second electrode part.例文帳に追加

開示された発明の超音波診断装置用プローブは、第１電極部を備える吸音層と、第１電極部に連結される圧電体と、圧電体に連結される第２電極部を備える音響整合層と、第１電極部及び第２電極部に連結されるＰＣＢとを含む。 - 特許庁

Thus, the first heatsink 61 is cooled by the first cooling surface 11 through the first metal plate 51 and the first insulating layer 30, and the second heatsink 62 is cooled by the first cooling surface 11 through the second metal plate 52 and the first insulating layer 30.例文帳に追加

これにより、第１放熱板６１は第１金属板５１および第１絶縁層３０を介して第１冷却面１１によって冷却されると共に、第２放熱板６２は第２金属板５２および第１絶縁層３０を介して第１冷却面１１によって冷却される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetoresistive effect thin film magnetic head, the magnetoresistive effect element 2, a first magnetic domain controlling layer 3A, a second magnetic domain controlling layer 3B, a first electrode 4A and a second electrode 4B are formed by self coordination using a mask 5 formed on a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果膜上に形成したマスク５を使用して、磁気抵抗効果素子２、第１の磁区制御層３Ａ、第２の磁区制御層３Ｂ、第１の電極４Ａ及び第２の電極４Ｂを自己整合で形成する。 - 特許庁

This Al composite material with a ceramic powder layer interposed is obtained by joining a first Al sheet 12 and a second Al sheet 13 with the same shape and size as those of the first Al sheet by brazing filler metals with a ceramic powder layer 11 composed of SiC or AlN interposed between the first and second Al sheets.例文帳に追加

第１Ａｌ板１２とこの第１Ａｌ板１２と同形同大の第２Ａｌ板１３との間にＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末層１１を介在させて第１及び第２Ａｌ板がロウ材により接合されたセラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材。 - 特許庁

Further, the semiconductor has a drain electrode 28D connected to the semiconductor substrate 10, a first source electrode 28S connected to the first source layer 26, a second source electrode 38S connected to the second source layer 36, and a first through hole 41 bored penetrating the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

また、半導体基板１０に接続されたドレイン電極２８Ｄと、第１のソース層２６に接続された第１のソース電極２８Ｓと、第２のソース層３６に接続された第２のソース電極３８Ｓと、半導体基板１０を貫通する第１の貫通孔４１が形成されている。 - 特許庁

The second insulating layer 40 is provided with a plurality of conductive connection parts 73a, 73b penetrating the second insulating layer 40, and the respective division wiring parts 51b, 51c of the first wiring 51 are connected to the connection wiring part 31 through corresponding conductive connection parts 73a, 73b.例文帳に追加

第２絶縁層４０に、第２絶縁層４０を貫通する複数の導電接続部７３ａ、７３ｂが設けられ、第１配線５１の各分割配線部５１ｂ、５１ｃは、対応する導電接続部７３ａ、７３ｂを介して、接続配線部３１に接続されている。 - 特許庁