「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(255ページ目) - Weblio英語例文検索

The wiring board including the plurality of wiring layers includes: first wiring 1a formed in a first wiring layer 61 of the plurality of wiring layers; second wiring 1b formed in a second wiring layer 62 of the plurality of wiring layers; and a via 5 which is a connection member made of a conductor.例文帳に追加

複数の配線層を備えた配線基板は、複数の配線層のうちの第１の配線層６１に形成された第１の配線１ａと、複数の配線層のうちの第２の配線層６２に形成された第２の配線１ｂと、導体からなる接続部材であるビア５とを有している。 - 特許庁

The agent for removing harmful substances constituted of a support comprising first fibers having a diameter of 1 μm or smaller and second fibers having a diameter of 10 μm or larger is characterized by comprising at least four layers wherein a layer consisting of the first fibers and a layer consisting of the second fibers are alternately laminated.例文帳に追加

繊維径1μｍ以下の第一の繊維と繊維径10μm以上の第二の繊維とを含有する担体からなる有害物質除去材であって、第一の繊維からなる層と第二の繊維からなる層とが交互に４層以上積層されていることを特徴とする有害物質除去材。 - 特許庁

After a first spacer made of a material, having an etching selection ratio to a second insulating layer, is formed on the side of an etching region, a storage node contact hole is made, where the first spacer is utilized as a mask and the second insulating layer, and a first one are etched for exposing a capacitor contact region.例文帳に追加

エッチング領域の側面に第２絶縁層に対してエッチング選択比を有する物質からなる第１スペーサを形成した後、第１スペーサをマスクとして利用して第２絶縁層及び第１絶縁層をエッチングしてキャパシターコンタクト領域を露出するストレージノードコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide a label of which the contents printed in a second label area can be kept secret by folding back the second label area to bond it to an adhesive layer side of a first label area and sticking the label to an object with an adhesive layer of the first label area partially exposed.例文帳に追加

第１のラベル領域の粘着剤層側に第２のラベル領域を折り返して接着し、第１のラベル領域の粘着剤層を部分的に表出させて被着体に貼付することで、第２のラベル領域に印字された内容を秘匿することができるラベルを提供すること。 - 特許庁

A wiring structure constituted of a first insulating film 22, a first wiring layer 23, a second insulating film 24 and a second wiring layer 25, is provided on one surface facing a sensor part 10 in a cap part 20 in the semiconductor dynamic quantity sensor, and sensor structure bodies 15-17 are provided on the sensor part 10.例文帳に追加

半導体力学量センサのうちキャップ部２０においてセンサ部１０と対向する一面に第１絶縁膜２２、第１配線層２３、第２絶縁膜２４、および第２配線層２５によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部１０にセンサ構造体１５〜１７を設ける。 - 特許庁

A plurality of cavities are formed on the first main face of a wafer 206, a pattern of an anti-etching layer is formed on a second main face of the wafer 206, the parts at which the pattern of the anti-etching layer is not formed are etched, and an opening part 510 is created between the first main face and the second main face of the wafer.例文帳に追加

ウェーハ２０６の第１の主面に複数のキャビティを形成し、前記ウェーハ２０６の第２の主面を耐エッチング層でパターン形成し、耐エッチング層でパターン形成されていないウェーハの部分をエッチングして、ウェーハの第１の主面と第２の主面との間に開口部５１０を作る。 - 特許庁

The first and second catalyst layers 41 and 42 contain a carbon and an ionomer carrying a Pt catalyst at a carbon-to-ionomer weight ratio I/C of 0.75, and the peeling strength of the second catalyst layer 42 is greater than that of the first catalyst layer 41.例文帳に追加

第１の触媒層４１と第２の触媒層４２は、Ｐｔ触媒を担持したカーボンとアイオノマとを含有し、それぞれ、カーボンに対するアイオノマの重量比Ｉ／Ｃが０．７５とされ、第２の触媒層４２は、第１の触媒層４１よりも小さい剥離強度とされている。 - 特許庁

The magnetization reversal of the second ferromagnetic layer is executed by making a write current for supplying a spin polarized electron to the second ferromagnetic layer flow between the lower electrode 16 and the upper electrode 18 and using a magnetic field generated by the write current flowing to the lower electrode 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 - 特許庁

The organic light-emitting element, and its manufacturing method, contains a substrate, a barrier layer, a first electrode, a second electrode, and an organic film intercalated between the first and the second electrodes, with the barrier layer containing a laminated structure of an SiO inorganic film and an SiON inorganic film.例文帳に追加

基板と、バリア層と、第１電極と、第２電極と、第１電極及び第２電極間に介在された有機膜とを含む有機発光素子において、バリア層がＳｉＯ無機膜及びＳｉＯＮ無機膜の積層構造を含む有機発光素子及びその製造方法である。 - 特許庁

In all the first dielectric layers 12 and the second dielectric layers 14, the optical film thickness of each of the first dielectric layer 12 and the second dielectric layer 14 adjacent to each other in the lamination direction is formed so as to be 1/4 of the wavelength λ of the light to be selectively transmitted.例文帳に追加

全ての第１誘電体層１２と第２誘電体層１４は、積層される方向で隣り合う第１誘電体１２および第２誘電体１４のそれぞれの光学膜厚が、選択的に透過させる光の波長λの１／４となるように形成されている。 - 特許庁

The first electrode 12 and the second electrode 16 are an indifferent electrode that does not contribute to an electrochemical reaction, and are arranged to face each other with the ion conductive layer 14 disposed therebetween, wherein a distance between the first electrode 12 and the second electrode 16 is equal to the thickness of the ion conductive layer 14.例文帳に追加

第１電極１２と第２電極１６とは、電気化学反応に寄与しない不関電極であり、イオン伝導層１４を挟んで対向するように配置され、第１電極１２と第２電極１６間との距離がイオン伝導層１４の厚みと等しい。 - 特許庁

The electrode structure may include: a substrate having an insulating layer; a first conductive pattern containing a metal for filling the insulating layer; a second conductive pattern which extends from the first conductive pattern and contains a metal oxide; and a third conductive pattern disposed on the second conductive pattern.例文帳に追加

電極構造体は絶縁層を有する基板、絶縁層を埋め立てる金属を含む第１導電パターン、第１導電パターンから延びて金属酸化物を含む第２導電パターン、そして第２導電パターン上に配置される第３導電パターンを含むことができる。 - 特許庁

The bidirectional switch element includes: a semiconductor layer laminate 203 comprised of a nitride semiconductor; a first ohmic electrode 211 and a second ohmic electrode 212 which are formed on the semiconductor layer laminate 203; a first gate electrode 217; and a second gate electrode 218.例文帳に追加

双方向スイッチ素子は、窒化物半導体からなる半導体層積層体２０３と、半導体層積層体２０３の上に形成された第１のオーミック電極２１１及び第２のオーミック電極２１２と、第１のゲート電極２１７及び第２のゲート電極２１８とを備えている。 - 特許庁

A surfactant-contained coating liquid obtained by making a coating liquid for forming a hole transport layer contain the surfactant is continuously applied along the second direction while straddling the first portion, or along the first direction while straddling the second portion to form a carrier transport layer.例文帳に追加

第１の部位を跨ぎながら第２方向に沿って、若しくは、第２の部位を跨ぎながら第１方向に沿って、正孔輸送層形成用塗布液に界面活性剤を含有させた界面活性剤含有塗布液を連続的に塗布することで、担体輸送層を形成する。 - 特許庁

The MIS transistor dynamically memorizes a first data state in which the silicon layer 12 is set to a first potential by causing impact ionization in the vicinity of the drain junction; and a second data state in which the silicon layer 12 is set to a second potential by passing forward current to the drain junction.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a first substrate 1, a second substrate 2 placed opposite to the first substrate 1, a liquid crystal layer 3 disposed between them and a seal part 4 which bonds the first substrate 1 and the second substrate 2 to each other and further surrounds the liquid crystal layer 3.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第１基板１と、第１基板１に対向する第２基板２と、これらの間に設けられた液晶層３と、第１基板１と第２基板２とを互いに接着し、且つ、液晶層３を包囲するシール部４とを備えている。 - 特許庁

A first transistor region T1 is an n-MOS region, a second transistor region T2 is a p-FET region, a base part dielectric layer 2 made of SiO_2 is formed on the first and second transistor regions, and an N+ polysilicon gate 4 is formed on the dielectric layer 2.例文帳に追加

第一トランジスタ領域（Ｔ１）がｎ−ＭＯＳ領域であり、第二トランジスタ領域（Ｔ２）がｐ−ＦＥＴ領域であり、ＳｉＯ２よりなる基部誘電体層（２）が、第１及び第２トランジスタ領域上に形成され、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）が誘電体層（２）の上に形成される。 - 特許庁

The p-side electrode 114 of a multiple structure formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer group on the side of an upper ridge 130 makes contact with the side surface of the ridge 130 and with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group in the vicinity of the ridge 130.例文帳に追加

上記第２導電型の半導体層群の上側のリッジ部１３０側の表面に形成された多層構造のｐ側電極１１４が、リッジ部１３０の側面およびリッジ部１３０近傍の第２導電型の半導体層群の表面に接している。 - 特許庁

A first portion of the nitrogen-containing layer on at least one sidewall of the at least one feature is removed at a first rate and a second portion of the nitrogen-containing layer over the substrate adjacent to a bottom region of the at least one feature is removed at a second rate.例文帳に追加

少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。 - 特許庁

A soot detection sensor 3 is used, wherein the first detection electrode 9 and a soot collection layer 21 in the first oxygen concentration measuring part 23 are constituted to be enterable by soot, and a soot restriction layer 27 for preventing entrance of soot is provided on the surface of the second detection electrode 11 of the second oxygen concentration measuring part 25.例文帳に追加

第１酸素濃度測定部２３の第１検知電極９と煤捕集層２１を、煤の侵入が可能な構成とするとともに、第２酸素濃度測定部２５の第２検知電極１１の表面に煤の侵入防止する煤制限層２７を設けた煤検出センサ３を用いる。 - 特許庁

Then, the system controller 24 obtains a focus gain correction value (g2) when reproducing the second signal recording layer from the focus gain correction value (g1) when reproducing the first signal recording layer obtained by the adjustment and the peak levels (LP1) and (LP2) of the first and second S curves of the focus error signal FE.例文帳に追加

そして、システムコントローラ２４は、調整により求めた第１信号記録レイヤを再生する際のフォーカスゲイン補正値ｇ１と、フォーカスエラー信号ＦＥの第１、第２ＳカーブのピークレベルＬＰ１、ＬＰ２とから、第２信号記録レイヤを再生する際のフォーカスゲイン補正値ｇ２を計算により求める。 - 特許庁

The organic EL element 13 is composed of a first electrode 17, a second electrode 19, an organic EL layer 21 which is disposed between the first electrode 17 and the second electrode 19 and has at least a light-emitting layer and a flexible substrate 23 disposed on the first electrode 17.例文帳に追加

この有機ＥＬ素子１３は、第１電極１７と、第２電極１９と、第１電極１７と第２電極１９との間に設けられ、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層２１と、第１電極１７上に設けられた可撓性の基板２３とによって構成される。 - 特許庁

On the support substrate 110d in an top-emission type organic EL device 100, a plurality of auxiliary wirings 172 in contact with a second electrode layer 171 are extended in one direction, variations in the electrical resistance of the second electrode layer 171 can be canceled by the auxiliary wirings 172.例文帳に追加

トップエミッションタイプの有機ＥＬ装置１００において、支持基板１１０ｄでは、第２電極層１７１と接する複数本の補助配線１７２が一方向に延在しているため、第２電極層１７１の電気的抵抗のばらつきを補助配線１７２によって解消することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the adhesiveness of a bonding pad and a second wiring layer to an insulating film is improved, and even when any stress is applied from the upper part to the bonding pad, the insulating film between the bonding pad and the second wiring layer can be prevented from being cracked.例文帳に追加

ボンディングパッドと第２配線層および絶縁膜との密着性が良好であり、かつ、ボンディングパッドに上方からストレスが加わっても、ボンディングパッドと第２配線層との間の絶縁膜に亀裂が入ることを回避することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, after a portion of the first electrode is adhered to the metallic film, the first substrate is separated from the piezoelectric layer, and a second electrode is formed on the piezoelectric layer exposed by a removal process, and a resonator is formed by applying voltage to the first and second electrodes.例文帳に追加

次に、第１の電極の一部と金属膜を貼り合わせた後、第１の基板を圧電層より分離し、除去工程により露出した前記圧電層上に第２の電極を形成し、第１及び第２の電極に電圧を印加することで共振器を形成する。 - 特許庁

The image recording material is obtained by sequentially disposing on a support a first layer soluble in an alkaline developer and a second layer whose solubility in the alkaline developer is increased upon infrared laser exposure, wherein at least one of the first and second layers contains a polyfunctional amine compound.例文帳に追加

支持体上に、アルカリ現像液可溶性の第１層と、赤外線レーザー露光によりアルカリ現像液への溶解性が向上する第２層とを順次設けてなり、該第１層及び第２層の少なくとも１層に、多官能アミン化合物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

A first conductive adhesive layer 8 is interposed between the hydrogen electrode 3 and the first collector plate 6 and a second conductive adhesive layer 9 is interposed between the oxygen electrode 4 and the second collector plate 7 to lower the contact resistance between the electrodes and the collector plates.例文帳に追加

第１の導電性接着剤層８が水素電極３と第１の集電板６との間に介在し、第２の導電性接着剤層９が酸素電極４と第２の集電板７との間に介在して、電極と集電板との接触抵抗を低下させる。 - 特許庁

Further, the nonvolatile storage includes a first variable resistance layer 120 interposed between the first input electrode 101 and the output electrode 104, and a second variable resistance layer 130 interposed between the output electrode 104 and the second input electrode 107.例文帳に追加

また、この不揮発性記憶装置は、第１入力電極１０１と出力電極１０４との間に挟まれた第１抵抗変化層１２０、および、出力電極１０４と第２入力電極１０７との間に挟まれた第２抵抗変化層１３０を備える。 - 特許庁

This organic EL display device includes first and second electrodes 11 and 12 impressed with voltage, a conductive color converting layer 14 electrically connectable to the first electrode 11, and an organic light emitting medium 15 arranged between the second electrode 12 and the color converting layer 14.例文帳に追加

電圧が印加される第一及び第二の電極１１，１２と、第一の電極１１と電気的に接続可能な、導電性色変換層１４と、第二の電極１２と色変換層１４の間に設けられた有機発光媒体１５とを含む有機ＥＬ表示装置。 - 特許庁

The boundary face is formed of the first face and the second face which are disposed opposite to each other, and at least one of the first optical layer and the second optical layer has storage modulus of elasticity of 3×10^7 Pa or larger at 100 °C and storage modulus of elasticity of 3×10^9 Pa or smaller at 25 °C.例文帳に追加

界面は、対向配置された第１の面と第２の面とにより形成され、第１の光学層、および第２の光学層の少なくとも一方が、１００℃での貯蔵弾性率が３×１０^7Ｐａ以上であり、２５℃での貯蔵弾性率が３×１０^9Ｐａ以下である。 - 特許庁

The ground layer is composed of a first conductive paste 30 filled in the aperture so as to cover the ground line exposed from the aperture, and a second conductive paste 31 applied so as to continuously cover the first conductive paste and the second insulating layer.例文帳に追加

グランド層は、開口部から露出されたグランドラインを覆うように開口部に充填された第１の導電性ペースト３０と、第１の導電性ペーストおよび第２の絶縁層を連続して覆うように塗布された第２の導電性ペースト３１とで構成されている。 - 特許庁

A part of charged particles generated by discharge in the domain restriction part 82 passes the conductive layer 78 (second electrode), and then moves in the image holder 44 direction, by a potential difference between the conductive layer 78 (second electrode) and the image holder 44, to thereby charge the image holder 44.例文帳に追加

領域制限部８２で放電により生成された荷電粒子の一部は、導電層７８（第二電極）と像保持体４４間の電位差により、導電層７８（第二電極）を通過して像保持体４４方向に移動することで、像保持体４４を帯電させる。 - 特許庁

A mounting substrate for surface-mounting semiconductor devices 10a and 10b includes a hollow part 102 at a location sandwiched by an area of a first substrate layer 101a, corresponding to the backside of a first mounting pad and an area of a second substrate layer 101b, corresponding to the backside of a second mounting pad.例文帳に追加

半導体素子１０ａ及び半導体素子１０ｂを表面実装する実装基板は、第一の基板層１０１ａの第一の搭載パッドの裏面相当部分及び第二の基板層１０１ｂの第二の搭載パッドの裏面相当部分に挟まれる部位に中空部１０２を有する。 - 特許庁

In this etching process, for the first region, the insulating layer 30 is etched to form a through hole 34 for electrical connection with the metal pattern 18, and for the second region, the insulating layer 30 and the semiconductor pattern 16 are etched to remove the second portion 28 of the semiconductor pattern 16.例文帳に追加

エッチング工程で、第１領域では絶縁層３０をエッチングして金属パターン１８との電気的接続のための貫通穴３４を形成し、第２領域では絶縁層３０及び半導体パターン１６をエッチングして、半導体パターン１６の第２部分２８を除去する。 - 特許庁

The prism layer 21 includes: a first face 21A disposed in contact with the intermediate layer 22; a second face 21B inclined at a first inclination angle θa relative to the first face 21A; and a third face 21C inclined relative to the first face 21A and the second face 21B.例文帳に追加

プリズム層２１は、中間層２２と接する第１の面２１Ａと、第１の面２１Ａに対して第１の傾斜角θａで傾斜する第２の面２１Ｂと、第１の面２１Ａ及び第２の面２１Ｂのそれぞれに対して傾斜する第３の面２１Ｃとを備える。 - 特許庁

The system may further comprise a magnetic read head including a first shield layer, a second shield layer, and a read sensor stack provided proximate to the first and second shield layers, where the magnetic read head senses a magnetic field of each of the plurality of magnetic bit domains according to a read playback sensitivity function.例文帳に追加

システムはさらに、第１のシールド層と、第２のシールド層と、第１および第２のシールド層に近接して設けられた読取センサスタックとを含む磁気読取ヘッドを含み、磁気読取ヘッドは、読取再生感度機能に従って複数の磁気ビット領域の各々の磁場を検知する。 - 特許庁

On the other hand, a resistance layer 15C is formed in an N-type well 11C in the forming region 10C of a first high-resistance element, and a resistance layer 15D is formed in an N-type well 11D in the forming region 10D of a second high-resistance element by using first and second ion implantation.例文帳に追加

一方、第１の高抵抗素子の形成領域１０Ｃ、第２の高抵抗素子の形成領域１０Ｄにおいては、前記第１及び第２のイオン注入を用いて、Ｎ型ウエル１１Ｃの中に抵抗層１５Ｃを形成し、Ｎ型ウエル１１Ｄの中に抵抗層１５Ｄを形成する。 - 特許庁

The light emitting module 10 has: a metal substrate 12; multilayer interconnections (first and second interconnection layers 14, 18) formed on the upper surface of the metal substrate 12; and a light-emitting device 20 electrically connected to the upper layer, namely the second interconnection layer 18.例文帳に追加

本発明の発光モジュール１０は、金属基板１２と、金属基板１２の上面に形成された多層配線（第１配線層１４および第２配線層１８）と、上層の第２配線層１８に電気的に接続された発光素子２０とを備えた構成となっている。 - 特許庁

On an insulative base plate 1, there are formed a first wiring 4 and a second wiring 6 which crosses with the first wiring 4 with an insulative layer 5 in-between, and a conductive barrier layer 7 is formed on the second wiring 6, and then an antistatic membrane composed of a particulate diffusion membrane is formed.例文帳に追加

絶縁性基板１上に第１の配線４と、該第１の配線４とは絶縁層５を介して交差する第２の配線６を形成し、該第２の配線６上に導電性を有する隔絶層７を形成した後、微粒子分散膜からなる帯電防止膜を形成する。 - 特許庁

The inter-substrate wiring is formed by embedding conductive materials in a connection hole 66 formed in a first multilayer wiring layer on a surface of the first semiconductor wafer 31 and a through connection hole 65 formed in a second multilayer wiring layer on a surface of the second semiconductor wafer 45.例文帳に追加

基板間配線は、第１の半導体ウェハ３１表面の第１の多層配線層に形成される接続孔６６と、第２の半導体ウェハ４５表面の第２の多層配線層に形成された貫通接続孔６５とに、導電材料が埋め込まれて形成されている。 - 特許庁

At the same time, a PMOS transistor comprising a distorted Si layer 14b having a second film thickness thinner than that of the layer 14a is formed in a second region of the substrate 11 delimited by the region 21.例文帳に追加

一方、素子分離絶縁領域２１によって画定された上記積層基板１１の第２の領域には、上記歪Ｓｉ層１４ａよりも膜厚の薄い、第２の膜厚を有する歪Ｓｉ層１４ｂを備えるＰＭＯＳトランジスタが形成されてなる構成となっている。 - 特許庁

In the data storage medium having a substrate, a first recording layer and a second recording layer, the first and the second recording layers respectively have a plurality of data storage locations and the locations have physical characteristics changeable through at least two states for indicating data values.例文帳に追加

基板と第１記録層と第２記録層とを有するデータ蓄積媒体であって、第１と第２の記録層はそれぞれ複数のデータ蓄積ロケーションを有し、その各々がデータ値を指示するための少なくとも２つの状態を通じて変化可能な物理的特性を有している。 - 特許庁

The sliding member is composed of a first member and a second member which relatively move to each other, wherein a sliding surface of the first member is formed of a hard carbon layer (for example, DLC) containing 1B group metal (Cu, Ag and Au), and a sliding surface of the second member is formed of a hard carbon layer.例文帳に追加

互いに相対移動する第１部材と第２部材とで構成される摺動部材において、第１部材の摺動面を１Ｂ族金属（Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ）を含有する硬質炭素層（例えば、ＤＬＣ）とし、第２部材の摺動面を硬質炭素層とする。 - 特許庁

To solve such a problem that a conventional vacuum cleaner uses two layers of polytetrafluoroethylene to protect the second-layer porous film, however, when improving the dust collecting performance of the second-layer porous film, a flowing resistance of the porous film is enlarged to become difficult to exert a high sucking performance.例文帳に追加

従来の電気掃除機は、ポリテトラフルオロエチレンを２層用いて２層目の多孔質膜を保護することが提案されているが、２層目の多孔質膜の集塵性能を高くすると、多孔質膜の流れに対する抵抗が大きくなり、高い吸込性能を出すことが難しくなる。 - 特許庁

The conductive resin electrode layer 34 contains a conductive material, and is formed so as to cover the first and the second parts 32a, 32b of the first metal electrode layer 32 over the first and the second portions 32a, 32b and not to contact with the ceramic blank 10.例文帳に追加

導電性樹脂電極層３４は、導電性材料を含有しており、第１の金属電極層３２の第１及び第２の部分３２ａ，３２ｂ上にわたって当該第１及び第２の部分３２ａ，３２ｂを覆うと共に、セラミック素体１０に接触しないように形成されている。 - 特許庁