「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(252ページ目) - Weblio英語例文検索

Differently from the conventional case where the magnitude of the refractive index or band gap is considered, the overflow of electrons from the first p-type clad layer 17 or a second p-type clad layer 19 can be suppressed certainly, because the ΔEc of the electron barrier layer 16 with respect to the active layer 14 can be enlarged certainly.例文帳に追加

従来のように屈折率あるいはバンドギャップの大小のみを考慮する場合と異なり、電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃを確実に大きくすることができ、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９における電子の溢れ出しを確実に抑制することができる。 - 特許庁

Static electricity charged on the conductive pattern 4, the base insulating layer 3, and the cover insulating layer 6, are grounded on the metal supporting substrate 2 by the first semiconductive layer 5 and the second semiconductive layer 7, thus, efficiently eliminated, and the electrostatic discharge damage to the electronic component to be mounted can be positively prevented.例文帳に追加

これら第１半導電性層５と第２半導電性層７とによって、導体パターン４、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層６に帯電する静電気を、金属支持基板２に接地させ、効率的に除去することができ、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。 - 特許庁

The photo-detector composed of an avalanche photodiode (APD) having an embedded mesa structure is composed of a first embedded layer 110a wherein an embedded layer around a first mesa 109 formed on a substrate 101 is low resistance, and a second embedded layer 110b of high resistance formed on an upper part of the first embedded layer.例文帳に追加

埋込みメサ型構造を有するアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）からなる受光素子は、基板１０１上に形成された第１メサ１０９の周囲の埋込み層が低抵抗の第１埋込み層１１０ａとその上部に形成された高抵抗の第２埋込み層１１０ｂとで構成されている。 - 特許庁

Since a first hairline printing layer 4 is formed as a low brightness hairline printing layer which is darker than a second hairline printing layer 5, density of the dark first hairline printing layer 4 strongly appears as density of an intersection part.例文帳に追加

第１ヘアライン印刷層４を第２ヘアライン印刷層５よりも暗い低明度ヘアライン印刷層として形成しているため、交差部分の濃度はこの暗い第１ヘアライン印刷層４の濃度が強く表れ、第１ヘアライン印刷層４における交差部分と他の部分との濃度差が生じていてもその差を小さくすることができる。 - 特許庁

An inclination of cords constituting the first layer 31 and the second layer 32, respectively, against the peripheral direction of a tread 22 is set in a range of an angle of 32 to 38°, and an inclination of cords constituting the third layer 33 and the fourth layer 34, respectively, against the peripheral direction of the tread 22 is set in a range of an angle of 18 to 30°.例文帳に追加

第１層３１及び第２層３２をそれぞれ構成するコードのトレッド２２の周方向に対する傾きが、３２〜３８°の角度の範囲とされ、第３層３３及び第４層３４をそれぞれ構成するコードのトレッド２２の周方向に対する傾きが、１８〜３０°の角度の範囲とされる。 - 特許庁

The decorative foamed laminated material is characterized by comprising a surface layer (A) comprising a transparent synthetic resin, the first intermediate layer (B) comprising a transparent or semi-transparent synthetic resin and having decorative properties, the second intermediate layer (C) comprising a synthetic resin and having decorative properties and a base material layer (D) comprising a foamed synthetic resin.例文帳に追加

透明合成樹脂からなる表面層（Ａ）と、透明又は半透明合成樹脂からなり装飾性を有する第１中間層（Ｂ）、合成樹脂からなり装飾性を有する第２中間層（Ｃ）、及び発泡合成樹脂からなる基材層（Ｄ）からなることを特徴とする装飾性発泡積層材。 - 特許庁

In addition, a method for manufacturing the sheet 1 for manufacturing the card with the first process for forming the IJ ink receiving layer 3 by coating the surface of the substrate with the hydrophilic resin composition and the second process for sticking the base material layer 2 for the card on the surface of the IJ ink receiving layer 3 through an adhesive layer is provided.例文帳に追加

また、上記支持層４の表面に親水性樹脂組成物を塗工してＩＪインク受像層３を形成する第１工程と、ＩＪインク受像層３の表面に接着剤層を介してカード用基材層２を接着する第２工程とを有するカード作製用シート１の製造方法である。 - 特許庁

A film formed area S of a light-emitting layer 32 formed of a uniform film forming material corresponding to one opening part of a film forming mask is formed of a plurality of layers consisting of a first light-emitting layer and a second light-emitting layer, and each layer is formed at every setting change of the film forming mask.例文帳に追加

成膜用マスクの一つの開口部に応じて均一成膜材料で形成される発光層３２の成膜領域Ｓが、第１の発光層３２Ａと第２の発光層３２Ｂからなる複数の層によって形成されており、この各層は、成膜用マスクの設定変更毎に成膜されている。 - 特許庁

The supporters 4a to 4h for the piezoelectric cantilevers are formed by shaping a first support layer 31a consisting of at least one of the plurality of layers, and the mirror portion 1 is formed by shaping a second support layer 31c consisting of at least one layer differing in thickness from the first support layer 31a among the plurality of layers.例文帳に追加

圧電カンチレバーの支持体４ａ〜４ｈは、複数の層のうち少なくとも１つの層からなる第１の支持層３１ａを形状加工して形成され、ミラー部１は、複数の層のうち第１の支持層３１ａと厚さが異なる少なくとも１つの層からなる第２の支持層３１ｃを形状加工して形成される。 - 特許庁

The control means 150 controls a frequency of laser light irradiated on the printed board layer to be higher than a frequency of laser light irradiated on the package resin layer in cutting of the second portions, and makes the number of scanning times of laser light toward the printed board layer be different from the number of scanning times of laser light toward the package resin layer.例文帳に追加

制御手段は、第２の部分の切断において、プリント基板層に対して照射するレーザ光の周波数をパッケージ樹脂層に対して照射するレーザ光の周波数より高くし、プリント基板層に対するレーザ光の走査回数とパッケージ樹脂層に対するレーザ光の走査回数とを異ならせる。 - 特許庁

When a double mold release layer structure is formed on the surface of an intaglio printing 1 by forming a first mold release layer 2 on the surface of the printing 1 through chemical adsorption and a second mold release layer 3 on the layer 2 through physical adsorption, a stable mold release characteristic can always be given to the printing 1, and therefore, the printing yield can be improved.例文帳に追加

本発明は、凹版１の表面に化学吸着により第１離型層２を形成し、その上に第２離型層３を物理吸着により形成する２重離型層構造とすることで、常に安定した離型性を凹版１に持たせることができるため、印刷歩留りを向上することができる。 - 特許庁

The nitride base semiconductor light emitting element comprising a second conductive type nitride semiconductor layer and a first conductive type nitride base semiconductor layer successively formed upwardly on a holding metal plate, and an In containing etching marker layer formed on the first conductive type nitride base semiconductor layer.例文帳に追加

保持用金属板の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層と発光層と第一導電型窒化物系半導体層とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたＩｎを含むエッチングマーカー層を含む窒化物系半導体発光素子であることを特徴としている。 - 特許庁

In the multilayer sequential coating method which coats the second layer using the gravure coating system after the first layer is coated on the web in applying the coating liquid on the web, it is characterized by pressing the gravure roll which is narrower than the width of the coating of the first layer to the first layer and applying the same.例文帳に追加

ウエブ上に塗布液を多層塗布する方法であって、ウエブ上に第１の層が塗設された後、第２の層をグラビア塗布方式を用いて塗布する多層逐次塗布方法において、前記第１の層の塗布幅よりも狭いグラビアロールを第１の層に押し当て塗布することを特徴とする多層逐次塗布方法。 - 特許庁

There is provided a granule having at least a three-layered layer structure including: a core particle; the ambroxol hydrochloride coating the core particle; a first layer containing a disintegrator and a binder; a second layer containing water-insoluble polymer and water-solubule polymer; and a third layer containing the ambroxol hydrochloride and the binder.例文帳に追加

少なくとも３層の層状構造を有する顆粒であって、核粒子、核粒子を被覆する塩酸アンブロキソール、崩壊剤および結合剤を含む第１の層、水不溶性高分子および水溶性高分子を含む第２の層、ならびに塩酸アンブロキソールおよび結合剤を含む第３の層を含んでなる顆粒。 - 特許庁

The optical recording medium that is configured so that laser beams are applied and data are recorded and reproduced includes a laminate in which a recording layer 7 and a light absorption layer 5 sandwich a second dielectric layer 6, and the light absorption layer 5 contains Ge, or Sb and Ge as main constituents.例文帳に追加

レーザビームが照射されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録媒体であって、記録層７と、光吸収層５とが、第二の誘電体層６を挟んで形成された積層体を含み、光吸収層５が、Ｇｅ、またはＳｂとＧｅを主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with: a semiconductor substrate 12; a first resin layer 30 formed on the semiconductor substrate 12; rewiring 48 composing a pad 44 formed on the upper surface of the first resin layer 30; and a second resin layer 32 covering the upper surface of the rewiring 48 and first resin layer 30.例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２上に形成された第１樹脂層３０と、第１樹脂層３０の上面に形成されてパッド部４４を構成する再配線４８と、この再配線４８および第１樹脂層３０の上面を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

The polarized light changing element 414 is equipped with: a polarized light separation layer 4141 having a longitudinal direction in a first direction; a reflection layer 4142 arranged with the polarized light separation layer alternately in a second direction B nearly orthogonal to the first direction; and a retardation layer 4144 changing the polarization direction of incident polarized light.例文帳に追加

偏光変換素子４１４は、第１方向に長手方向を有する偏光分離層４１４１と、第１方向に略直交する第２方向Ｂに沿って偏光分離層と交互に配置される反射層４１４２と、入射する偏光光の偏光方向を変換する位相差層４１４４とを備える。 - 特許庁

The storage element 10 has a configuration wherein a storage layer 3 is arranged between a first electrode 2 and a second electrode 6, an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn is provided in contact with the storage layer 3, and the storage layer 3 is formed of one or more kinds of oxides selected from NiO, CoO, and CeO_2.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｅＯ_２から選ばれる１種類以上の酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

This film is manufactured by a step (a) of manufacturing a laminate of a structure of a first polyamide layer, an EVOH layer and a second polyamide layer by co-extruding, a step (b) of orienting the laminate in the longitudinal direction, and a step (c) of applying an inorganic layer to one of the surfaces of the drawn laminate by vacuum-vapor depositing.例文帳に追加

このフィルムは、（ａ）順次第１のポリアミド層、ＥＶＯＨ層、及び第２のポリアミド層の構造のラミネ−トを共押出しで製造し、（ｂ）ラミネ−トを長さ方向に延伸し、そして（ｃ）該延伸されたラミネ−トの表面の１つに、無機層を真空蒸着により適用する、ことを含んでなる工程により製造される。 - 特許庁

The soft magnetic base layer 13 is constituted of at least two soft magnetic layers, a first soft magnetic layer 132 formed on the recording layer side comprises an amorphous alloy containing ≤85 at% Co and a second soft magnetic layer 131 formed on the substrate side comprises an alloy containing >85 at% Co.例文帳に追加

軟磁性下地層１３は少なくとも二層の軟磁性層から構成され、記録層側に形成された第一軟磁性層１３２はＣｏを８５ａｔ％以下含有する非晶質合金からなり、基板側に形成された第二軟磁性層１３１はＣｏを８５ａｔ％より多く含有する合金からなる。 - 特許庁

The rear case 12 of a foldable portable telephone 100 made by two-color molding is constituted so that an inside rear case main body 121 comprises a colored opaque resin layer and an outside decorative material 122 has a first transparent resin layer and the second transparent resin layer mixed with a pigment provided to the facing surface of the first transparent resin layer.例文帳に追加

二色成形製の折り畳み式携帯電話機１００のリアケース１２は、内側のリアケース本体１２１が有色の不透明樹脂層であり、外側の化粧材１２２が第一の透明樹脂層と、第一の透明樹脂層の外装面に設けられた顔料が混入された第二の透明樹脂層とを有する。 - 特許庁

A transparent insulating layer 2, a second transparent electrode layer 3, a light emitting layer 4, a reflective insulating layer 5, a backside electrode 6, electrode pads 7a, 7b for external connection are printed and formed in sequence on a transparent electrode 1b of a transparent conductive film 1 with a first transparent electrode 1b formed of ITO deposited on the single face of a transparent film 1a.例文帳に追加

透明フィルム1aの片面上にITO等の第１の透明電極1bを蒸着した透明導電フィルム１の透明電極1b上に、透明絶縁層２、第２の透明電極層３、発光層４、反射絶縁層５、裏面電極６、外部接続用の電極パッド7a,7bを順次印刷形成する。 - 特許庁

The light emitting layer (7) is laminated alternately of a first kind of film, namely, an organic luminous material layer (3) that contains organic luminous substance that directly emits light by reunion of the hole and electron, and a second kind of film layer, namely, an inorganic barrier layer (2) that is made of inorganic substance that does not contain organic light emitting material.例文帳に追加

発光層（７）は、正孔と電子の再結合によって直接光を発生する有機発光物質を含む第１種類の薄膜即ち有機発光材料薄膜（３）と有機発光物質を含有しない無機物質からなる第２種類の薄膜層即ち無機障壁層（２）を交互に積層する。 - 特許庁

A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁

The upper magnetic pole of the ID head has a structure wherein a third magnetic layer 11 consisting of the CoNiFe plated film or the like is laminated by adopting a first magnetic layer 13 consisting of the CoNiFe film, the CoNiFeX film or the like film-formed by the physical vapor growth method and a second magnetic layer 14 consisting of a NiFe layer or the like as the seed layers.例文帳に追加

ＩＤヘッドの上磁極を、物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜などの第１の磁性層１３、ＮｉＦｅ層などの第２の磁性層１４をシードレイヤーとし、ＣｏＮｉＦｅめっき膜などからなる第３の磁性層１１を積層する構造とする。 - 特許庁

In forming a multilayer interconnect structure, a first insulating film 6, 6a is formed on a lower interconnect layer 1, 1a, the first layer having the same interconnect pattern as the lower interconnect layer; and etching speed of the first insulating film is set faster than that of a second insulating film 7 which becomes an interconnect insulating film between 1 and 1a of the lower interconnect layer.例文帳に追加

多層配線構造の形成において、下層配線１．１ａ上に下層配線と同一パターンの第１の絶縁膜６．６ａを形成し、第１の絶縁膜のエッチング速度が、下層配線１．１ａの配線間絶縁膜となる第２の絶縁膜７のエッチング速度より大きくなるようにする。 - 特許庁

Thus, with the first conductive layer 15 and the second conductive layer 16, covering at least one of the bottom or top of the resistance element layer 13 having its both ends biased, the change in resistance caused by voltage difference relative to objects, such as a portion of the semiconductor substrate 14 surrounding the resistance element layer 13, is canceled, thereby reducing the change in resistance.例文帳に追加

このように、両端をバイアスされた抵抗素子層１３の下部又は上部の少なくとも一方を覆う第１の導電層１５及び第２の導電層１６によって、抵抗素子層１３の周辺の半導体基板１４等との電圧差による抵抗値の変化を相殺することで、抵抗値の変化を抑える。 - 特許庁

The pipe body 3 comprises the first layer 10 comprising a fiber-reinforced resin and forming a region from the tip side end portion to the butt side end portion, and the second layer 11 comprising a fiber-reinforced resin and laminated to the outer peripheral side of the first layer 10 in a constant axial range from the tip side end portion of the first layer 10.例文帳に追加

パイプ体３は、繊維強化樹脂からなり穂先側端部から竿元側端部までを構成する第１層１０，及び繊維強化樹脂からなり第１層１０の穂先側端部より一定の軸方向範囲において第１層１０の外周面に積層されている第２層１１を有する。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a first substrate having a first electrode on one surface, a second substrate having a second electrode on one surface and disposed opposite to the first substrate so as to allow the second electrode to face the first electrode of the first substrate, and a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

液晶表示装置は、一面側に第１電極を有する第１基板と、一面側に第２電極を有し、当該第２電極と第１基板の第１電極とが向かい合うようにして第１基板と対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、を含む。 - 特許庁

A second liquid droplet ejecting device ejects second liquid droplets D2 toward a plurality of second lattice points K2 regulated between the first lattice points adjacent to each other in the direction Y to form an alignment layer having second projecting parts A2 between the first projecting parts A1 adjacent to each other when viewed from the normal direction of a counter substrate 15.例文帳に追加

そして、第二液滴吐出装置が、Ｙ方向に隣接する第一格子点の間に規定された複数の第二格子点Ｋ２に向けて第二液滴Ｄ２を吐出させ、対向基板１５の法線方向から見て、隣接する第一凸部Ａ１の間に第二凸部Ａ２を有した配向膜を形成する。 - 特許庁

A second common electrode 23 which has a plurality of second constant potential electrode parts 33 arranged corresponding to the respective individual electrodes 21 and second electrode lines 34 electrically connected to all of the plurality of second constant potential electrode parts 33 is disposed between a vibration plate 15 and the first piezoelectric layer.例文帳に追加

振動板１５と第１圧電層との間には、各個別電極２１に対応させて配列された複数の第２定電位電極部３３と、複数の第２定電位電極部３３の全てと電気的に接続する第２電極配線３４とを有する第２共通電極２３が設けられている。 - 特許庁

The organic electroluminescent display device includes a first substrate, a second substrate, an organic electroluminescent layer formed on the first substrate, a thin-film transistor formed on the second substrate, and the first and the second seal lines 600, 680 formed to seal the first and the second substrates.例文帳に追加

本発明の有機電界発光表示装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板上に形成された有機電界発光層と、前記第２基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記第１基板と第２基板とを封着するために形成された第１及び第２シールラインと、を含む。 - 特許庁

The second rolled polarizing plate 71' is a long-sized polarizing plate obtained by laminating an antiglare film 34, a second polarizing film 31, an inner protective film 33 made of an acrylic resin composition having rubber elastic particles blended in an acrylic resin, a second adhesive layer 37, and a second release film 90 in this order.例文帳に追加

第２のロール状偏光板７１´は、防眩性フィルム３４と、第２の偏光フィルム３１と、アクリル系樹脂にゴム弾性体粒子が配合されたアクリル系樹脂組成物からなる内側保護フィルム３３と、第２の粘着剤層３７と、第２の離型フィルム９０と、をこの順に積層してなる長尺の偏光板である。 - 特許庁

A layer 2 packet that the first switch device should transfer to the second switch device is encapsulated in an OAM frame with an MAC address of the second switch device set as a destination MAC address, and the OAM frame packet is sent from a predetermined port connected toward the second switch device to the second switch device via the Ethernet network.例文帳に追加

第１のスイッチ装置が、第２のスイッチ装置へ転送すべきレイヤ２パケットを、第２のスイッチ装置のＭＡＣアドレスを宛先ＭＡＣアドレスとするＯＡＭフレームにカプセル化し、そのＯＡＭフレームパケットを、第２のスイッチ装置に向けて接続された所定ポートからイーサネットネットワークを介して第２のスイッチ装置へ送信する。 - 特許庁

After first functional parts 1 are formed on a first substrate 10 and second functional parts 2 are formed on a second substrate 20 through a releasing layer 3, the functional parts 1 and 2 are cold-joined to each other and the second functional parts 2 are stripped from the second substrate 20 and transferred to the first substrate 10 side.例文帳に追加

第１の基板１０上に第１の機能部品１を形成し、第２の基板２０上に離型層３を介して第２の機能部品２を形成し、第１の機能部品１と第２の機能部品２を常温接合し、第２の機能部品２を第２の基板２０から剥離して第１の基板１０側に転写する。 - 特許庁

In the boundary region of the memory cell region and the contact region, a dummy word line 12 extending in parallel with the word line 5, a second charge holding film 4b, a second diffusion layer bit line 2b and a second embedded insulating film 3b in contact with the dummy word line 12 and the side face of the second charge holding film 4b are provided.例文帳に追加

メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線５と平行に延伸するダミーワード線１２と、第２の電荷保持膜４ｂと、第２の拡散層ビット線２ｂと、ダミーワード線１２及び第２の電荷保持膜４ｂの側面に接する第２の埋め込み絶縁膜３ｂとが備えられている。 - 特許庁

The mesh structure includes a flexible dielectric layer having a first side and a second side, a screen print pattern of a first flexible conductive circuit line forming a first resistor network on the first side, and a photolithography forming pattern of a second flexible conductive circuit line forming a second resistor network on the second side.例文帳に追加

メッシュ構造は、第１の側と第２の側とを有する可撓性誘電体の層と、第１の側に第１の抵抗器網を形成する可撓性導電性の第１の回路線のスクリーン・プリント・パターンと、第２の側に第２の抵抗器網を形成する可撓性導電性の第２の回路線のフォトリソグラフィ形成パターンとを含む。 - 特許庁

As shown in the figure, the semiconductor device is equipped with a first semiconductor element 10 which is provided with a first surface and a second surface opposite to the first surface and contains a metal layer 13 located on the second surface, and a second semiconductor element 20 fixed on the second surface of the first semiconductor element 10.例文帳に追加

図１に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、第１の面とその裏面である第２の面とを含み、第２の面に金属層１３を含む第１の半導体素子１０と、前記第１の半導体素子１０の前記第２の面に固着された第２の半導体素子２０と、を備ることを特徴とする。 - 特許庁

Further, the method for producing the rolled material of a magnesium alloy comprising a matrix phase essentially consisting of Mg and an insoluble second phase includes: a stage where a material comprising an insoluble second phase is prepared; a parting stage where the insoluble second layer is parted; and a rolling stage where the material comprising the parted insoluble second phase is heated and rolled.例文帳に追加

また、Ｍｇを主成分とするマトリックス相と不溶性第２相とを含むマグネシウム合金の圧延材の製造方法は、不溶性第２相を含む材料を用意する工程と、不溶性第２層を分断する分断工程と、分断された不溶性第２相を含む材料を加熱圧延する圧延工程とを含む。 - 特許庁

The method includes: a step in which a first network element informs a second network element of at least one parameter showing quality of service for the transport network layer by means of the signaling protocol of a radio network layer; and a step in which the second network element uses at least the one parameter for managing service quality related to the transport network layer.例文帳に追加

この方法は、第一のネットワークエレメントが、第二のネットワークエレメントに、無線ネットワーク層の信号プロトコルにより、トランスポートネットワーク層のためのサービス品質を示す少なくとも一つのパラメータを知らせるステップと、第二のネットワークエレメントが、トランスポートネットワーク層に関連するサービス品質の管理のために、前記少なくとも一つのパラメータを用いるステップとを含む。 - 特許庁

In the electrochemical element having a first electrode 12 and a second electrode 13 laminated through an insulating layer 11, at least one of the first and second electrodes has a current collector sheet 15, 18 and a graphite layer 16, 17 formed on the surface thereof and the graphite layer contains a conductive material other than graphite.例文帳に追加

絶縁層１１を介して、第一の電極１２と、第二の電極１３が積層された電気化学素子であって、第一の電極および第二の電極の少なくとも一方が、集電体シート１５、１８と、その表面に形成された黒鉛層１６、１７を備え、黒鉛層が黒鉛以外の導電性材料を含んだことを特徴とする電気化学素子。 - 特許庁

In the mat obtained by joining the mat fabric 2 onto the mat ground fabric, the ground fabric 3 is the integrated matter of double layer structure consisting of an upper layer 31 made of first thermoplastic resin and the lower layer 32 made of second thermoplastic resin, and the softening temperature of the first thermoplastic resin is lower than that of the second thermoplastic resin.例文帳に追加

マット原反２がマット基材３上に接合されてなるマット１において、マット基材３が、第１の熱可塑性樹脂からなる上の層３１と第２の熱可塑性樹脂からなる下の層３２との２層構造の一体物であり、第１の熱可塑性樹脂の軟化温度が第２の熱可塑性樹脂の軟化温度より低いことを特徴としている。 - 特許庁

The insulation coating has a first insulation layer made of a first element-group comprising at least P and O, and made of second elements capable of generating cations having two or more valences whose six-coordination ion radiuses defined by Shannon are not smaller than 0.073 nm, and has a second insulation layer made of a silicone resin wherewith the first insulation layer is coated.例文帳に追加

本発明の絶縁被膜は、少なくともＰおよびＯからなる第１元素群とシャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じ得る第２元素とからなる第１絶縁層と、この第１絶縁層を被覆するシリコーン樹脂からなる第２絶縁層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The power module 1 is provided with a first juncture (juncture, power module substrate) in which an insulating ceramic layer (ceramic layer) 5 including an ALN is sandwiched between two AL circuit substrates (AL layer) 2, 3 and bonded, a second juncture (juncture) 7 and a Si chip (large electric power semiconductor element) 8 wired to the AL circuit substrate 2 of the second juncture 7.例文帳に追加

パワーモジュール１は、二つのＡＬ回路基板（ＡＬ層）２、３の間に、ＡＬＮからなる絶縁セラミックス層（セラミックス層）５が挟まれて接合された第一接合体（接合体、パワーモジュール用基板）６及び第二接合体（接合体）７と、第二接合体７のＡＬ回路基板２に配線されたＳｉチップ（大電力半導体素子）８とを備えている。 - 特許庁