「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(249ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal display principally comprises a first substrate 202 on which a light shielding matrix 210 is formed, a second substrate 204, and a liquid crystal layer 206 interposed between the first and the second substrates.例文帳に追加

液晶表示装置は、光シールドマトリクス２１０をその上に形成させた第一の基板２０２、第二の基板２０４、および一番目と二番目の基板の間で挟まれた液晶層２０６を主に含む。 - 特許庁

Thereafter, second antennas 12a and 12b are formed on the magnetic recording layer 4 by a thermal transfer system and an IC chip mounting label 14 formed beforehand is joined with the second antennas 12a and 12b.例文帳に追加

その後、磁気記録層４上に第２アンテナ１２ａ，１２ｂを熱転写方式により形成し、あらかじめ形成しておいたＩＣチップ実装ラベル１４を第２アンテナ１２ａ，１２ｂと接合する。 - 特許庁

A first variable resistance layer 12 is disposed between a first electrode 11 and a second electrode 13, and a first conductive filament can grow up based on metal being supplied from the second electrode 13.例文帳に追加

第１可変抵抗層１２は、第１電極１１と第２電極１３との間に配置され、第２電極１３から供給される金属に基づいて第１導電性フィラメントが成長可能である。 - 特許庁

The thin film capacitor includes a first electrode 2, second electrode 3 opposite to the first electrode, and a dielectric layered structure 4 disposed between the first and second electrodes and having a doped dielectric layer 41.例文帳に追加

薄膜コンデンサの第一電極２と、その反対側の第二電極３と、第一電極と第二電極の間に配置され、ドープされた誘電体層４１を有する誘電体層構造４を含む。 - 特許庁

The pixel electrode includes a first sub electrode receiving a first pixel voltage from the thin film transistor layer and a second sub electrode electrically separated from the first sub electrode and receiving a second pixel voltage.例文帳に追加

画素電極は、薄膜トランジスタ層から第１画素電圧の印加を受ける第１サブ電極と、第１サブ電極と電気的に分離され第２画素電圧の印加を受ける第２サブ電極とを含む。 - 特許庁

A second resist is formed on the second metal film 24, in a region where the first metal film 20 is present on the inter-layer insulating film 17 and in a portion of a region where the first metal film 20 does not exist.例文帳に追加

層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０が存在する領域及び第１金属膜２０が存在しない領域の一部において第２金属膜２４上に第２レジストを形成する。 - 特許庁

The POF cable 12 formed by arranging the second coating layer and, the tensile strength fibers 13 and 14 and POF cord 10 and 11 respectively, is immersed in water of first and second cooling tanks 25 and 26 to be gradually cooled.例文帳に追加

各ＰＯＦコード１０，１１に抗張力繊維１３，１４及び第２被覆層を形成してなるＰＯＦケーブル１２を第１及び第２冷却槽２５，２６の水に浸漬して徐々に冷却する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1000, the first and second switching elements 1000A and 1000B are formed in the first and second element forming regions 16a and 16b in an SOI layer 10a, respectively.例文帳に追加

半導体装置１０００は、ＳＯＩ層１０ａの、第１および第２の素子形成領域１６ａ，ｂにおいて、それぞれ第１および第２のスイッチング素子１０００Ａ，Ｂが形成されている。 - 特許庁

A conductive plug and an overlying electrode pad layer are formed by depositing the conductive film to fill the through-hole in each region belonging to the first and second regions on the second insulating film.例文帳に追加

第２の絶縁膜上の第１および第２領域に属する各領域に貫通孔を埋め込むように導電膜を堆積させて導電性プラグおよび上層電極パッド層を形成する。 - 特許庁

A second board 2 is bonded through a spacer not shown on a first glass board 1, and a liquid crystal is sealed between the first and second glass boards 1 and 2 to form a liquid crystal layer not shown.例文帳に追加

その後、第１のガラス基板１に、不図示のスペーサーを介して、第２のガラス基板２を貼り合わせ、第１及び第２のガラス基板１，２の間に液晶を封入して不図示の液晶層を形成する。 - 特許庁

At least in the first overlapped region OL_R1, the second pads 217 are connected to the second blind via 216 either directly or via the sixth interconnection layer 218, but are not connected to a through-via.例文帳に追加

また、少なくとも第１の重複領域ＯＬ＿Ｒ１内において、第２パッド２１７は、直接または第６配線層２１８を介して第２ブラインドビア２１６に接続され、スルービアに接続されていない。 - 特許庁

The elastic element 130 is arranged on the second surface 110b and further encloses the second patterned metal layer 114, while being brought into contact with the lower mold chase 220 and arranged between it and the substrate 110.例文帳に追加

弾性要素１３０は、第２表面１１０ｂ上に配置されるとともに、第２のパターン化金属層１１４を囲み、下側モールドチェイス２２０と接触させ、基板１１０との間に配置される。 - 特許庁

A first insulating film 2 and a second insulating film 3 are laminated directly under the capacitor, and the second insulating film 3 is processed into a concave where the low layer electrode 6 is formed.例文帳に追加

更に第１の絶縁膜２の上部に下層電極６を形成し、バイアホール９をする形成工程で下層電極６がエッチングされてしまい高周波集積回路の歩留り低下を招いてしまう。 - 特許庁

For the second sheet body 22, a reinforcement sheet for suppressing scattering of the second soil layer 32 upon an explosion is used, and also a prescribed range 9 where the breaking strength is lower than the other range is provided.例文帳に追加

第２シート体２２は、爆発時における第２土層３２の飛散を抑える補強用シートが使用されていると共に、他の範囲より破断強度の低い所定範囲９が設けられている。 - 特許庁

The respective chip connection wiring lines 5 on second or more layer are connected with second terminals 11, while they are bent toward the mounting substrate 10, together with parts including each of jointing parts 5b of the chip mounting substrates 4.例文帳に追加

２層目以上の各チップ接続配線５は、各チップ搭載基材４の接続部５ｂが設けられている部分ごと実装基材１０側に向けて曲げられて第２の端子１１に接続されている。 - 特許庁

The printing surface 211A of the medium 233 and the second pressure-sensitive adhesive layer 251 are overlapped with each other, whereby the first small-wound tape 211 is pasted to the second small-wound tape 213, forming the printing tape 205.例文帳に追加

そして、被印字媒体２３３の印字面２１１Ａと第２粘着剤層２５１とが重ね合わさることにより、第１小巻テープ２１１が第２小巻テープ２１３に貼り付けられ、印字テープ２０５となる。 - 特許庁

In the wiring body connecting structure 1, a laminating layer portion 31 in which a first end portion 13 of the first wiring body 10 and a second end portion 23 of the second wiring body 20 are superimposed in a front-and-back direction is defined.例文帳に追加

配線体接続構造体１には、第一配線体１０の第一端部１３と第二配線体２０の第二端部２３とが表裏方向に重なる積層部３１が区画される。 - 特許庁

When the cleaning member 240 is turned by the operation of the electromagnetic clutch, following the rotation of the second read roller, the reading face cleaning layer 240a slides on the reading face of a second reading part 9.例文帳に追加

電磁クラッチの作動によって清浄部材２４０が第２読取ローラ７０の回転に連れ回りする場合は、読取面清浄層２４０ａが第２読取部９の読取面を摺動する。 - 特許庁

The core layer 13 comprises a first linear part 13a and a second linear part 13b that bisect each other at right angles, and a third linear part 13c which slopes approximately 45° to the first and second linear parts 13a and 13b.例文帳に追加

コア層１３は、直交する第１直線部１３ａと第２直線部１３ｂ、及び第１，第２の各直線部１３ａ，１３ｂに対してほぼ45°傾いた第３直線部１３ｃを有する。 - 特許庁

The first polarizing plate 2, the first retardation plate 3, the second retardation plate 8, the third retardation plate 9 and the second polarizing plate 10 are disposed by setting their disposition angles based on the alignment axis of an alignment layer.例文帳に追加

また、第１偏光板２、第１位相差板３、第２位相差板８、第３位相差板９、第２偏光板１０は、配向膜の配向軸を基準に配置角度を設定し配置する。 - 特許庁

Further, in the second auxiliary chamber 8b the ratio of the length L of the layer of the adsorption material 54 filled therewith to the diameter D of the circle area equivalent to the cross sectional area of the second auxiliary chamber 8b, i.e., L/D is 1 or more.例文帳に追加

また、第２副室８ｂは、充填した吸着材５４層の長さＬと第２副室８ｂの断面積に相当する円面積の直径Ｄとの比Ｌ／Ｄを１以上とした。 - 特許庁

Moreover, the core part 51 and the outer layer 52 are respectively made of either a first material (the same material as the first wire 2) or a second material (the same material as the second wire 3).例文帳に追加

また、コア部５１と外層５２とは、それぞれ、第１の材料（第１ワイヤ２と同一の材料）と第２の材料（第２ワイヤ３と同一の材料）とのうちの一方と他方とで構成されている。 - 特許庁

A second insulating film 7 whose thickness is 400 nm is formed on the substrate, and a contact hole 8 is formed through the second insulating film 7 and the first insulating film 6a, and reaches the impurity diffusion layer 5.例文帳に追加

基板上に、厚さ４００ｎｍの第２絶縁膜７を形成し、第２絶縁膜７及び第１絶縁膜６ａを貫通して不純物拡散層５に到達するコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

First and second alignment layers, each being a part of scanning side and signal side alignment layers 36, 40 respectively, are interposed between, the first and the second electrode, and the liquid crystal layer 25 in each display element.例文帳に追加

各表示素子内の第１および第２電極と液晶層２５との間には、走査側および信号側配向膜３６，４０のそれぞれ一部分である第１および第２配向層が介在される。 - 特許庁

Thus, a resin layer having the second resin part 308a consisting of the second resin material dispersed and held in the first resin part 308b consisting of the first resin material is formed after preliminary baking.例文帳に追加

このようにして、プリベーク後には、第１の樹脂材料からなる第１樹脂部３０８ｂ中に第２の樹脂材料からなる第２樹脂部３０８ａが分散、保持された樹脂層を形成する。 - 特許庁

Also, a second electric circuit body 59 mechanically contacting the second dielectric layer surface is formed.例文帳に追加

次いで、第１の誘電体層の表面に機械的に接触して第１の電気回路体６９を形成し、第２の誘電体層の表面に機械的に接触して第２の電気回路体５９を形成する。 - 特許庁

A second contact hole 54 that communicates with the gate electrode 28 is formed in the first and second insulating layers 32 and 42 by dry etching the base of the recessed part 48 after forming the first wiring layer 50.例文帳に追加

第１の配線層５０を形成した後に、凹部４８の底面をドライエッチングして、ゲート電極２８に連通する第２のコンタクトホール５４を、第１及び第２の絶縁層３２，４２に形成する。 - 特許庁

The first and second close contact layer, 109 and 110, are connected to the peripheral region of the second titanium nitride film 106 through a protrusion, which protrudes inwardly from the lower end of a sidewall.例文帳に追加

第１及び第２の密着層１０９、１１０は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第２の窒化チタン膜１０６における開口部の周辺領域と接続している。 - 特許庁

The third layer of material is disposed between the first and second layers and is a material which substantially prevents diffusion between the first and second layers of material.例文帳に追加

第３の材料層は、第１の材料層と第２の材料層との間に配置されかつ第１の材料層と第２の材料層の間で拡散するのを実質的に阻止する材料である。 - 特許庁

A second interlayer insulating film (7) 7a is laminated on the surface of the first interlayer insulating film 3 to form second layer interconnections (interconnections) 10a, 10b on the leveled surface through conductive plugs 9a, 9b.例文帳に追加

第１層間絶縁膜３の表面に第２層間絶縁膜（７）７ａを積層し、平坦化した表面に導電性プラグ９ａ、９ｂを介して第２層配線（配線）１０ａ、１０ｂを形成する。 - 特許庁

A second coin storage part 8x is provided to form the upper layer side of the first coin storage parts 8y, corresponding to a second coin drop hole 16a which is one of the coin drop holes 16.例文帳に追加

硬貨落下穴１６のうちの一つである第２の硬貨落下穴１６ａに対応して、第１の硬貨収納部８ｙの上層側をなすように第２の硬貨収納部８ｘが設けられている。 - 特許庁

Then, so as to enable the groove part 20P to be a housing part, using a second etching mask 54 having a second opening, a part of the initial housing layer 20P including the groove part 20P1 is etched by the RIE.例文帳に追加

次に、溝部２０Ｐ１が収容部になるように、第２の開口部を有する第２のエッチングマスク５４を用いて、ＲＩＥによって初期収容層２０Ｐの溝部２０Ｐ１を含む部分をエッチングする。 - 特許庁

The thickness T15 of the second semiconductor layer 15 is larger than the critical film thickness defined by the composition of the first group III nitride semiconductor material that is distortionless and the composition of the second group III nitride semiconductor.例文帳に追加

また、第２の半導体層１５の厚さＴ１５は、無歪みの第１のIII族窒化物半導体材料の組成と、第２のIII族窒化物半導体の組成により規定される臨界膜厚より大きい。 - 特許庁

The semiconductor device further includes a resistance variable layer 7 having a value of resistance varied with an application of a voltage, constituting a resistance variable type memory element and formed on the second electrode 6 while being in contact with the second electrode.例文帳に追加

また、さらに、電圧の印加により抵抗値が変化し、抵抗変化型の記憶素子を構成し、第２電極６上に接して形成された抵抗変化層７を含む半導体装置を構成する。 - 特許庁

When impressing the voltage between the first and second electrodes 11 and 12, an electric field is generated between the color converting layer 14 electrically connected to the first electrode 11 and the second electrode 12.例文帳に追加

第一及び第二の電極１１，１２の間に電圧が印加されると、第一の電極１１と電気的に接続している色変換層１４と、第二の電極１２の間に電界が生じる。 - 特許庁

A periodic structure with pitch smaller than wavelength of the incident light is formed at least one of the second surface 37 of the first prism 32 and a first surface 39 of the second prism 33 forming the air layer 35.例文帳に追加

空気層35を形成する第１プリズム32の第２面37と第２プリズム33の第１面39のうちの少なくとも一方に、入射光の波長より小さいピッチの周期構造が形成されている。 - 特許庁

This includes a semiconductor layer 300 having a first body part 330, a second body part 350, and a connection part 370 that connects the first body part 330 and the second body part 350 in series.例文帳に追加

第１ボディー部３３０、第２ボディー部３５０及び前記第１ボディー部３３０と前記第２ボディー部３５０を直列に連結する連結部３７０を有する半導体層３００を含む。 - 特許庁

The magnetization recording layer comprises: a first magnetization fixed region; a second magnetization fixed region; and a magnetization reverse region provided so as to connect an area between the first magnetization fixed region and the second magnetization fixed region.例文帳に追加

磁化記録層は、第１磁化固定領域と、第２磁化固定領域と、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域との間をつなぐように設けられた磁化反転領域と、を有する。 - 特許庁

The first and second component light sources comprise an LED which emits light of a first wavelength, and a layer of light conversion material that converts a part of the light into that of a second wavelength.例文帳に追加

第１および第２の構成要素光源は、第１の波長の光を発するＬＥＤと、その光の一部を第２の波長の光へと変換する光変換材料からなる層とを備えている。 - 特許庁

Then second etching treatment is performed for removing the areas of the semiconductor layer 14A under the openings of the mask pattern 15 by using second etching gas containing more bromine than chlorine.例文帳に追加

その後、塩素と比べて臭素の割合が大きい第２のエッチングガスを用いて半導体層１４Ａにおけるマスクパターン１５の開口部の下方の領域を除去する第２のエッチング処理を行なう。 - 特許庁

A second optical wavelength conversion layer 26 includes a second phosphor which is excited by the ultraviolet ray or the short-wavelength visible light, and emits visible light of a different color from the visible light emitted from the first phosphor.例文帳に追加

第２の光波長変換層２６は、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光と異なる色の可視光を発光する第２の蛍光体を含む。 - 特許庁

A photoconductive switch 100 comprises a photoconductive layer 106 which consists of first and second semiconductors, each having a relatively broad energy band gap, and a third semiconductor interposed between the first and second semiconductors.例文帳に追加

光導電性スイッチは、比較的広いエネルギーバンドギャップを有する第１及び第２の半導体、及びそれらの間に挟まれるように置かれる第３の半導体からなる光導電層を有する。 - 特許庁

The first and second internal electrodes 11 and 15 are disposed with an insulator layer 9 therebetween so as to form one electrostatic capacity component between the first and second internal electrodes 11 and 15.例文帳に追加

第１及び第２の内部電極１１，１５は、第１及び第２の内部電極１１，１５の間に一つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。 - 特許庁

Subsequently, a second resist layer is formed partially on the surface of the groove filling ink and the die basic material (step S7) and second grooves shallower than the first grooves are made by etching (step S9).例文帳に追加

次いで、溝埋め用インクの表面と型基材の表面の一部とに第２のレジスト層を形成し（ステップＳ７）、再度エッチング加工を施して第１の溝より浅い第２の溝を形成する（ステップＳ９）。 - 特許庁

Thus, since each second coated optical fiber 3 can be easily separated from the adhesive layer 7 to the other side face side of the second directions with a very weak force, loss increase generated during ribbon separation can be reduced.例文帳に追加

したがって、各光ファイバ素線３は前記第２方向の他側面側へ容易に且つ極めて弱い力で接着剤層７から分離できるので、心線分離時に生じるロス増を低減できる。 - 特許庁