「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(253ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing the heat radiator includes a first step for forming a carbon nanotube layer nearly vertically oriented to the first substrate surface, and a second step for filling spaces of the carbon nanotube layer and/or the upper face of the carbon nanotube layer with a resin or a metal of the second component.例文帳に追加

本発明は、放熱材の製造方法であって、第１の基板面に対して略垂直に配向したカーボンナノチューブ層を形成する第一の工程、該カーボンナノチューブ層の隙間または／およびカーボンナノチューブ層の上面に第二成分である樹脂または金属を充填する第二の工程を有することを特徴とする放熱材の製造方法である。 - 特許庁

The light-emitting device includes a substrate, a first nitride semiconductor stack formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor stack, a second nitride semiconductor stack formed on the nitride light-emitting layer and a first transparent conductive oxide layer formed on the second nitride semiconductor stack.例文帳に追加

発光装置は、基板と、基板上に形成された第一の窒化物半導体スタックと、第一の窒化物半導体スタック上に形成された窒化物発光層と、窒化物発光層上に形成された第二の窒化物半導体スタックと、第二の窒化物半導体スタック上に形成された第一の透明導電性の酸化物層とを含む。 - 特許庁

A wastewater treatment apparatus includes a first catalyst layer 2 which decomposes the organic matters in the wastewater chiefly by the ozone, a second catalyst layer 3 that chiefly decomposes the ozone in the wastewater discharged from the first catalyst layer 2, and a controller C which controls the superficial velocity of the wastewater in these first and second catalyst layers 2 and 3 to be different.例文帳に追加

主として排水中の有機物をオゾンによって分解処理する第１触媒層２と、この第１触媒層２から排出された排水中のオゾンを主として分解する第２触媒層３と、これら第１、第２触媒層２、３における排水の空塔速度を異なる速度に制御する制御手段Ｃとを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of preparing a first solder layer 42 on an electrode prepared on a semiconductor substrate 10, preparing a resin section 44 on the first solder layer 42, preparing a second solder layer 46 on the resin section 44, and performing heat treatment on the first and second solder layers 42 and 46.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の上に設けられた電極の上に、第１の半田層４２を設ける工程と、第１の半田層４２の上に樹脂部４４を設ける工程と、樹脂部４４の上に、第２の半田層４６を設ける工程と、第１の半田層４２および第２の半田層４６を熱処理する工程と、を含む。 - 特許庁

A multilayer, unitary gasket including at least one inner layer (15) of expanded PTFE disposed between a first substantially air impermeable outer layer (14) and a second substantially air impermeable outer layer (14) and a substantially air impermeable region (13) bridging the first and the second substantially air impermeable layers (14).例文帳に追加

多層、一体型のガスケットであって、第一の実質的に非通気性の外層（１４）と第二の実質的に非通気性の外層（１４）との間に配置された延伸膨張ＰＴＦＥの少なくとも一つの内層（１５）を有し、且つ第一及び第二の実質的に非通気性の層（１４）の間をつなぐ実質的に非通気性の領域（１３）を有するガスケット。 - 特許庁

This biochip includes: a substrate that is formed of first and second inclined surfaces and has a surface having a plurality of sharpened parts; a metal layer formed on at least one of the first and second inclined surfaces; and a dielectric layer formed on the metal layer, wherein captured molecules specifically binding to target molecules are fixed to the surface.例文帳に追加

バイオチップは、第１及び第２傾斜面によって形成された複数の尖鋭部を有する表面を含む基板と、第１及び第２傾斜面のうち少なくとも何れか一つの傾斜面上に形成された金属層と、金属層上に形成され、表面に標的分子と特異結合する捕捉分子が固定された誘電層と含む。 - 特許庁

The liquid crystal display panel includes: a first substrate in which a substrate body 11 is a glass substrate; a second substrate provided facing the first substrate; a display medium layer between both the substrates; and a seal 40 provided surrounding the display medium layer between the first substrate and the second substrate by which both the substrates are bonded to each other while sealing the display medium layer.例文帳に追加

表示パネルは、基板本体11がガラス基板である第１基板と、それに対向して設けられた第２基板と、それらの基板間の表示媒体層と、第１基板と第２基板との間に表示媒体層を周回するように設けられ両基板を接着すると共に表示媒体層を封止するシール40とを備える。 - 特許庁

A multilayer, unitary gasket including at least one inner layer 15 of expanded PTFE disposed between a first substantially air impermeable outer layer 14 and a second substantially air impermeable outer layer 14 and a substantially air impermeable region 13 bridging the first and the second substantially air impermeable layers 14.例文帳に追加

多層、一体型のガスケットであって、第一の実質的に非通気性の外層１４と第二の実質的に非通気性の外層１４との間に配置された延伸膨張ＰＴＦＥの少なくとも一つの内層１５を有し、且つ第一及び第二の実質的に非通気性の層１４の間をつなぐ実質的に非通気性の領域１３を有するガスケット。 - 特許庁

The exhaust gas purifying catalyst is obtained by forming a first coat layer comprising a heat resistant oxide containing no noble metal on a catalyst support, impregnating only the surface of the first coat layer with a first noble metal and next, forming a second coat layer comprising a heat resistant oxide supporting a second noble metal different from the first noble metal.例文帳に追加

触媒担体上に、貴金属を不含有の耐熱性酸化物からなる第１コート層を形成し、次いで、第１コート層の表層のみに第１貴金属を含浸させ、次いで、第１コート層上に、第１貴金属とは異なる第２貴金属を担持した耐熱性酸化物からなる第２コート層を形成することによって、排ガス浄化用触媒を得る。 - 特許庁

A shield has at least two layers of structure, a first layer of the shield is metal, metal laminate tape or a combination of them, and at least one layer after a second layer is formed by a conductive thermoplasticity resin, and the first and the second resin is electrically isolated.例文帳に追加

シールド構造を少なくとも２層以上にして、前記シールド構造の第一層は金属或いは金属ラミネートテープ又はこれらの組み合わせで構成し、且つ前記シールド構造の第二層以降の少なくとも一つの層は導電性熱可塑性樹脂により構成し、前記シールド構造の第一層と第二層とは電気的に分離するように構成したことにある。 - 特許庁

This electroluminescence display is provided with the first glass substrate 100 having the EL element 101 on its surface, the second glass substrate 200 stuck to the first glass substrate 200 using sealing resin 150, a desiccant layer 210 formed on the surface of the second glass substrate 200, and a stress buffer layer 211 covering the surface of the desiccant layer 210.例文帳に追加

表面にＥＬ素子１０１を備えた第１のガラス基板１００と、第１のガラス基板２００とシール樹脂１５０を用いて貼り合わされた第２のガラス基板２００と、第２のガラス基板２００の表面に形成された乾燥剤層２１０と、乾燥剤層２１０の表面を被覆する応力緩衝層２１１と、を有する。 - 特許庁

The print portion 850 has a first print layer 830 formed by a first printing method (e.g. offset printing) at the predetermined part and a second print layer 840 formed by a second printing method (e.g. stencil printing) different from the first printing method at a part of the first print layer 830 excluding a specific part.例文帳に追加

この印刷部８５０は、所定の部位に対し、第１の印刷方法（例えば、オフセット印刷）によって形成された第１の印刷層８３０と、第１の印刷層８３０のうちで特定部分を除く部位に対し、第１の印刷方法とは異なる第２の印刷方法（例えば、孔版印刷）によって形成された第２の印刷層８４０と、を有する。 - 特許庁

A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method, and the first laminate ST1 except for a region of forming a first semiconductor light emitting element is removed.例文帳に追加

基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成し、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体ＳＴ１を残して、他の領域の第１積層体ＳＴ１を除去する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a substrate, a first soft magnetic underlayer formed on the substrate, a perpendicular anisotropic middle layer that is formed on the first soft magnetic underlayer and has perpendicular magnetic anisotropy, a second soft magnetic underlayer formed on the perpendicular anisotropic middle layer, a perpendicular magnetic recording layer formed on the second soft magnetic underlayer.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された第１軟磁性下地層と、第１軟磁性下地層上に形成され、垂直磁気異方性を有する垂直異方性中間層と、垂直異方性中間層上に形成された第２軟磁性下地層と、第２軟磁性下地層上に形成された垂直磁気記録層と、を備える垂直磁気記録媒体である。 - 特許庁

The capacitive touch device 20 includes a plurality of first sensing blocks positioned on the transparent substrate, a dielectric layer covering the first sensing blocks, a plurality of second sensing blocks positioned on the dielectric layer, a plurality of first wires positioned on the transparent substrate 12, and a plurality of second wires positioned on the dielectric layer.例文帳に追加

容量式タッチデバイス２０は、透明基板１２上に積層された多数の第一検出ブロック、その第一検出ブロックを被覆する誘電体層、その誘電体層上に積層された多数の第二検出ブロック、透明基板１２上に積層された多数の第一配線、誘電体層上に積層された多数の第二配線を備える。 - 特許庁

An organic layer forming part 110 forming an organic layer, a second electrode forming part 120 forming a boundary layer and a second electrode, and a defect inspection part 130 inspecting defect in vacuum or in an inert gas atmosphere are combined through a middle chamber 140 and a base plate transferring mechanism 160 without being exposed in the air.例文帳に追加

有機層を形成する有機層成膜部１１０と、界面層および第２電極を形成する第２電極成膜部１２０と、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で欠陥検査を行う欠陥検査部１３０とが、中間室１４０および基板授受機構１６０を介して大気開放せずに結合されている。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises definition of a first zone and a second zone in the surface of a substrate, formation of a seed crystal in the first zone, formation of an amorphous silicon layer to cover the first zone and the second zone and melting of the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer with laser.例文帳に追加

また、本発明に係る多結晶シリコン層の結晶方法は、基板の表面に第一区域および第二区域を定義することと、第一区域に種晶を形成することと、第一区域および第二区域を覆うように非晶質シリコン層を形成することと、レーザで非晶質シリコン層を照射して非晶質シリコン層を溶融させることとを含んでいる。 - 特許庁

The display panel includes a first substrate for which a substrate body 11 is a glass substrate, a second substrate provided opposed to it, a display medium layer provided between the substrates, and a sealant 40 provided so as to surround the display medium layer between the first substrate and the second substrate join both substrates and seal the display medium layer.例文帳に追加

表示パネルは、基板本体１１がガラス基板である第１基板と、それに対向して設けられた第２基板と、それらの基板間に設けられた表示媒体層と、第１基板と第２基板との間に表示媒体層を周回するように設けられ両基板を接着すると共に表示媒体層を封止するシール４０と、を備える。 - 特許庁

In this near field light probe provided with a through hole 4 having the micro-opening 3 in the photodetector including the first conductive type semiconductor layer 1 and a second conductivity type impurity diffusion layer 2, the second conductivity type impurity diffusion area 5 is provided along an inner circumference of the through-hole 4 in the first conductivity type semiconductor layer 1.例文帳に追加

第一導電型の半導体層（１）及び第二導電型の不純物拡散層（２）を含む光検出器に微小開口（３）を有する貫通孔（４）を設けた、本発明の近接場光プローブは、第一導電型の半導体層（１）に、貫通孔（４）の内周に沿って、第二導電型の不純物拡散領域（５）を設けた。 - 特許庁

In the optical recording medium capable of performing recording/reproduction by irradiation of a laser, a thin film (a first layer) consisting essentially of In is formed on a laser irradiation side, then a thin film (a second layer) consisting essentially of Ge and Te is formed and a gas consisting of Ar and CxHy is introduced into the second layer.例文帳に追加

レーザによる照射により記録・再生できる光記録媒体において、レーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であり、該第２層にＡｒとＣｘＨｙからなるガスが導入されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

In the method of manufacturing a charge transfer device in which a first charge transfer electrode 35 and a second charge transfer electrode 37 are arranged, a first conductive layer 32 is formed on a gate insulating film 31 of a semiconductor substrate, an oxygen diffusing functional film 33 is formed on the first conductive layer 32, and then a second conductive layer 34 is formed.例文帳に追加

第１電荷転送電極３５と第２電荷転送電極３７とが配置された電荷転送素子の製造方法において、半導体基板のゲート絶縁膜３１上に第１導電体層３２を成膜し、この第１導電体層３２上に酸素拡散性機能膜３３を形成した後に第２導電体層３４を成膜する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display provided with first and second electrodes on a liquid crystal layer side of one substrate of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer and driving the liquid crystal layer by an electric field generated between the first and the second electrodes, wherein measures to prevent static electricity is reliably and easily taken.例文帳に追加

液晶層を挟持した一対の基板のうち一方の基板の液晶層側には第一電極と第二電極とが備えられており第一電極と第二電極との間に生じる電界によって液晶層を駆動する液晶表示装置であって静電気対策が確実かつ容易な液晶表示装置を提供することである。 - 特許庁

In this method for fabricating a semiconductor device/having a vertical stack gate structure of floating gate and control gate, doped polysilicon films 2, 3 formed in the second step is utilized for forming the floating gate, the thickness of the first layer is set at 10 nm or less and hemispherical crystal grains 4 are generated in the surface layer of the second layer doped polysilicon.例文帳に追加

フローティングゲートとコントロールゲートを縦に積み上げて構成したスタックゲート構造を備えてなる半導体デバイスの製造方法において、前記フローティングゲートを形成するポリシリコンに、２段階で成膜したドープトポリシリコン膜２，３を用い、１層目の膜厚を１０ｎｍ以下にし、２層目のドープトポリシリコンの表層に半球状の結晶粒４を発生させる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) cell based on a thermally assisted switching writing procedure, comprising a magnetic tunnel junction having at least a first magnetic layer, a second magnetic layer, an insulating layer disposed between the first and second magnetic layers, further comprising a select transistor and a current line electrically connected to the junction.例文帳に追加

少なくとも第一の磁気レイヤ、第二の磁気レイヤ及び第一の磁気レイヤと第二の磁気レイヤの間に配置された絶縁レイヤを有する磁気トンネル接合部を備え、更に、選択トランジスタと、接合部と電気的に接続された電流ラインとを備えた熱アシストスイッチング式書き込み手順にもとづく磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer.例文帳に追加

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell, having a self-aligned two-layer gate structure which includes a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, a first conductor 3 serving as a floating gate layer, a second conductor 7 serving as a control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された、ゲート絶縁膜と、浮遊ゲート層となる第１の導電体３と、制御ゲート層となる第２の導電体７と、第１の導電体と前記第２の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜６と、からなる自己整合的な二層ゲート構造を有するメモリセルを含む。 - 特許庁

There are included a first process for forming a first layer comprising an electrically conductive material over the base 3 by discharging a liquid composition 2 involving the electrically conductive material and drying the composition 2, and a second process for forming a second layer comprising an electrically conductive material by discharging a composition involving the electrically conductive material on the first layer, and drying the composition.例文帳に追加

導電性材料を含む液状の組成物２を吐出し、組成物２を乾燥させ基盤３上方に導電性材料からなる第１の層を形成する第１工程と、第１の層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、組成物を乾燥させ導電性材料からなる第２の層を形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which has two recording layers and can obtain excellent recording characteristics even when recording from the light incidence side on the second recording layer by using the equivalent recording power as on the first recording layer and that can obtain sufficient reflectivity even on the second recording layer.例文帳に追加

２層の記録層を備える光記録媒体であって、光入射側から見て２層目の記録層に対して１層目の記録層と同等の記録パワーで記録を行った場合であっても良好な記録特性を得ることができ、しかも２層目の記録層において十分な反射率を得ることが可能な光記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The light emitting element comprises: a first electrode (12a), a porous layer (15) composed of an aggregate of titania particulates which is laid on the first electrode, a second electrode (12b) insulated from the first electrode, and a light emitting layer (13) composed of electrolyte which is arranged in contact with the porous layer and the second electrode.例文帳に追加

第一の電極（１２ａ）と、前記第一の電極上に設けられ、チタニア微粒子の集合体で形成された多孔質層（１５）と、前記第一の電極から絶縁された第二の電極（１２ｂ）と、前記多孔質層および前記第二の電極に接触して配置された電解質で形成された発光層（１３）とを具備する発光素子である。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a first conductivity-type semiconductor layer 14, a second conductivity-type semiconductor layer 13, a light-transmitting first electrode 15 which is formed on the first conductivity-type semiconductor layer 14 and comprises a recess 16 with its upper surface opened, and a second electrode 17 which is formed along the inside surface of the recess 16 to reflect light.例文帳に追加

第１導電型の半導体層１４と、第２導電型の半導体層１３と、第１導電型の半導体層１４の上に形成された、上面が開口された窪み１６を有する透光性の第１の電極１５と、窪み１６の内面に沿って形成された、光を反射する第２の電極１７と、を備えている。 - 特許庁

In a second transistor 7, a control electrode and an input-side diffusion layer are connected to a diffusion layer on the output side of the first transistor 3 and the second transistor 7 is put in a continuity state under control only when the pulse wave of a clock signal generated from the first transistor 3 is entered in the control electrode and the input-side diffusion layer.例文帳に追加

第２のトランジスタ７は、第１のトランジスタ３の出力側の拡散層に対して制御電極と入力側の拡散層とが接続され、第１のトランジスタ３から出力されてくるクロック信号のパルス波が当該制御電極および当該入力側の拡散層に入力したときにのみ導通状態に制御される。 - 特許庁

A first paste electrode layer 21 covering a long side face 13 and the ridge part 17 in the chip element body 1 is formed in the first conductive paste imparting process, and a second paste electrode layer 22 further covering the part covering the long side face 13 and the ridge part 17 in the first paste electrode layer 21 is formed in the second conductive paste imparting process.例文帳に追加

第１の導電ペースト付与工程では、チップ素体１における長側面１３及び稜部１７を覆う第１のペースト電極層２１を形成し、第２の導電ペースト付与工程では、第１のペースト電極層２１において長側面１３及び稜部１７を覆う部分を更に覆う第２のペースト電極層２２を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display panel comprises a first substrate 46 comprising at least one conductive material layer 50, a second substrate 40 comprising at least one repair line 42 provided in a scheduled region corresponding to the region other than the conductive material layer 50 of the first substrate 46 and a liquid crystal layer provided between the first and the second substrates 46 and 40.例文帳に追加

液晶表示パネルは、少なくとも一つの導電材料層５０を含む第一基板４６と、第一基板４６の導電材料層５０以外の領域に対応する予定領域に設けられる少なくとも一本のリペアライン４２を含む第二基板４０と、第一基板４６と第二基板４０との間に設けられる液晶層を含む。 - 特許庁

The semiconductor device layout method is characterized by the fact that one via is located on a certain layer, other vias which are located on the same layer and deals with the same signals with the one via are arranged at the minimum space, other vias dealing with the other signals and located on the same layer are arranged at least at a second space, and the second space is wider than the minimum space.例文帳に追加

該半導体装置レイアウト方法は、１つのビアに対し、そのビアが属する層の、同一信号の他のビアは、少なくとも上記最小スペースで配置されるが、同層の同一ではない信号の他のビアは、少なくとも第２のスペースで配置され、その第２のスペースは上記最小スペースより広いことを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL light emitting device 10 includes a substrate 11, a first electrode 12 having close contact with the substrate 11, an organic EL layer 13 having close contact with the first electrode 12, a transparent second electrode 14 having close contact with the organic EL layer 13, and a sealing layer 15 covering the second electrode 14 and containing a fluorescent material.例文帳に追加

有機ＥＬ発光装置１０は、基板１１と、上記基板１１と密着する第１電極１２と、上記第１電極１２に密着する有機ＥＬ層１３と、上記有機ＥＬ層１３に密着する、透明な第２電極１４と、上記第２電極１４を覆い、かつ、蛍光材料を含む、封止層１５と、からなる。 - 特許庁

With the organic electric field luminous equipment comprising a thin film layer containing at least an emission layer made of an organic compound on the first electrode formed on the substrate, and a second electrode formed on the thin film layer, the first electrode or the second electrode is laminated in 1 μm or more in thickness.例文帳に追加

基板上に形成された第一電極上に、少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光装置において、前記第一電極または第二電極を１μｍ以上積層することを特徴とする有機電界発光装置。 - 特許庁

A resin layer 2, comprising a photosensitive polyamic acid resin, is formed on a first release material 1, and the resin layer 2 formed on the first release material 1 is stuck on a second release material 4 and peeled from the first release material 1 to form the objective resin transfer material 5 with the resin layer 2 formed on the second release material 4.例文帳に追加

感光性ポリアミック酸樹脂からなる樹脂層２を、第１離型材１の上に形成した後、第１離型材１の上に形成されている樹脂層２を、第２離型材４の上に貼り合わせて、第１離型材１から剥離することにより、第２離型材４の上に、樹脂層２が形成されている樹脂転写材５を形成する。 - 特許庁

This adhesive film 1 for semiconductor includes a first adhesive layer 1a containing a first polyimide resin with the glass transition temperature of 0 to 40°C, and a second adhesive layer 1b containing a second polyimide resin with the glass transition temperature of 40 to 80°C and being formed on one side surface of the first adhesive layer 1a.例文帳に追加

本発明に係る半導体用接着フィルム１は、ガラス転移温度が０℃以上４０℃未満である第１のポリイミド樹脂を含有する第１接着剤層１ａと、ガラス転移温度が４０℃以上８０℃未満である第２のポリイミド樹脂を含有し、第１接着剤層１ａの一方面上に形成された第２接着剤層１ｂとを備える。 - 特許庁

Alignment marks 11, 12 are put on the epitaxial layer 104 and used as alignment marks 11A, 12A when the first element of an element forming layer 105 is formed on the first face 104A, and as alignment marks 11B, 12B when the second element of an element forming layer 111 is formed on the second face 104B.例文帳に追加

エピタキシャル層１０４にはアライメントマーク１１，１２が形成され、これらアライメントマーク１１，１２は、第１面１０４Ａで素子形成層１０５の第１の素子を形成する際のアライメントマーク１１Ａ，１２Ａとして、第２面１０４Ｂで素子形成層１１１の第２の素子を形成する際のアライメントマーク１１Ｂ，１２Ｂとして用いられる。 - 特許庁

The porous material is constituted of a first porous layer having non-oriented first pores penetrating from the surface to the rear face and a second porous layer which is formed on the first porous layer and has second pores penetrating from the surface to the rear face and one-dimensionally oriented from the surface to the rear face.例文帳に追加

表面から裏面に貫通する無配向の第１の細孔を有する第１の多孔質層と、前記第１の多孔質層上に形成され、表面から裏面に貫通するとともに、前記表面から前記裏面に向けて１次元的に配向してなる第２の細孔を有する第２の多孔質層とを具えるようにして多孔質材料を構成する。 - 特許庁

The film 30 for a display is constituted of at least a first antireflection layer 3 formed on the first surface 1A of a light transmitting film base material 1 and at least a second antireflection layer 10 and a light- transmitting conductive layer 7 formed, in that order, on the first surface 1A of the film base material 1 and a second surface 1B of the opposite side to the former.例文帳に追加

光透過性のフィルム基材１の第１の面１Ａ上に少なくとも第１の反射防止層３を形成して、このフィルム基材１の第１の面１Ａとは反対側の第２の面１Ｂ上に、少なくとも第２の反射防止層１０及び光透過性導電層７をこの順に形成して表示体用フィルム３０を構成する。 - 特許庁

The tape roll 10 comprises a backing layer 22 having a first side 26 and a second side 28, an adhesive layer 24 on the first side of the backing layer, and a plurality of lines of perforations 32 extending across at least most of the width of the tape 12 between the first side edge 18 and second side edge 20 to divide the tape into a plurality of sheets.例文帳に追加

テープロール１０は、第１面２６と第２面２８とを有する基材層２２と、基材層の第１面上の接着剤層２４と、テープ１２の第１側縁１８と第２側縁２０との間でテープ幅の少なくとも大部分に渡って延びてテープを複数のシートに分割する複数列の穿孔群３２とを備える。 - 特許庁

Thereby, the sheet material 2 mounted on the lowermost first element abuts the carbon paste layer 22B which is the second element from below, the sheet material 2 mounted on the second element abuts on the carbon paste layer 32B which is the third element from below, and the sheet material 2 mounted on the third element abuts on the carbon paste layer 42B which is the uppermost element.例文帳に追加

このことにより、最下層の１枚目の素子に載置されたシート材２と下から２枚目の素子のカーボンペースト層２２Ｂとが当接し、２枚目の素子に載置されたシート材２と下から３枚目の素子のカーボンペースト層３２Ｂとが当接し、３枚目の素子に載置されたシート材２と最上層の素子のカーボンペースト層４２Ｂとが当接している状態となる。 - 特許庁

The second electrode layer includes a metal portion that has a thickness ranging from 10 nm or more to 300 nm or less along the direction toward the second semiconductor layer from the first semiconductor layer, and a plurality of openings that penetrate through the metal portion along the direction and have a circle-equivalent diameter, as viewed from the direction, ranging from 10 nm or more to 5 μm or less.例文帳に追加

第２電極層は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である金属部と、前記方向に沿って金属部を貫通し、前記方向にみたときの形状の円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である複数の開口部と、を有する。 - 特許庁

A magnetic layer 16 is formed so as to include first and second atoms, difference of content ratio between first and second atoms is generated between in a specific region 30 and in an external region 32 other than the specific region by ion-injecting at least one of the first and the second atoms to the specific region of the magnetic layer 16.例文帳に追加

磁性層１６を第１及び第２の原子を含むように形成、その磁性層１６の特定領域に対して、第１及び第２の原子の少なくとも一方をイオン注入することで、その第１及び第２原子の含有比率を、特定領域３０と特定領域以外の外部領域３２とで差異を生じさせるようにする。 - 特許庁