「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(248ページ目) - Weblio英語例文検索

The movement mechanism is able to move the regulating body and the stage relative to each other along a second direction other than the first direction to form a cured layer of the material for at least one layer.例文帳に追加

移動機構は、少なくとも１層分の材料の硬化層を形成するために、第１の方向とは異なる第２の方向に沿って、規制体及びステージを相対的に移動させることが可能である。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

An electrical interconnect structure where the TaN layer of a hexagonal phase is incorporated between a first material such as copper and a second one such as Al, W, and PbSn, and a barrier layer is disclosed.例文帳に追加

銅などの第１の材料とＡｌ、Ｗ、ＰｂＳｎなどの第２の材料の間に六方晶相のＴａＮ層を組み込んだ、電気的相互接続用の相互接続構造及びバリア層を開示する。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell comprises a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a hole extraction layer formed on the first electrode layer, a photoelectric conversion layer formed on the hole extraction layer, and a second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer, wherein the hole extraction layer contains a conductive polymer material and an amphiphilic material.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された正孔取出し層と、上記正孔取出し層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記正孔取出し層が、導電性高分子材料と両親媒性材料とを含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The organic thin film solar cell comprises a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a hole extraction layer formed on the first electrode layer, a photoelectric conversion layer formed on the hole extraction layer, and a second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer, wherein the hole extraction layer contains a conductive polymer material and a low molecular weight compound with an unpaired electron.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された正孔取出し層と、上記正孔取出し層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記正孔取出し層が、導電性高分子材料と不対電子をもつ低分子化合物とを含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The organic electroluminescent device includes a base material, a first electrode layer formed on the base material, the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer, a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound and metal of which band gaps are 2.0 eV or more, and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the substrate; the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer; a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound having a band gap of 2.0 eV or above and metal; and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

The organic thin film solar cell comprises a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a hole take-out layer formed on the first electrode layer, a photoelectric conversion layer formed on the hole take-out layer, and a second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer wherein the hole take-out layer contains an organic polymeric material and a resin component.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された正孔取出し層と、上記正孔取出し層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記正孔取出し層が、導電性高分子材料と樹脂成分とを含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The first area 70a and the second area is a laminated layer which includes a thin-film piezo-electric body 73 and a first and second electrode films 75a, 75b located to sandwich the thin-film piezo-electric body 73.例文帳に追加

第１領域７０ａ及び第２領域は、薄膜圧電体７３と、当該薄膜圧電体７３を挟むように配置される第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂとを含む積層体である。 - 特許庁

A second end 52 of the sheet-shaped heat dissipation member 5 is extended to an outer connection section 73 formed together with a light source mounting section 71, and the second end 52 comes in contact with a ground wiring layer 73a.例文帳に追加

シート状放熱部材５の第２端部５２は、光源実装部７１と一体に形成された外部接続部分７３まで延在し、第２端部５２がグランド配線層７３ａと接している。 - 特許庁

The collecting electrode layer is divided into two parts, a first collecting electrode part overlapping the first collecting hole and a second collecting electrode part overlapping the second collecting hole, insulated from each other.例文帳に追加

集電電極層は、第１の集電孔と重なる第１の集電電極部と、第２の集電孔と重なる第２の集電電極部と、の２つの部位に、互いに絶縁された状態で２分割される。 - 特許庁

In a subsequent second step, the reminder of the high melting point metal layer is etched by a second plasma chemical system that etches the high melting point metal on the lower side much faster than it etches aluminum.例文帳に追加

次の第２のステップでは、アルミニウムをエッチングする速度よりも非常に高速で下側の高融点金属をエッチングする第２のプラズマ化学系により、高融点金属層の残りがエッチングされる。 - 特許庁

A clock signal is applied to gates Φ1, Φ3, and Φ5 of the second layer at a timing different by the first dummy area A and the second dummy area B, and signal electric charge of one row is read out at different timings.例文帳に追加

２層目ゲートΦ１、Φ３、Φ５は、第１ダミー領域Ａと第２ダミー領域Ｂとに異なるタイミングでクロック信号が印加され、同じ行の信号電荷が異なるタイミングで読み出される。 - 特許庁

A second passivation film 9 covering the first passivation film 8 is formed on the lower portion of each side wall of the ridge portion 5A and the top face of the second p-type cladding layer 5 in the vicinity of each side wall of the ridge portion 5A.例文帳に追加

また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。 - 特許庁

In the steps for forming the printing parts of the second and subsequent layers, the printing parts of the second and subsequent layers are formed in the arrangement/discharge order of ink dots different from that of the first layer printing part.例文帳に追加

この際、２層目以降の印刷部を形成する工程で、１層目の印刷部のインクドットの配列・吐出順序とは異なるインクドットの配列・吐出順序で２層目以降の印刷部を形成する。 - 特許庁

A second base material 12 used for protecting a functional device 14 is stacked up on the surface 11a of a first base material 11, and the first base material 11 and the second base material 12 are bonded together through the intermediary of a separating layer 13.例文帳に追加

第１基材１１の表面１１ａには、機能素子１４を保護する第２基材１２が重ねられ、第１基材１１と第２基材１２とは、離間層１３を介して接合される。 - 特許庁

The first phase (P1) is made to contain, at least an element other than the elements contained in the second phase (P2), the first phase (P1) is set to be more corrosion-resistant than the second phase, and the surface layer is made to have a corrosion-protecting function.例文帳に追加

第１の相を第２の相の元素の他に少なくとも１つの別の元素を含むように形成し、第１の相を第２の相よりも耐食性とし、表面層に腐食保護の役目をさせる。 - 特許庁

The step of forming the first and the second resin patterns is a step of forming the first resin pattern and the second resin pattern with a height lower than that of the first resin pattern by developing the transparent resin layer.例文帳に追加

第１、第２の樹脂パターンを形成する工程は、透明樹脂層を現像することにより、第１の樹脂パターンおよびこのパターンよりも低い第２の樹脂パターンを形成する工程である。 - 特許庁

The memory cell 100 comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 through a second gate insulation layer 12, impurity layers 16 and 18, and first and second sidewall-like control gates 20 and 30.例文帳に追加

メモリセル１００は、半導体基板１０上に第２ゲート絶縁層１２を介して形成されたワードゲート１４と、不純物層１６，１８と、サイドウォール状の第１，第２コントロールゲート２０，３０とを有する。 - 特許庁

A selection gate transistor 14b has a second gate electrode, which is provided adjacently to the memory cell transistor and partially disposed on the single-crystal silicon layer in the second region.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタ１４ｂは、第２のゲート電極を有し、この第２のゲート電極がメモリセルトランジスタに隣接し且つ一部が第２の領域の単結晶シリコン層上に位置するよう設けられている。 - 特許庁

This liquid crystal cell 10 is provided with a first substrate 13, a second substrate 14 and a liquid crystal layer 15 constituted by encapsulating a liquid crystal with negative dielectric anisotropy enclosed between the first and the second substrates.例文帳に追加

液晶セル１０は、第１基板１３と、第２基板１４と、第１及び第２基板間に誘電率異方性が負である液晶が封入されて構成される液晶層１５とを有する。 - 特許庁

In the electromagnetic wave shielding material manufacturing method, the second step is the step of crimping the conductive sheet on which the conductive pattern is formed onto a sheet in which a resin layer is formed on a second base.例文帳に追加

第２の工程が、第２の基材上に樹脂層を形成したシートに、導電性パターンを形成した導電性シートを圧着させるものである上記電磁波遮断材の製造方法。 - 特許庁

A second insulating film 11 having a specific permittivity of 3.5 or lower is formed on the first insulating film, and the interconnect layer 16 connected to the through-substrate contact plug and the contact plug is formed in the second insulating film.例文帳に追加

第1の絶縁膜上に比誘電率が３．５以下の第2の絶縁膜１１を形成し、第2の絶縁膜中に基板貫通コンタクトプラグ及びコンタクトプラグに接続された配線層１６を形成する。 - 特許庁

The first gate insulating film 50 is formed of a silicon nitride film, the second gate insulating film 51 is formed of a silicon oxide film, and an Ar-containing layer 52 is formed at a surface portion of the second gate insulating film 51.例文帳に追加

第１ゲート絶縁膜５０を窒化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１を酸化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１の表面部にＡｒ含有層５２を形成する。 - 特許庁

Openings of an insulating film (first opening and second opening) which become formation regions for a bump electrode on an Al electrode layer (first electrode and second electrode) are formed different sizes.例文帳に追加

Ａｌ電極層（第１電極および第２電極）上のそれぞれのバンプ電極の形成領域となる絶縁膜の開口部（第１開口部および第２開口部）を、異なる大きさに設ける。 - 特許庁

Main data lines MDQ, BMDQ extend in an X direction from a second sense amplifier circuit SA2 in the second sense amplifier region 3 and are arranged on the memory area 1 as an M4 wiring in the uppermost layer.例文帳に追加

第２センスアンプ領域３の第２センスアンプ回路ＳＡ２からは、メインデータ線ＭＤＱ、ＢＭＤＱが、Ｘ方向に延びてメモリ領域１上に最上層のＭ４配線として配設される。 - 特許庁

The liquid crystal structure is provided with a first polarizing film 202, a first liquid crystal material compensation film 204, a main liquid crystal layer 210, a second liquid crystal material compensation film 214, and a second polarizing film 216.例文帳に追加

第１の偏光フィルム２０２、第１の液晶材料補償フィルム２０４、メイン液晶層２１０、第２の液晶材料補償フィルム２１４および第２の偏光フィルム２１６を備える。 - 特許庁

First and second conductors for coils are formed around each of the first and second openings 11A and 11B on the third-sixth layer substrates 10-3 to 10-6.例文帳に追加

第３層〜第６層目の基板１０−３〜１０−６上において、第１および第２の開口部１１Ａ，１１Ｂのそれぞれの周囲には、第１および第２のコイル用導体が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a ground conductor 9 penetrating the second insulation layer 6 and connecting the first ground electrode 11 and the second ground electrode 21 electrically is provided on the component built-in substrate 20.例文帳に追加

更に本発明に係る部品内蔵基板２０には、第２絶縁層６を貫通し、第１グランド電極１１と第２グランド電極２１とを電気的に接続する接地導体９が設けられている。 - 特許庁

After imparting a conductive material layer to the groove bottom of the molded first recessed groove and second recessed groove, metal wiring lines 6 and 6 are formed inside the first recessed groove and the second recessed groove by electrolytic plating or the like.例文帳に追加

成形した第１の凹溝と第２の凹溝の溝底に導電材料層を付与した後、電解めっき等により、第１の凹溝と第２の凹溝内に金属配線６、６を形成する。 - 特許庁

On the other hand, in a second wiring layer L2, a second electrode plane connecting to terminals which are arranged more in an outermost periphery of the array-like arrange is formed at a position overlapping with the first electrode plane.例文帳に追加

第２の配線層Ｌ２には、上記とは逆に、アレイ状配置の最外周に多く配置されている方の端子に接続する第２の電極プレーンを第１の電源プレーンに重なる位置に形成する。 - 特許庁

A first electrode 12, an organic EL layer 12 and a second electrode 14 are stacked and formed on a surface of a first substrate 11, and sealed by the first substrate 11 and a second substrate 15.例文帳に追加

第１の基板１１表面に、第１の電極１２、有機ＥＬ層１２および第２の電極１４が積層して形成され、上記第１の基板１１と第２の基板１５とにより封止されている。 - 特許庁

A first main electrode 21 of the semiconductor light emitting function layer 2 is electrically connected to the first base substrate 11, and a second main electrode 23 is electrically connected to the second base substrate 12.例文帳に追加

半導体発光機能層２の第１の主電極２１は第１のベース基板１１に電気的に接続され、第２の主電極２３は第２のベース基板１２に電気的に接続されている。 - 特許庁

A first input/output electrode 31, a second input/output electrode 33, and first and second control input/output electrodes 35, 37 and 39 are provided at the upper side of the insulating layer provided on the capacity variable part.例文帳に追加

容量可変部上に設けられた絶縁層の上側に露出して第１入出力電極31、第２入出力電極33、第１及び第２制御用入出力電極35,37,39が設けられる。 - 特許庁

The power semiconductor device has second conduction type second semiconductor layers 2 arranged in a first conduction type first semiconductor layer 1 so as to extend in a depth direction and so as to have an interval from each other.例文帳に追加

電力用半導体装置は、深さ方向に延在し且つ互いに間隔をおくように第１導電型の第１半導体層１内に配設された第２導電型の第２半導体層２を有する。 - 特許庁

A first conductive type of third and fourth semiconductor layers 5, 6 substantially composed of the diffused layer of a lower resistance than the first and second semiconductor layers are formed on the surface of the first and second trenches.例文帳に追加

第１及び第２トレンチの表面内に、第１及び第２半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第１導電型の第３及び第４半導体層５、６が形成される。 - 特許庁

Most electromagnetic waves in the LSM_01 mode propagate in the second dielectric layer 12 whose dielectric constant is relatively higher in a region sandwiched between the lines of the first and second through-holes 21, 22.例文帳に追加

第１および第２のスルーホール２１，２２の列によって挟まれた領域内において、ＬＳＭ_01モードの電磁波のほとんどが、相対的に誘電率の高い第２の誘電体層１２内を伝搬する。 - 特許庁

The display panel comprises: a first substrate 10; a second substrate 30 facing the first substrate 10; and a display medium layer 20 formed between the first substrates 10 and the second substrate 30.例文帳に追加

表示パネルは、第１の基板１０と、第１の基板１０に対向して設けられた第２の基板３０と、第１の基板１０と該第２の基板３０との間に設けられた表示媒体層２０と、を備える。 - 特許庁

After a step of disposition, a connection layer 30 containing carbon, which is bonded to the first and second backsides B1, B2 so as to connect the first and second backsides B1, B2, is formed.例文帳に追加

上記配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐように第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２に接合された、炭素を含む接続層３０が形成される。 - 特許庁

After a step of disposition, a connection layer 30 made of silicon and bonded to the first and second backsides B1, B2 so as to connect the first and second backsides B1, B2 is formed.例文帳に追加

上記の配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐように第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２に接合された、シリコンからなる接続層３０が形成される。 - 特許庁

After a step of disposition, a connection layer 30 made of metal and bonded to the first and second backsides B1, B2 so as to connect the first and second backsides B1, B2 is formed.例文帳に追加

上記の配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐように第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２に接合された、金属からなる接続層３０が形成される。 - 特許庁

A first clad layer 5 includes a first portion 5a provided on the first area 3a of the GaAs substrate 3, and a second portion 5b provided on the second area 3b of the GaAs substrate 3.例文帳に追加

第１のクラッド層５は、ＧａＡｓ基板３の第１の領域３ａ上に設けられた第１の部分５ａと、ＧａＡｓ基板３の第２の領域３ｂ上に設けられた第２の部分５ｂとを含む。 - 特許庁

The power transistor device further includes a first region of the second conductivity type, a drift region of the second conductivity type that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region of the first conductivity type.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスはさらに、第２の導電型の第１の領域と、バッファ層の上面に隣接する第２の導電型のドリフト領域と、第１の導電型のボディ領域とを含む。 - 特許庁

Additionally, on the second substrate 121, a ground conductor layer 128 is formed which is connected to the ground pattern of rears 114c, 114d of integrated circuits 108c, 108d packaged onto the second substrate 121.例文帳に追加

また、第２基板１２１上に、第２基板１２１に実装される集積回路１０８ｃ、１０８ｄの裏面１１４ｃ、１１４ｄの接地パターンに接続される接地導体層１２８を形成する。 - 特許庁

The second split bushing 14 is also provided with an insulating rubber molded body 30 which covers around the inserter 26A and around the vicinity of the insertion part respectively, and whose inner peripheral face is tightly fitted to the second shielding layer 28.例文帳に追加

第２の分割ブッシング１４に、挿入部２６Ａ及びその近傍の各周囲を包覆しかつ内周面が第２の遮蔽層２８に密着する絶縁ゴム成形体３０を配設した。 - 特許庁