「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(244ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor light-emitting device comprises: a light-emitting part 10d; a first conductive part 30a; an insulating layer 20; a second conductive part 30b; a sealing part 50; and a optical layer 60.例文帳に追加

実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと絶縁層２０と第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。 - 特許庁

In the filter medium 30, the second layer 30b is disposed on the upstream side of an air flow 2 to the air filter unit, and the first layer 30a is disposed on the downstream side of the air flow 2 to the air filter unit.例文帳に追加

濾材３０は、エアフィルタユニットに対する空気の流れ２の上流側に第２層３０ｂが配置され、エアフィルタユニットに対する空気の流れ２の下流側に第１層３０ａが配置されている - 特許庁

A resin layer 3 is formed on the substrate 1 so as to surround the circumference of the resin block 4, and second conductor planes 6 are formed on the top surface of the resin layer 3 so as to be conducted to the upper end of the interlayer connection conductors 5.例文帳に追加

基板１上に樹脂ブロック４の周囲と取り囲む樹脂層３を形成し、その上面に第２面内導体６を層間接続導体５の上端部と導通するように形成する。 - 特許庁

The first strip layer 202 and the second strip layer 204 are solidly adhered to form a structural body so that they can produce at least one of a desired withstand current capability and mechanical strength.例文帳に追加

第１ストリップ層２０２と第２ストリップ層２０４とは、所望の耐電流能力および機械強度の少なくとも一つを生じさせるべく、強固に接着されて構造本体を形成する。 - 特許庁

Since the first conductive layer is thin, the embedding aspect is reduced and the second conductive layer is made into film thickness required for making capacity with control gates (29, 49, 69 and 88) into desired value.例文帳に追加

第１の導電層は薄いため埋め込みアスペクトが低減され、第２の導電層は制御ゲート（２９、４９、６９、８８）との間の容量を所望の値にするために必要な膜厚とする。 - 特許庁

A second insulated layer is formed on the conductive layer so as to have a plurality of openings, and a contact metal ball 206 is formed on the opening so as to be electrically joined with a printed circuit board.例文帳に追加

第２の絶縁層は、複数の開口部を有するように導電層上に形成され、接触金属ボール２０６は、印刷回路基板に電気結合するように開口部上に形成される。 - 特許庁

Inside the radial direction of a shoulder block 42a, a part of the folded part 60a overlaps with the first layer 64a, and ends 62a of the folded parts 60a approximate the end 68b of the second layer 64b.例文帳に追加

ショルダーブロック４２ａの半径方向内側において、折返し部６０ａの一部は第一層６４ａと重なり合い、折返し部６０ａの端６２ａが第二層６４ｂの端６８ｂに近接する。 - 特許庁

Lastly, the surface layer temperature is raised again to the target temperature in a second heating area to heat the sheet-like laminate so that the surface layer temperature and internal temperature are within a target temperature range.例文帳に追加

最後に、第２加熱域において表層温度を目標温度まで再び昇温して、シート状積層体の表層温度及び内部温度が目標温度範囲内となるように加熱する。 - 特許庁

A second insulating layer 152 provided on the first insulating layer is formed around the top of the first electrode section 160 separately from the top of the first electrode section 160.例文帳に追加

また、第１の電極部１６０の頂部から離間して、第１の電極部１６０の頂部の周囲において第１の絶縁層の上に設けられた第２の絶縁層１５２が形成されている。 - 特許庁

The magnetic anchoring layer 63 has one each or more of the first and the second ferromagnetic layers 631, 632 alternately-laminated and mutually antiferromagnetic-coupled through a nonmagnetic coupling layer 633, respectively.例文帳に追加

磁化固着層６３は、非磁性の結合層６３３を介して交互に積層されて互いに反強磁性結合する第１および第２の強磁性層６３１，６３２をそれぞれ１つまたは複数有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a single cell of a fuel battery includes a step of forming the electrolyte layer on a first electrode 20, and a step of positioning a second electrode 60 on the electrolyte layer.例文帳に追加

この燃料電池の単セルの製造方法は、第１の電極２０上に電解質層を形成する工程と、電解質層上に第２の電極６０を位置させる工程とを備えている。 - 特許庁

Then, a gap G is provided on the heating resistor layer 15 to form a first electrode 16a and a second electrode 16b, and the heating resistor layer 15 of the gap G becomes an exothermic part 17.例文帳に追加

そして、発熱抵抗体層１５上に間隙Ｇを設けて第１の電極１６ａと第２の電極１６ｂが形成され、上記間隙Ｇの発熱抵抗体層１５が発熱部１７になる。 - 特許庁

A base isolation layer 1 is prepared, and a first metallic thin film 2 comprising a titanium thin film or a zirconium thin film and a second metallic thin film 3 comprising a copper thin film are sequentially formed on the base isolation layer 1.例文帳に追加

ベース絶縁層１を用意し、そのベース絶縁層１の上に、チタン薄膜またはジルコニウム薄膜からなる第１金属薄膜２と、銅薄膜からなる第２金属薄膜３とを順次形成する。 - 特許庁

The outer edge 15 of the first reinforcing cord layer 13 lies outside in the tire radial direction more than the tire radial outer edge 16 of the second reinforcing cord layer 14 and the tire maximum width position 17.例文帳に追加

第１補強コード層１３のタイヤ径方向外端縁１５が、第２補強コード層１４のタイヤ径方向外端縁１６及びタイヤ最大幅位置１７よりもタイヤ径方向外側に位置する。 - 特許庁

Also, through a second barrier layer 22 provided on the first barrier layer 21, the connection hole 15 and the wiring groove 16 are respectively provided with a viahole 18 and a wiring 19 composed of Cu.例文帳に追加

また、第１のバリア層２１上に設けられた第２のバリア層２２を介して、接続孔１５および配線溝１６にはＣｕからなるビア１８および配線１９がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The anisotropic film is composed of two layers, and uniform film thickness and optical characteristics are achieved by obliquely growing the second layer film in a direction reversed by approximately 180° with respect to the first layer film.例文帳に追加

異方性を有する膜を２層として、第１層の膜に対して、第２層の膜をほぼ１８０°反転した方向から斜方成長させることによって、均一な膜厚と光学特性を実現する。 - 特許庁

The heat dissipating noise suppression sheet is produced by placing a second layer where thermally conductive filler is dispersed into an organic matrix on a first layer where soft magnetic particles are dispersed into an organic matrix.例文帳に追加

有機マトリックス中に軟磁性体粒子が分散された第１の層の上に、有機マトリックス中に熱伝導性充填剤が分散された第２の層を設けて放熱性ノイズ抑制シートを構成する。 - 特許庁

Both direction S1 of rubbing treatment of a first alignment layer 16 and direction S2 of rubbing treatment of a second alignment layer 26 are made to be identical to a direction P of injection of the nematic liquid crystal 41.例文帳に追加

第１の配向膜１６のラビング処理方向Ｓ１と、第２の配向膜２６のラビング処理方向Ｓ２との両方を、共にネマティック液晶４１の注入方向Ｐと同方向とする。 - 特許庁

The AL circuit substrates 2, 3 and insulating ceramic layer 5 are bonded through an Al-Si system wax material, and the first juncture 6 and second juncture 7 through a Ni-Sn compound layer 10, respectively.例文帳に追加

ＡＬ回路基板２、３と絶縁セラミックス層５とはＡｌ−Ｓｉ系のロウ材を介して、第一接合体６と第二接合体７とは、Ｎｉ−Ｓｎ化合物層１０を介してそれぞれ接合されている。 - 特許庁

This fused protein has a first peptide site acting on the cell surface layer of the target cell, and the second peptide site capable of bonding to a main constituent component of the cell surface layer of the target cell, and fused therewith.例文帳に追加

標的細胞の細胞表層で作用する第１のペプチド部位と、標的細胞の細胞表層の主要構成成分と結合する第２のペプチド部位とを連結した融合タンパク質とする。 - 特許庁

The power supply layer 12a is electrically connected with one end and the other end of the first conductor 2 not covered with the dielectric material 3 and the ground layer 12b is electrically connected with the second conductor 4.例文帳に追加

電源層１２ａは、誘電体３に覆われていない第１導体２の一端及び他端と電気的に接続され、グランド層１２ｂは、第２導電体４と電気的に接続されている。 - 特許庁

When the variation of the reflection levels is larger than a second threshold (large in #11), whether it is a DVD-ROM (single layer) or a DVD-ROM (double layer) is determined (#18) according to the magnitude of the reflection levels.例文帳に追加

反射レベルのばらつきが第２の閾値より大きいとき(＃１１において大)、反射レベルの大きさに応じてＤＶＤ−ＲＯＭ(単層)であるか、ＤＶＤ−ＲＯＭ(２層)であるかを判定する（＃１８）。 - 特許庁

To provide a body blood circulation promotion implement facilitating peel-off of an upper layer where a second blood circulation promotion member is retained, from a lower layer where a first blood circulation promotion member is retained.例文帳に追加

本発明は、第２血行促進部材が保持される上層を、第１血行促進部材が保持される下層から容易に剥がすことができる身体血行促進具の提供を目的とする。 - 特許庁

Consequently, formation of unnecessary parasitic capacitance between the signal line 120A, and first electrode layer 13 and second electrode layer 16 is avoided, or the size thereof is sufficiently reduced.例文帳に追加

これにより、信号線１２０Ａと、第１電極層１３および第２電極層１６との間における不要な寄生容量の形成が回避され、あるいは、その大きさが十分に低減される。 - 特許庁

Two pn bonded sections Jpn1, Jpn2 which extend toward the depth direction of the trench are formed between the first conductive-type polycrystal semiconductor layer 9 and the second conductive-type polycrystal semiconductor layer 11.例文帳に追加

第１伝導型多結晶半導体層９と第２伝導型多結晶半導体層１１との間には、トレンチの深さ方向に延びる２つのｐｎ接合部Ｊpn１，Ｊpn２が形成されている。 - 特許庁

To reduce the number of fabrication steps by performing isolation without forming a buried layer when a DMOS transistor is formed in a second conductivity type semiconductor layer on a first conductivity type semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上の第２導電型半導体層にＤＭＯＳトランジスタを形成する場合において、埋込層を形成せずに素子分離を行い、製造工程数を削減する。 - 特許庁

The interposer 10 having a first nonconductive layer 11, an extended electrode 12 and an IC chip 13 is mounted on an antenna-formed sheet 20 having a second nonconductive layer 21 and an antenna 22.例文帳に追加

第１非導電層１１と、拡大電極１２と、ＩＣチップ１３とを有するインターポーザー１０を、第２非導電層２１と、アンテナ２２とを有するアンテナ形成済シート２０上に実装する。 - 特許庁

Holes generated by light absorption of input light in a semiconductor optical waveguide layer are pulled out from an electrode shared with the second n-type semiconductor layer via the p-type semiconductor areas.例文帳に追加

入力光が半導体光導波層において光吸収されて発生したホールは、このｐ型半導体領域を介して、第２のｎ型半導体クラッド層と共通の電極から引き抜かれる。 - 特許庁

A first ohmic electrode 106 and a second ohmic electrode 107 are formed on both sides of the third nitride semiconductor layer 108 on the semiconductor layer laminate 103.例文帳に追加

半導体層積層体１０３の上における第３の窒化物半導体層１０８の両側方には、それぞれ第１のオーミック電極１０６及び第２のオーミック電極１０７が形成されている。 - 特許庁

On the first transparent substrate 10, a first transparent electrode layer 15, an insulating film 16 and a second transparent electrode layer 17A having a plurality of slits S and electrode portions 17 are disposed in this order.例文帳に追加

第１の透明基板１０には、第１の透明電極層１５、絶縁膜１６、複数のスリット部Ｓ及び電極部１７を有した第２の透明電極層１７Ａがこの順で配置されている。 - 特許庁

On a layer lower than the layer where the first element isolation region 12 exists, a second element isolation region 11 of an STI structure is formed, which separates adjoining MOS transistor channel regions.例文帳に追加

そして該第一の素子分離領域１２が存在する層より下の層に、隣接するMOSトランジスタのチャネル領域どうしを分離するSTI構造の第二の素子分離領域１１が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor sensor employs a structure which is manufactured by a simple process wherein a groove separating the center of a three layer semiconductor layer of a semiconductor substrate 11 is provided to form first and second semiconductor layers 13, 14.例文帳に追加

半導体基板１１の三層の半導体層の中央を分断する溝を設けて第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。 - 特許庁

A first reflection layer, a first liquid crystal layer, the second substrate and a first polarizing plate are disposed in this order on the first surface of the first substrate and thereby the first reflection type liquid crystal display is formed.例文帳に追加

第一基板の第一面上には、第一反射層、第一液晶層、第二基板、および第一偏光板が順序どおりに配置され、それによって、第一反射型液晶ディスプレイが形成される。 - 特許庁

The capacity ratio of the hole migration material to the electron transfer material in the second mixture layer 204, gradually increases from X % to 99% starting from a surface adhered to the mixture layer 200.例文帳に追加

第２混合層２０４における電子移動材料に対するホール移動材料の容量比は、混合層２００に接着した表面から開始してＸ％から９９％まで徐々に増加する。 - 特許庁

The air bag logo 4 is formed by gouging the coating of the designed surface 5 or the second layer in a shape of the air bag logo 4 and exposing the skin 2 or the first layer.例文帳に追加

前記意匠面５の前記塗装、或いは前記第２の層をエアバッグロゴ４形状に削り取り、前記表皮２、或いは前記第１の層を露出させることによってエアバッグロゴ４を形成する。 - 特許庁

After a first electrode 11 and a second electrode 12 of the photo-sensor element are formed of polycrystalline silicon films, a light-receiving layer 13 of the photo-sensor element is formed of an amorphous silicon film on an upper layer.例文帳に追加

光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is further provided with a second metal part which extends toward the semiconductor layer through between the adjacent comb tooth parts of the first metal part, and is electrically connected to the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置は、第１メタル部の互いに隣接する櫛歯部と櫛歯部との間を通って半導体層の方向へ延び、半導体層と電気的に接続されている第２メタル部をさらに備える。 - 特許庁

A waterproofing agent or water repellent 7 is injected into the formed groove 6 (14), to infiltrate the repellent 7 into the surface layer 2 (and the second layer 3) from both sides of the groove 6 (14).例文帳に追加

形成した凹溝６（１４）内に防水剤または撥水剤７を注入し、凹溝６（１４）の両側から表面層２（および第２層３）中に、防水剤または撥水剤７を浸透させる。 - 特許庁

Thereafter, the p-type boron phosphide semiconductor layer 103 is formed on the heat-treated amorphous layer 102 at a temperature of 750-1,200°C by adjusting the ratio to a second ratio higher than the first ratio.例文帳に追加

その後、熱処理を施した非晶質層１０２上に、７５０℃以上で１２００℃以下の温度で、第１の比率より大きな第２の比率で、ｐ形リン化硼素半導体層１０３を形成する。 - 特許庁

A high-voltage insulating layer 21 is formed on the upper side of the semiconductor layer laminate 13 in a region where an electric field generated between the first electrode 15 and the second electrode 16 is concentrated.例文帳に追加

半導体層積層体１３の上側における第１の電極１５と第２の電極１６との間に生じる電界が集中する領域には、高耐圧絶縁層２１が形成されている。 - 特許庁

This is a porous electrode catalyst layer and the electrode catalyst layer has first holes V1 of hole diameters in a range of 0.01-0.1 μm and a second holes V2 of hole diameters in a range of 0.1-1 μm.例文帳に追加

多孔質の電極触媒層であって、この電極触媒層は、空孔径が０．０１〜０．１μｍの範囲の第１の空孔Ｖ１と、空孔径が０．１〜１μｍ範囲の第２の空孔２とを有する。 - 特許庁

A first interconnection layer 194 is formed on the silicide layer, and a first runner 196 to be connected with the source region and a second runner 198 to be connected with the drain region are arranged.例文帳に追加

第１の相互接続層１９４が、珪化物層上に形成されており、ソース領域に接続される第１のランナー１９６と、ドレイン領域に接続される第２のランナー１９８とが配置される。 - 特許庁

The piezoelectric transducer 1 is comprised of two regions of a second piezoelectric ceramics layer group 240 of the side closer to ink chambers 50 in a lamination direction and a first piezoelectric ceramics layer group 230 of the farther side.例文帳に追加

圧電トランスデューサは、積層方向において、インク室５０に近い側の第２の圧電セラミックス層群２４０と、遠い側の第１の圧電セラミックス層群２３０という２つの領域からなる。 - 特許庁

Thereby, the time required for covering each second covering part 113 with a GaN semiconductor layer 13 becomes longer than the time required for covering each first covering part 112 with the GaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ半導体層１３により第二被覆部１１３を覆うのに要する時間が、ＧａＮ半導体層１３により第一被覆部１１２を覆うのに要する時間よりも長くなる。 - 特許庁

This trimming fuse structure is provided with a first wiring layer 4 that includes fuse sections 11a and 11b formed via a first insulating film 3 on a substrate 1 and a second insulating film 5 covering the first wiring layer 4.例文帳に追加

基板１上に第１の絶縁膜３を介して形成された、ヒューズ部１１ａ、１１ｂを含む第１の配線層４と、第１の配線層４を覆う第２の絶縁膜５とを備えている。 - 特許庁