「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(240ページ目) - Weblio英語例文検索

The adsorbent layer 51 absorbs minute amount of fuel vapor flowing out from adsorbent 44 in a second storage chamber 42 by diffusion.例文帳に追加

吸着剤層５１は、第二収容室４２の吸着剤４４から拡散により流出する微量の燃料蒸気を吸着する。 - 特許庁

This liquid crystal display comprises a first substrate and a second substrate facing each other, and a liquid crystal layer disposed between them.例文帳に追加

互いに対向する第１基板および第２基板と、これらの間に設けられた液晶層とを有する液晶表示装置である。 - 特許庁

The light detection means 15 is formed on the first face of the second substrate 11b together with a circuit for driving the liquid crystal layer 12.例文帳に追加

光検出手段１５は、液晶層１２の駆動のための回路とともに、第２の基板１１ｂの第１の面に形成されている。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric element comprises a plurality of piezoelectric ceramics layers and a plurality of internal electrode layers including a first phase of conductive material and a second phase of ceramics laid in layers alternately wherein adhesion strength cannot be ensured between the internal electrode layer and the piezoelectric ceramics layer if the second phase is insufficient and the internal electrode layer does not exhibit its function sufficiently if the second phase is excessive.例文帳に追加

複数の圧電セラミックス層と、導電材料からなる第１の相及びセラミックスからなる第２の相を含む複数の内部電極層とが交互に積層された積層型圧電素子において、内部電極層は第２の相が少なすぎると内部電極層と圧電セラミックス層の接着強度を確保することができず、逆に第２の相が多すぎると内部電極層がその機能を発揮しがたくなる。 - 特許庁

The elements mentioned in the list are written in a plotting layer based on the converted attribute data so that a second drawing data file 63b can be obtained.例文帳に追加

該変換に供された属性データに基づいて、リストに挙げられたエレメントを作図レイヤに書き込み、第２図面データファイル６３ｂを得る。 - 特許庁

When the second resin layer 6 is formed, insulating resin can be made to flow into the crater-shaped recess 5 without trapping air bubbles.例文帳に追加

第二の樹脂層６を形成する際に絶縁樹脂をクレーター状の凹部５に気泡が閉じ込められないように流し込むことができる。 - 特許庁

A connection layer 16 between the first light-emitting unit 14A and the second light-emitting unit 14B contains a material having a photoelectric conversion function.例文帳に追加

第１発光ユニット１４Ａと第２発光ユニット１４Ｂとの間の接続層１６は、光電変換機能を有する材料を含む。 - 特許庁

Thereafter, a high-concentration layer for source and drain is formed on the main plane of the semiconductor substrate 1, after the second sidewall 13 is removed.例文帳に追加

その後、第２サイドウォール１３を除去した後、半導体基板１の主面に、ソースおよびドレイン用の高濃度層を形成する。 - 特許庁

A second light shield layer 2 for restricting the light entering the noise removing circuit 11 is further provided on the upper part of the noise removing circuit 11.例文帳に追加

ノイズ除去回路１１の上部に、ノイズ除去回路１１への光の入射を制限する第２の遮光層２を更に設ける。 - 特許庁

The second piezoelectric material layer 123 is polarized in a polarizing direction 124 in which the electrodes 121 and the electrode 112 are connected.例文帳に追加

第２の圧電体層１２３は、電極１２１と電極１１２とを結ぶ方向と平行な分極方向１２４に分極されている。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 has a first conductivity type semiconductor region 3, an active layer 5, and a second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、第２導電型半導体領域７とを備える。 - 特許庁

An overcoat layer 20 for protection is formed on the first and second heat generating parts where the electrodes 15, 16 are at least left.例文帳に追加

電極１５，１６を少なくもと残した第１および第２の発熱部上にはこれらを保護するオーバーコート層２０を形成する。 - 特許庁

Then an epitaxial layer is etched by As or P-group etching solution to form an interlayer separating mesa structure (second step).例文帳に追加

次いでエピタキシャル層をＡs系またはＰ系のエッチング液を用いてエッチングして素子間分離構造をなすメサを形成する（第２の工程）。 - 特許庁

An organic function film 600 having at least a luminescent layer is interposed between the first electrode 550 and the second electrode 400.例文帳に追加

前記第１電極５５０と前記第２電極４００間に少なくとも発光層を有する有機機能膜６００を介在する。 - 特許庁

A plurality of corresponding holes are provided extendingly to the second side from the first side of the dielectric material layer via the concentric grooves.例文帳に追加

対応する複数の孔が、各同心的溝を経ると共に前記誘電体層を該層の第１側から第２側へと経て延在する。 - 特許庁

The second insulating film 16b includes a function to inhibit the diffusion of aluminum (Al) in the first insulating film 16a into the channel layer 15.例文帳に追加

第２絶縁膜１６ｂは第１絶縁膜１６ａ中のアルミニウム（Ａｌ）のチャネル層１５内への拡散を防止する機能を有する。 - 特許庁

The method also comprises the steps thereafter of fixing the layer 103 released from the substrate 101 and the capacitor to a second substrate 107.例文帳に追加

その後、第１の基板１０１から剥離した緩衝層１０３と圧電・強誘電体キャパシタを第２の基板１０７上へ固定する。 - 特許庁

The second filter media Ba, Bb and the sheetlike member C interposed between the media Ba, Bb constitute a prefilter layer.例文帳に追加

第２の濾過媒体Ｂａ、Ｂｂと、これらの濾過媒体Ｂａ、Ｂｂの間に配置されたシート状部材Ｃとは、プレ濾過層を構成する。 - 特許庁

The touch panel device includes a substrate, an insulating layer, a plurality of first electrode groups and a plurality of second electrode groups.例文帳に追加

本発明に係わるタッチパネル装置は、基材層と、絶縁層と、複数の第一電極組及び複数の第二電極組を備える。 - 特許庁

A colored layer 4 positioned in a gap part A between at least the second electrode 8 and the sealing member 9 is installed in the supporting substrate 2.例文帳に追加

少なくとも第二電極８と封止部材９との隙間部Ａに位置する有色層４を支持基板２上に設けてなる。 - 特許庁

The p-type second and p^+-type third diffused layers 12 and 13 are formed in two steps as the emitter layer of the thyristor.例文帳に追加

サイリスタのエミッタ層として、Ｐ型の第二拡散層１２およびＰ^＋型の第三拡散層１３の二段形成を行っている。 - 特許庁

Further, p-type third semiconductor layers 112, 113, 114, which form a stripe-like ridge 130, are provided on the second semiconductor layer 111.例文帳に追加

さらに、第二半導体層１１１上にストライプ状のリッジ１３０をなすｐ型の第三半導体層１１２，１１３，１１４を備える。 - 特許庁

After the second resist pattern 203 is removed, the sacrificial layer 9 is selectively removed to form a space part (a) below the movable part 15.例文帳に追加

第２レジストパターン２０３を除去した後、犠牲層９を選択的に除去して可動部１５の下部に空間部ａを形成する。 - 特許庁

Two types of groove, group 4 of a first groove group and grooves 5 of a second groove group are formed in an external surface 3 of the outer layer 22.例文帳に追加

外側層２２の外側面３には、第１の溝群の群４と第２の溝群の溝５との２種類の溝が形成される。 - 特許庁

An increase in the film thickness of the second embedding layer decreases a parasitic capacity between a pad electrode 34 and n-type substrate 2.例文帳に追加

また、第２の埋め込み層の膜厚を厚くすることにより、パッド電極３４とｎ型基板２との間の寄生容量が低減される。 - 特許庁

The second electric wire 1b is wound over the regularly wound layer of the first electric wire 1a outside the partitioning members 33 for multilayer winding.例文帳に追加

多層巻き用仕切り部材３３の外側における１条目電線１ａの整列巻き層の上に２条目電線１ｂを巻き取る。 - 特許庁

A second sheet with an adhesive layer provided on one surface thereof is blow attached on the adherend P by compressed air jet from above the first sheet S1.例文帳に追加

一方の面に接着剤層が設けられた第２シートをジェットエアで第１シートＳ１上から被着体Ｐに吹き付け貼付する。 - 特許庁

The source region (91) and the drain region (92) are composed of the conductivity type opposite to the conductivity type dominant in the second layer (2b).例文帳に追加

ソース領域（９１）及びドレイン領域（９２）は、第２層（２ｂ）において支配的な導電型とは反対の導電型からなる。 - 特許庁

A liquid crystal lens 100 includes a first liquid crystal cell 110, a second liquid crystal cell 130 and an intermediate layer 120 sandwiched therebetween.例文帳に追加

液晶レンズ１００は、第１の液晶セル１１０と、第２の液晶セル１３０と、これらに挟まれた中間層１２０とを含む。 - 特許庁

Local wiring 151 conducting the gate electrode 120b of the first inverter 20 and the source drain dispersion layer of the second inverter 22 is provided.例文帳に追加

第１インバータ２０のゲート電極１２０ｂと、第２インバータ２２のソースドレイン拡散層とを導通させる局部配線１５１を備える。 - 特許庁

After a surface of a second substrate 21 is subjected to rubbing processing, an organic semiconductor layer 14 is formed on the surface having been to the rubbing processing.例文帳に追加

第二の基材２１の表面をラビング処理した後、ラビング処理が施された面の上に有機半導体層１４を形成する。 - 特許庁

In an optical waveguide layer 102, there are formed an incident waveguide 105_0 and first and second exiting waveguides 105_1, 105_2.例文帳に追加

光導波路層１０２には、入射導波路１０５_0と、第１および第２の出射導波路１０５_1、１０５_2が形成されている。 - 特許庁

With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14.例文帳に追加

ゲート電極１２をマスクとしてシリコン層３に第２導電型の不純物をイオン注入しソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a first main electrode 20 and a second main electrode 2 provided on the surface of a semiconductor layer 54.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体層５４の表面に設けられている第１主電極２０と第２主電極２を備えている。 - 特許庁

This method uses a device with an electrode formed on a surface exposed from a part of a second semiconductor layer coating a global first semiconductor.例文帳に追加

球状の第１半導体を被覆する第２半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した素子を用いる。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit, a second wiring layer includes a grounding conductor 320 provided with at least one opening portion 322.例文帳に追加

半導体集積回路において、第２の配線層は、少なくともひとつの開口部３２２が設けられた接地導体３２０を含む。 - 特許庁

A programmable resistor indicating stored data is demarcated by loading a stress to the internal electrode layer provided between the first and the second electrodes.例文帳に追加

記憶されたデータを示すプログラマブル抵抗は前記電極間の前記内部電極層に応力を負荷することによって画定される。 - 特許庁

A first internal electrode 21 included in the first electrode layer 20 is electrically connected to first and second terminal electrodes 1 and 2.例文帳に追加

第１の電極層２０に含まれる第１の内部電極２１は、第１及び第２の端子電極１、２と電気的に接続される。 - 特許庁

A mercury lamp 36 acting as a second light source radiates photocatalyst-exciting light onto the TiO2 photocatalyst layer 12.例文帳に追加

第２の光源としての水銀ランプ３６から光触媒の励起光がＴｉＯ_2 光触媒層１２に照射されるようになっている。 - 特許庁

The bottom of the second semiconductor region 5 is in a position shallower than the bottom of the first semiconductor region 3 from the major surface of the epitaxial layer 2.例文帳に追加

第２半導体領域５の底部は、第１半導体領域３の底部よりもエピタキシャル層２の主面から浅い位置にある。 - 特許庁

A MOS transistor 112 including a source 114, a drain 116, and a gate 120 is formed on the second semiconductor layer 110.例文帳に追加

第２の半導体層１１０上には、ソース１１４、ドレイン１１６、ゲート１２０を含むＭＯＳ型のトランジスター１１２が形成されている。 - 特許庁

A flexible circuit layer is provided between the two substrates to couple the connector on the first substrate with the connector on the second substrate.例文帳に追加

フレキシブル回路層は、二つの基板の間に設けられ、第１の基板上のコネクタを第２の基板上のコネクタへ相互連結する。 - 特許庁

First electrodes 7 and second electrostatic 8 formed of the material containing the aluminum face each other across the liquid crystal layer 5 in-between.例文帳に追加

アルミニウムを含む材料から形成されている第１電極７と第２電極８とが、液晶層５を挟んで対向している。 - 特許庁

The electroluminescent display device 25 is provided with a light transmitting substrate 29, first electrodes 30, a light emitting layer, and second electrodes 33.例文帳に追加

電界発光表示素子２５は、透光性基板２９と、第一の電極３０と、発光層と、第二の電極３３と、を有する。 - 特許庁

The apparatus comprises the wafer substrate of a semiconductor or a dielectric and first and second multi-layer structures arranged on the wafer substrate.例文帳に追加

装置が半導体もしくは誘電体のウェハ基板、およびウェハ基板の上に配置された第１および第２の多層構造を有する。 - 特許庁