「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(239ページ目) - Weblio英語例文検索

Second plating films 24a, 24b consisting of Sn are formed, as the outermost layer, to cover the first plating films 22a, 22b.例文帳に追加

第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを覆うようにして、最外層としてＳｎからなる第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。 - 特許庁

The gate insulating film 180 includes a tilted part 182 at the portion positioned on the second conductive type low concentration impurity layer 160.例文帳に追加

そしてゲート絶縁膜１８０は、第２導電型低濃度不純物層１６０上に位置する部分に傾斜部１８２を有している。 - 特許庁

Therefore, the black resin layer (the first design) 350 is easily aligned with the rugged shape (the second design) 304 in high accuracy.例文帳に追加

よって、黒色樹脂層（第一の意匠）３５０と凹凸形状（第二の意匠）３０４とが容易に高精度に位置合わせされる。 - 特許庁

(3) In the photosensitive resin plate material described in the first and second claims, the synthetic rubber base photosensitive resin layer is water developable.例文帳に追加

（３）合成ゴム系感光性樹脂層が水現像可能であることを特徴とする請求項1又は２記載の感光性樹脂版材。 - 特許庁

The refractive index relaxing layers 107a and 107b are formed as a p-type area whose refractive index is the same as that of a p-type second clad layer 107.例文帳に追加

屈折率緩和層１０７ａ，１０７ｂは、ｐ型第２クラッド層１０７と同じ屈折率を有するｐ型領域である。 - 特許庁

After the metallic layer deposition of the first wafer ends, the first wafer is placed on a wafer stack (base) 360 outside the second IBS deposition chamber 304.例文帳に追加

第１のウェハの金属層堆積が終わった後、第１のウェハは第２のＩＢＳ堆積室の外のウェハ・スタック（台）３６０に置かれる。 - 特許庁

A third connection conductive layer is provided through the supporting substrate and electrically connects the first and the second connection conductive layers and the wiring patterns.例文帳に追加

第３接続導電層は、支持基板を貫通して配設され、第１、第２接続導電層と、配線パターンと、を電気的に接続する。 - 特許庁

The alignment accuracy of a black resin layer 350 being the first design with the rugged shape 304 being the second design depends on molding accuracy.例文帳に追加

また、第一の意匠の黒色樹脂層３５０と第二の意匠の凹凸形状３０４との位置精度は、成形精度による。 - 特許庁

Second front wires 9h and 9e are connected to first layer board wires 31e and 31f by board-side connection members 35e and 35f.例文帳に追加

第２表面配線９ｈ，９ｅは、第１層ボード配線３１ｅ，３１ｆと、ボード側接続部材３５ｅ，３５ｆによって接続される。 - 特許庁

At the application process S105, a first resist 150 is applied on the second layer 20 in such a way as to fill in the plurality of continuous holes 40a.例文帳に追加

塗布工程Ｓ１０５では、複数の連通孔４０ａ，・・・を埋めるように、第２層２０の上に第１レジスト１５０が塗布される。 - 特許庁

A diaphragm (1050) as a standard reflector contacts with the second gel layer and the diaphragm is connected to a driving part (1052).例文帳に追加

第２ゲル層には、標準反射体としての振動板（１０５０）が接しており、振動板は駆動部（１０５２）に連結されている。 - 特許庁

Moreover, the combination of a second PBS (polarizing beam splitter) layer to be provided at the penta prism 62 with a quarter-wave plate 22 function as an optical isolator.例文帳に追加

また、ペンタプリズム６２に設けられる第２ＰＢＳ膜とλ／４板２２を組み合わせることで、光アイソレータとして機能させる。 - 特許庁

The first and second elements are connected electrically through through holes 113X, 113Y made in the epitaxial layer 104.例文帳に追加

第１の素子と第２の素子とは、エピタキシャル層１０４に形成されたスルーホール１１３Ｘ，１１３Ｙを介して電気的に接続される。 - 特許庁

The porous insulating film 10 formed by plasma CVD using organic polysiloxane as a material includes a first layer 11 formed by plasma CVD using plasma with first electronic energy and a second layer 12 formed by the plasma CVD using plasma with second electronic energy on the first layer 11, wherein the first electronic energy is larger than the second electronic energy.例文帳に追加

本発明の多孔質絶縁膜１０は、有機シロキサンを原料とするプラズマＣＶＤによって形成されたものにおいて、第一の電子エネルギのプラズマを用いてプラズマＣＶＤによって形成された第一層１１と、第一層１１の上に第二の電子エネルギのプラズマを用いて前記プラズマＣＶＤによって形成された第二層１２とを備え、第一の電子エネルギが第二の電子エネルギよりも大きい、ことを特徴とする。 - 特許庁

The second pattern 142 has a taper pattern of a trench or hole in which a planar shape reduces as a thickness of the polishing layer 14 decreases.例文帳に追加

第２パターン１４２は、研磨層１４の厚さの減少に応じて平面形状が小さくなる溝または穴のテーパーパターンを有する。 - 特許庁

A second conductive type of first impurity diffusion region 13 is formed in a partial region of a surface of the first layer 12.例文帳に追加

第１の層１２の表面の一部の領域に第２導電型の第１の不純物拡散領域１３が形成されている。 - 特許庁

Further, the refractive index of the first optical sheet 11 and that of the second optical sheet 12 are larger than the refractive index of the optical layer.例文帳に追加

また、第１の光学シート１１および第２の光学シート１２の屈折率が、光学層の屈折率よりも高くなっている。 - 特許庁

The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加

第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁

A component mounting region 20 capable of mounting a second component 21 is provided in a surface 39 of the main surface side wiring built-up layer 31.例文帳に追加

主面側配線積層部３１の表面３９には、第２の部品２１が搭載可能な部品搭載領域２０が設定される。 - 特許庁

A second layer 102 comprising a sequence of substantially parallel interdigital strips is connected to a sequence of substantially parallel interdigital strips.例文帳に追加

ほぼ平行に交互に組み込まれたストリップの列からなる第２の層102が、ほぼ平行に交互に組み込まれたストリップの列に接続される。 - 特許庁

An image sensor comprises a first conductive type semiconductor substrate on which a trench is formed in a specified region, a second conductive type impurity region for a photo diode formed on the substrate at a lower part of the bottom surface of the trench, a second conductive type first epitaxial layer for the photo diode embedded in the trench, and a first conductive type second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer.例文帳に追加

所定領域にトレンチが形成された第１導電型の半導体基板と、前記トレンチの底面下部の前記基板内に形成されたフォトダイオード用第２導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれたフォトダイオード用第２導電型の第１のエピタキシャル層と、該第１のエピタキシャル層上に形成された第１導電型の第２のエピタキシャル層とを備えるイメージセンサが提供される。 - 特許庁

A fiber of the second tip bias layer is oriented at an angle equal to or greater than -65 degrees and equal to or smaller than -25 degrees with respect to the axis of the shaft.例文帳に追加

上記第二先端バイアス層の繊維は、シャフト軸線に対して−６５度以上−２５度以下の角度に配向している。 - 特許庁

The display panel, applicable to the display device, comprises a first substrate 100, a second substrate 200, and a display element layer 300.例文帳に追加

表示装置に適用可能な表示パネルは、第１の基板１００と、第２の基板２００と、表示素子層３００と、を備えている。 - 特許庁

The places of both the uppermost-layer portions of the first and second winding portions are connected with each other electrically via an intermediate tap 3.例文帳に追加

そして、第１巻線部および第２巻線部は、中間タップ３を通して、両表層部の箇所で互いに電気的に接続される。 - 特許庁

In the second conductivity type well 13, a driver transistor Q13 is formed, and the well 13 is connected to a source diffusion layer 18a of the driver transistor Q13.例文帳に追加

第２導電型ウェル１３は、ドライバトランジスタＱ１３が形成され、ドライバトランジスタＱ１３のソース拡散層１８ａに接続される。 - 特許庁

The melting point of the first fluoroplastic layer 2 may be made higher than the melting points of the second and third fluoroplastic layers 4 and 5.例文帳に追加

第１のフッ素樹脂層２の融点を、第２のフッ素樹脂層４及び第３のフッ素樹脂層５の融点よりも高くしてよい。 - 特許庁

Subsequently, a second belt layer 3 is cylindrically wound to be shaped corresponding to the shape of the outer peripheral surface of the belt molding drum 1.例文帳に追加

次いで２層目のベルト層３を筒状に巻き付けた後、これをベルト成形ドラム１の外周面形状に合わせて型付けする。 - 特許庁

This semiconductor substrate manufacturing method comprises a growth process for growing a second monocrystalline semiconductor 12 on a first monocrystalline semiconductor 10, a block layer formation process for forming a block layer 12a on the second monocrystalline semiconductor 12, and a stress relaxation process for producing a defective crystal 15 in a location deeper than the block layer 12, thus relaxing stress to the second monocrystalline semiconductor 12.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、第１単結晶半導体１０の上に第２単結晶半導体１２を成長させる成長工程と、第２単結晶半導体１２に阻止層１２ａを形成する阻止層形成工程と、阻止層１２ａよりも深い部分に結晶欠陥１５を発生させて第２単結晶半導体１２に作用する応力を緩和する緩和工程とを含む。 - 特許庁

In the magnetic reproducing head, leakage magnetism of a recording medium 1704 is detected from difference in voltage between a first non-magnetic conductor 101 and a first free layer 102 and voltage between a second non-magnetic conductor 103 and a second free layer 104, while a current flows to the second non-magnetic conductor 103 from the first non-conductor 101 through a fixed layer 105.例文帳に追加

磁気再生ヘッドにおいて、第一の非磁性導電体１０１から固定層１０５を介して第二の非磁性導電体１０３へ電流を流しながら、第一の非磁性導電体１０１と第一の自由層１０２との間の電圧と、第二の非磁性導電体１０３と第二の自由層１０４との間の電圧との差分から記録媒体１７０４の漏洩磁気を検出する。 - 特許庁

The light emitting device 100 is provided with a light emitting element 13 in which a first electrode 14, a functional layer 25 containing a light emitting layer 15 and a second electrode 17 are successively laminated on a substrate 12, wherein the first electrode 14 and the second electrode 17 have light reflectiveness, and the second electrode 17 has an opening 17a to pass light from the light emitting layer 15 through.例文帳に追加

基体１２上に第１の電極１４と、発光層１５を含む機能層２５と、第２の電極１７とを順次積層してなる発光素子１３を具備してなる発光装置１００であって、前記第１の電極１４及び第２の電極１７は光反射性を有しており、前記第２の電極１７は、発光層１５からの光を透過する開口部１７ａを有していることとする。 - 特許庁

The first and second boards are deformed with the stress, and the liquid crystal layer 9 in the display area has a uniform thickness.例文帳に追加

第１および第２基板は、応力によって変形しており、且つ、表示領域内の液晶層９が一定の厚さを有している。 - 特許庁

A coating film having a two-layer structure of the first and second coating layers is formed on the surface of the soft magnetic particle constituting the powder magnetic core.例文帳に追加

第１被覆層と第２被覆層との２層構造の被膜が、圧粉磁心を構成する軟磁性粒子の表面に形成される。 - 特許庁

The second portion is adjacent to one of the side surfaces of each of at least two of the plurality of layer portions.例文帳に追加

第２の部分は、複数の階層部分のうちの少なくとも２つの階層部分の各々における１つの側面に隣接している。 - 特許庁

Then, the residual magnetoresistive structure including the second antiferromagnetic layer AFM2 is formed, then subjected to a weak magnetic field (Hann) annealing process.例文帳に追加

次に、第２の反強磁性層ＡＦＭ２を含む残りの磁気抵抗構造を形成したのち、弱磁界（Ｈ_an_n ）アニール工程を行う。 - 特許庁

The second, the third and the fourth mask films are removed while the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

At least one of the first member and the second member is an optical element upon which fluorescence emitted from the phosphor layer is incident.例文帳に追加

第１の部材と第２の部材のうち少なくとも一方は、蛍光体層から発せられた蛍光が入射する光学素子である。 - 特許庁

After that, the mask layer of the second surface is removed to form an opening substrate having a resin, and a circuit board is manufactured using a subtractive technique.例文帳に追加

その後、第２面のマスク層を除去して、樹脂付き開口基板を作製し、サブトラクティブ工法を用いて、回路基板を作製する。 - 特許庁

A recording shield gap field layer 66 consisting of nonmagnetic materials is formed between the second magnetic pole 64 and the recording shield layers 68.例文帳に追加

第２の磁極６４と記録シールド層６８との間には、非磁性材料からなる記録シールドギャップ層６６が形成されている。 - 特許庁

The light-shielding layer is disposed on the positions in contact with the respective island like electrode parts on the first and the second transmission display regions in plane view.例文帳に追加

遮光層は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域の各島状電極部に接する位置に設けられている。 - 特許庁

To provide a method of producing a flat wire body having the first film and a wire layer thermally fused with the second film without being dislocated.例文帳に追加

第１フィルムおよび配線層に第２フィルムがずれることなく熱融着されたフラット配線体の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the amount of the first element existing in the damage layer becomes smaller than a predetermined threshold, end of the second FIB processing is determined.例文帳に追加

ダメージ層に存在する第１の元素の量が所定の閾値より小さくなったとき、第２のＦＩＢ加工の終了を決定する。 - 特許庁

A first cap 25 is fixed to an area above the shield layer 23 and has at least one opening leading to the second chamber 22d.例文帳に追加

第一キャップ２５は、遮蔽層２３の上方に固定され、かつ第二チャンバー２２ｄに繋がる少なくとも一つの開口部を有する。 - 特許庁

The pattern of feature with the second smaller dimensions is transferred to a material layer, formed on a lower wafer or on the wafer.例文帳に追加

次いで、第２のより小さな寸法のフィーチャのパターンを、下の基板または基板の上に形成された材料層中に転写する。 - 特許庁

A manifold layer 106 includes the first set of fingers and the second set of fingers configured within to cool hot spots in the heat source.例文帳に追加

マニホルド層内１０６には、熱源のホットスポットを冷却するためのフィンガの第１の組及びフィンガの第２の組が形成される。 - 特許庁

The ratio of the thickness t_b of the second layer 2b to the thickness t of the anodic oxide film 2 is 5% or more and 20% or less.例文帳に追加

陽極酸化皮膜２の厚さｔに対する第２の層２ｂの厚さｔ_ｂの割合が５％以上２０％以下である。 - 特許庁