「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(236ページ目) - Weblio英語例文検索

First layer wires 11s, 11d (M1) are respectively connected to the conductor plugs 13 (p1), and further second layer wires 12s, 12d (M2) for backing are connected to the first layer wires 11s, 11d (M1), on the conductor plugs 13 (p1).例文帳に追加

その導体プラグ１３（ｐ１）にそれぞれ第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）が接続され、さらにそれら第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）に対して、導体プラグ１３（ｐ１）上で裏打ち用の第２層配線１２ｓ、１２ｄが接続されている。 - 特許庁

The attaching member 10 comprises a base material 18 stuck to a separate sheet 12 through a first adhesive layer 14 so as to be separable, and a second adhesive layer 22 and a separate agent layer 24 formed on the inside surface of the base material 18.例文帳に追加

取付部材１０を、剥離シート１２に第１接着剤層１４を介して剥離可能に接着された基材１８と、前記基材１８の内側面に設けられた第２接着剤層２２及び剥離剤層２４とから構成する。 - 特許庁

In a manufacturing method of an electronic component, a laminate 10 is formed in a formation process, where the laminate has a dielectric layer 13, and a first electrode layer 15 and a second one 17 that oppose each other, while the dielectric layer 13 is sandwiched by them.例文帳に追加

本発明に係る電子部品の製造方法では、形成工程において、誘電体層１３と誘電体層１３を挟んで対向する第１の電極層１５と第２の電極層１７とを有する積層体１０を形成する。 - 特許庁

A reflection film 2, a protective film 3, a first light absorbing layer 4 absorbing light, a heat transformation layer 5 physically or chemically transformed by heat and a second light absorbing layer 6 absorbing light are sequentially formed on a supporting substrate 1.例文帳に追加

支持基板１に、反射膜２、保護膜３、光を吸収する第一の光吸収性層４、熱により物理的もしくは化学的変質を起こす熱変質層５、光を吸収する第二の光吸収性層６を順次形成する。 - 特許庁

(b) A second etching mask layer 14 is formed so as to include the first etching mask layer 12 and in order to partition the weight section formed region 4 and supporting section formed region 2 on the backside semiconductor layer 9, and etching is performed from the backside of the SOI substrate.例文帳に追加

第１エッチングマスク層１２を含んで裏面側半導体層９上に重錘部形成領域４及び支持部形成領域２を画定するための第２エッチングマスク層１４を形成し、ＳＯＩ基板の裏面側からエッチングを行なう（ｂ）。 - 特許庁

A wet-etching process is carried out for the residual substances 80, such as a heavy compound generated when patterning a second structure layer made of resin by an O_2 etching process together with a removal layer 93 located above a first structure layer 51 serving as an actuator structure 33.例文帳に追加

Ｏ_2エッチングにより樹脂製の第２の構造層をパターニングした際に発生する重化合物などの残渣８０を、アクチュエータ構造３３となる第１の構造層５１の上方に位置する除去層９３と共にウェットエッチングする。 - 特許庁

By adjusting an optical thickness of the second electrode 9 and an optical thickness of the contact layer 8, the reflectivity of the peripheral part of a part where the contact layer 8 is formed is made lower than the reflectivity of a part where the contact layer 8 is formed.例文帳に追加

さらに、第２電極の光学的厚さとコンタクト層８の光学的厚さとを調整することにより、コンタクト層８が形成された部分の周辺部分の反射率を、コンタクト層８が形成された部分の反射率よりも低下させる。 - 特許庁

The second voltage controller receives a voltage applied through the control switch and a reference voltage to output a second internal voltage, and the physical layer unit receives a request from a host with the first or second internal voltage as a voltage source.例文帳に追加

第２の電圧調節器は、制御スイッチを通じて供給される電圧と基準電圧とを受信して第２の内部電圧を出力し、物理レイヤ部は、第１の内部電圧又は第２の内部電圧を電圧源としてホストの要請を受信する。 - 特許庁

The first and second fixing tools are elastically connected to press to an opposite direction so as to forcibly contact each other between the first and second removable contaminant inhibition layer and/or the first and second sealing layers.例文帳に追加

第１と第２の固定具は、前記第１と第２の取り外し可能な汚染物質抑制層及び／または第１と第２の密封層との間で強制的に接触するように反対方向に付勢するように押すように弾性的に結合される。 - 特許庁

This device is equipped with a pair of first substrate 3 and a second substrate 4, a liquid crystal layer 5 held between the first substrate 3 and the second substrate 4, and switching electrodes comprising a first comblike electrode 1 and a second comblike electrode 2.例文帳に追加

互いに対をなす第１の基板３と第２の基板４と、この第１の基板３と第２の基板４との間に挟持された液晶層５と、第１の櫛形電極１及び第２の櫛形電極２からなるスイッチング電極を具える。 - 特許庁

The auxiliary wiring line 70 is a line which is formed by a conductive material with resistivity lower than the second electrode 62 and electrically connected to the second electrode 62, and includes a part which overlaps with the contact hole CH of the second insulating layer 42.例文帳に追加

補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて第２電極６２に電気的に接続される配線であり、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う部分を含む。 - 特許庁

The middle layer, set between the first air guide board and the second air guide board, separates gas flowing in the first grooves and gas flowing in the second grooves, and is used for sending moisture in the flowing gas in the second grooves to the first grooves.例文帳に追加

中間層は、第一導気板と第二導気板間に設置され、第一溝中を流動する気体及び第二溝中を流動する気体を隔離し、第二溝中を流動する気体中の水分を第一溝に送るのに用いられる。 - 特許庁

The conductor layer is formed as a circuit pattern 11, a first part 12 and a second part 13 are provided on the circuit pattern 11, and the first part 12 is provided at a position higher than the second part 13 with a difference in height between the first part 12 and the second part 13.例文帳に追加

導電層を回路パターン１１にし、回路パターン１１に第一部分１２及び第二部分１３を設け、第一部分１２及び第二部分１３には高度差があり、第一部分１２の高度を第二部分１３より高くする。 - 特許庁

On this occasion, oxygen concentration of the second electrode 12 is made to be changed in the film thickness direction, and the oxygen concentration in the vicinity of interface between the second electrode 12 and the functional layer 110 is made to be lower than the average oxygen concentration in the second electrode 12.例文帳に追加

この際、第２の電極１２の酸素濃度を膜厚方向で変化させ、第２の電極１２と機能層１１０との界面付近の酸素濃度が、第２の電極１２における平均の酸素濃度よりも低くなるようにする。 - 特許庁

The number of the first hole/holes and the second hole/holes is at least three in total, and a conductive film is formed in the area on the second insulation layer connecting at least three of the first hole/holes and the second hole/holes together.例文帳に追加

前記第１の孔と前記第２の孔はあわせて少なくとも３つ以上であり、前記第１の孔及び前記第２の孔の前記少なくとも３つを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される。 - 特許庁

The first shutter unit includes a first substrate part including a first transparent electrode, a second substrate part including a second transparent electrode facing the first transparent electrode, and a first liquid crystal layer provided between the first transparent electrode and the second transparent electrode.例文帳に追加

第１シャッタ部は、第１透明電極を含む第１基板部と、第１透明電極に対向する第２透明電極を含む第２基板部と、第１透明電極と第２透明電極との間に設けられた第１液晶層と、を含む。 - 特許庁

A second capacitor 240 is similarly built-in the multilayer structure, so that opposing areas of a second lower electrode 241 and a second upper electrode 242 disposed on both surfaces of the dielectric layer 43 become areas different from the prescribed area.例文帳に追加

第２コンデンサ２４０は、同じく多層配線構造に内蔵され、誘電体層４３の両面に配置された第２下部電極２４１と第２上部電極２４２との対向面積が所定面積とは異なる面積となるように形成されている。 - 特許庁

The first transistor and the second transistor are formed in a first active region and a second active region which are separated from each other, and the source region of the first transistor is electrically connected to the drain region of the second transistor through an interconnection composed of a conductive layer.例文帳に追加

第１トランジスタ及び第２トランジスタは各々互いに分離された第１及び第２活性領域に形成され、第１トランジスタのソース領域は導電層から成った配線を通じて第２トランジスタのドレイン領域と電気的に接続される。 - 特許庁

The barrier metal layer 4 comprises a first nickel layer 4a containing phosphorus and multiple layers including a second nickel layer 4b whose phosphorus content in nickel is lesser than that in the first nickel layer 4a, the first nickel layer 4a coats the peripheral part of the opening of the passivation layer 3, and the second nickel layer 4b coats the surface of the first nickel layer 4a.例文帳に追加

半導体基板１表面に形成された所定パターンの電極層２と、電極層２を被覆し、且つ該被覆領域に開口を有するパッシベーション層３と、前記開口から露出した電極層２上に形成されるバリアメタル層４とを備えた半導体素子であって、バリアメタル層４は、リンを含有する第１のニッケル層４ａと、第１のニッケル層４ａよりもニッケル中のリンの含有量が少ない第２のニッケル層４ｂとを含む多層から構成されるとともに、第１のニッケル層４ａは、パッシベーション層３の開口の周縁を被覆しており、第２のニッケル層４ｂは、第１のニッケル層４ａ表面を被覆している。 - 特許庁

This light emitting element includes a first Bragg reflection type mirror layer 103, a second Bragg reflection type mirror layer 108 formed on the side of optical projection face from the first Bragg reflection type mirror layer, and an active layer 105 located between the first Bragg reflection type mirror layer and the second Bragg reflection type mirror layer.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層１０５と、を具備する発光素子であって、前記発光素子の設計波長をλＰＬとし、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

The bipolar transistor comprises a conductive backside electrode that receives an applied bias voltage, an insulating layer located on the conductive backside electrode, and an extrinsic collector containing a base containing a first conductivity type dopant and a second conductivity type dopant adjacent to the base and further comprises an emitter provided with a semiconductor layer located on the insulating layer and a second semiconductor layer located on a part of the base and containing the second conductivity type dopant.例文帳に追加

本発明のバイポーラ・トランジスタは、バイアス電圧を受ける導電性裏側電極と、この導電性裏側電極の上に位置する絶縁層と、第１導電型のドーパントを含有するベース、およびこのベースに隣接し第２導電型のドーパントを含有する外因性コレクタを備え、さらに絶縁層の上に位置する第１半導体層と、ベースの一部分の上に位置し第２導電型のドーパントを含有する第２半導体層を備えるエミッタとを備える。 - 特許庁

The structure of the light emitting element includes between electrodes, at least an electron transporting layer, a light emitting layer containing a luminescent substance, a first region, and a second region, wherein the electron transporting layer includes the second region between the light emitting layer and the first region, the first region includes a substance containing a polycyclic condensed ring, and the second region does not include the substance containing a polycyclic condensed ring.例文帳に追加

上記課題を解決する為の薄膜発光素子の構成は、電極間に少なくとも電子輸送層、発光物質を含む発光層、第１の領域、及び第２の領域を有し、前記電子輸送層は、前記発光層と前記第１の領域との間に前記第２の領域を有し、前記第１の領域は多環縮合環を有する物質が含まれており、前記第２の領域には前記多環縮合環を有する物質が含まれていないことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

The board comprises a first insulation layer, a second insulation layer laminated on the first insulation layer, electric/electronic components buried in the second insulation layer, a wiring pattern held between the first and second insulation layers including electric/electronic component mounting lands, and an anisotropic adhesive members electroconductively held between electric/electronic component terminals and the mounting lands for electrically connecting the component terminals with the mounting lands.例文帳に追加

第１の絶縁層と、第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、第２の絶縁層に埋め込まれた電気／電子部品と、第１の絶縁層と第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、電気／電子部品の実装用ランドを含む配線パターンと、電気／電子部品の端子と実装用ランドとを電気的に接続するために、該端子と該実装用ランドとの間に挟設され電気的導通状態にされている異方性導電性接着部材とを具備する。 - 特許庁

The sensor device includes a porous insulating layer made of a porous insulating material, a first electrode formed on one surface of the porous insulating layer and having a first opening, a second electrode formed on the other surface of the porous insulating layer and having a second opening corresponding to a hole from the first opening, and a third electrode disposed in the porous insulating layer between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

絶縁物の多孔質により形成される多孔質絶縁層と、前記多孔質絶縁層の一方の面に形成される第１の開口部を有する第１の電極と、前記多孔質絶縁層の他方の面に形成される前記第１の開口部からの孔に対応した第２の開口部を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間でかつ、前記多孔質絶縁層に配置された第３の電極とを有することを特徴とするセンサデバイス。 - 特許庁

The first reinforcing band 6 and the second reinforcing bands 8 are spirally wound on the outer circumferential surface of the moisture-permeable waterproof film layer 10.例文帳に追加

第一補強帯６及び第二補強帯８は、透湿防水フィルム層１０の外周面の上に螺旋状に巻かれている。 - 特許庁

A p-type base layer 150 has a first peak, a second peak and a third peak in a thickness direction in an impurity profile.例文帳に追加

ｐ型ベース層１５０は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第１のピーク、第２のピーク、及び第３のピークを有している。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid crystal device 11 includes a step of first forming a color filter layer 54 on a second substrate 43 consisting of glass substrate, and the like.例文帳に追加

液晶装置１１の製造方法は、まず、ガラス基板等からなる第２基板４３上にカラーフィルタ層５４を形成する。 - 特許庁

The communication apparatus is provided with a second processing section 5 provided between the physical layer function section 511 and the first processing section 52 to perform predetermined processing.例文帳に追加

物理層機能部５１１と第１の処理部５２との間に設けられて、所定の処理を行なう第２の処理部５を備える。 - 特許庁

Continuously, an oxide insulating layer is formed on at least one of the surface of the first silicon substrate 10 and the surface of a second substrate.例文帳に追加

続いて、第１シリコン基板１０の表面、あるいは前記第２基板の表面の少なくとも一方に酸化絶縁層を形成する。 - 特許庁

The part of the second adhesive layer 12a irradiated with the ultraviolet rays becomes an adhesive force reduction part 12b where the adhesive force is reduced.例文帳に追加

第二粘着層１２ａのうち紫外線が照射された部分は、粘着力が低下した粘着力低下部１２ｂとなる。 - 特許庁

Column-shaped nano patterns are arranged periodically at a surface of the second conductive-type clad layer, thereby to provide a laser diode, such as a distributed feedback laser diode, to be used for applications where the wavelength is important.例文帳に追加

これにより、分布帰還型レーザーなど波長が重要な用途に使用されるレーザーダイオードを提供することができる。 - 特許庁

This thin film electro-optical deflector consists of a planar optical waveguide containing a thin ferroelectric oxide layer, a first electrode containing a conductive substrate and conductive epoxy, a second electrode connected to the planar optical waveguide, a support substrate, a clad layer adhered to the second electrode deposited on the support substrate, and a hole penetrating through the support substrate and the clad layer and connecting the second electrode to an external voltage source.例文帳に追加

薄膜電気光学偏向装置は、薄い強誘電性酸化物層を含むプレーナ光学導波路と、導電性基板及び導電性エポキシを含む第１の電極と、プレーナ光導波路に連結された第２の電極と、サポート基板と、サポート基板に堆積させられた第２の電極に付着されたクラッド層と、サポート基板及びクラッド層を通過し、第２の電極を外部電圧源へ接続する孔と、を有する。 - 特許庁

The second rotary member 92 is superior in slidability since a resin coating layer 927 is formed on a surface of the sintered body.例文帳に追加

また、第２回転部材９２では、焼結体の表面に樹脂コーティング層９２７が形成されているため、摺動性に優れている。 - 特許庁

This light emitting device 100 is provided with a light emitting element 13 in which a first electrode 14, a functional layer 25 containing a light emitting layer 15 and a second electrode 17 are successively laminated on a substrate 12, wherein the first electrode 14 and the second electrode 17 have light reflectiveness, and the second electrode 17 has an opening 17a to pass light from the light emitting layer 15 therethrough.例文帳に追加

基体１２上に第１の電極１４と、発光層１５を含む機能層２５と、第２の電極１７とを順次積層してなる発光素子１３を具備してなる発光装置１００であって、前記第１の電極１４及び第２の電極１７は光反射性を有しており、前記第２の電極１７は、発光層１５からの光を透過する開口部１７ａを有していることとする。 - 特許庁

The MOSFET semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, an epitaxial layer of the first conductivity type, a first semiconductor region of a second conductivity type and a second semiconductor region of the first conductivity type formed in the epitaxial layer, a trench formed from a surface of the epitaxial layer through the second semiconductor region and the first semiconductor region, and a gate oxide film and a gate electrode provided in the trench.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ型半導体装置が、第１導電型の半導体基板と、第１導電型のエピタキシャル層と、エピタキシャル層に設けられた第２導電型の第１半導体領域と第１導電型の第２半導体領域と、エピタキシャル層の表面から第２半導体領域と第１半導体領域を貫いて設けられたトレンチと、トレンチ内に設けられたゲート酸化膜とゲート電極とを有する。 - 特許庁

The boundary contact comprises a first conductivity type first region and a second conductivity type second region formed adjacently to each other on a semiconductor substrate, a silicide abutting on the first and second regions, an insulation layer covering a part of the silicide, a contact formed to penetrate the insulation layer thus exposing a part of the silicide, and a metal layer filling the contact and being concatenated with the silicide.例文帳に追加

半導体基板上に形成されて相互に隣接する第１導電形態の第１領域と第２導電形態の第２領域と、第１及び第２領域に接触するシリサイドと、シリサイドの一部を被覆する絶縁層と、絶縁層内に形成されて絶縁層を貫通し、シリサイドの一部を露出させるコンタクトと、コンタクト内に充填されてシリサイドに連接する充填金属層と、を具えている。 - 特許庁

The second layer is formed by coating the second coating liquid by using water vapor as a carrier on the first layer, wherein the second layer contains at least one compound selected from the group consisting of dyes and pigments and has a surface with water contact angle below 60° after the surface is contacted with a mixed solution containing water and vinyl chloride monomer in a weight ratio of 1:1 at 50°C for 1 hour.例文帳に追加

前記第二層は第一層の上に第二塗布液をキャリアーとして水蒸気を用いて塗布して形成されたもので、染料及び顔料からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有していて、その表面を水と塩化ビニル単量体とを重量比１／１で含む混合溶液と５０℃で１時間接触させた後に水接触角が６０°未満である表面を有するものである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the wiring circuit board, a second resist layer 105 is overlapped on a first resist layer 108, a first aperture 106 and a second aperture 109 of different widths are arranged on the resist layers, respectively, a plating solution is supplied to a first aperture through a second aperture, and a metal plating layer 107 is formed as metal wiring and a metal post in the first aperture.例文帳に追加

本発明に係る配線基板の製造方法は、第一のレジスト層１０８上に第二のレジスト層１０５を重ねて設け、各レジスト層にはそれぞれ異なる幅の第一の開口部１０６と第二の開口部１０９を重なるように配し、第二の開口部を通して第一の開口部にめっき液を供給し、第一の開口部内に金属配線部及び金属ポストをなす金属めっき層１０７を形成する。 - 特許庁

The thickness of the board core member is made thinner than the total sum of the thicknesses of the first and second solder resists and the board core member has a three-layer glass cloth.例文帳に追加

上記基板コア材は、厚みが上記第１と第２のソルダーレジストの厚みの総和より薄くされ、３層ガラスクロスを有する。 - 特許庁

The first chip comprises a first wiring layer and a first conductive substrate in the first side and the second side of the first chip, respectively.例文帳に追加

第１のチップが、第１のチップの第１の側と第２の側とにそれぞれ第１の配線層と第１の導電性基板とを含む。 - 特許庁

The top level of the return light 12 of a laser beam at performing recording in the second information recording layer is typically indicated in the figure 3.例文帳に追加

図３は、第２層目の情報記録層に記録している際の、レーザビームの戻り光１２のトップレベルを模式的に示したものである。 - 特許庁

The auxiliary layer has a first region covered with the magnetic dot pattern and a second region not covered with the magnetic dot pattern.例文帳に追加

補助層は、磁性ドットパターンで覆われたドット状の第１の領域と、磁性ドットパターンで覆われていない第２の領域を有する。 - 特許庁

Each of the first source/drain region 126 and the second source/drain region 146 has a silicide layer 172 formed on a surface thereof.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域１２６および第２のソースドレイン領域１４６の表面には、それぞれシリサイド層１７２が形成されている。 - 特許庁

A collector 12, that is, a metal lath MR as a gas diffusion layer for fuel cell is formed by going through a first process and a second process.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層としてのコレクタ１２すなわちメタルラスＭＲは、第１工程と第２工程を経て成形される。 - 特許庁