「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(232ページ目) - Weblio英語例文検索

The wiring board 10 comprises a first conductor 20 and a second conductor 30 whose electrical potentials are equal to each other, a dielectric layer 40 provided between the first conductor 20 and the second conductor 30, and a third conductor 50 embedded in the dielectric layer 40.例文帳に追加

配線基板１０は、電位が等しい第１の導体２０および第２の導体３０と、第１の導体２０と第２の導体３０との間に設けられた誘電体層４０と、誘電体層４０に埋設された第３の導体５０とを備える。 - 特許庁

The housing 20 includes an upper surface side first electrode 21a (upper surface side conductive layer) connected to a first wiring of the connected wiring board, and an upper surface side second electrode 21b (upper surface side conductive layer) connected to a second wiring of the connected wiring board.例文帳に追加

ハウジング２０は、被接続配線板の第１配線に接続される上面側第１電極２１ａ（上面側導電層）と、被接続配線板の第２配線に接続される上面側第２電極２１ｂ（上面側導電層）とを備えている。 - 特許庁

To provide a method capable of highly accurately measuring the film thickness of a second cell layer, a film thickness measuring apparatus, and to provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device for forming the second cell layer so as to uniformize the film thickness within a substrate surface using the film thickness measuring method.例文帳に追加

第２セル層の膜厚を、より高精度で計測可能な方法及び膜厚計測装置、並びに、該膜厚計測方法を用いて、基板面内で膜厚が均一になるように第２セル層を製膜する光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A pixel electrode 65 is formed on the surface of a second interlayer insulating layer 62 covering the source electrode 36 and conducts to the source electrode 36 via the contact hole CH2s formed in the position overlapping a portion 361 facing the gate out of the second interlayer insulating layer 62.例文帳に追加

画素電極６５は、ソース電極３６を覆う第２層間絶縁層６２の面上に形成され、この第２層間絶縁層６２のうちゲート対向部分３６１と重なる位置に形成されたコンタクトホールＣＨ2を介してソース電極３６に導通する。 - 特許庁

The print tape 30 is constituted by making a first thermal shrinkage layer consisting of a first thermal shrinkage material 32 overlie a second thermal shrinkage layer consisting of a second thermal shrinkage material 33 having a larger thermal shrinkage rate than the first thermal shrinkage material 32.例文帳に追加

印字テープ３０は、第一熱収縮材料３２からなる第一熱収縮層と、第一熱収縮材料３２と比較して熱収縮率が大きい第二熱収縮材料３３からなる第二熱収縮層とを積層した構成を有している。 - 特許庁

A laser beam L, which is a recording light, is made to follow up the top of the first rugged patterns 39 formed on a photoresist 150 of a first layer by using the aligner having a tracking mechanism and latent images 55 of the second rugged patterns are formed on a photoresist 12 of the second layer.例文帳に追加

トラッキング機構を備えた露光装置を用いて、第１層目のフォトレジスト５０に形成された第１の凹凸パターン３９上に記録光であるレーザビームＬを追従させ、第２層目のフォトレジスト１２に第２の凹凸パターンの潜像５５を形成する。 - 特許庁

At this time, an unmelted first support material is first laminated on the base stand 50, a meltable second support material is laminated on a first support material layer 60a and a material for manufacturing the three-dimensional matter 55 is further laminated on a second support material layer 60b.例文帳に追加

この際に、前記基台上に先ず非溶解の第１サポート材を積層し、第１サポート材層６０ａの上に、溶解可能な第２サポート材を積層し、さらに第２サポート材層６０ｂの上に前記3次元物体５５を作成する材料を順に積層していく。 - 特許庁

This laminate 40 has a first semiconductor layer 20 with a first opening 24 corresponding to an ion introducing region, and a second semiconductor layer 30 with a second opening 34 of an width wider than that of the first opening 24.例文帳に追加

その半導体積層４０の第１半導体層２０にイオン導入領域に対応する第１開孔２４が形成されており、第２半導体層３０に第１開孔２４の開孔幅以上の開孔幅を持つ第２開孔３４が形成されている。 - 特許庁

It further includes second conductivity type fourth semiconductor layers 4 disposed respectively to make contact with the upper portion of the third semiconductor layer, between the second semiconductor layers and first conductivity type fifth semiconductor layers 5 formed respectively on the surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

装置は更に、第２半導体層間で第３半導体層の上部と夫々接するように配設された第２導電型の第４半導体層４と、第４半導体層の表面に夫々形成された第１導電型の第５半導体層５と、を有する。 - 特許庁

The ground layer includes first conductive paste 30 filled in the opening so as to cover the ground line exposed to the bottom of the opening and second conductive paste 31 applied so as to continuously cover the first conductive paste and the second insulating layer.例文帳に追加

グランド層は、開口部の底に露出するグランドラインを覆うように開口部に充填された第１の導電性ペースト３０と、第１の導電性ペーストおよび第２の絶縁層を連続して覆うように塗布された第２の導電性ペースト３１とを備えている。 - 特許庁

The ground layer includes a first conductive paste filled in the opening so as to cover the ground line exposed on the bottom of the opening, and a second conductive paste applied so as to continuously cover the first conductive paste and the second insulating layer.例文帳に追加

グランド層は、開口部の底に露出されたグランドラインを覆うように開口部に充填された第１の導電性ペーストと、第１の導電性ペーストおよび第２の絶縁層を連続して覆うように塗布された第２の導電性ペーストとを備えている。 - 特許庁

The hydrogen 3 co-deposited thus far in the second plating layer is thermally diffused by solder 6 to reduce the oxygen of an oxidized film 4 coating the surface of the second plating layer 2b to water molecules 5 {Figure (c)} to form an intermetallic compound 7, by which soldering is effected {Figure (d)}.例文帳に追加

はんだ６により第２のめっき層２ｂに共析していた水素３が熱拡散し、第２のめっき層２ｂの表面を被覆している酸化膜４の酸素を水分子５に還元し｛図１（ｃ）｝、金属間化合物７を形成してはんだ付をおこなう｛図１（ｄ）｝。 - 特許庁

The method then includes placing an adhesive layer on the first block, placing a film having tacky properties between the adhesive layer and the first lens surface, and pressing the first block toward the first lens surface and the second block toward the second lens surface.例文帳に追加

その方法は、次に第１ブロック上に接着剤層を配置すること、接着剤層と第１レンズ面との間に粘着特性を有するフィルムを配置すること、第１ブロックを第１レンズ面に押し付けかつ第２ブロックを第２レンズ面に押し付けることを含む。 - 特許庁

An intermediate wiring layer 5 and a part of a second contact electrode 7 are formed on the first resin coat layer 3 formed at the outside of the outer rim end of the LSI chip 1 while a CSP (chip size package) pad 8 and a CSP bump 9 are formed on the second contact electrode 7.例文帳に追加

中間配線層５及び第２コンタクト電極７の一部をＬＳＩチップ１外縁端よりも外側に形成された第１樹脂コート層３上に形成し、この第２コンタクト電極７上にＣＳＰパッド８及びＣＳＰバンプ９を形成する。 - 特許庁

The display device further has a first spacer 4 which keeps thickness of an adhesion resin layer 3 for adhering the display panel 1 to the parallax barrier panel 2 constant and a second spacer 8 which keeps the cell thickness of the liquid crystal layer 7 constant and the first spacer 4 is arranged on the second spacer 8.例文帳に追加

さらに、表示パネル１と視差バリアパネル２とを接着する接着樹脂層３の厚みを一定に保つ第一スペーサー４と、液晶層７のセル厚を一定に保つ第二スペーサー８とを備え、第一スペーサー４は、第二スペーサー８上に配置されている。 - 特許庁

The image reader is provided with a second read roller 70 which is driven by a read motor, and a cleaning member 40 which is mounted on the shaft 70a of the second read roller 70 via an electromagnetic clutch and in which a reading face cleaning layer 240a and a white reference cleaning layer 240b are formed.例文帳に追加

読取モータにより駆動される第２読取ローラ７０と、第２読取ローラ７０の軸７０ａに電磁クラッチを介して装着され、読取面清浄層２４０ａおよび白基準清浄層２４０ｂが形成された清浄部材２４０と、を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 102 and a first fin FET 170 and a second fin FET 178 respectively including a first fin silicon layer 106 and a second fin silicon layer 108 formed respectively on the silicon substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０２と、シリコン基板１０２上に形成された第１のフィン型シリコン層１０６および第２のフィン型シリコン層１０８をそれぞれ含む第１のフィン型ＦＥＴ１７０および第２のフィン型ＦＥＴ１７８とを含む。 - 特許庁

A main magnetic pole of the perpendicular magnetic head for performing recording on the recording medium includes a first magnetic layer having a first magnetization direction and a second magnetic layer having a second magnetization direction different from the first magnetization direction.例文帳に追加

上記の垂直磁気ヘッドの、前記記録媒体に記録をするための主磁極が、第１の磁化方向を有する第１の磁性層と、前記第１の磁化方向と異なる第２の磁化方向を有する第２の磁性層と、を有することを特徴としている。 - 特許庁

The multilayer wiring structure is provided with a first wiring, a second wiring belonging to the wiring layer different from the wiring layer to which the first wiring belongs, and a third wiring for connecting the first wiring to the second wiring.例文帳に追加

そこで、本発明は、半導体装置の多層配線のうち、異なる配線層に属する所定の２点間を、短縮した距離で接続する接続配線を含む多層配線構造、及び、該多層配線構造中の該接続配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

In mounting on PCB 50 (mother substrate), a second conductive layer 33, which is flat, and a second conductive layer 33a for grounding can be connected easily and surely to the wiring 52 of the PCB 50 which is a mother substrate, while pushing the intermediate connector 30 by a heater chip.例文帳に追加

ＰＣＢ５０（母基板）に搭載する際、ヒーターチップで中間接続体３０を押しながら、平坦な第２導電層３３および接地用第２導電層３３ａを母基板であるＰＣＢ５０の配線５２に簡単にかつ確実に接続することができる。 - 特許庁

In this condenser, the beam made incident on the second layer 2 excites the phosphor incorporated in the first layer 1 to generate fluorescence, and is led to the emission surface 3 side while being alternately reflected with the first, second reflection surfaces 4, 7 to be converged on the emission surface 3 side.例文帳に追加

この集光器では、第二層２に入射した光が、第一層１に含まれる蛍光体を励起し、蛍光を発すると共に、第一と第二の反射面４、７を交互に反射しながら出射面３側に導かれ、出射面３側に集光される。 - 特許庁

The organic layer 16 covers at least the exposed surface of the first electrode 13 in the first opening 15A, and the second electrode 17 covers at least the organic layer 16 and the exposed surface of the auxiliary wiring 14 in the second opening 15B.例文帳に追加

有機層１６は、少なくとも第１電極１３のうち第１開口１５Ａ内の露出面を覆っており、第２電極１７は、少なくとも有機層１６を覆うと共に補助配線１４のうち第２開口１５Ｂ内の露出面を覆っている。 - 特許庁

A semiconductor wafer comprises: a substrate 10 having a first side and a second side; a fully or partially relaxed SiGe heteroepitaxial layer 20 deposited on the first side of the substrate; and a stress compensating layer 30 deposited on the second side of the substrate.例文帳に追加

第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 - 特許庁

The recording layer 18 is held between first and second dielectric layers 20, 16 and, by adjusting the materials and thickness of the recording layer 18 and the first and second dielectric layers 20, 16, the reflectance of an unrecorded part is adjusted in the range of 5% to 60%.例文帳に追加

記録層１８は第１、第２誘電体層２０、１６によって挟まれており、前記記録層１８及び第１、第２誘電体層２０、１６の素材や厚さを調整することにより、未記録部分の反射率を５％〜６０％の範囲で調整する。 - 特許庁

This thin-film magnetic head has an equidistant two-stage structure in which a first turn part of a first conductor layer and a second turn part of a second conductor layer overlap vertically along the ABS, and which has the same front distance from respective front side faces closer to the ABS.例文帳に追加

この薄膜磁気ヘッドは、第１の導体層の第１のターン部と、第２の導体層の第２のターン部とがＡＢＳに沿った上下方向に重なり、かつＡＢＳに近い前側面からＡＢＳまでの前側距離の等しい等距離二段構造を有している。 - 特許庁

The coating amount of the first gas barrier layer is 0.1-3 g/m^2 and the coating amount of the second gas barrier layer is 0.1-3 g/m^2 while the sum total of the coating amounts of the first and second gas barrier layers is preferably 0.5-5 g/m^2.例文帳に追加

前記第１ガスバリア層の塗工量が０．１ｇ／ｍ^２〜３ｇ／ｍ^２、かつ第２ガスバリア層の塗工量が０．１ｇ／ｍ^２〜３ｇ／ｍ^２であり、第１ガスバリア層と第２ガスバリア層の塗工量の合計が０．５ｇ／ｍ^２〜５ｇ／ｍ^２であるのが好ましい。 - 特許庁

An insulating film is provided in contact with the inner side face excluding the upper inner side face of the second semiconductor layer, a part between the side faces of the insulating film is turned to be a hole, and a conductive film is provided between the upper inner side faces of the second semiconductor layer so as to plug the hole.例文帳に追加

この第２の半導体層の上部内側面を除く内側面に接して絶縁膜を設け、この絶縁膜の側面間を空孔となし、この空孔に栓をするように、第２の半導体層の上部内側面間に導電膜を設ける。 - 特許庁

The conductive film modifying method comprises a first process of forming the end of a first conductive film 6 formed on the surface of an underlying layer 5 into a gentle slope, and a second process of forming a second conductive film 10 spreading over the gentle slope and the exposed part of the underlying layer 5.例文帳に追加

下地層５の表面に形成された第１の導電膜６の端部を緩斜面状に整形する工程と、この緩斜面と下地層５の露出部とに渡って第２の導電膜１０を形成する工程とによって修正を行う。 - 特許庁

The forming method of die protection layer comprises basic processes of supplying a wafer provided with a plurality of dies at the first surface of the second surface of the wafer, and forming a transparent protection layer to the first surface or the second surface provided with die.例文帳に追加

ダイ保護層の形成方法は以下の基本工程、即ち、第１表面或いは第２表面に複数のダイを具えたウエハーを提供する工程、透光保護層をダイを具えた第１表面或いはダイを具えた第２表面に形成する工程を具えている。 - 特許庁

Thus, the Zr(BH_4)_4 is adsorbed to the surface of a silicon substrate 2, i.e. the surface of a second inter-layer insulating film and the surface of first wiring, or to the surface of a hard mask and the surface of second wiring, and a monomolecular layer composed of adsorbed molecules is formed.例文帳に追加

そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。 - 特許庁

The first bent line 104 is disposed onto a dielectric material layer 102 in its state bent in a first direction 114, and the second bent line 106 is disposed onto the dielectric material layer 102 in its state bent in a second direction 116.例文帳に追加

第１の曲折線路１０４は、第１の方向１１４に曲折した状態で誘電体材料層１０２上へ配置され、第２の曲折線路１０６は、第２の方向１１６に曲折した状態で誘電体材料層１０２上へ配置されている。 - 特許庁

At a pair of resonator end-face parts of a resonator having a front end-face 140 and a rear end-face 141, end-face window regions 120 and 121 with Zn diffused therein are formed from the second second- conductivity-type clad layer 106 to the active layer 103.例文帳に追加

前端面１４０及び後端面１４１を有する共振器の一対の共振器端面部において、第２の第２導電型クラッド層１０６から活性層１０３までＺｎが拡散された端面窓領域１２０及び１２１が形成されている。 - 特許庁

This is so constituted that a layer containing a light-emitting material is formed between a first electrode and a second electrode, and a third electrode is provided that is connected to the first electrode via an aperture formed on the second electrode and the layer containing the light-emitting substance.例文帳に追加

第１の電極と、第２の電極との間に、発光物質を含む層が形成され、第２の電極と、発光物質を含む層とに形成された開口部を介して、第１の電極と接続する第３の電極が備えられている構成とする。 - 特許庁

The fixing member has a base material 40A and a surface release layer 40C,and the surface release layer contains a first fluorine resin, a second fluorine resin and particulates, and the second fluorine resin is a polytetrafluoroethylene, having a number-average molecular weight of 1×10^6 or smaller.例文帳に追加

基材４０Ａと表面離型層４０Ｃを有し、前記表面離型層は、第１のフッ素樹脂、第２のフッ素樹脂、及び粒子を含有し、前記第２のフッ素樹脂は、数平均分子量が１×１０^６以下のポリテトラフルオロエチレンである、定着部材である。 - 特許庁

At this time, a step of forming a concavity extending in the laminated direction in a first silicon layer of the first silicon substrate by a plasma of first gas and a second etching step of forming a concavity extending in a laminated direction in the adhesion layer by a plasma of second gas are executed.例文帳に追加

このとき、第１ガスのプラズマにより、上記積層方向に延びる凹部を第１シリコン基板の第１シリコン層に形成する工程と、第２ガスのプラズマにより、積層方向に延びる凹部を接着層に形成する第２エッチング工程とを実施する。 - 特許庁

In the method for producing a membrane-catalyst layer assembly, a shape-retaining film provided with holes 3a for exhausting vapor is used as the second shape-retaining film 3, and the second shape-retaining film 3 is stuck to a polymer electrolyte membrane 1 so that the holes 3a are located on a first catalyst layer 4a.例文帳に追加

第２形状保持フィルム３として蒸気排出用の孔３ａを設けた形状保持フィルムを用い、当該孔３ａが第１触媒層４ａ上に位置するように第２形状保持フィルム３を高分子電解質膜１に貼り付ける。 - 特許庁

The second AlAs layer 60 and first GaN layer 53 are patterned, a recess 53a and a projection 53b are formed, the surfaces of the first and second AlAs layers 59 and 60 are oxidized, and bottomand top-surface epitaxial masks 61 and 56 that are made of an oxide film are formed.例文帳に追加

第２のＡｌＡｓ層６０及び第１のＧａＮ層５３をパターニングして、凹部５３ａと凸部５３ｂとを形成した後、第１，第２のＡｌＡｓ層５９，６０の表面部を酸化させて、酸化膜からなる底面，頂面エピタキシャルマスク６１，５６を形成する。 - 特許庁

A first etching stopper film 2, a first insulating film 3, a second etching stopper film 4, a second insulating film 5 and inorganic anti-reflection film 6 are formed on a semiconductor substrate 1 sequentially from its lower layer, on which a resist layer 7 is formed and then subjected to a photolithographical process to form a hole pattern.例文帳に追加

半導体基板１上に、下層から順に第１エッチングストッパ膜２、第１絶縁膜３、第２エッチングストッパ膜４、第２絶縁膜５、無機反射防止膜６を成膜し、その上にフォトリソグラフィによりレジスト７を用いてホールパターンを形成する。 - 特許庁

In order to improve the adhesiveness of the second protective film 6, a second adhesion layer 7 made of titanium, titanium nitride, tantalum nitride, or chromium nitride, which does not greatly affect discharge performance, is provided, and the channel constituting member 10 is joined thereon via a resin adhesion layer 8.例文帳に追加

そこで、第２の保護膜６の密着力を上げるために、吐出性能に影響の少ないチタン、窒化チタン、窒化タンタルまたは窒化クロムからなる第２の密着層７を設けて、その上に、樹脂密着層８を介して流路構成部材１０を接合する。 - 特許庁

It is also preferable that the semiconductor light-emitting element includes: a first electrode electrically connected to the substrate or the n-type semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the current introducing layer, wherein an anode electrode serves as the first electrode and a cathode electrode serves as the second electrode.例文帳に追加

また、基板またはｎ型半導体層に電気的に接続する第１の電極と、電流導入層に電気的に接続する第２の電極とを含み、第１の電極がアノード電極であり、第２の電極がカソード電極であることが好ましい。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises first and second waveguide layers 3 and 5 consisting of transparent films and for guiding the incident light to a photoelectric conversion region 6, and the refractive index of the central second waveguide layer 5 is made higher than that of the surrounding first waveguide layer 3.例文帳に追加

固体撮像素子は、透明膜からなり入射光を光電変換領域６に導く第１、第２の導波層３、５を備え、周囲の第１の導波層３の屈折率に対して、中央の第２の導波層５の屈折率を高くしてある。 - 特許庁

A first semiconductor substrate having a structure in which a release layer is not formed at a position on which a first dividing process is performed is used so that the release layer is not exposed at an edge face of a second semiconductor substrate when the second semiconductor substrate is cut out of the first semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の半導体基板から第２の半導体基板を切り出す際に第２の半導体基板端面に剥離層が露出しないように、第１の分断処理を施す箇所に剥離層が形成されない構造の第１の半導体基板を用いる。 - 特許庁

The metal electrodes 11 and 31 have such a structure that a first principal plane-side metal layer 121 formed on the first principal plane 117 side and a second principal plane-side metal layer 122 formed on the second principal plane 118 side are joined by the communicating portion 112.例文帳に追加

金属電極１１，３１は、第１主面１１７側に形成された第１主面側金属層１２１、及び、第２主面１１８側に形成された第２主面側金属層１２２を、連通部１１２において接合した構造となっている。 - 特許庁

On a glass board 1, a plurality of layers are formed one over another; i.e., a first electrode stripe 2, a first insulating layer 3, light emission layers 4-6 emitting light of different colors, red, green, blue, a second insulating layer 7, and a second electrode stripe 8 perpendicularly intersecting the first electrode 2.例文帳に追加

ガラス基板１上に、順次、ストライプ状の第１電極２、第１絶縁層３、赤、緑、青の異なる発光色を発光する複数の発光層４〜６、第２絶縁層７、第１電極２と直交するストライプ状の第２電極８が形成されている。 - 特許庁

One end of a first lead conductor T1 is connected to a first end section 231 of the coil 23 passed under the second magnetic layer 22 and the other end of the coil 23 is led out, in the direction opposite to the first terminal 231, after passing over the second magnetic layer 22.例文帳に追加

第１のリード導体Ｔ１は、一端が第２の磁性層２２の下側を通過した第１のコイル端末２３１の端部に接続され、他端側が第２の磁性層２２の上部をとおり、第１のコイル端末２３１とは逆の方向に導出されている。 - 特許庁