「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(231ページ目) - Weblio英語例文検索

According to the above configuration, the stack of the first electrode layer having small diffusion with respect to the active layer composed of the oxide semiconductor and the second electrode layer having a low specific resistance provides excellent FET characteristics at the interface between the active layer and the electrode layer, thereby obtaining a FET that has low-resistance electrodes.例文帳に追加

上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第１の電極層と、比抵抗が小さい第２の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのＦＥＴ特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたＦＥＴを得ることが可能である。 - 特許庁

This field driven type device is provided with a substrate; a light-shielding signal line 14 formed on the substrate; a first electrode 16 formed on an upper layer of the signal line 14 on the substrate; an insulating layer formed on an upper layer of the first electrode 16 on the substrate; and a second electrode 26 formed on the upper layer of the insulating layer on the substrate.例文帳に追加

電界駆動型装置は、基板と、基板上に形成された遮光性の信号線１４と、基板上の、信号線１４より上層に形成された第１電極１６と、基板上の、第１電極１６より上層に形成された絶縁層と、基板上の、絶縁層より上層に形成された第２電極２６とを備える。 - 特許庁

The p type cladding layer 20 has a first part 2 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows; a second part 3 consisting of an AlGaInP layer doped with Zn with low concentration when it grows; and a third part 4 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows from the side of the active layer 1.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 - 特許庁

The fuel hose 10 comprises an integral configuration an inner layer 11 composed of a mixed composition comprising a fluororesin and a vinylidene fluoride type rubber, an intermediate layer 12 covering the inner layer 11 and composed of a first cross-linking rubber composition, and an outer layer 13 covering the intermediate layer 12 and composed of a second cross-linking rubber composition.例文帳に追加

燃料ホース１０は、フッ素樹脂とフッ化ビニリデン系ゴムとの混合組成物で形成された内層１１と、内層１１を被覆するように設けられ第１の架橋ゴム組成物で形成された中間層１２と、中間層１２を被覆するように設けられ第２の架橋ゴム組成物で形成された外層１３と、が一体に構成されている。 - 特許庁

The heater includes: base material; a carbon-based heating element layer provided on the base material and containing at least amorphous carbon; a first protective layer covering the carbon-based heating element layer and obtained by mixing a metal or semimetal compound in heat resistant resin body material; and a second protective layer covering the first protective layer and composed of heat resistant resin.例文帳に追加

基材と、前記基材上に設けられ、少なくともアモルファス炭素を含む炭素系発熱体層と、前記炭素系発熱体層を被覆する、耐熱樹脂体質材中に金属または半金属化合物を混合した第一の保護層と、さらに前記保護層を被覆する、耐熱樹脂からなる第二の保護層とを具備したヒータとする。 - 特許庁

The optical disk having the multilayered structure provided with a first reflective layer 12 having reflecting and transmitting functions of light and a second reflective layer 15 having only the reflecting function of light is provided with a transparent dielectric layer 13 which is arranged to be adjacent to the first reflective layer 12 and which gives multiplex interference effect to a light beam irradiating the layer 13.例文帳に追加

光の反射および透過機能を有する第１反射層１２と、光の反射機能のみを有する第２反射層１５とを備えた多層構造の光ディスクにおいて、上記第１反射層１２と隣接して配置され、照射される光線に対して多重干渉効果を与える透明誘電体層１３を備える。 - 特許庁

The antireflection layer 4 includes a layer 41 of an intermediate refractive index that serves as a base layer formed by a first composition, containing polyester resin or polyurethane resin and metal oxide particles, a layer 42 of a high refractive index, and a layer 43 of a low refractive index, formed of a second composition including organic oxide particles and porous silica particles.例文帳に追加

反射防止層４は、ポリエステル樹脂またはポリウレタン樹脂と、金属酸化物微粒子とを含む第１の組成物により形成されたベース層となる中屈折率の層４１と、高屈折率の層４２と、有機ケイ素化合物と、多孔質シリカ微粒子とを含む第２の組成物により形成された低屈折率の層４３とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device having a partial SOI structure comprises a first semiconductor layer 12 bonded to a part on a semiconductor substrate 10 through a first insulation layer 11, and a second semiconductor layer 14 grown in a region on the substrate 10 not bonded with the first semiconductor layer 12 up to the same height as that of the semiconductor layer 12.例文帳に追加

部分ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、半導体基板１０上の一部に第１の絶縁層１１を介して接着された第１の半導体層１２と、基板上１０の第１の半導体層１２が接着された領域以外に、該半導体層１２と同じ高さまで成長形成された第２の半導体層１４とを備えた。 - 特許庁

The manufacturing method of the element substrate 100 includes: a process for forming a sacrifice layer having a first pattern on a substrate 10; a process for forming a metal layer at the upper portion of the formation and non-formation regions of the sacrifice layer; and a process for forming a metal layer 34 having a second pattern by removing the sacrifice layer by heating.例文帳に追加

本発明にかかる素子基板１００の製造方法は、基板１０上に第１のパターンの犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の形成領域および非形成領域の上方に金属層を形成する工程と、加熱することにより、前記犠牲層を除去して、第２のパターンの金属層３４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

A second metal oxide layer 17, containing an oxide having a comparatively high permittivity such as titanium oxide, zirconium oxide, and ruthenium oxide, is formed on the metal oxide layer 15 on the opposite side to the semiconductor substrate 10, and a metal nitride layer 19 such as titanium nitride is formed on a metal oxide layer on the opposite side to the first metal oxide layer 15.例文帳に追加

酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ルテニウムのような比較的高い誘電率を有する酸化物を含む第二の金属酸化物層は、半導体基板の反対側にある第一の金属酸化物層の上に形成され、窒化チタンのような金属窒化物層は、第一の金属酸化物層の反対側にある金属酸化物層上に形成される。 - 特許庁

The forming method of an alpha aluminum oxide layer, along with a manufacturing method of a memory element which utilizes the same, includes a first step for forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower part film, a second step for forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and a third step for crystallizing the amorphous aluminum oxide layer.例文帳に追加

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層上に結晶質補助層を形成する第２ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化する第３ステップと、を含むことを特徴とするアルファアルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用したメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

The anode electrode 104 comprises: a third nitride semiconductor layer 143 of p-type formed on the stack of semiconductor layers 102; a first metal layer 141 that is in ohmic contact with the third nitride semiconductor layer 143; and a second metal layer 142 that contacts the first metal layer 141 and is in ohmic contact with the channel.例文帳に追加

アノード電極１０４は、半導体層積層体１０２の上に形成されたｐ型の第３の窒化物半導体層１４３と、第３の窒化物半導体層１４３とオーミック接触する第１の金属層１４１と、第１の金属層１４１と接し且つチャネルとオーミック接触する第２の金属層１４２とを有している。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic detecting element comprises the steps of laminating a ferromagnetic layer 19 and a second antiferromagnetic layer 20 on the nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness, then digging out the layer 20 to form a recess 22, and thereby forming the magnetic detecting element in which the free magnetic layer 17 can be surely formed in a single domain in the track width direction.例文帳に追加

一定の厚さで形成されている非磁性層１８上に、強磁性層１９及び第２反強磁性層２０を積層した後、第２反強磁性層２０を掘り込んで凹部２２を形成することによって、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる磁気検出素子を形成することができる。 - 特許庁

A tunnel junction 10 is provided with a first ferromagnetic layer 12 having an upper surface with a terrain including a pair of dome-shaped areas 20 and 21 and a pair of intervention reducing areas 22, an insulating layer 14 formed on the first ferromagnetic layer 12 in such a way that its upper surface 18 is substantially flat, and a second ferromagnetic layer 16 on the insulating layer.例文帳に追加

トンネル接合(10)は１組のドーム形領域(20-21)と１組の介入低下領域(22)とを含む地形構造を有する上部表面をもつ第一強磁性層(12)と、上部表面(18)が実質的に平坦になるように第一強磁性層(12)の上に形成された絶縁層(14)と、絶縁層（１４）上の第二強磁性層（16）を備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element comprises: a second conductivity-type nitride semiconductor layer 6; a light emitting layer 5; and a first conductivity-type nitride semiconductor layer 4, sequentially formed on a holding metal plate 9; and an etching marker layer 3 containing In and formed on the first conductivity-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

保持用金属板９の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層６と発光層５と第一導電型窒化物系半導体層４とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたＩｎを含むエッチングマーカー層３を含む窒化物系半導体発光素子であることを特徴としている。 - 特許庁

The device 10 further includes first and second polarizing means 13a and 13b that respectively transmit light radiated to a second face of the first substrate 11a or a second face of the second substrate 11b through the liquid crystal layer 12; and light detection means 15 for detecting light having passed through the first and second polarizing means 13a and 13b.例文帳に追加

装置１０は、第１の基板１１ａの第２の面又は第２の基板１１ｂの第２の面に向かって照射された光を、液晶層１２を間に介して透過する第１及び第２の偏光手段１３ａ、１３ｂと、第１及び第２の偏光手段１３ａ、１３ｂを透過した光を検出する光検出手段１５とを更に有する。 - 特許庁

The semiconductor device 200 comprises a semiconductor substrate (non-illustrated), a second insulating film between wires 216 that is provided on the semiconductor substrate and is composed of ladder type siloxane hydride, a second protection film 217 provided on the second insulating film between wires 216, and upper layer wiring 270 formed in the second insulating film between wires 216 and the second protection film 217.例文帳に追加

半導体装置２００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に設けられ、梯子型水素化シロキサンにより構成された第二配線間絶縁膜２１６と、第二配線間絶縁膜２１６上に設けられた第二保護膜２１７と、第二配線間絶縁膜２１６および第二保護膜２１７中に形成された上層配線２７０と、を含む。 - 特許庁

First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108.例文帳に追加

第１及び第２領域１０２，１０３が画定される半導体基板１００に第１のゲート電極１０６と第２のゲート電極１０７とを形成し、第２のゲート電極をマスクとして第２領域表層部に第２導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第１の不純物拡散領域１０８を形成する。 - 特許庁

A power transistor T2 adjoining the power transistor cell T1 has a second trench 42 formed by connecting a second first-stage trench 421 and a second second-stage trench 422 to each other, and also has a third semiconductor region (body region) 52 with a uniform width in the first semiconductor region (drift layer) 3 along an internal wall of the second first-stage trench 421.例文帳に追加

パワートランジスタセルＴ１に隣り合うパワートランジスタＴ２は、第２の一段目トレンチ４２１及び第２の二段目トレンチ４２２を連結した第２のトレンチ４２を備え、第２の一段目トレンチ４２１の内壁に沿った第１の半導体領域（ドリフト層）３に均一幅を有する第３の半導体領域（ボディ領域）５２を備える。 - 特許庁

The light emitting element includes: a conductive support member; a light emitting structure which is formed on the conductive support member, and contains a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and further contains an oxygen injection region wherein oxygen (O_2) is injected into an upper region; and an electrode on the light emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。 - 特許庁

The method comprises the steps of: forming a patterned emitter layer including a first emitter 130 that is disposed on a receptor 120 by selectively thermally transferring, onto the receptor 120, a portion of a transfer layer including the first emitter 130 that is optionally solvent-susceptible; and forming a non-patterned emitter layer including a second emitter 150 by disposing a layer including the second emitter 150 on the patterned emitter layer and the receptor 120.例文帳に追加

任意に溶媒感受性（ｓｏｌｖｅｎｔ−ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｌｅ）である、第１のエミッタ１３０を含む転写層の一部を、レセプタ１２０に選択的に熱転写して、レセプタ１２０上に配置された、第１のエミッタ１３０を含むパターニングされたエミッタ層を形成する工程と、第２のエミッタ１５０を含む層をパターニングされたエミッタ層およびレセプタ１２０上に配置して、第２のエミッタ１５０を含むパターニングされていないエミッタ層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method for hydrocracking wax comprises circulating wax from a first catalytic layer of a catalytic reaction part to a third catalytic layer in the presence of hydrogen in a fixed bed reactor equipped with a catalytic reaction part in which the first catalytic layer containing a first amorphous solid acid, a second catalytic layer containing zeolite and the third catalytic layer containing a second amorphous solid acid are arranged in this order.例文帳に追加

本発明のワックスの水素化分解方法は、第１の非結晶性固体酸を含有する第１の触媒層、ゼオライトを含有する第２の触媒層、及び第２の非結晶性固体酸を含有する第３の触媒層がこの順序で配置された触媒反応部を備える固定床反応装置において、水素の存在下、ワックスを、触媒反応部の第１の触媒層から第３の触媒層に向けて流通させることを特徴とする。 - 特許庁

In a charge coupled device having a first layer of polysilicon electrodes 2 formed through an insulation film on a semiconductor and a second layer of polysilicon electrodes 4 electrically insulated from the first layer of electrodes 2 and formed through an insulation film on the semiconductor, a charge transfer part is formed by pairing two polysilicon electrodes 2a, 2b in the first layer with one polysilicon electrode 4 in the second layer.例文帳に追加

半導体上に絶縁膜を介して形成された第１層目のポリシリコン電極２と、この第１層目のポリシリコン電極と電気的に絶縁され、半導体上に絶縁膜を介して形成された第２層目のポリシリコン電極４とによって形成される電荷転送装置において、電荷転送部を、２つの第１層目のポリシリコン電極２ａ、２ｂと、１つの第２層目のポリシリコン電極４とを対にすることにより形成する。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor substrate includes a first processing step for polishing the metal layer on a barrier layer, a second processing step for oxidizing the metal layer left on the insulating layer by supplying an oxidizing processing liquid after the first processing step, and a third processing step for polishing the oxidized metal layer with a chemical/mechanical water system dispersing element after the second processing step.例文帳に追加

本発明の半導体基板の処理方法は、バリア層上の金属層を研磨する第１の処理工程と、前記第１の処理工程後において、前記絶縁層の上に残留する金属層を、酸化性の処理液を供給することにより酸化させる第２の処理工程と、前記第２の処理工程後において、酸化処理された金属層を、化学機械研磨用水系分散体を用いて研磨する第３の処理工程と、を含む。 - 特許庁

The steel cord 10 has a three-layer structure obtained by successively twisting a first layer A composed of three wires 11, a second layer B positioned on the outer periphery side thereof and including nine wires 12, and a third layer C positioned on the outer periphery side of the second layer B and including fifteen wires 13.例文帳に追加

３本の素線１１からなる第１層Ａと、その外周側に９本の素線１２を含む第２層Ｂと、第２層Ｂの外側に１５本の素線１３を含む第３層Ｃとを順次撚り合わせてなる３層構造のスチールコード１０において、第１層Ａと第２層Ｂとの間に未加硫ゴム配合物Ｒを挿入し、未加硫ゴム配合物Ｒの断面積Ｓを下式（１）及び（２）にて表される最小値Ｓ_min 及び最大値Ｓ_max に対してＳ_min ≦Ｓ≦Ｓ_max の関係にする。 - 特許庁

The chemical filter medium comprises a first ozone adsorption layer for eliminating ozone formed with a first filter medium for eliminating ozone, a first nitrogen oxide adsorption layer for eliminating nitrogen oxides formed with a filter medium for eliminating nitrogen oxides and which is laminated on the first ozone adsorption layer, and a second ozone adsorption layer for eliminating ozone formed with a second filter medium for eliminating ozone and which is laminated on the first nitrogen oxide adsorption layer.例文帳に追加

第１のオゾン除去用濾材で形成されオゾンを除去するための第１オゾン吸着層と、前記第１オゾン吸着層上に積層され、窒素酸化物除去用濾材で形成され窒素酸化物を除去するための第１窒素酸化物吸着層と、前記第１窒素酸化物吸着層上に積層され、第２のオゾン除去用濾材で形成されオゾンを除去するための第２オゾン吸着層と、を含む化学フィルタ媒体である。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes a first electrode in which an electron transport layer composed of an electron transport compound carrying a photosensitive compound is installed on a conductive substrate, a second electrode facing the electron transport layer of the first electrode, and a hole transport layer composed of a hole transport compound between the electron transport layer and the second electrode, wherein the hole transport layer is installed in a supercritical state or a subcritical state.例文帳に追加

導電性基板上に光増感化合物を担持した電子輸送性化合物からなる電子輸送層が設けられた第一電極と、前記第一電極の電子輸送層と対峙する第二電極と、前記電子輸送層と前記第二電極との間にホール輸送性化合物からなるホール輸送層を備えた光電変換素子であって、前記ホール輸送層を超臨界状態または亜臨界状態にて設ける。 - 特許庁

The electrolyte membrane has a first electrolyte layer having ion conductivity, a second electrolyte layer which has the ion conductivity, and which is thicker, or larger in the ion-exchange equivalent, or larger in the number average molecular weight than that the first electrolyte membrane has when methanol is brought into contact with the surface, and a porous layer into which an ion conductive electrolyte formed between the first electrode layer and the second electrode layer is impregnated.例文帳に追加

イオン導電性を有する第１の電解質層と、イオン導電性を有し、表面にメタノールを接触させた場合に、前記第１の電解質層よりも厚いまたは、イオン交換当量の大きいまたは、数平均分子量が大きい第２の電解質層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に形成されるイオン導電性の電解質を含浸させた多孔質層とを有する電解質膜である。 - 特許庁

In the method of manufacturing the ferroelectric capacitor, the first ferroelectric layer is formed on one electrode of a pair of electrodes at a temperature not lower than crystallization temperature at which the first ferroelectric layer has a crystallization structure showing ferroelectricity; and then, the second ferroelectric layer is formed on the first ferroelectric layer at a temperature less than crystallization temperature at which the second ferroelectric layer has the crystallization structure showing the ferroelectricity.例文帳に追加

一対の電極における一つの電極上に、第１強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度以上の温度で該第１強誘電体層を形成した後、該第１強誘電体層の上に、第２強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度未満の温度で該第２強誘電体層を形成する強誘電体キャパシタの製造方法。 - 特許庁

In the optical disk, the DVD recording layer on a first base are read through a light passing layer, a second base, and an adhesive layer, and the BD recording layer on the second base is read through a light passing layer.例文帳に追加

第１の基板のＤＶＤ記録層は、光透過層、第２の基板及び接着剤層を透して読み出され、第２の基板のＤＶＤ記録層は、光透過層及び第２の基板を透して読み出され、第２の基板のＢＤ記録層は、光透過層を透して読み出される光ディスクであって、第１の基板のＤＶＤ記録層におけるピット幅をＷとし、このＤＶＤ記録層上に形成された反射膜の厚さをＴとしたとき、以下の関係が成立している。 - 特許庁

To suppress an overflow carrier being leaked, as a minor carrier, from a first semiconductor layer to a second semiconductor layer over a junction barrier having lower impurity doping concentration in a semiconductor device, where a first semiconductor layer with a prescribed band gap and a second semiconductor layer having a band gap that is the same or larger than the first semiconductor layer are joined with each other.例文帳に追加

本発明は、所定のバンドギャップを有する第１の半導体層と、これと同一又はこれより大きなバンドギャップを有する第２の半導体層とを互いに接合してなる半導体素子において、第１の半導体層から第２の半導体層へ、接合障壁を越えて少数キャリアとして漏れて行くオーバーフローキャリアを、少ない不純物添加濃度において抑圧することが可能な半導体素子および半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An electronic component-incorporating substrate incorporating a passive component in a resin substrate having a plurality of layers of wiring wherein the passive component is arranged in an insulating layer existing between a first wiring layer which is electrically connected with the passive component and a second wiring layer which is proximate to the first wiring layer, and the second wiring layer has an opening larger than the mounting area of the passive component.例文帳に追加

複数層の配線を有する樹脂基板内に受動部品を内蔵してなる電子部品内蔵基板であって、前記受動部品は前記受動部品と電気的に接続される第１配線層と前記第１配線層に近接する第２配線層との間に存在する絶縁層内に配置され、前記第２配線層は少なくとも前記受動部品の実装面積より大きな開口部を有する電子部品内蔵基板である。 - 特許庁

Of the electrode board for the dye-sensitized solar cell provided with a transparent base material, and a transparent electrode formed on one face of the transparent electrode, the transparent electrode is equipped with a transparent first conductive layer made of metal oxide formed on the transparent base material, a second conductive layer made of a metal formed on the first conductive layer, and a third conductive layer made of carbon formed on the second conductive layer.例文帳に追加

透明基材と、透明基材の片面に形成された透明電極とを有する色素増感型太陽電池用電極基板であって、その透明電極が、透明基材の上に形成された金属酸化物製の透明な第１導電層、第１導電層の上に形成された金属製の第２導電層、及び、第２導電層の上に形成されたカーボン製の第３導電層を有することにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

Letting the optical film thickness of the film existing between the second multilayer reflection layer 16 and the anode electrode 22 be a first optical film thickness Lopt1 and the optical film thickness of the first optical resonance layer 14 be a second optical film thickness Lopt2, Lopt1 and Lopt2 are different.例文帳に追加

第２の多層反射層１６とアノード電極２２の間に有る膜の光学膜厚を第１の光学膜厚Ｌｏｐｔ１とし、第１の光共振層１４の光学膜厚を第２の光学膜厚Ｌｏｐｔ２とすると、Ｌｏｐｔ１とＬｏｐｔ２は異なる。 - 特許庁

The light receiving part is provided with the photodetector arranged base on an incident region of the second reflection light when the focus is positioned at a position near the first layer and an incident region of the first reflection light when the focus is positioned at a position near the second layer.例文帳に追加

受光部には、焦点が第１レイヤの近傍に位置するときの第２反射光の入射領域、および、焦点が第２レイヤの近傍に位置するときの第１反射光の入射領域に基づいて配置された受光素子が設けられている。 - 特許庁

This nasal support device for supporting the outer surfaces of first and second outer vestibular walls of the nose of a horse is equipped with a support layer placed to structurally support the first and second outer vestibular walls and a combination layer to fix the device to the nose of a domestic animal.例文帳に追加

馬の鼻の、第一及び第二の外側前庭壁の外表面を支持する鼻支持装置であって、第一及び第二の外側前庭壁を構造的に支持するよう配置された支持層と、装置を家畜の鼻に固定する結合層とを備える。 - 特許庁

The electronic circuit module 1 includes a first ceramic multi-layer wiring board 2 having a cavity 6, a second ceramic multi-layer wiring board 4 hermetically sealing the cavity 6 and chip components 5 mounted on a first mounting surface 2a and a second mounting surface 4a.例文帳に追加

本発明の電子回路モジュール１は、キャビティ６を有する第１のセラミック多層配線板２、キャビティ６を気密封止する第２のセラミック多層配線板４および第１の実装面２ａおよび第２の実装面４ａに実装されるチップ部品５を備える。 - 特許庁

In both terminal portions of a center electrode 21 in the second layer, electrode thickness is enlarged by a charging electrode 25b formed within an opening 51b of an insulating film 51 formed on the side of an upper surface in both the terminal portions of the center electrode 21 in the second layer.例文帳に追加

第２層目の中心電極２１の両端部は、第２層目の中心電極２１の両端部の上面側に形成された絶縁膜５１の開口部５１ｂ内に形成されている充填電極２５ｂにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁

Next, an interlayer insulation film 108 is formed so as to form porosities 107 relative to the first metal layer 103 as the first wiring, and the surface is flattened to form a second wiring connected to a plug composed of the second metal layer 104.例文帳に追加

その後、第１の配線である第１の金属層１０３の間に空孔１０７が形成されるように層間絶縁膜１０８を形成し、その表面を平坦化して第２の金属層１０４からなるプラグに接続される第２の配線を形成する。 - 特許庁

A volume coefficient of the second phase which is mainly made of SiO_2 in the external cover dielectric material layer to form the monolithic ceramic capacitor is less than that of the second phase which is mainly made of SiO_2 in the dielectric material ceramic layer composing the effective dielectric material.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサを構成する外部カバー誘電体層中のＳｉＯ_２を主成分とする２次相の体積分率が、有効誘電体部を構成する誘電体セラミック層中のＳｉＯ_２を主成分とする２次相の体積分率よりも少ない。 - 特許庁

The respective ends of the first and second layer parts 31 and 34 are connected to each other by connecting parts 31a and 34a, and the respective other end of the first and second layer pats 31 and 34 are connected to each other by connecting parts 31b and 34b.例文帳に追加

第１層部分３１と第２層部分３４の一方の各端部は接続部３１ａ，３４ａによって互いに接続され、第１層部分３１と第２層部分３４の他方の各端部は接続部３１ｂ，３４ｂによって互いに接続されている。 - 特許庁

This organic EL element has a first electrode 20, an organic compound layer 22 and a second electrode 24, all provided in a luminescent area on a substrate, with a current supplied from a source of current to the organic compound layer 22 via the first and second electrodes 20, 24.例文帳に追加

発光領域において基板上には第１電極２０、有機化合物層２２、第２電極と２４を備え、第１及び第２電極２０、２４を介して有機化合物層２２に電流源からの電流を供給する有機ＥＬ素子である。 - 特許庁

The stack-type semiconductor device 1 is provided with: a first semiconductor element 5 adhered onto a circuit board 2 through a first adhesive layer 6; and a second semiconductor element 8 adhered onto the first semiconductor element 5 through a second adhesive layer 9.例文帳に追加

積層型半導体装置１は、回路基板２上に第１の接着層６を介して接着された第１の半導体素子５と、第１の半導体素子５上に第２の接着層９を介して接着された第２の半導体素子８とを具備する。 - 特許庁

The waveguide substrate includes a waveguide path which is formed of a dielectric plate having a first conductor layer formed on one surface and a second conductor layer formed on the other surface, and a conductive part which penetrates the dielectric plate and brings the first and second conductor layers into conduction.例文帳に追加

導波路基板は、一面に第１導体層が形成され他面に第２導体層が形成された誘電体板と、該誘電体板を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを導通させる導通部とで形成された導波路を含む。 - 特許庁

A transparent first electrode 13, an organic EL (electroluminescent) layer 14 and a second electrode 15 are sequentially stacked on a glass substrate 12, and an insulating protective film 16 for protecting the EL layer 14 from oxygen and moisture is formed outside the second electrode 15.例文帳に追加

ガラス基板１２上に透明な第１電極１３と、有機ＥＬ層１４と、第２電極１５とが順に積層され、かつ第２電極１５より外側に有機ＥＬ層１４を酸素及び水分から保護する絶縁性の保護膜１６が形成されている。 - 特許庁