「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(233ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a second liquid crystal mixture material prepared by adding a polymerization initiator to a hardening type liquid crystal material is deposited on the first cholesteric layer 13' and the second liquid crystal mixture material is aligned by the alignment regulating force of the first cholesteric layer 13'.例文帳に追加

その後、形成された第１コレステリック層１３′上に、硬化型液晶材料中に重合開始剤が添加された第２液晶混合材料を成膜し、第１コレステリック層１３′の配向規制力により第２液晶混合材料を配向させる。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a channel layer mainly containing InGaAs, a Schottky layer mainly containing AlGaAs, a stopper layer mainly containing InGaP, a cap layer including a first region and a second region arranged with a recess for exposing a surface of the Schottky layer formed therebetween, a source/drain electrode arranged on the cap layer, and a gate electrode arranged on the surface of the Schottky layer exposed by the recess.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主要な材料とするチャネル層と、ＡｌＧａＡｓを主要な材料とするショットキー層と、ＩｎＧａＰを主要な材料とするストッパ層と、ショットキー層の表面を露出するリセスを挟んで配置された第１領域と第２領域とを含むキャップ層と、キャップ層の上に設けられたソース／ドレイン電極と、リセスによって露出されたショットキー層の表面に設けられたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

The organic thin film solar cell element comprises a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a photoelectric conversion layer formed on the first electrode layer, and a second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer oppositely to the first electrode layer wherein the photoelectric conversion layer contains fullerene nano whisker.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成される光電変換層と、上記光電変換層上に形成され、上記第１電極層と対向する電極である第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池素子であって、上記光電変換層が、フラーレンナノウィスカを含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 - 特許庁

The hybrid heat dissipation substrate 100 includes: a metal core layer 110 having a cavity 115 formed in the thickness direction from an outer surface; a resin core layer 130 formed in the cavity 115; an insulation layer 120 formed on outer surfaces of the metal core layer 110; and a circuit layer 140 including a first circuit pattern 141 formed on the insulation layer 120, and a second circuit pattern 142 formed on the resin core layer 130.例文帳に追加

本発明のハイブリッド型放熱基板１００は、外面から厚さ方向に形成されたキャビティ１１５を有する金属コア層１１０と、キャビティ１１５に形成された樹脂コア層１３０と、金属コア層１１０の外面に形成された絶縁層１２０と、絶縁層１２０に形成された第１回路パターン１４１、および樹脂コア層１３０に形成された第２回路パターン１４２を含む回路層１４０とを含んでなる。 - 特許庁

A first N+ gallium arsenide layer 3 is provided on a germanium substrate 1, an N-type gallium arsenide layer 4 and a second N+ gallium arsenide layer 5 are laminated on this layer 3 in such a way that this layer 3 is exposed, an anode electrode 7 is connected on the exposed part of the above layer 3, and a cathode electrode 6 is connected on the layer 5.例文帳に追加

ゲルマニウム基板１上に、第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３を設け、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３上に、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３が露出するようにｎ型ガリウム砒素層４、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５を積層して設け、前記第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３の露出部分にアノード電極７を接続して設けると共に、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５上にカソード電極６を接続して設ける。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlaminar insulation layer 36 formed above a semiconductor substrate 10, a wiring layer 70, which is formed above the first interlaminar insulation layer 36 and includes a fuse 20 which can be fused by a laser beam, a first protection layer 40 formed on the wiring layer 70 constituting the fuse 20 and a second interlaminar insulation layer 38 formed on the first protection layer 40.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１０の上方に形成された第１層間絶縁層３６と、前記第１層間絶縁層３６の上方に形成された、レーザ光により溶断可能なヒューズ２０を含む配線層７０と、前記ヒューズ２０を構成する配線層７０の上方に形成された第１保護層４０と、前記第１保護層４０の上方に形成された第２層間絶縁層３８と、を備える。 - 特許庁

The liquid crystal display has a first substrate, a second substrate provided so as to be opposed to the first substrate and a perpendicular alignment type liquid crystal layer provided between the first and the second substrates and is provided with a plurality of pixels each of which includes a first electrode formed on the first substrate, a second electrode formed on the second substrate and the liquid crystal layer provided between the first and the second electrodes.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第１基板と、第１基板に対向するように設けられた第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた垂直配向型の液晶層とを有し、それぞれが、第１基板上に形成された第１電極と、第２基板上に形成された第２電極と、第１電極と第２電極の間に設けられた液晶層とを含む複数の画素を備えている。 - 特許庁

The particle in which the tactile sensation is concealed has a core containing an active component, an arbitrarily disposed first coating layer containing a taste concealing agent to nearly cover the core and a second coating layer nearly covering the surface of the first coating layer or the core.例文帳に追加

触感が隠蔽された粒子は、活性成分を含むコアと、コアをほぼ覆う味隠蔽剤を含む任意に設けられる第１のコーティング層と、第１のコーティング層またはコアの表面をほぼ覆う第２のコーティング層とを有する。 - 特許庁

By introducing an impurity of a second conductivity type between a first main surface 10a and the adjustment layer 8 on the side wall 3a of the trench 3, a channel layer 4a is formed such that extension in a depth direction is suppressed by the adjustment layer 8.例文帳に追加

そして、トレンチ３の側壁３ａにおいて第１主面１０ａと調整層８との間に第２導電型の不純物を導入することで、チャネル層４ａを、調整層８によって深さ方向への広がりを抑えつつ形成している。 - 特許庁

The encrypted image used for authentication comprises: a first encrypted image which can be opened by only a server of any one layer of the authentication system having a plurality of layers; and a second encrypted image which can be opened by only a server of another layer distinguished from the layer.例文帳に追加

認証に使用する暗号化イメージが,複数の階層を持つ認証システムで一つの階層のサーバだけが開封できる第1暗号化イメージ;上記階層と異なる他の階層のサーバだけが開封できる第2暗号化イメージ;を含む。 - 特許庁

In the thermal head 10, a glaze layer 12 is formed on a support substrate 11, the single heater constituted of a first electrode 14, a second electrode 15, and a belt-like exothermic section 16 is formed on the glaze layer 12, and the whole body is covered by a protecting layer 17.例文帳に追加

サーマルヘッド１０では、支持基板１１上にグレーズ層１２が形成され、グレーズ層１２上に、第１の電極１４、第２の電極１５および帯状の発熱部１６から成る単一ヒータが形成され、全体が保護層１７で被覆される。 - 特許庁

A light-emitting device comprises a light-emitting portion 2, a first fluorescent layer 3 containing an inorganic fluorophor 3b provided on the light-emitting portion 2, and a second fluorescent layer 4 containing an organic phosphor 4b provided on the first fluorescent layer 3.例文帳に追加

発光部２と、発光部２上に設けられ無機蛍光体３ｂを含有する第１の蛍光層３と、第１の蛍光層３上に設けられ有機蛍光体４ｂを含有する第２の蛍光層４とを備えることを特徴とする発光装置。 - 特許庁

The composite includes at least a first polymeric layer formed on a substrate and a second polymeric layer over the first polymeric layer.例文帳に追加

該複合材料は、少なくとも、基板上に形成された第一重合体層と、該第一重合体層の上の第二重合体層とを含み、ここで、ホウ素含有化合物なしでは、該第一重合体層および該第二重合体層は、層間接着性が乏しい。 - 特許庁

A negative electrode 5 comprising a first conductive layer 5a with a graphite particle as a main constituent and a second one 5b with a silver particle as a main constituent is formed on the electrolyte layer 4 so that the periphery of the electrolyte layer 4 is covered.例文帳に追加

電解質層４上には、電解質層４の周囲を覆うように、グラファイト粒子を主成分とする第１導電層５ａと、銀粒子を主成分とする第２導電層５ｂとから構成されている陰極５が形成されている。 - 特許庁

Since the band gap of the intermediate layer can be changed by changing the compositional ratio, the hetero-barrier of the interface between the first and second clad layers and the intermediate layer can be shortened in comparison with the case of using the GaAs semiconductor for the intermediate layer.例文帳に追加

中間層は組成比を変化させることによってバンドギャップを変化できるので、中間層にＧａＡｓ半導体を使用する場合に比べて、第１のおよび第２のクラッド層と中間層との界面のヘテロ障壁が縮小される。 - 特許庁

In addition, the second main surface of the laminate 50 is covered with a rear-surface reflecting layer 10 composed of a metal and no jointing alloyed layer for reducing contact resistance is arranged between the rear-surface reflecting layer 10 and the laminate 50.例文帳に追加

そして、半導体積層体５０の第二主表面はが金属からなる裏面反射層１０にて覆われ、かつ、裏面反射層１０と半導体積層体５０との間には、接触抵抗低減用の接合合金化層が非配置となっている。 - 特許庁

The composition ratio of the intermediate layer is changed to change a band gap, so that a hetero barrier on the boundary between the first and second clad layers and the intermediate layer can be reduced as compared when a GaAs semiconductor is used as an intermediate layer.例文帳に追加

中間層は組成比を変化させることによってバンドギャップを変化できるので、中間層にＧａＡｓ半導体を使用する場合に比べて、第１のおよび第２のクラッド層と中間層との界面のヘテロ障壁が低減される。 - 特許庁

The sheet carrier concentration and mobility of the semiconductor layer group 14 composed of the first semiconductor layer 3 and the second semiconductor layer 12 at room temperatures are set at 5×10^12/cm^2 or above and 1300cm^2/(Vs) or above, respectively.例文帳に追加

そして、第１の半導体層３及び第２の半導体層１２からなる半導体層群１４の、室温におけるシートキャリア濃度及び移動度をそれぞれ５×１０^１２／ｃｍ^２以上及び１３００ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上に設定する。 - 特許庁

The conductive board has a first conductive layer formed in a mesh form and a second conductive layer structured of conductive resin covering the first conductive layer laminated in that order at least on one face of the board.例文帳に追加

本発明の導電性基板は、基板の少なくとも片面に、網目状に形成された第１導電層と、第１導電層を覆う導電性樹脂で構成された第２導電層とがこの順に積層されたことを特徴とするものである。 - 特許庁

The oxygen separation membrane 10 is made to a composition gradient structure in which a first layer 12 with a small reduction expansion ratio and a low oxygen permeation performance and a third layer 16 are superposed on a second layer 14 with a large reduction expansion ratio and a high oxygen permeation performance.例文帳に追加

酸素分離膜１０は、還元膨張率が大きく且つ酸素透過性能の高い第２層１４に、還元膨張率が小さく且つ酸素透過性能の低い第１層１２，第３層１６が積層された組成傾斜型になる。 - 特許庁

A method for recording a magnetic memory cell comprises a step of disposing a write line 3 near a side face of the magnetoresistance effect element 2 of a structure, in which a nonmagnetic layer 23 is interposed between a first magnetic layer 21 and a second magnetic layer 22 each having an axis of easy magnetization in a film surface perpendicular direction via an insulating film.例文帳に追加

膜面垂直方向に磁化容易軸を持つ第１磁性層２１及び第２磁性層２２で非磁性層２３を挟んだ構造の磁気抵抗効果素子２の側面近傍に、絶縁膜を介して書込み線３を配置する。 - 特許庁

A first polarizing and selective reflecting layer 3 and a straight polarizing plate 5 are laminated on the outside of the glass substrate 2, and a λ/4-phase difference plate 6, a second polarizing and selective reflecting layer 7 and a visible light absorbing layer 8 are laminated on the outside of a negative electrode 16.例文帳に追加

ガラス基板２の外側には第１偏光選択反射層３及び直線偏光板５が積層され、陰極16の外側にはλ／４位相差板６、第２偏光選択反射層７及び可視光吸収層８が積層されている。 - 特許庁

A flexible circuit board 1 includes an insulation layer 2 having a first surface 2a and a second surface 2b facing away from each other, and a wiring layer 3 consisting of patterned conductors and arranged on the first surface 2a of the insulation layer 2.例文帳に追加

フレキシブル回路基板１は、互いに反対側に向いた第１の面２ａおよび第２の面２ｂを有する絶縁層２と、パターン化された導体よりなり絶縁層２の第１の面２ａ上に配置された配線層３とを含んでいる。 - 特許庁

The power supply wiring TP1 includes a layer formed from the same layer as the semiconductor layer and has a first portion TP1A formed on the surface of the insulating film II4 and a second portion TP1B formed in the recess.例文帳に追加

上記電源供給配線ＴＰ１は、半導体層と同一の層から形成された層を含み、かつ絶縁膜ＩＩ４の表面上に形成された第１の部分ＴＰ１Ａと、凹部内に形成された第２の部分ＴＰ１Ｂとを有している。 - 特許庁

As material of the source electrode layer or the drain electrode layer after a second layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, alloy with the elements as constituents, or alloy or the like obtained by combining the elements is used.例文帳に追加

二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁

Inside the trench 106, a second conductivity-type embedded layer 108 is then formed from a bottom face of the trench 106 and further, a gate electrode 109 is formed to face the well layer 102 via the insulating film 107 from above the embedded layer 108.例文帳に追加

次に、トレンチ１０６内部に、トレンチ１０６底面から第二導電型の埋め込み層１０８を形成し、さらに埋め込み層１０８上からウェル層１０２と絶縁膜１０７を介して対向するようにゲート電極１０９を形成する。 - 特許庁

The carrier is formed by coating a core material with a coating resin, wherein the coating resin includes the first coating resin layer coating the outer circumference of the core material and containing a metal oxide and a second coating resin layer coating the outer circumference of the first coating resin layer.例文帳に追加

コア材にコート樹脂を被覆したキャリアにおいて、前記コート樹脂は、コア材の外周を被覆し、金属酸化物を含有する第１のコート樹脂層と、第１のコート樹脂層の外周を被覆する第２のコート樹脂層とを含むようにする。 - 特許庁

First VDD wiring 1 is provided at a first wiring layer, and first VSS wiring 2 is provided at a second wiring layer which is located above the first wiring layer so as to vertically face the first VDD wiring 1.例文帳に追加

第１の配線層に第１のＶＤＤ配線１が設けられていると共に、第１の配線層の上側に位置する第２の配線層に第１のＶＳＳ配線２が、第１のＶＤＤ配線１と上下に向かい合うように設けられている。 - 特許庁

An EL device part 10 comprises a first sintered ceramic dielectric layer 13 with high dielectric constant, a second sintered ceramic dielectric layer 14 with high dielectric constant, and an EL light emitting layer 16 interposed between an Au electrode 12 and an ITO transparent electrode 19.例文帳に追加

ＥＬ素子部１０は、Ａｕ電極１２とＩＴＯ透明電極１９上に挟まれた第１高誘電率セラミック焼結誘電体層１３、第２高誘電率セラミック焼結誘電体層１４およびＥＬ発光層１６を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which reduces a current leakage via a clad layer and prevents the diffusion of an injected carrier in between a core layer in a region having a first function and a core layer in a region having a second function.例文帳に追加

半導体素子において、クラッド層を経由する電流リークを低減するとともに、第１の機能を有する領域のコア層と第２の機能を有する領域のコア層との間で、注入されたキャリアが拡散してしまうのを抑制する。 - 特許庁

The light detector 20 includes the combination of almost plane-shaped semiconductor layers including a light detector activating layer 36 in which lights are converted into electric outputs, and also includes a first outside electric contact layer 34 and a second outside electric contact layer 42.例文帳に追加

光検出器は、光が電気的出力に変換される光検出器活性層３６を含むほぼ平面状の半導体層の組合せを含むとともに、第１外側電気的コンタクト層３４と第２外側電気的コンタクト層４２とを含む。 - 特許庁

The first layer of the rotor plate 34 on the side facing the stator substrate 36 of a drum motor section 16 is formed of a silicon steel sheet and the entire part of the rear surface of the first layer is covered by a second layer formed of insulating material.例文帳に追加

ロータプレート３４はドラムモータ部１６のステータ基板３６に対向する側の第１層４０がけい素鋼板により形成され、第１層４０の裏面全体が絶縁材料によって形成される第２層４２によって被覆されている。 - 特許庁

The liquid crystal panel 2 has a plurality of pixel rows arranged repeatedly in the order by a pixel 4L displaying a first image, a shading layer 14a, a pixel 4R displaying a second image, a shading layer 14b wider than the shading layer 14a.例文帳に追加

液晶パネル２は、第１の画像を表示する画素４Ｌと、遮光層１４ａと、第２の画像を表示する画素４Ｒと、遮光層１４ａより幅の広い遮光層１４ｂと、がこの順に繰り返し配列された画素列を複数有する。 - 特許庁

At least the surface in contact with the magnesium alloy member 20 in a binding member 1 is coated with a first coating layer 11 by electrodeposition coating, and a second coating layer 12 in which PTFE (polytetrafluoroethylene) particles are dispersed over the surface of the first coating layer 11.例文帳に追加

締結部材１の少なくともマグネシウム合金部材２０と接触する表面に、電着塗装による第１の被覆層１１と、この第１の被覆層１１上にＰＴＦＥ粒子を分散させた第２の被覆層１２とを被覆させる。 - 特許庁

An optical film structure includes a base board and a multilayer film structure formed on the base board, and the multilayer film structure has the first refraction matching layer, the second refraction matching layer and the third layer, with these layers being sequentially laminated, in this order, from the nearest position to the base board.例文帳に追加

光学フィルム構造は、基板と、前記基板上に形成された多層膜構造とを含み、前記多層膜構造は、前記基板に最も近い位置から順に第一屈折整合層と第二屈折整合層と第三層とを積層してなる。 - 特許庁

To prevent an information reproducing signal or a servo signal from being affected by so-called interlayer crosstalk where disturbance is caused by reflected light from a second layer when recording or reproducing data on a first layer of a two layer disk.例文帳に追加

２層ディスクの第１の層を記録または再生している時に、他層である第２の層からの反射光が外乱となるいわゆる層間クロストークが発生して、情報再生信号またはサーボ信号に影響を与えることを防止する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 also includes a first insulating layer 31 formed on the integrated circuit, and a second insulating layer 32 formed on the rewiring 40 and the first insulating layer 31 and having an opening on a part of the rewiring 40.例文帳に追加

半導体装置１０はまた、集積回路上に形成された第１の絶縁層３１と、再配線４０及び第１の絶縁層３１の上に形成され、再配線４０の一部上に開口を有する第２の絶縁層３２とを有する。 - 特許庁

A reliability reference storage unit 210 stores reference data for dividing semiconductor devices into equal to or more than three reliability ranks on the basis of the magnitude of an overlay error between a first interconnect layer and a second interconnect layer disposed over the first interconnect layer.例文帳に追加

信頼性基準記憶部２１０は、第１配線層と、第１配線層の上に位置する第２配線層の重ね合わせ誤差の大きさに基づいて、半導体装置を３つ以上の信頼性ランクに分けるための基準データを記憶する。 - 特許庁

The light emitting device includes, between a first electrode and a second electrode, a layer containing a luminescent substance and a mixed layer where the mixed layer contains an oxide semiconductor or a metal oxide, and a substance having hole mobility ≥10^-6 cm^2/Vs.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極との間に、発光性の物質を含む層、及び混合層を有し、前記混合層は、酸化物半導体または金属酸化物と、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質とを含む。 - 特許庁

The semiconductor-layer laminate 102 includes a first nitride-semiconductor layer 122, a second nitride-semiconductor layer 123, and a p-type third nitride semiconductor 124 formed sequentially on the substrate 101.例文帳に追加

半導体層積層体１０２は、基板１０１の上に順次形成された第１の窒化物半導体層１２２、第２の窒化物半導体層１２３及びｐ型の第３の窒化物半導体層１２４を含む半導体層積層体１０２と有している。 - 特許庁

The semiconductor laser element 101 includes an n-type GaAs substrate 1 as a semiconductor substrate, and an n-type AlGaInP first clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type AlGaInP second clad layer 6 which are formed thereupon in order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０１は、半導体基板としてのｎ型ＧａＡｓ基板１と、その上側に順に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６とを備える。 - 特許庁

In a solid oxide fuel cell, an air electrode 103 is constructed by a first layer 103 at an electrolyte 101 side and a second layer 103b which is formed on the first layer 103a to be opposite to the electrolyte 101.例文帳に追加

本実施の形態の固体酸化物形燃料電池は，空気極１０３を、電解質１０１の側の第１層１０３ａと、電解質１０１とは反対側の第１層１０３ａの上に形成される第２層１０３ｂとから構成している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an EL element that is capable of forming an organic EL layer in high precision by a photolithography method or the like and also capable of patterning in high precision the second electrode layer that is formed on the organic EL layer by a vapor deposition method.例文帳に追加

有機ＥＬ層をフォトリソグラフィー法等により高精細に形成し、かつ有機ＥＬ層上に蒸着法で形成する第２電極層も高精細にパターニングすることが可能なＥＬ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A thermal head 10 has a glaze layer 12 formed on a supporting substrate 11, and on the glaze layer 12 formed is a single heater consisting of a first electrode 14, a second electrode 15, and a belt-like heater 16, and the whole of it is covered with a protective layer 17.例文帳に追加

サーマルヘッド１０では、支持基板１１上にグレーズ層１２が形成され、グレーズ層１２上に、第１の電極１４、第２の電極１５および帯状の発熱部１６から成る単一ヒータが形成され、全体が保護層１７で被覆される。 - 特許庁

A second wring layer 28a is formed on the main surface of the substrate 1, contains a material having an electrical resistance which is lower than that of the material contained in the first wiring layer 10a, and has a shorter wiring length than that of the layer 10a.例文帳に追加

第２の配線層２８ａは、半導体基板１の主表面上に形成され、第１の配線層１０ａに含まれる材料よりも低い電気抵抗を有する材料を含み、第１の配線層１０ａよりも配線長が長い。 - 特許庁