「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(230ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, after an upper electrode layer 7 is formed on the dielectric layer 6 by causing a titanium nitride to deposit on the layer 6, pluralities of upper electrode layers 7 and dielectric layers 6 are formed by partially etching the upper electrode layer 7 and dielectric layer 6 except prescribed portions lying on the first and second lower electrode sections 5a and 5b.例文帳に追加

次に、誘電体層６上に窒化チタンを堆積して上部電極層７を形成した後、第１下部電極部５ａ及び第２下部電極部５ｂ上の所定部分上以外の部分の上部電極層７及び誘電体層６をエッチングすることによって、複数の上部電極層７及び複数の誘電体層６を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a flexible metal-clad laminate includes: (a) forming on a metal layer a first polyimide layer having a coefficient of linear thermal expansion of 25 ppm/K or less; (b) plasma-treating a surface of the first polyimide layer; and (c) forming on the first polyimide layer a second polyimide layer having a coefficient of linear thermal expansion of 25 ppm/K or less.例文帳に追加

フレキシブル金属積層板の製造方法は、（ａ）金属層の上部に線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／Ｋ以下の第１ポリイミド層を形成する段階と、（ｂ）第１ポリイミド層の表面をプラズマ処理する段階と、（ｃ）第１ポリイミド層の上部に線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／Ｋ以下の第２ポリイミド層を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

A surface synthetic resin layer 101 of the outer-most surface, a first cardboard layer 102, a colored resin layer 103, a second cardboard layer 104 and a liquid contact synthetic resin layer 105 of the inner-most surface are laminated to each other to constitute a paper liquid container material 100, wherein the paper-made liquid container material 100 is applied to form a paper-made liquid container.例文帳に追加

最外面側から、表面合成樹脂層１０１、第１板紙層１０２、光遮断性を有する着色樹脂層１０３、第２板紙層１０４を経て、最内面側に接液合成樹脂層１０５を積層して紙製液体容器材料１００を構成し、この紙製液体容器材料１００を使用して紙製液体容器を成形する。 - 特許庁

At this time, this medium is made to have features that the first lubricating layer 5 uses a lubricant whose adhesive rate to the surface of the carbon protective layer 4 is high and, on the other hand, the second lubricating layer 7 uses a lubricant whose adhesive rate to the surface of the carbon protective layer 4 is equal to or lower than that of the lubricant of the first lubricating layer 5.例文帳に追加

この際、第１潤滑層５は炭素保護層４の表面への潤滑剤の吸着率が高い潤滑剤を用い、一方、第２潤滑層７は炭素保護層４の表面への吸着率が第１潤滑層５の潤滑剤と同じかあるいはそれより吸着率が低い潤滑剤を用いたことを特徴とするものである。 - 特許庁

The laser device comprises a first clad layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, an active layer 4 formed on the first clad layer 3 having a strain-multiplex quantum well structure of alternately laminated well layers 4w and barrier layers 4b (barrier layers 4b_1 and optical guide layers 4b_2) having mutually opposite strains, and a second clad layer 5 formed on the active layer 4.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された第１のクラッド層３と、第１のクラッド層３上に形成され、互いに逆の歪を有する井戸層４ｗとバリア層４ｂ（障壁層４ｂ_1 および光ガイド層４ｂ_2 ）が交互に積層された歪多重量子井戸構造をもつ活性層４と、活性層４上に形成された第２のクラッド層５とを備える。 - 特許庁

The electrode is composed of a first catalyst composition having activeness in a gas phase reaction part and a second catalyst composition having activeness in an electrochemical reaction part, and each catalyst composition exists as a separated layer or a single mixed layer, or a combined layer of the separated layer and the single mixed layer.例文帳に追加

気相反応部位において活性を有する第１の触媒成分と、電気化学的反応部位において活性を有する第２の触媒成分とを含む電極であって、各触媒成分が、分離された層、あるいは単一の混合された層、または分離された層と単一の混合された層とを組合わせた層として存在する電極。 - 特許庁

In the organic EL element including a first electrode, a second electrode opposed to the first electrode, and a light emitting medium layer including the carrier transport layer and an organic light emitting layer provided between the electrodes, the carrier transport layer is the inorganic oxide layer formed through oxidation processing after film deposition.例文帳に追加

第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記電極間に設けられたキャリア輸送層および有機発光層を含む発光媒体層とを備えた有機ＥＬ素子において、前記キャリア輸送層は、成膜した後に酸化処理を行うことで得られた無機酸化物層であることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

The semiconductor layer 50 has the Al-containing compound semiconductor layer 25 containing Al on its second principal surface side, and a laminated-side protective layer 26 composed of the group III-V compound semiconductor containing less Al than the compound semiconductor layer 25 between the compound semiconductor layer 25 and element substrate 7.例文帳に追加

化合物半導体層５０は、第二主表面側にＡｌを含有したＡｌ含有化合物半導体層２５が形成され、かつ、該Ａｌ含有化合物半導体層２５と素子基板７との間に、Ａｌ含有化合物半導体層２５よりもＡｌ含有量が少ないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる貼り合わせ側保護層２６を有する。 - 特許庁

The average particle size of the catalyst support particles 21 constituting the catalyst layer 2 is equal to or smaller than that of the oxide particles 31 constituting the first protective layer 3 adjacent to the catalyst layer 2, and the average particle sizes of the oxide particles 31 and 41 constituting the first and second protective layers 3 and 4 are larger as a layer is farther from the catalyst layer 2.例文帳に追加

触媒層２を構成する触媒担持粒子２１の平均粒径は、触媒層２に隣接する第１保護層３を構成する酸化物粒子３１の平均粒径と同じ又はそれよりも小さく、第１保護層３及び第２保護層４を構成する酸化物粒子３１、４１の平均粒径は、触媒層２から遠い層ほど大きい。 - 特許庁

The solid oxide fuel cell includes a first electrode layer 101 that serves as either one of an air electrode and a fuel electrode and serves as a support body; an electrolyte layer 102 formed on one surface of the first electrode layer 101; and a second electrode layer 103 formed on the electrolyte layer 102 to serve as either one of a fuel electrode and an air electrode.例文帳に追加

空気極および燃料極のいずれか一方となり、支持体となる第１電極層１０１と、第１電極層１０１の一方の面の上に形成された電解質層１０２と、電解質層１０２の上に形成され、燃料極および空気極のいずれか一方となる第２電極層１０３とを備える。 - 特許庁

A resonance tunnel diode has an emitter layer 92 made of InGaAs doped with an impurity, a first barrier layer 94 made of AlAs, a well layer 95 made of electrically neutral InGaAs, a second barrier layer 96 made of AlAs, electron transit layers 97 to 99, and a collector layer 100 made of InGaAs doped with an impurity.例文帳に追加

共鳴トンネルダイオードは、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層９２と、ＡｌＡｓからなる第１の障壁層９４と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる井戸層９５と、ＡｌＡｓからなる第２の障壁層９６と、電子走行層９７〜９９と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１００とを有する。 - 特許庁

The image sensor in an embodiment includes a metal wiring layer formed on a semiconductor substrate containing a circuit region, first conductive type conducting layers formed on the metal wiring layer while being separated from each other, an intrinsic layer formed on the first conductive type conducting layers, and a second conductive type conducting layer formed on the intrinsic layer.例文帳に追加

実施例によるイメージセンサは、回路領域を含む半導体基板上に形成された金属配線層と、該金属配線層上に相互離隔されて形成された第１導電型伝導層と、前記第１導電型伝導層上に形成された真性層（intrinsic）と、及び前記真性層上に形成された第２導電型伝導層を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first conductivity type semiconductor substrate 7, an intrinsic semiconductor layer 8, a first semiconductor layer 9 adjusted to second conductivity type, a first impurity layer 11 formed in the first semiconductor layer with first conductivity type, bipolar transistors 3 and 4 formed in the first semiconductor layer, and MIS type transistors 5 and 6.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板７と、真性半導体層８と、第２導電型に調整された第１半導体層９と、第１半導体層内に第１導電型により形成された第１不純物層１１と、第１半導体層に形成されたバイポーラ型トランジスタ３、４、及びＭＩＳ型トランジスタ５，６とを備える。 - 特許庁

In the brightness enhancing film where the protective film, a first adhesive layer, the cholesteric liquid crystal layer, a second adhesive layer, and the quarter-wave plate are laminated in this order, the brightness enhancing film has 0.1 to 1.5 MPa dynamic storage shear elasticity of the first adhesive layer placed between the protective film and the cholesteric liquid crystal layer at 25°C.例文帳に追加

保護フィルム、第１粘着剤層、コレステリック液晶層、第２粘着剤層、１／4 波長板が、この順で積層されている輝度向上フィルムにおいて、保護フィルムとコレステリック液晶層の間の第１粘着剤層の２５℃における動的貯蔵せん断弾性率が０．１〜１．５ＭＰａであることを特徴とする輝度向上フィルム。 - 特許庁

In this multilayer ceramic capacitor, a first internal electrode layer 3 is formed in the width being exposed to both side faces of a dielectric layer 1, a second internal electrode layer 4 is formed in the width leaving a side margin region between both side faces of a dielectric layer 2, and a slit part 7, which is inclined with respect to the first internal electrode layer 3.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサにおいて、前記第１内部電極層３が、誘電体層１の両側面に露出する幅に形成されており、前記第２内部電極層４が、誘電体層２の両側面との間にサイドマージン領域を残す幅に形成されており、かつ前記第１内部電極層３に傾斜したスリット部７が形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method of the organic electroluminescent panel is composed by successively carrying out a process of forming a first electrode layer on the board, a process of forming an organic layer including at least one layer of light emitting layer, a process of forming a second electrode layer, a mounting process of the mounting member including the wiring member or the driving circuit, and a sealing process.例文帳に追加

基板上に第一の電極層を形成する工程、少なくとも一層の発光層を含む有機層を形成する工程、第二の電極層を形成する工程、配線部材または駆動回路を含む実装部材の実装工程、及び封止工程、を順次行うことからなる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 特許庁

A first antenna diode AD1 and a gate electrode 16 of an nMIS are electrically connected to each other through wiring M1 of a first layer, and a second antenna diode AD2 and another semiconductor element are electrically connected to each other through wiring M4 of a fourth layer (wiring one layer below top-layer wiring in an antenna block) from wiring M1 of a first layer.例文帳に追加

第１アンテナダイオードＡＤ１とｎＭＩＳのゲート電極１６とを第１層目の配線Ｍ１を介して電気的に接続し、第２アンテナダイオードＡＤ２と他の半導体素子とを第１層目の配線Ｍ１から第４層目の配線（アナログブロック内の最上層配線から１層下の配線）Ｍ４を介して電気的に接続する。 - 特許庁

The light receiving element comprises a waveguide having a first band gap wavelength; a reflection layer that is provided on the waveguide layer and reflects or transmits light through the waveguide layer in the direction of waveguide depending on the wavelength of light; and a light absorption layer that is provided near the waveguide layer and has a second band gap wavelength that is longer than the first one.例文帳に追加

第１のバンドギャップ波長を有する導波路層と、導波路層に設けられ、導波路層を通過する光を導波方向に該光の波長に依存して反射または透過する反射層と、導波路層近傍に設けられ、第１のバンドギャップ波長より長い第２のバンドギャップ波長を有する光吸収層とを具備する。 - 特許庁

The first conductive layer is formed as a light shielding layer of the semiconductor switching element formed on the first insulation layer and the second conductive layer is formed as one of electrodes of the capacitive element formed on its upper layer.例文帳に追加

基板上の画素領域に、第１の導電層、第１の絶縁膜、第２の導電層が順次形成され、前記第１の導電層は前記第１の絶縁膜上に形成される半導体スイッング素子の遮光膜として形成されているとともに、前記第２の導電層はその上層に形成される容量素子の一の電極として形成されている。 - 特許庁

To provide the structure of a fin-type field-effect transistor (FinFET) having an embedded oxide layer 130 on a substrate 110, at least one-layer first structure 112 on the embedded oxide layer and at least one-layer second fin structure 114 on the embedded oxide layer and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

基板１１０の上の埋め込み酸化膜層１３０、この埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第１のフィン構造１１２、およびこの埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第２のフィン構造１１４を有するフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）の構造および製造方法を提供すること。 - 特許庁

A light reflecting mask 100 includes a reflecting layer 102 which is provided on a substrate 101 and reflects light, an absorbing layer 105 which is provided on the reflecting layer 102 and absorbs light, a device pattern which is formed in a first region of the absorbing layer 105, and the reflectance measuring pattern which is formed in a second region of the absorbing layer 105.例文帳に追加

光反射型マスク１００は、基板１０１上に設けられ、かつ光を反射する反射層１０２と、反射層１０２上に設けられ、かつ光を吸収する吸収層１０５と、吸収層１０５の第１の領域に形成されたデバイスパターンと、吸収層１０５の第２の領域に形成された反射率測定パターンとを含む。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a of a p-type clad layer 96 provided on the layer 95 is formed of a p-type nitride semiconductor containing an aluminum and a gallium and a second p-type clad layer 96b is formed of the similar p-type nitride semiconductor and having larger band gap than that of the first p-type clad layer 96b.例文帳に追加

活性層９５上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層９６ａをアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層９６ｂを同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層９６ｂよりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

A first ferromagnetic layer 11 and a conductive layer 12 are continuously formed in vacuum, pure oxygen is introduced without breaking the vacuum so that the surface of the conductive layer 12 is naturally oxidized to form a tunnel barrier layer 13, and after the oxygen is evacuated, a second ferromagnetic layer 14 is formed to complete a basic structure.例文帳に追加

（ａ）第１の強磁性層１１、導電層１２を真空中で連続形成し、（ｂ）真空を破ることなく純酸素を導入し、導電層１２の表面を自然酸化してトンネルバリア層１３を形成し、（ｃ）酸素を排気した後、第２の強磁性層１４を成膜して基本構造を完成させる強磁性トンネル接合素子の製造方法。 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a light emitting section layer 12 which is sandwiched between a first-conductivity clad layer 2 and a second-conductivity clad layer 4 and composed of an active layer 3 and a transparent conductive layer 7 made of a metal oxide are formed on a first-conductivity substrate 1.例文帳に追加

第一導電型の基板１に、第一導電型のクラッド層２と第二導電型のクラッド層４とに挟まれた活性層３からなる発光部層12と、金属酸化物からなる透明導電層７とが形成された半導体発光素子であって、透明導電層７の下地層として化合物半導体層６が形成されている半導体発光素子。 - 特許庁

A silicon layer 4 as a defect suppressing substance layer is provided between a first nitride-based compound semiconductor layer 3 containing dislocations grown on a substrate 1, and a second nitride-based compound semiconductor layer 5 containing dislocations less than the first nitride-based compound semiconductor layer to manufacture a nitride-based compound semiconductor base material.例文帳に追加

基板１上に成長した転位を含む第一の窒化物系化合物半導体層３と、前記第一の窒化物系化合物半導体層よりも少ない転位を含む第二の窒化物系化合物半導体層５との間に、欠陥抑制物質層であるシリコン層４を介在させて窒化物系化合物半導体基材１０を製造する。 - 特許庁

The organic electroluminescent display device includes a substrate 100, a first electrode 110 formed on the substrate 100, an organic film layer 120 formed on the first electrode 110 with a light emitting layer, and a second electrode 130 formed on the organic film layer 120 with a laminated film including an ytterbium (Yb) layer and a silver (Ag) layer.例文帳に追加

基板１００と、基板１００上に形成された第１電極１１０と、第１電極１１０上に形成され、発光層を含む有機膜層１２０と、有機膜層１２０上に形成され、イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極１３０と、を含む有機電界発光表示装置。 - 特許庁

A carrier diffusion preventing layer 25 is provided between a charge releasing layer 20 and one or more of semiconductor layers, which are a first semiconductor layer 10 and a second semiconductor layer 30, for preventing the diffusion into the layer 20 of carriers at least from one of the layers 10, 30, which reduces the dark current attributable to the capturing level.例文帳に追加

電荷放出層２０と第１の半導体層１０及び第２の半導体層３０のうち少なくとも一方の半導体層との間に形成され、少なくとも一方の半導体層から電荷放出層２０へのキャリアの拡散を防止するキャリア拡散防止層２５を設けるようにして、捕獲準位による暗電流を小さくするようにする。 - 特許庁

An embedding layer 10 for semi-insulation semiconductor to be grown on both sides of a mesa stripe portion 18 including the active layer is formed from a first layer having the identical height to the mesa stripe portion 18, and a second layer, formed on the surface of the first layer along the mesa stripe portion 18, for growing it as far as both sides of a mask wider than the mesa stripe.例文帳に追加

活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。 - 特許庁

Since it is difficult to write data by a head in the perpendicular magnetic medium having the magnetic crystal grains whose isolation is promoted, a second magnetic layer 18 for facilitating magnetization inversion by lowering oxide concentration to slightly increase bonding force between particles only in a surface side magnetic layer is formed in an upper layer of the first magnetic layer 17 to be a main magnetic layer.例文帳に追加

孤立化が促進された磁性結晶粒を有する垂直磁気媒体は，ヘッドによる書き込みが著しく困難となるため，メインとなる第１磁性層17の上層に，酸化物濃度を低くして，表面側磁性層でのみ粒子間の結合を若干強めて磁化反転を容易にさせるための第２磁性層18を形成する。 - 特許庁

A second insulation layer 30 has the grounding metal layer electrically brought into contact with the grounding electrode pad 4b, a first metal layer 20 formed on the first insulation pattern layer 10, a ground contact section 32 corresponding to the grounding electrode pad 4b, and a signal contact section corresponding to the signal electrode pads 4a and 4c, and is formed on the first metal layer 20.例文帳に追加

第２絶縁層３０は、接地電極パッド４ｃと電気的に接触される接地金属層、第１絶縁パターン層１０上に形成される第１金属層２０、接地電極パッド４ｃに対応する接地接触部３２、信号電極パッド４ａ、４ｃに対応する信号接触部を有し、第１金属層２０上に形成されている。 - 特許庁

A laminated substrate 100 obtained by laminating a first substrate 10 having a void-containing layer 2 (for example, a porous layer formed by anodization) on a main body substrate 1 and a layer containing no void 3 (for example, a single-crystal Si layer and insulating layer), and a second substrate 20 is housed in a sealed chamber and pressurized.例文帳に追加

本体基板１上に空洞含有層（例えば、陽極化成により形成された多孔質層）２を有し、その上に非空洞含有層（例えば、単結晶Ｓｉ層及び絶縁層）３を有する第１の基板１０と、第２の基板２０とを貼り合わせてなる貼り合わせ基板１００を密閉容器内に収容して圧力を印加する。 - 特許庁

The image recording method is characterized by including a first process in which a substrate layer is recorded with an ink composition for forming the substrate layer on a base material, and a second process in which a color imaging layer is recorded on the substrate layer with a process color ink composition under a condition that volatile component remaining amount in the substrate layer is 5-50 mass%.例文帳に追加

基材上に下地層形成用インク組成物により下地層を記録する第一の工程と、前記下地層の揮発成分残存量が５〜５０質量％となった状態で、前記下地層にプロセスカラーインク組成物によりカラー画像層を記録する第二の工程と、を有することを特徴とする画像記録方法。 - 特許庁

As the more preferred method, the manufacturing method of the copper foil with fiber-reinforced resin comprises the steps of forming the first resin layer on the copper foil, solidifying the first resin layer after making the fiber adhere by electrostatic force in the condition that this first resin layer is not solidified, and forming the second resin layer on it to make the fiber buried into the resin layer.例文帳に追加

より好ましい方法としては、銅箔に第一樹脂層を形成し、この第一樹脂層が固化していない状態で繊維を静電気力により付着せしめた後に第一樹脂層を固化せしめ、その上に第二樹脂層を形成して繊維を樹脂層中に埋没させることを特徴とする繊維補強樹脂付き銅箔の製造方法。 - 特許庁

On the exposed surfaces of the transistor elements a first inter-layer film 107 is provided, a first Al layer 108 formed thereon is divided in orthogonal directions and parallel directions to the gates of the transistor elements into a plurality of portions on the first inter-layer film 107, and a second inter-layer film 109 is provided on the first Al layer 108.例文帳に追加

トランジスタ素子の露出面上には、第１の層間膜１０７が設けられ、この第１の層間膜１０７上に第１のアルミニウム層１０８はトランジスタ素子のゲートに対し、直交方向及び平行方向に分割して複数が設けられ、この第１のアルミニウム層１０８上には第２の層間膜１０９が設けられる。 - 特許庁

The J-FET is equipped with an undoped InGaAs channel layer 5 that stores carriers of first-conductivity type, a p^+-type GaAs layer 17 (semiconductor layer) which is formed on the undoped InGaAs channel layer 5 and contains impurities of second-conductivity type, and a gate electrode 18 formed on the p^+-type GaAs layer 17.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るＪ−ＦＥＴは、第１導電型のキャリアを蓄積するアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５と、アンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５上に設けられ、第２導電型の不純物を含有するｐ^＋型ＧａＡｓ層１７（半導体層）と、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７上に設けられたゲート電極１８と、を備えている。 - 特許庁

In a napkin 1 provided with an absorbent 4 interposed between a top sheet 3 and a back sheet 2, the absorbent is provided with an absorbent layer 4a containing pulp at least, a first adhesive material layer 5 provided more on a top sheet side than the absorbent layer, and a second adhesive material layer 6 provided more on a back sheet side than the absorbent layer.例文帳に追加

トップシート３とバックシート２との間に介装される吸収体４を備えるナプキン１において、その吸収体は、少なくともパルプを含む吸収体層４ａと、吸収体層よりもトップシート側に設けられる第１の接着剤層５と、吸収体層よりもバックシート側に設けられる第２の接着剤層６とを備える構成にした。 - 特許庁

The adjustable optical attenuator using an S-type waveguide has a cladding layer having a first refractive index and a slot formed therein; and a core layer embedded in the slot of the cladding layer and having a second refractive index sensitive to temperature change, wherein light is transmitted through the core layer and attenuation of the light varies according to the temperature of the core layer.例文帳に追加

Ｓ型導波管を使用する調節可能光減衰器は、第１の屈折率を有し、かつその中にスロットを形成するクラッド層と、該クラッド層の該スロットに埋め込まれており、かつ温度変化に敏感な第２の屈折率を有するコア層とを備えており、光は該コア層を介して伝達され、光の減衰は該コア層の温度にしたがって変化する。 - 特許庁

This magnetic recording medium having a magnetic recording layer on a nonmagnetic substrate is provided with a ferromagnetic layer formed on one surface of the nonmagnetic substrate, and first, second and third substrate layers formed in his order on the surface of the ferromagnetic layer, the magnetic recording layer formed on the third substrate layer.例文帳に追加

非磁性基体上に磁気記録層を有する磁気記録媒体において、前記非磁性基体の一方の面上に強磁性層が形成されており、該強磁性層の面上に第１、第２及び第３の下地層がこの順に形成されており、そして、該第３の下地層上に前記磁気記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

The optical waveguide component 10 has a core 13 of a desired shape is provided on the lower clad layer 12 of a substrate 11, that a first upper clad layer 14 whose main component consists of silicon oxide is formed on the lower clad layer, and that a second upper clad layer 15 composed of glass containing dopant is formed on the first upper clad layer.例文帳に追加

基板１１の下部クラッド層１２上に所望形状のコア１３が設けられ、該下部クラッド層上に主成分が酸化ケイ素からなる第一上部クラッド層１４が形成され、該第一上部クラッド層上にドーパントを含むガラスからなる第二上部クラッド層１５が形成されてなることを特徴とする光導波路部品１０。 - 特許庁

A first state in which light incident from the first substrate 2 side is condensed to either the light absorption layer 6 or the light diffusion layer 7, and a second state in which the light incident from the first substrate 2 side is made incident on the light absorption layer 6 and the light diffusion layer 7 are switched to each other corresponding to the voltage applied to the display medium layer 1.例文帳に追加

表示媒体層１に印加する電圧に応じて、第１基板２側から入射する光を光吸収層６または光拡散層７のいずれか一方に集光する第１状態と、第１基板２側から入射する光を光吸収層６および光拡散層７に入射させる第２状態とに切り替えることができる。 - 特許庁

A multi-layer article includes an interpolymerized unit derived from vinylidene fluoride and tetrafluoroethylene, in which the amount of vinylidene fluoride is at least 0.1 wt.% but less than 20 wt.%, and a first polymer layer 14 including fluoroplastic layer having a melting point of at least 200°C and a second polymer layer 12 including the non-fluorinated polymer layer are bonded.例文帳に追加

フッ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンから誘導される共重合単位を含み、フッ化ビニリデンの量が少なくとも０．１重量％であるが２０重量％未満であり、少なくとも２００℃の融点を有するフルオロプラスチック層を含む第１のポリマー層１４とフッ素化されていないポリマーを含む第２のポリマー層１２を結合した多層製品。 - 特許庁

In a nitride semiconductor element having an active layer between a first conductivity lower clad layer 13 and a second conductivity upper clad layer 14, first layers 25, 32 having a nitride semiconductor containing Al and In are provided for at least one of the lower clad layer and the upper clad layer.例文帳に追加

第１導電型の下部クラッド層１３と、第２導電型の上部クラッド層１４との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、前記下部クラッド層、上部クラッド層の少なくとも一方に、ＡｌとＩｎとを含む窒化物半導体を有する第１の層２５、３２が設けられていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 特許庁

A vertical resonator is provided on a substrate 101, and the vertical resonator includes a first reflective layer 102 on the substrate 101, an active layer 104 provided on the first reflective layer 102, a current confinement structure provided over the active layer 104, and a second reflective layer 109 provided over the current confinement structure.例文帳に追加

基板１０１上に垂直共振器が設けられ、垂直共振器は基板１０１上の第１反射層１０２と、第１反射層１０２上に設けられた活性層１０４と、この活性層１０４の上部に設けられた電流狭窄構造と、この電流狭窄構造の上部に設けられた第２反射層１０９とを含む。 - 特許庁

A semiconductor LED comprises a lower cladding layer 31, active layer 32 formed on the upper part of one side of the lower cladding layer in sequence, upper cladding layer 33, a first electrode 34, and a second electrode 35 formed on a concavo-convex structural pattern region on the surface of the other side of the lower cladding layer.例文帳に追加

半導体発光素子において、下部クラッド層３１と、下部クラッド層の一側の上部に順次に形成された活性層３２、上部クラッド層３３及び第１電極３４と、下部クラッド層の他側の表面に形成された凹凸構造パターン領域上に形成された第２電極３５と、を備える半導体発光素子である。 - 特許庁