「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(229ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting device includes a first insulating layer formed on a substrate, an opening formed in the first insulating layer to reach the substrate, a second insulating layer formed to cover the opening, and a light emitting element provided on the second insulating layer to overlap with at least part of the opening.例文帳に追加

上記課題を解決するための構成の一つは、基板上に形成された第１の絶縁層を有し、前記第１の絶縁層には前記基板に達する開口部が形成されており、前記開口部を覆って第２の絶縁層が形成されており、前記第２の絶縁層上には前記開口部の少なくとも一部に重なって発光素子が設けられた構造の発光装置である。 - 特許庁

A first composition modulation buffer layer 20 and a second composition modulation buffer layer 30 made of GaAsN-mixed crystal are formed on a substrate 10 made of GaAsN-mixed crystal, a violet LD part 40 is formed on the first composition modulation buffer layer 20, and an infrared LD part 50 and a red LD part 60 are formed on the second composition modulation buffer layer 30.例文帳に追加

ＧａＡｓＮ混晶からなる基板１０上にＧａＡｓＮ混晶からなる第１の組成変調バッファ層２０および第２の組成変調バッファ層３０を形成し、第１の組成変調バッファ層２０上に青紫色ＬＤ部４０を、第２の組成変調バッファ層３０上に赤外ＬＤ部５０および赤色ＬＤ部６０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The printed wiring board includes: first wiring 12 arranged on a surface of an insulating layer, an interlayer insulating layer 16 provided on the first wiring 12 and made of a foamed resin including an urethane resin; second wiring 22 arranged on a surface of the interlayer insulating layer 16; and a via conductor 24 provided to penetrate the interlayer insulating layer 16 and connect the first wiring 12 and second wiring 22 to each other.例文帳に追加

絶縁層の表面に配置された第１配線１２と、第１配線１２の上に設けられ、ウレタン樹脂を含む発泡樹脂からなる層間絶縁層１６と、層間絶縁層１６の表面に配置された第２配線２２と、層間絶縁層１６を貫通して設けられ、第１及び第２配線１２、２２を接続するビア導体２４とを備える。 - 特許庁

This production method includes processes of: plate-making first and second photosensitive layers 52a, 52b laminated on both sides of a laminated body 50 having a base material film 32, first and second electroconductive layers 40, 45 laminated on both sides of the base material film, and a light shielding layer laminated on the electroconductive layer; and thereafter etching the light shielding layer and the electroconductive layer to pattern them.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

A light emitting device 200 includes: a plurality of light emitting chips 28; a substrate 20 supporting the light emitting chips 28; a first patterned conductive layer 23 facilitating radiation and reflection of light from the light emitting chips 28 and covering the substrate 20; and a second patterned conductive layer 24 on the first patterned conductive layer 23, the second patterned conductive layer locating the light emitting chips 28 thereon.例文帳に追加

発光デバイス２００は、複数の発光チップ２８と、発光チップ２８を支持する基板２０と、発光チップ２８からの光の放射および反射を容易にする、基板２０を覆う第１のパターン化導電層２３と、第１のパターン化導電層２３上の第２のパターン化導電層２４であって、発光チップ２８が層上に位置する第２のパターン化導電層２４と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of: forming on a substrate a first layer containing an epoxy resin expressed by formula (I), an ultraviolet absorption agent, and a photopolymerization initiator; laminate-forming on the first layer a second layer containing an epoxy resin expressed by formula (I) and photopolymerization initiator; and forming a passage and a discharge port in a coating resin layer formed from the first and second layers.例文帳に追加

基板の上に、式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂と紫外線吸収剤と光重合開始剤とを含む第１の層を形成する工程と、その上に、式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂と光重合開始剤とを含む第２の層をラミネートにより形成する工程と、第１の層及び第２の層からなる被覆樹脂層に流路及び吐出口を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The device comprises a sequence of layers including at least one active layer and deposited epitaxially, a first metal contact layer formed on the back of the sequence of layers, a second metal contact layer formed on the front face of the hetero substrate, and a brazing layer generating electrical and mechanical contact between the first and second metal contact layers, wherein the hetero substrate is a silicon hetero substrate.例文帳に追加

少なくとも１つの活性層を含み、エピタキシャルに析出された多重層と、該多重層の裏側の上に形成された第１の金属コンタクト層と、ヘテロ基板の表側の上に形成された第２の金属コンタクト層と、第１の金属コンタクト層と第２の金属コンタクト層との間の電気的および機械的接触を生ずるろう層とを備え、ヘテロ基板はシリコンへテロ基板である。 - 特許庁

The atomic content of a ferromagnetic element at an ion implantation part is increased by implanting ions of the ferromagnetic element to the precursor layer of a second magnetic recording layer 26 of a magnetic recording medium having a first magnetic recording layer 24 constituted of crystal grain boundary consisting of ferromagnetic crystal particles and oxide, and the second magnetic recording layer 26 which does not contain oxide, using ion implantation method.例文帳に追加

強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises a substrate, a first electrode formed on the substrate and having a reflecting film on the substrate side, an organic film layer formed on the first electrode and having at least an organic luminescent layer, a second electrode formed on the organic film layer, and an organic capping layer formed on the second electrode and having a refractive index of 1.7 or more.例文帳に追加

本発明に係る有機電界発光素子は、基板と、前記基板上に形成され、前記基板側に反射膜を含む第１電極と、前記第１電極上に形成され、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層上に形成される第２電極と、前記第２電極上に形成され、１．７以上の屈折率を有する有機キャッピング層と、を備える。 - 特許庁

A first conductive material layer 12a is formed on a first electrode terminal 11a formed on a junction object 11, a second conductive material layer 12b having a material different from the first conductive material layer is formed by being pasted on the first conductive material layer 12a, and a bump 12 is formed of the first and second conductive material layers 12a, 12b.例文帳に追加

接合対象物１１に形成された第１の電極端子１１ａ上に第１の導電体層１２ａを形成し、この第１の導電体層１２ａ上に当該第１の導電体層とは材料が異なる第２の導電体層１２ｂをペーストにより形成して、第１及び第２の導電体層１２ａ，１２ｂによりバンプ１２を形成する。 - 特許庁

The light-emitting element 100 has a stuck structure in which the first main surface of the second sticking layer 90 composed of the semiconductor or metal is stuck to the second main surface of the first sticking layer 40, having the light-emitting layer 24 and composed of the III-V compound semiconductor via a metallic sticking layer 11 containing In or Ga as the main component.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。 - 特許庁

The anode active material layer 45 contains a first active material layer 451 mainly composed of a carbon material (such as graphite) as a first anode active material, and a second active material layer 452 mainly composed of a second anode active material (such as a lithium titanium oxide) having a higher electropositive potential than the above carbon material, provided between the anode collector 42 and the first active material layer 451.例文帳に追加

負極活物質層４５は、第一負極活物質としての炭素材料（例えば黒鉛）を主体とする第一活物質層４５１と、負極集電体４２と第一活物質層４５１との間に設けられた層であって上記炭素材料よりも貴な電位を有する第二負極活物質（例えば、リチウムチタン酸化物）を主体とする第二活物質層４５２とを含む。 - 特許庁

The microswitch includes a substrate, a first wiring layer, a second wiring layer which are formed on the substrate while leaving a space therebetween, a beam which is supported on the substrate and includes a conductive bonding part, a driving mechanism for electrically bonding the bonding part with the first wiring layer or the second wiring layer, and a temperature control mechanism for controlling the temperature of the beam.例文帳に追加

基板と、基板上に間隔を介して形成された第一配線層と第二配線層と、前記基板に支持され導電性の接合部を有する梁と、前記接合部と前記第一配線層或は前記第二配線層と電気的な接合を図る駆動機構と、前記梁の温度を制御する温度制御機構を備えることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell includes a first substrate, a conductive layer formed on the inner surface of the substrate so as to form at least two independent regions, an oxide semiconductor layer formed on one conductive layer and carrying dye, a second substrate facing the first substrate, and an electrolyte layer arranged between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

第一の基板と、その基板の内面に、少なくとも二以上の独立した領域となるように設けられた導電層と、一方の導電層上に設けられた、色素を担持した酸化物半導体層と、前記第一の基板と対向して配置された第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置される電解質層と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A light receiving element has: a core for propagating a signal light; a first semiconductor layer receiving the signal light from the core in an extension direction of the core and having a first conductivity type; an absorption layer absorbing the signal light received by the first semiconductor layer; and a second semiconductor layer having a second conductivity type opposite to the first conductivity type.例文帳に追加

本実施例における受光素子は、信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第１導電型と反対の第２導電型を有する第２半導体層とを有する。 - 特許庁

In a photoelectric conversion element, having at least the first electrode, the second electrode, a semiconductor layer being sensitized by the pigment, and an electric charge migration layer the first electrode is light reflective, the second electrode is light transmissive, and an amount of photoabsorption of the electric charge migration layer is 1/4 or lower than that of the semiconductor layer being sensitized by the pigment.例文帳に追加

少なくとも第一電極、第二電極、色素によって増感された半導体層および電荷移動層を有する光電変換素子において、第一電極が光反射性であり、第二電極が光透過性であり、かつ、電荷移動層の光吸収量が、色素によって増感された半導体層の光吸収量の１/４以下である構成とする。 - 特許庁

The magnetic sensor includes a first metal layer 8 made of Ti or Ti-based material disposed on a semiconductor circuit 1 via a dielectric film 4, a second metal layer 9 made of Cu or Cu-based material disposed on the first metal layer 8, and the magnetic material 11 with a magnetic amplification function disposed on the second metal layer 9.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、半導体回路１上に絶縁膜４を介して設けられたＴｉ又はＴｉ系材料からなる第１の金属層８と、この第１の金属層８上に設けられたＣｕ又はＣｕ系材料からなる第２金属層９と、この第２の金属層９上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体１１とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for writing and reading data bits larger than 2-data bits to and from an MRAM cell, in which the MRAM cell is constituted by a magnetic tunnel junction formed of a reading layer exhibiting a reading magnetization direction, and a storage layer including a first storage ferromagnetic layer exhibiting a first storage magnetization direction and a second storage ferromagnetic layer exhibiting a second storage magnetization direction.例文帳に追加

２データビットより多いデータビットをＭＲＡＭセルに対して書き込み読み出すための方法であって、当該ＭＲＡＭセルは、読み出し磁化方向を呈する読み出し層と、第１記憶磁化方向を呈する第１記憶強磁性層と第２記憶磁化方向を呈する第２記憶強磁性層と から成る記憶層とから形成された磁気トンネル接合から構成される。 - 特許庁

This flexible printed circuit board 170 includes: a base film; a signal wiring layer formed on the base film; and a protective layer 181 formed on the signal wiring layer, wherein the protective layer 181 includes a first region 181b and a second region 181a, and the second region 181a has a tension smaller than that of the first region 181b.例文帳に追加

フレキシブル印刷回路基板１７０は、ベースフィルムと、前記ベースフィルム上に形成された信号配線層と、前記信号配線層上に形成された保護層１８１とを有し、前記保護層１８１は、第１領域１８１ｂ及び第２領域１８１ａを含み、前記第２領域１８１ａは、前記第１領域１８１ｂよりテンションが小さいことを特徴とする。 - 特許庁

This sanitary ware is formed with a colorable first glaze layer on an earthenware body and a transparent second glaze layer thereon and is formed with at least one among the pattern, character and symbol parts by decoration glaze essentially consisting of pigments partially between the first glaze layer and the second glaze layer.例文帳に追加

陶器素地上に着色性の第一の釉薬層が形成されており、その上に透明性の第二の釉薬層が形成されている衛生陶器であって、前記第一の釉薬層と前記第二の釉薬層との間には、部分的に顔料を主成分とする装飾釉により模様部、文字部、記号部のうちの少なくとも１種が形成されていることを特徴とする衛生陶器。 - 特許庁

A semiconductor device having a wiring 24 formed in a recessed portion (wiring trench) 22 formed in an interlayer insulating film 21 has a first barrier layer 23 covering the wiring 24 from under the wiring 24, and a second barrier layer 25 covering the wiring 24 from over the wiring 24, wherein the first barrier layer 23 overlaps the second barrier layer 25.例文帳に追加

層間絶縁膜２１に形成した凹部（配線溝）２２の内部に配線２４を形成した半導体装置において、配線２４の下部側より当該配線２４を被覆する第１のバリア層２３と、配線２４の上部側より当該配線２４を被覆する第２のバリア層２５とを備え、第１のバリア層２３と第２のバリア層２５とが重なりあって配線２４が被覆されているものである。 - 特許庁

To provide a means for detecting a difference in positions between a first layer and a second layer of a multilayer substrate in a device for pre-processing the multilayer substrate in relation to boring of a contact hole that connects the contact surface of at least one first layer of the multilayer substrate and the contact surface of at least one second layer of the multilayer substrate.例文帳に追加

この発明による多層基板２の少なくとも一つの第一の層４の接触面と多層基板２の少なくとも一つの第二の層６の接触面とを互いに接続する接触用穴２２を開けることに関して多層基板２を前処理するための装置２４は、多層基板２の第一の層４と第二の層６との間の位置のずれを検出するための手段を備えている。 - 特許庁

Regarding the laminated body as a fixing member used for an image forming apparatus in which the surface of a substrate is successively provided with: a first layer composed of heat resistant rubber; a second layer composed of an adhesive resin essentially consisting of a fluororesin; and a third layer composed of a fluororesin, the second layer is obtained using a reactive silicone compound.例文帳に追加

画像形成装置に使用する定着部材として、基体上に、耐熱性ゴムからなる第１の層、フッ素樹脂を主成分とする接着樹脂からなる第２の層、及びフッ素系樹脂からなる第３の層が順次設けられた積層体において、前記第２の層が、反応性シリコーン化合物を用いて得られることを特徴とする積層体を主たる構成にする。 - 特許庁

An image is formed from a light-sensitive laminate in which the second light-sensitive layer containing the binder, polymerizable compound and photopolymerization initiator, the barrier layer containing the polymerizable compound, and the first light-sensitive layer containing the binder, polymerizable compound and photopolymerization initiator and having a relatively lower light sensitivity than the second light-sensitive layer are laminated in this order on a substrate.例文帳に追加

また、基体上に、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含む第二感光層、重合性化合物を含むバリアー層、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含み第二感光層の光感度よりも相対的に低い光感度を有する第一感光層がこの順に積層されている感光性積層体から画像を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly and the laminated structure uses the multilayer sheet having the first layer 50 made of the metallic spring material, the second layer 90 in between consisting of the electric insulation material and the third layer 70 consisting of the conductive material and uses only the wet etching process as the molding process of the second layer 90.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングのみを用いることを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

The cooling medium passage comprises a first conductive porous layer 65a placed on a side to which an anode electrode is attached, and a second conductive porous layer 65b placed on a side to which a hydrogen electrode is attached, where a porosity of the first conductive porous layer 65a is higher than a porosity of the second conductive porous layer 65b.例文帳に追加

冷却媒体流路は、アノード電極が当接する面側に配置される第１の導電性多孔体層６５ａと、前記水素極が当接する面側に配置される第２の導電性多孔体層６５ｂとを備え、第２の導電性多孔体層６５ｂよりも前記第１の導電性多孔体層６５ａの方が気孔率が高くなるよう構成されている。 - 特許庁

The method of lithography patterning includes: a step of forming a first photoresist layer having at least one opening on a substrate; a step of curing the first photoresist layer; a step of forming a second photoresist layer on the substrate; a step of forming a material layer on the substrate; and a step of removing the first and second photoresist layers to expose the substrate.例文帳に追加

リソグラフィによるパターンニング方法であって、少なくとも一つの開口部を有する第１のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、第１のフォトレジスト層を硬化させる工程と、第２のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、マテリアル層を基板上に形成する工程と、第１および第２のフォトレジスト層を除去して基板を露出させる工程と、を含む。 - 特許庁

The light-sensitive transfer sheet is obtained by sequentially stacking on a support a first light-sensitive layer containing a binder, a polymerizable compound and a photopolymerization initiator and a second light-sensitive layer containing a binder, a polymerizable compound and a photopolymerization initiator and having relatively higher light-sensitivity than the first light-sensitive layer, wherein a heterocyclic compound having a mercapto group is further contained in the second light-sensitive layer.例文帳に追加

支持体上に、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含む第一感光層、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含み第一感光層の光感度よりも相対的に高い光感度を有する第二感光層をこの順序で積層し、第二感光層に、さらにメルカプト基を有する複素環化合物を添加する。 - 特許庁

The light-emitting element 100 comprises the light-emitting layer 24 having a double heterostructure composed of AlGaInP lattice in matching with GaAs, a second transparent semiconductor layer 90 formed on the second main surface side of the light-emitting layer 24 by the HVPE method, and a first transparent semiconductor layer 91 formed on the first main surface side of the section 24 by the HVPE method.例文帳に追加

発光素子１００は、ＧａＡｓと格子整合するＡｌＧａＩｎＰからなるダブルヘテロ構造を有する発光層部２４と、該発光層部２４の第二主表面側にＨＶＰＥ法により形成された第二の透明半導体層９０と、発光層部２４の第一主表面側に、ＨＶＰＥ法により形成された第一の透明半導体層９１とを有する。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A memory cell MC includes: a semiconductor substrate 10; a first gate insulating layer 11 formed on the semiconductor substrate; a floating gate 12 formed on the semiconductor substrate 10 through the first gate insulating layer 11; a second gate insulating layer 13 formed on the floating gate 12; and a control gate 14 formed on the floating gate 12 through the second gate insulating layer 13.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１０と、この半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁層１１と、半導体基板１０上に第1のゲート絶縁層１１を介して形成された浮遊ゲート１２と、この浮遊ゲート１２上に形成された第２のゲート絶縁層１３と、浮遊ゲート１２上に第２のゲート絶縁層１３を介して形成された制御ゲート１４とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes the stages of: forming a lower electrode including nobel metal; forming a first ferroeelctric layer on the lower electrode at a first speed; forming a second ferroelectric layer on the first ferroelectric layer at a speed faster than the first speed; and forming an upper electrode on the second ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、貴金属を含む下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に、第１の速度で第１の強誘電体層を形成する工程と、前記第１の強誘電体層上に、前記第１の速度より速い速度で第２の強誘電体層を形成する工程と、前記第２の強誘電体層上に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

In the optical compensation sheet having a transparent supporting body, a first optical anisotropic layer and a second optical anisotropic layer, the first optically anisotropic layer is made of a discotic liquid crystal compound and the second optical anisotropic layer is made of a cholesteric liquid crystal compound having the helical pitch short enough to give the selective reflection wavelength range shorter than visible light.例文帳に追加

透明支持体、第１光学異方性層、および第２光学異方性層を有する光学補償シートにおいて、第１光学異方性層を円盤状液晶性化合物から形成し、第２光学異方性層を選択反射範囲が可視光よりも短い波長となるに充分に短い螺旋ピッチを有するコレステリック液晶性化合物から形成する。 - 特許庁

The printed circuit board provided with a plurality of insulating layers and a conductor layer in multilayer structure has a second insulating layer having a larger dielectric loss tangent than a first insulating layer among the plurality of insulating layers, and a first via connected to a lead-out line of one of the plurality of conductor layers, wherein a stub formed by the first via is provided penetrating the second insulating layer.例文帳に追加

複数の絶縁層と導体層とが多層状に設けられたプリント配線板であって、複数の絶縁層のうちの第１絶縁層の誘電正接よりも大きい誘電正接を有する第２絶縁層と、複数の導体層のいずれかの引出し線に接続される第１ビアと、を有し、第１ビアにより形成されるスタブが第２絶縁層を貫通して設けられている。 - 特許庁

Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12.例文帳に追加

誘電体層２は、シリコン基板１の表面に形成された第１の埋込酸化膜１０と、素子領域に対向して第１の埋込酸化膜１０の下に形成されたシールド層１１と、シールド層１１の周りに形成された第２の埋込酸化膜１２と、シールド層１１および第２の埋込酸化膜１２の下に形成された第３の埋込酸化膜１３とを含む。 - 特許庁

There are provided a carbon nanotube 2 oriented perpendicularly to a principal surface of a substrate 1; a first laminate electrode 3 consisting of an insulating layer 5/a first electrode 4/an insulating layer 5 disposed adjoining the carbon nanotube 2, and a second laminated electrode 6 consisting of the insulating layer 5/second electrode 7/insulating layer 5 facing laminated electrode 3 putting the carbon nanotube 2 between it and the first laminated electrode.例文帳に追加

基板１の主面に対して垂直方向に配向したカーボンナノチューブ２と、カーボンナノチューブ２に隣接して配置された絶縁層５／第１電極４／絶縁層５からなる第１の積層電極３、第１の積層電極３に対してカーボンナノチューブ２を挟んで対向する絶縁層５／第２電極７／絶縁層５からなる第２の積層電極６とを設ける。 - 特許庁

Furthermore, a capacitor comprising a first electrode 1 composed of a conductive nanowire and having a first end and a second end, a dielectric layer covering the outer circumference at the first end, covering the outer circumference of the first electrode from the first end toward the second end side and not covering the second end, and a second electrode covering the outer circumference of the dielectric layer is constituted.例文帳に追加

導電性のナノワイヤからなり、第１の端部と第２の端部とを有する第１の電極と、第１の端部における外周を被覆し、第１の端部から前記第２の端部側に向かって、第１の電極の外周を被覆し、且つ前記第２の端部を被覆していない誘電体層と、誘電体層の外周を被覆する第２の電極と、を有するキャパシタ。 - 特許庁

A first laminated film including a first substrate and a first adhesive layer is bonded to cover one surface of a laminate including an integrated circuit, a second laminated film including a second substrate and a second adhesive layer is bonded to cover the other surface of the laminate, the laminate is sealed, and the first laminated film and the second laminated film are cut.例文帳に追加

集積回路を有する積層体の一方の面を覆うように、第１の基材及び第１の接着剤層を有する第１の積層フィルムを接着し、前記積層体の他方の面を覆うように、第２の基材及び第２の接着剤層を有する第２の積層フィルムを接着して前記積層体を封止し、前記第１の積層フィルム及び前記第２の積層フィルムを切断する。 - 特許庁

A first network interface is utilized to establish link layer connection with a first connection point, a second network interface is then utilized to detect a second connection point and to establish link layer connection with the second connection point, and compatibility of a connecting router connected with the second connection point and the terminal equipment is judged to connect the terminal equipment and the connecting router.例文帳に追加

第１のネットワークインターフェースを利用して第１の接続ポイントとリンク層接続を成立させたのち、第２のネットワークインターフェースを利用して、第２の接続ポイントを検出し、第２の接続ポイントとリンク層接続を成立させ、第２の接続ポイントと接続している接続ルータと端末装置の適合性を判定して、端末装置と接続ルータとを接続することができる。 - 特許庁

On the organic electroluminescent display device of the color filter conversion device, mainly a color conversion layer, a first photoresist, and a second photoresist are arranged on a substrate, and a first organic light emitting unit is formed on a vertical extension position of the second photoresist, further, a second organic light emitting unit is formed on the vertical extension position of the first photoresist, the second photoresist, and the color conversion layer.例文帳に追加

前記カラーフィルタ変換装置の有機電界発光表示装置は、主として、カラー変換層と、第１フォトレジスト及び第２フォトレジストとを基板上に配置しかつ第２フォトレジストの垂直延長位置の上に第１有機発光ユニットを設けた後、さらに、第１フォトレジストと、第２フォトレジストと、カラー変換層の垂直延長位置の上に第２有機発光ユニットを設ける。 - 特許庁

The wavelength conversion member includes a first wavelength conversion layer 1 comprising a first composition including an inorganic first wavelength conversion substance and a first binder, and a second wavelength conversion layer 2 comprising a second composition including an organic second wavelength conversion substance differing in absorption wavelength from inorganic semiconductor particles and a second binder.例文帳に追加

本発明の波長変換部材は、無機系の第１波長変換物質および第１バインダーを含む第１組成物で構成される第１波長変換層と、前記無機系の半導体粒子と吸収波長が異なる有機系の第２波長変換物質と第２バインダーを含む第２組成物で構成される第２波長変換層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Between a main power wiring layer and an intermediate power wiring layer, a first intermediate connection via connecting first main power wiring to first intermediate power wiring is formed at a position overlapping the first main power wiring, and a second intermediate connection via connecting second main power wiring to second intermediate power wiring is formed at a position overlapping the second main power wiring.例文帳に追加

主電源配線層と中間電源配線層との間には、第１の主電源配線と重なる位置に、第１の主電源配線と第１の中間電源配線とを接続する第１の中間接続ビアが設けられ、第２の主電源配線と重なる位置に、第２の主電源配線と第２の中間電源配線とを接続する第２の中間接続ビアが設けられる。 - 特許庁

A second addition-curable organopolysiloxane composition containing a second adhesion accelerator is applied onto the first silicone layer with JIS A hardness lower than 50 formed by curing a first addition-curable organopolysiloxane composition containing a first adhesion accelerator, and the second addition-curable organopolysiloxane composition is cured to form the second silicone layer with JIS A hardness of 50 or higher.例文帳に追加

第１の接着促進剤を含有する第１の付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物を硬化してなる硬度ＪＩＳ Ａ ５０未満の第１のシリコーン層上に第２の接着促進剤を含有する第２の付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物を塗布し、前記第２の付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物を硬化して硬度ＪＩＳ Ａ ５０以上の第２のシリコーン層を形成する。 - 特許庁

Between the intermediate power wiring layer and an auxiliary power wiring layer, a plurality of first auxiliary connection vias connecting the first intermediate power wiring to first auxiliary power wiring and a plurality of second connection vias connecting the second intermediate power wiring to second auxiliary power wiring are arranged in the first direction, and a plurality of auxiliary connection via lines are arranged in the second direction.例文帳に追加

中間電源配線層と副電源配線層との間には、第１の中間電源配線と第１の副電源配線とを接続する第１の副接続ビアと、第２の中間電源配線と第２の副電源配線とを接続する第２の副接続ビアとが、それぞれ複数、第１の方向に並ぶ副接続ビア列が、第２の方向に複数配置される。 - 特許庁

After a second insulating film 107 is formed on a first layer charge transfer electrode 105, a second insulating film 107 is removed to be thin only in a horizontal transfer part 100A wherein low voltage driving and rapid driving are required and is made a second insulating film 107A, and a second layer charge transfer electrode 108 is formed thereafter.例文帳に追加

第１層電荷転送電極１０５上に第２絶縁膜１０７を形成後、第２層電荷転送電極１０８形成前に、低電圧駆動および高速駆動が要求される水平転送部１００Ａのみ、第２絶縁膜１０７の膜厚が薄くなるように除去して第２絶縁膜１０７Ａとし、その後で第２層電荷転送電極１０８を形成する。 - 特許庁