「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(241ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter the thickness t1 of the second semiconductor layer 11b in the substrate 10 for the temperature measurement is measured by a spectral ellipsometry device.例文帳に追加

その後、分光エリプソメトリ装置により、温度測定用基板１０における第２の半導体層１１ｂの厚さｔ１を測定する。 - 特許庁

A ferroelectric capacitor has a three-layer structure of a ferroelectric film 104, a first electrode part 102 and a second electrode part 105.例文帳に追加

強誘電体キャパシタは強誘電体膜１０４、第一電極部１０２および第二電極部１０５の三層構造をしている。 - 特許庁

On the semiconductor layer laminate 13, a first electrode 15 and a second electrode 16 are formed in mutually spaced relation.例文帳に追加

半導体層積層体１３の上には、互いに間隔をおいて第１の電極１５及び第２の電極１６が形成されている。 - 特許庁

A third internal electrode 31 included in the second electrode layer 30 is electrically connected to fifth and sixth terminal electrodes 5 and 6.例文帳に追加

第２の電極層３０に含まれる第３の内部電極３１は、第５及び第６の端子電極５、６と電気的に接続される。 - 特許庁

A second conductivity-type III-V compound semiconductor layer 20 is provided on the part 12 and a multilayer semiconductor part 24.例文帳に追加

第２導電型III−V族化合物半導体層２０は、半導体部１２上および多層半導体部２４上に設けられている。 - 特許庁

A first electrode (positive electrode) 12, an organic layer 13, and a second electrode (negative electrode) 14 are laminated on a substrate 11, in this order.例文帳に追加

基板１１の上に、第１電極（陽極）１２、有機層１３、および第２電極（陰極）１４がこの順に積層されている。 - 特許庁

The laminated capacitor 10 includes a laminate 12 composed of a dielectric layer 14, a first internal electrode group 16, and a second internal electrode group 18.例文帳に追加

積層コンデンサ１０は、誘電体層１４、第１および第２の内部電極群１６，１８を積層した積層体１２を含む。 - 特許庁

The support 12 and the thermal oxidation film 17 on the surface of the support are removed, and a second semiconductor layer 6 is exposed, thus obtaining the SOI structure.例文帳に追加

その後、支持体１２とその表面の熱酸化膜１７とを除去し、第２半導体層６を露出させ、ＳＯＩ構造を得る。 - 特許庁

The carbon content layer 2 constitutes second surface parts 21 formed to extend from the first surface part to an external side.例文帳に追加

炭素含有層２は、第１の表面部分３から外側に向かって延びるように形成された第２の表面部分２１を構成する。 - 特許庁

The optical diffusion sheet includes a second refraction layer 18 that is formed on the front surface 171 and has a refractive index different from that of the linear prisms LP.例文帳に追加

また、表面１７１上に形成され、線状プリズムＬＰと異なる屈折率を有する第２屈折層１８を備える。 - 特許庁

In the laminate 1, a first internal electrode 20 and a second internal electrodes 30 are laminated via a dielectric layer 10.例文帳に追加

積層体１は、誘電体層１０を介在させて第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とが積層されている。 - 特許庁

A laminated layer pattern 5 comprising a first silicon oxide film 1, a silicon nitride film 2, and a second silicon oxide film 4 is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１のシリコン酸化膜１、シリコン窒化膜２、第２のシリコン酸化膜４の積層膜パターン５を形成する。 - 特許庁

The organic EL panel is formed by mounting a laminated body having a first electrode, a light emitting layer 20 and a second electrode on a substrate 12.例文帳に追加

有機ＥＬパネルは、第一の電極と発光層２０、第二の電極とを有する積層体を基板１２に形成したものである。 - 特許庁

This second solution 37 is sprayed toward a target 55, namely a polyelectrolyte membrane and the diffusion layer to constitute the cell of the fuel cell.例文帳に追加

この第二溶液３７を、ターゲット５５、即ち、燃料電池のセルを構成する高分子電解質膜や拡散層に向けて噴霧する。 - 特許庁

The second layer is formed of nitride semiconductor containing no aluminum or containing aluminum at a smaller ratio than the first ratio.例文帳に追加

第２の層をアルミニウムを含まない又は前記第１の割合よりも小さい第２の割合で含む窒化物半導体で形成する。 - 特許庁

The first electrode 61 contacts a drain electrode 34 of the driving transistor Tdr through the contact hole CH of the second insulation layer 42.例文帳に追加

第１電極６１は、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４に接触する。 - 特許庁

Additionally, the device (22) includes an organic layer disposed between the first and second electrodes (26 and 32) of each of the plurality of organic electronic devices.例文帳に追加

更に、デバイス（２２）は、複数の有機電子デバイスの各々の第１及び第２電極（２６、３２）間に配置された有機層を含む。 - 特許庁

A step (S50) of selectively growing an epitaxial film constituting the mesa structure part on the substrate is performed with the second mask layer as a mask.例文帳に追加

第２のマスク層をマスクとして、基板上にメサ構造部を構成するエピタキシャル膜を選択成長させる工程（Ｓ５０）を実施する。 - 特許庁

file to read from, if NULL or not specified, the last-used file for the same layer (second param) is used例文帳に追加

読み込むファイル。 NULLを指定したり省略したりした場合は、(2 番目のパラメータで指定する) レイヤーで最後に使用されたファイルを用います。 - PEAR

The contact hole is cleaned to remove the deteriorated layer formed on the surface of the second metal film at the bottom surface of the contact hole.例文帳に追加

次に、コンタクトホール内を洗浄して、コンタクトホール底面における第２の金属膜表面に形成された変質層を除去する。 - 特許庁

A second gate 400 is arranged for passing only a part of the lowest layer to the section coming by passing through this first gate 300.例文帳に追加

この第１のゲート３００を通過して来た折丁に対し、最下層の１部のみを通過させる第２のゲート４００を設ける。 - 特許庁

The content rate of the first conductive powder 331 to the barrier layer 33 is greater than the content rate of the second conductive powder 332 thereto.例文帳に追加

バリア層３３における第一導電粉末３３１の含有割合は第二導電粉末３３２の含有割合よりも多い。 - 特許庁

A boundary region between light emitting layers is provided on the surface of a second flattened layer 18 in its portion parallel with a glass base board.例文帳に追加

各発光層の境界領域を第二平坦化層１８上の表面でガラス基板と平行となっている領域に設ける。 - 特許庁

The second insulating layer 8 has an almost identical form to the gate electrode 9.例文帳に追加

第１絶縁層７は半導体層６と略同一の形状を有し、第２絶縁層８はゲート電極９と略同一の形状を有する。 - 特許庁

The upper layer 2 has a first surface zone 6 with a flat part 8 and rows of openings 11 and a recessed second surface zone 7.例文帳に追加

上層２には平坦部８と開孔列１１とを有する第１面域６と、くぼんでいる第２面域７とが形成される。 - 特許庁

The refractive index of the second layer 4 is within a range of 1.62-1.69 and thickness thereof is within a range of 65-89 nm.例文帳に追加

前記第二の層４の屈折率が１．６２以上１．６９以下の範囲、厚みが６５ｎｍ以上８９ｎｍ以下の範囲である。 - 特許庁

The second coating layer 17 is composed of a cord coating part 17a, a tensile strength wire coating part 17b and a tearing constriction part 17c.例文帳に追加

第２被覆層１７は、コード被覆部１７ａと抗張力線被覆部１７ｂと引き裂き用のくびれ部１７ｃとから構成する。 - 特許庁

The second release layer of the release liner is constructed to have retention time of 2,500 minutes or more when measured by a predetermined method.例文帳に追加

はく離ライナーの第２のはく離層は、所定の方法で測定したときの保持時間が２５００分以上となるように構成されている。 - 特許庁

The heat conductive layer is formed in the first hole part and the second hole part and is bonded to the upper surface of the heat dissipation component.例文帳に追加

前記熱伝導層は、前記第一穴部と第二穴部の中に形成され、且つ前記放熱部品の上表面に接着されている。 - 特許庁

The manufacturing method of wiring circuit board comprises the steps of forming an insulating layer on a first wiring formed on a core circuit board, transferring a second wiring to the relevant insulating layer by pressing the relevant second wiring formed on a supporting circuit board to the insulating layer, removing the relevant supporting circuit board, and forming a via plug for connecting the first wiring and the second wiring.例文帳に追加

コア基板上に形成された第１の配線上に絶縁層を形成する工程と、支持基板上に形成された第２の配線を前記絶縁層に押圧して当該第２の配線を当該絶縁層に転写する工程と、当該支持基板を除去する工程と、前記第１の配線と前記第２の配線を接続するビアプラグを形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 特許庁

This structure includes a base material made of metal, and a surface coating layer formed on the surface of the base material, wherein the surface coating layer includes a first layer which is formed on the surface of the base material and contains an amorphous inorganic material, and a second layer which is formed as an outermost layer of the surface coating layer and contains a crystalline inorganic material having a softening point ≥950°C.例文帳に追加

金属からなる基材と、上記基材の表面上に形成された表面被覆層とを備えた構造体であって、上記表面被覆層は、上記基材の表面上に形成され、非晶質無機材を含む第１層と、上記表面被覆層の最外層として形成され、９５０℃以上の軟化点を有する結晶性無機材を含む第２層とを含むことを特徴とする構造体。 - 特許庁

The wiring board comprises a first glass ceramic insulation layer 11a, a capacitor 12 formed on the first insulation layer 11a, a side wall layer 13 having a slope formed between the upside position of the capacitor 12 and the surface of the insulation layer 11a, and a second insulation layer 11b covering the upside of the capacitor 12 and the slope of the side wall layer 13.例文帳に追加

配線基板は、ガラスセラミックスから成る第１の絶縁層１１ａと、第１の絶縁層１１ａ上に形成されたコンデンサ１２と、コンデンサ１２の上面位置と第１の絶縁層１１ａの表面との間に形成された傾斜面を有する側壁層１３と、コンデンサ１２の上面および側壁層１３の傾斜面を覆うように形成された第２の絶縁層１１ｂとを備えている。 - 特許庁

The problems are solved by co-extruding a film 1 laminated with a resin layer comprising at least one kind of polyethylene as the first layer, the pressure-sensitive flexible layer comprising an acrylic block copolymer as the second layer, and a resin layer comprising at least one kind of polyolefin as the third layer, sequentially in this order, and by providing an embossment functioned as a discharge flow passage of the air bubble.例文帳に追加

第１層に少なくとも１種のポリエチレンからなる樹脂層、第２層にアクリル系ブロック共重合体からなる粘着性柔軟層、第３層に少なくとも１種のポリオレフィンからなる樹脂層を順次積層したフィルムを共押出成形し、さらに前記第２層の少なくとも一方の面に、気体の排出流路として機能するエンボスを設けることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

A light-emitting layer 15 installed between a first electrode 11 and a second electrode 19 is formed by a process of forming a composition layer comprised of a radical initiator and a light-emitting material having radical polymerization reactivity, a process of forming a region in which the composition layer is polymerized out of the composition layer by exciting the composition layer, and a process of removing the composition layer except the polymerized region.例文帳に追加

第１電極１１および第２電極１９の間に設けられた発光層１５をラジカル開始剤とラジカル重合反応性を有する発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、組成物層を励起することにより、組成物層のうち組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、組成物層のうち、高分子化された領域以外を除去する工程とにより形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical film wherein a hard coat layer or the hard coat layer and a functional layer are provided on a transparent plastic film base material having at least one first knurling part in a film winding direction, a second knurling part is laminated on the first knurling part after a process for applying the hard coat layer or the hard coat layer and the functional layer.例文帳に追加

フィルム巻き取り方向に少なくとも１本の第１ナーリング部を有する透明プラスチックフィルム基材上にハードコート層またはハードコート層及び機能性層を有する光学フィルムの製造方法において、該ハードコート層またはハードコート層及び機能性層を塗布する工程の後に、該第１ナーリング部上に第２ナーリング部を積層して設けることを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 特許庁

The electrostatic sensor 15 detects change in electrostatic capacity resulting from tracing with a finger, and includes a dielectric layer 3, a first electrode layer 11 disposed on a surface of the dielectric layer 3 on the side of the finger, and a second electrode layer 12 disposed on a surface of the dielectric layer 3 on the opposite side from the side of the finger, the dielectric layer being lower in moisture absorptivity than polyimide.例文帳に追加

本発明の静電容量センサは、指のなぞりによる静電容量の変化を検知する静電容量センサ１５であって、誘電体層３と、誘電体層３の、指の側の面に位置する第１の電極層１１と、誘電体層３の、指の側と反対側の面に位置する第２の電極層１２とを備え、誘電体層の吸湿率が、ポリイミドよりも小さいことを特徴とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion device 10 includes: a semiconductor layer 3; a first metal chalcogen compound semiconductor layer 4a which is located on the semiconductor layer 3 and has a crystal surface on a principal surface; and a second metal chalcogen compound semiconductor layer 4b which is located on the principal surface of the first metal chalcogen compound semiconductor layer 4a and made of a material different from that of the first metal chalcogen compound semiconductor layer 4a.例文帳に追加

光電変換装置１０は、半導体層３と、半導体層３上に位置し、主面に結晶面を有する第１の金属カルコゲン化合物半導体層４ａと、第１の金属カルコゲン化合物半導体層４ａの主面上に位置し、第１の金属カルコゲン化合物半導体層４ａとは異なる材料からなる第２の金属カルコゲン化合物半導体層４ｂとを具備する。 - 特許庁

The production process of the thin-film superconductive wire material 10A comprises the steps of forming an intermediate layer 2 on a metal tape substrate 1, forming a first superconductive layer 3 having an RE123 composition as a diffusion-preventing layer on the intermediate layer 2 and forming a second superconductive layer 4 having an RE123 composition so as to come into contact with the first superconductive layer 3.例文帳に追加

本発明の薄膜超電導線材１０Ａの製造方法は、金属テープ基板１上に中間層２を形成する工程と、その中間層２上にＲＥ１２３系の組成を有する第１の超電導層３を拡散防止層として形成する工程と、第１の超電導層３に接するように、ＲＥ１２３系の組成を有する第２の超電導層４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The colored interference filter comprises an at least partially white light reflective first layer, a transparent acrylate layer which is formed of a monomer and is cross-linked on the first layer and which has sufficient thickness for producing interference color and an at least partially white light reflective second layer which is formed on the acrylate layer surface opposite to the first layer.例文帳に追加

第一の少なくとも一部白色光反射性の層、前記少なくとも一部白色光反射性の層上に、モノマーより形成された架橋した透明なアクリレート層、このアクリレート層は干渉カラーを形成するに十分な厚さを有する、及びアクリレート層の第一の少なくとも一部白色光反射性の層とは反対の面上の第二の少なくとも一部白色光反射性の層を含む干渉カラーフィルター。 - 特許庁

This light emitting device has a luminescent layer 140B between a negative electrode 154 and a positive electrode 141, the negative electrode 154 has a first negative electrode layer 154A and a second negative electrode layer 154B each having different electron injection barriers against the luminescent layer 140B, and the first negative electrode layer 154A having the relatively smaller electron injection barrier against the luminescent layer 140B is patterned.例文帳に追加

本発明の発光装置は、陰極１５４と陽極１４１との間に発光層１４０Ｂを有し、前記陰極１５４は、前記発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が異なる第１陰極層１５４Ａと第２陰極層１５４Ｂを有し、相対的に前記発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が小さい第１陰極層１５４Ａがパターニングされてなることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the light propagation member includes the stages of: forming metal foil 32 on a support 37; forming a first clad layer 38 on the metal foil 32 on the support 37; forming a core layer 58 on the first clad layer 38; forming a second clad layer 39 on the first clad layer 38 to cover the core layer 58; and removing the support 37.例文帳に追加

支持体３７に金属箔３２を形成する工程と、前記支持体３７の前記金属箔３２上に第１のクラッド層３８を形成する工程と、該第１のクラッド層３８上にコア層５８を形成する工程と、前記第１のクラッド層３８の上部に前記コア層５８を覆うように第２のクラッド層３９を形成する工程と、前記支持体３７を除去する工程と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a first semiconductor layer 14 formed on a semiconductor substrate 10, a lead-out base electrode 26 formed on the first semiconductor layer 14, a base layer 32 composed of silicon germanium containing carbon formed on the first semiconductor layer and connected to the lead-out base electrode at the side face of the lead-out base electrode, and a second semiconductor layer 36 formed on the base layer.例文帳に追加

半導体基板１０に形成された第１の半導体層１４と、第１の半導体層１４上に形成された引き出しベース電極２６と、第１の半導体層上に形成され、引き出しベース電極の側面部で引き出しベース電極に接続された、カーボンを含むシリコンゲルマニウムより成るベース層３２と、ベース層上に形成された第２の半導体層３６とを有している。 - 特許庁

Also, the device has a gate electrode layer 640 provided on the P type well region 614 through an insulation layer 650, a first N type impurity layer 620 provided in the P type well region 614 in one side of the gate electrode layer 640, and a second N type impurity layer 622 provided in the P type well region 614 in the other side of the gate electrode layer 640.例文帳に追加

さらに、Ｐ型ウエル領域６１４の上に絶縁層６５０を介して設けられたゲート電極層６４０と、ゲート電極層６４０の一方の側方におけるＰ型ウエル領域６１４内に設けられた第１のＮ型不純物層６２０と、ゲート電極層６４０の他方の側方におけるＰ型ウエル領域６１４内に設けられた第２のＮ型不純物層６２２と、を有する。 - 特許庁

It is desirable that the thickness of the second inner electrode layer 13 be exactly equal to the thickness of the first inner electrode layer 12, and it is desirable that it be stacked on the section 15, where the inner electrodes do not come closest to each other.例文帳に追加

第二の内部電極層１３は第一の内部電極層１２の厚みと全く等しいことが望ましく、内部電極が最近接しない部分１５に積層するのが望ましい。 - 特許庁

A substrate 1 which is formed with a first information recording layer, a sheet 7 for spacers and a stamper 6 which is the matrix for the rugged patterns of a second information recording layer 4 are superposed on each other and are heated and pressurized.例文帳に追加

第１の情報記録層が形成された基板１とスペーサ用シート７と第２の情報記録層４の凹凸パターンの母型となるスタンパ６とを重ね合わせ、加熱し、加圧する。 - 特許庁