「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(245ページ目) - Weblio英語例文検索

The device further comprises a second conductive film 410 formed in island shape on the lower layer side from the pixel electrodes and on the upper layer side from the insulating film so as to overlap the contact hole in a plan view on the substrate.例文帳に追加

更に、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に、基板上で平面的に見て、コンタクトホールに重なるように島状に形成された第２導電膜（４１０）とを備える。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 has a substrate 2, an optically transparent first electrode 3 formed on the substrate 2, an organic layer 4 including an organic luminescent layer 43, and a second electrode 5, in this order.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子１は、基板２と、基板２上に形成された光透過性のある第１電極３と、有機発光層４３を含む有機層４と、第２電極５とをこの順に有する。 - 特許庁

In addition, a cell thickness adjustment layer 115 is provided on a substrate and a second light shielding area 120B that regulates boundaries of a plurality of pixel areas is provided on the cell thickness adjustment layer 115 in the display area.例文帳に追加

また、表示領域内においては、基板上にセル厚調整層１１５が設けられ、その上に複数の画素領域の境界を規定する第２の遮光領域１２０Ｂが設けられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic EL display in which reliability is superior and productivity is improved in a manufacturing process since a first electrode layer is protected and a second electrode layer is effectively separated.例文帳に追加

製造工程において第１電極層を保護し、第２電極層を効果的に分離して、信頼性に優れて生産性が向上する有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the relevant capacitors C1, C2, an impurity diffusing layer 24 where the wider part is formed is defined as a first electrode and an electrode 22 formed thereon via a dielectric material layer 21 is defined as a second electrode.例文帳に追加

当該キャパシタＣ１，Ｃ２は、その幅広部の形成された不純物拡散層２４を第１電極とし、その上に誘電体層２１を介して形成された電極２２を第２電極とする。 - 特許庁

The first tube has a multilayer structure including a first layer formed of a thermosetting resin-based elastomer, and a second layer formed of a thermoplastic elastomer containing EPDM or butyl rubber.例文帳に追加

この第１のチューブは、熱硬化性樹脂系エラストマーで形成された第１層と、ＥＰＤＭを含有する熱可塑性エラストマー又はブチルゴムで形成された第２層とを含む多層構造を有する。 - 特許庁

The method includes doping a silicon layer with a first type of dopant and performing a first implant process to implant dopant of a second type opposite the first type in the silicon layer.例文帳に追加

本方法は、第１の種類のドーパントでシリコン層をドープすること、および第１の注入工程を実施して第１の種類とは反対の第２の種類のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。 - 特許庁

Here, the first conductive layer is preferably made of a metal selected from among a group of platinum, gold and nickel, and the second conductive layer is preferably made of fullerene, a fullerene derivative or carbon nanotube.例文帳に追加

このとき、第１導電層は、白金、金及びニッケルの群から選ばれた金属からなることが好ましく、また、第２導電層は、フラーレン、フラーレン誘導体又はカーボンナノチューブからなることが好ましい。 - 特許庁

An introducing port 18 communicated with a fuel tank is arranged in the upper part of the first adsorbent layer 12a, and an atmospheric port 20 communicated with the atmosphere is arranged in the upper part of the second adsorbent layer 12a.例文帳に追加

第１の吸着剤層１２ａの上方に燃料タンクに連通する導入ポート１８を設け、第２の吸着剤層１２ｂの上方に大気に連通する大気ポート２０を設ける。 - 特許庁

If the center thickness of the first light-transmitting member is set as D1, the central thickness of the layer of the first liquid as M1, and the center thickness of the layer of the second liquid as M2, the condition 1<D1/(M1+M2)<20 is satisfied.例文帳に追加

第１光透過部材の中心厚をＤ１とし、第１液体の層の中心厚をＭ１とし、第２液体の層の中心厚をＭ２とするとき、１＜Ｄ１／（Ｍ１＋Ｍ２）＜２０の条件を満足する。 - 特許庁

A first GaN layer 100 is formed at a growth temperature of 900° or lower on a sapphire substrate 2, and a second GaN layer 102 is then formed at a growth temperature of 1,000° or higher.例文帳に追加

サファイア基板２上に９００度以下の成長温度で第１層のＧａＮ層１００を形成し、その後１０００度以上の成長温度で第２層のＧａＮ層１０２を形成する。 - 特許庁

A thin film-like plate member 14 is disposed between a first plate layer A in which the plurality of pressure chambers 20 are formed and a second plate layer B in which the common ink chamber 23 is formed.例文帳に追加

前記複数の圧力室２０が形成される第一の平板層Ａと、前記共通インク室２３が形成される第二の平板層Ｂとの間には、薄膜状の平板部材１４が位置する。 - 特許庁

A second heat treatment of the wafer 10 in an inert gas atmosphere forms micro-defects 14 inside the wafer 10 as well as changes the wafer 10's surface layer into a defect-free layer 16.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気中でウエハ１０に第２の熱処理を施すことによりウエハ１０の内部に微小欠陥１４を形成すると共にウエハ１０の表面層を無欠陥層１６に変化させる。 - 特許庁

In the second region, a groove 113 is formed in the optical waveguide direction while penetrating at least the active layer 104 from an upper surface of the shock relaxing portion to reach the first conductivity type layer 102.例文帳に追加

第２の領域には、衝撃緩和部の上面から少なくとも活性層１０４を貫通して第１導電型層１０２まで達する溝１１３が光導波路方向に沿って形成されている。 - 特許庁

The first gate wiring layer 17 is electrically connected to each gate electrode 18 through a via 26, and is connected electrically with the second gate wiring layer 28 through a via 27.例文帳に追加

第１ゲート配線層１７はビア２６を介して各ゲート電極１８と電気的に接続されており、第１ゲート配線層１７はビア２７を介して第２ゲート配線層２８と電気的に接続されている。 - 特許庁

Current injection into the MQW active layer 22 is carried out by the first p-side electrode and the n-side electrode, and the current injection into the variable wavelength layer is carried out by the second p-side electrode and the n-side electrode.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層への電流注入は第１ｐ側電極とｎ側電極とにより、波長可変層への電流注入は第２ｐ側電極とｎ側電極とにより行われる。 - 特許庁

At least one of the first power voltage supply line VSS and the second power voltage supply line VSS is composed of a groove wiring formed by filling inside of a through groove in an inter-layer insulating layer with conductive material.例文帳に追加

第１の電源電圧供給線ＶＳＳと第２の電源電圧供給線ＶＳＳの少なくとも一方が、層間絶縁層の貫通溝内を導電材料で埋め込んだ溝配線からなる。 - 特許庁

The semiconductor layer is also provided with first and second Si body regions 22 and 23, an SiGe body region 24 containing p-type impurities of high concentration, and an Si channel layer 25 containing p-type impurities of low concentration.例文帳に追加

また、第１，第２Ｓｉボディ領域２２，２３と、高濃度のｐ型不純物を含むＳｉＧｅボディ領域２４と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉチャネル層２５とが設けられている。 - 特許庁

The first layer 22 is composed of BO_4 (here, B is a pentavalent metal) while the second layer 23 is composed of (A_1-xBi_2x/3)B_2 O_7 (here, A is a bivalent metal, B is the pentavalent metal and x satisfies a condition 0<x<1).例文帳に追加

第１の層２２はＢＯ_4（但し、Ｂは５価の金属である）よりなり、第２の層２３は（Ａ_1-xＢｉ_2x/3）Ｂ_2Ｏ_7（但し、Ａは２価の金属であり、Ｂは５価の金属であり、ｘは０＜ｘ＜１）を満たす。 - 特許庁

The first parts 19 and the second parts 20 are arranged with their positions being shifted on the peripheries of the internal insulators 4, 4' and reinforcing layer 11 respectively, to form an external conductor layer 21 as the result.例文帳に追加

第１の溶接部１９と第２の溶接部２０をそれぞれ内部絶縁体４、４´と絶縁補強層１１の周囲において位置をずらせて配置し、これによって外部導体層２１を形成する。 - 特許庁

With the film-formation surface of the semiconductor thin-film layer 17 as a laminated surface, the first and the second substrates 1, 11 are laminated while the gate insulating film 9 and the semiconductor thin-film layer 17 are being clamped.例文帳に追加

半導体薄膜層１７の成膜表面を貼り合わせ面とし、かつゲート絶縁膜９と半導体薄膜層１７とを狭持する状態で第１基板１と第２基板１１とを貼り合わせる。 - 特許庁

In the multilayer structure, a first layer formed of an outer surface and a first material having a refractive index of 2-4 spreads on the outer surface of a second layer having a refractive index of 1-3.例文帳に追加

マルチレイヤー構造であって、外表面および２〜４の屈折率を有する第一の材料でできた第一の層が、１〜３の屈折率を有する第二の層の外表面にわたって広がっている。 - 特許庁

The circular cleaning water W_1 stored in a water storage part 5 is supplied to the first packed layer 2 through a water spraying pipe 4 and the clean water W_2 is supplied to the second packed layer 3 through a water spraying pipe 7.例文帳に追加

第一充填層２には、貯水部５に蓄えられた循環洗浄水Ｗ_1が散水管４から供給され、第二充填層３には、散水管７から清浄水Ｗ_2が供給される。 - 特許庁

Each pixel 10 comprises a substrate 30, a first reflective layer 32, an optical modulation film 34 which varies in refractive index according to an applied electric field, a transparent electrode 36, and a second reflective layer 30.例文帳に追加

各画素１０は、基板３０と、第１反射層３２と、印加された電界に応じて屈折率が変化する光変調膜３４と、透明電極３６と、第２反射層４０と、を備える。 - 特許庁

At this time, the mass of the conductive metal layer 12 in the first substance activating means 10 and the mass of the conductive metal layer 22 in the second substance activating means 20 are different.例文帳に追加

このとき、第１の物質活性化手段１０における導電性金属層１２の質量と第２の物質活性化手段２０における導電性金属層２２の質量とが異なる。 - 特許庁

Due to the difference of the lattice constants, the first rotating layer 104 and the second rotating layer 105 are spirally wound around together with the crystalline silicon film 103 and the metal wirings W1 to W9.例文帳に追加

この格子定数の差に起因して、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５が結晶シリコン膜１０３および金属配線Ｗ１〜Ｗ９とともに螺旋状に巻回されている。 - 特許庁

Then, a first etching mask 19A is formed on the optical waveguide layer 15 in a second region 3B and the third region 3C, and the optical waveguide layer 15 in a first region 3A is removed by using it.例文帳に追加

次に、第２の領域３Ｂ及び第３の領域３Ｃの光導波層１５上に第1エッチングマスク１９Ａを形成し、これを用いて第1の領域３Ａの光導波層１５を除去する。 - 特許庁

A second free magnetic layer 30 having a dimension of W2 in the widthwise direction of a track is formed on a first free magnetic layer 29 having a dimension of W1 in the widthwise direction of the track, wherein W2 is larger than W1.例文帳に追加

トラック幅方向寸法Ｗ１を有する第１フリー磁性層２９上に、第１フリー磁性層２９より大きなトラック幅方向寸法Ｗ２を有する第２フリー磁性層３０を積層する。 - 特許庁

In the first diffusion layers 25 and 26 in two adjacent sets, the first diffusion layer 25 in one set and the second diffusion layer 26 in the other set are connected electrically through an aluminium film 27.例文帳に追加

隣接する２つの組の第１および第２拡散層２５，２６において、一方の組の第１拡散層２５と他方の組の第２拡散層２６とは、アルミニウム膜２７により電気接続されている。 - 特許庁

The ends of the first coil strips 55 adjacent to each other are connected to each other through the plurality of the second coil strips 56 formed on the magnetic pole layer 70, by which a toroidal coil layer 57 is formed.例文帳に追加

隣りあう第１コイル片５５の端部同士が、磁極層７０上に形成された複数本の第２コイル片５６を介して接続されてトロイダル状コイル層５７が形成されている。 - 特許庁

A first casing 2 formed with an adsorbent layer 16 composed of adsorbents 15 and a second casing 3 formed with an adsorbent layer 20 composed of adsorbents 19 are connected to each other through a communication passage 5a.例文帳に追加

吸着材１５をもって吸着材層１６を形成している第１ケーシング２と吸着材１９をもって吸着材層２０を形成している第２ケーシング３とを連通路５ａで接続する。 - 特許庁

Thus, incident light that is not absorbed in a first pass through the absorption layer is reflected by the reflector for a second pass through the absorption layer and enhances the intrinsic responsivity of the front-illuminated APD.例文帳に追加

したがって、最初の吸収層通過で吸収されない入射光は、２回目の吸収層通過のために反射体で反射され、前面照射型ＡＰＤの固有応答度を高める。 - 特許庁

The rotation of the wafer is accelerated to a second rotating speed and the coating solution is supplied to the center part of the pure water on the wafer to form a mixed layer of the coating solution and pure water under the layer of the coating solution (step S2).例文帳に追加

ウェハの回転を第２の回転数まで加速させ、ウェハ上の純水の中心部に塗布液を供給し、塗布液の下層に塗布液と純水の混合層を形成する（工程Ｓ２）。 - 特許庁

Moreover, both outer ends in the tire width direction of the first circumferential reinforcement layer 44 and the second circumferential reinforcement layer 46 are located almost in the same position relative to the tire width direction.例文帳に追加

そして、第一周方向補強層４４のタイヤ幅方向外側の端部と第二周方向補強層４６のタイヤ幅方向外側の端部とがタイヤ幅方向に対して略同位置にある。 - 特許庁

The absorption axis of the first polarizing layer 102 is disposed at 45° angle with respect to the delay phase axis of the first quarter wave plate 122 and at 90°angle with respect to the absorption axis of the second polarizing layer 103.例文帳に追加

第１の偏光層１０２の吸収軸は、第１のλ／４板１２２の遅相軸に対し４５度、且つ、第２の偏光層１０３の吸収軸に対し９０度の角度で配置される。 - 特許庁

A buffer layer 12 of a composite layer structure, where a plurality of first layers 12a composed of AlN and second layers 12b composed of GaN are laminated on a substrate 11 composed of low-resistance silicon, is installed.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

A first passage component 140 of a gas passage layer 40 has first projection parts 141 projecting toward a power generating body layer 35, and second projection parts 142 projecting toward a separator 70, repeatedly.例文帳に追加

ガス流路層４０の備える第１流路構成体１４０は、発電体層３５の側に凸な第１凸部１４１とセパレーター７０の側に凸な第２凸部１４２とを繰り返し有する。 - 特許庁

A semiconductor device containing chalcogenide 10 may comprise a first composition layer 12; a second composition layer 16; and an intermediate gradient thin film 14 formed of a mixture of compositions of the thin films 12, 16.例文帳に追加

カルコゲナイド含有半導体デバイス１０は、第１の組成層１２と、第２の組成層１６と、薄膜１２及び１６の組成の混合物で形成された中間勾配薄膜１４とを含んでもよい。 - 特許庁

The light beams reflected by the dichroic film 4g are reflected by an interface between a layer 5 having a first refractive index and a layer 6 having a second refractive index, to be introduced into dichroic films 4r composed of contiguous pixels.例文帳に追加

そして、ダイクロイック膜４ｇで反射させた光線を第１の屈折率層５と第２の屈折率層６との界面で反射させて、隣接する画素のダイクロイック膜４ｒに導入する。 - 特許庁

In this magnetic detecting element, hard bias layers 18 are formed on both sides of the free magnetic layer 15 and second antiferromagnetic layers 21 are formed on third antiferromagnetic layers formed on both side areas 15a of the magnetic layer 15.例文帳に追加

フリー磁性層１５の両側にハードバイアス層１８を形成するとともに、前記フリー磁性層１５の両側領域上の第３反強磁性層上に第２反強磁性層２１を形成する。 - 特許庁

The tile 10, which is wholly formed in a plate-like shape, exerts the electromagnetic wave absorption function when an electromagnetic wave reflection layer is arranged in such a manner as to face the second surface 11b of the layer 11.例文帳に追加

電波吸収用タイル１０は、全体が板状をなし、電波吸収層１１の第２の面１１ｂに対向するように電波反射層が配置されたときに電波吸収機能を発揮する。 - 特許庁

When the second layer is used as an object layer, it is enough to select and use only of the good differential push pull signal E-F by the sub beam, and to generate a differential push pull signal DPP2=(C-D)-k2×(E-F).例文帳に追加

第２層を対象層とする場合には、サブビームによるプッシュプル信号Ｅ−Ｆのみを選択使用し差動プッシュプル信号ＤＰＰ２＝（Ｃ−Ｄ）−ｋ２・（Ｅ−Ｆ）を生成すればよい。 - 特許庁

The first superconducting layer 103 in the first superconducting cable 10 and the first conducting layer 203 in the second superconducting cable 20 are different in resistance in a normal conducting state.例文帳に追加

第１の超電導ケーブル１０における第１の超電導層１０３と、第２の超電導ケーブル２０における第１の超電導層２０３とは、常伝導状態における抵抗が異なっている。 - 特許庁

The atomic concentration of the non-soluble phase in the first magnetic layer 16 is set higher than the atomic concentration of the non-soluble phase in the second magnetic layer 17.例文帳に追加

第１磁性層１６および第２磁性層１７は磁性粒子と非磁性の非固溶相からなり、第１磁性層１６を第２磁性層１７よりも非固溶相の原子濃度を高く設定する。 - 特許庁

In a magnetic recording head having the multi-layer structure thin-film coil of two or more layers, flattening processing is executed by machine polishing on a thin-film coil forming surface, where a thin-film coil after the second layer is formed.例文帳に追加

２層以上の多層構造薄膜コイルを有する磁気記録ヘッドにおいて、２層目以降の薄膜コイルが形成される薄膜コイル形成面に、機械研磨による平坦化処理に施す。 - 特許庁