「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(243ページ目) - Weblio英語例文検索

The flange can be formed by processing the laminate in which the first metal layer composed of the Al-based material is joined to the second metal layer composed of the Ti-based material in advance.例文帳に追加

このようなフランジを、予めＡｌ系材料からなる第１の金属層とＴｉ系材料からなる第２の金属層が接合されている積層体を加工して形成することができる。 - 特許庁

An object to be processed having the insulating layer 12, a magnetic recording layer 13 composed of an iron-cobalt alloy, and first and second mask layers 14, 15, laminated on a substrate 11 in this order, is prepared.例文帳に追加

基板１１上に、絶縁層１２と、鉄−コバルト合金からなる記録用磁性層１３と、第１及び第２のマスク層１４、１５とがこの順で積層された処理対象物を用意する。 - 特許庁

In the channel layer 21, the impurity density of the first part 21a is equal to that of the second part 21b, so ion implantation into the first part of the channel layer 21 is not carried out.例文帳に追加

チャネル層２１において第１の部分２１ａの不純物濃度が第２の部分２１ｂの不純物濃度と同じであるから、チャネル層２１における第１の部分にイオン注入が行われていない。 - 特許庁

The first structure body and the second structure body are insulators each having a higher dielectric constant than a liquid crystal material used for the liquid crystal layer, and are provided to project into the liquid crystal layer.例文帳に追加

第１の構造体及び第２の構造体は、液晶層に用いられる液晶材料の誘電率より高い誘電率を有する絶縁体であり、液晶層に突出するように設けられる。 - 特許庁

The first low density substance layer 22 and the second low density substance layer 32 are stacked in the order in which they are directly in contact with each other at an interface between the multilayer film structure 20 and the upper stacked structure 30.例文帳に追加

多層膜構造２０と上部積層構造３０との界面において、第１の低密度物質層２２と第２の低密度物質層３２とが直接接するような積層順序とされる。 - 特許庁

The plurality of third semiconductor regions 25a, 25b configure a plurality of photodiodes together with the plurality of first semiconductor regions 23a, 23b, the first semiconductor layer 21, and the second semiconductor layer 22.例文帳に追加

複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂは、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂ、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と共に複数のフォトダイオードを構成する。 - 特許庁

A multilayer film filter 20 includes a multilayer film section 22 where a layer H made of a first material and the layer L made of a second material having a different refractive index from the first material are alternatively laminated.例文帳に追加

第１の材料からなる層Ｈと第１の材料と屈折率の異なる第２の材料からなる層Ｌが交互に積層される多層膜部２２を含んで多層膜フィルター２０を構成する。 - 特許庁

The resistance change element 10 includes: an ion conductive layer 14 in which a metal ion can be conducted; and a first electrode 12, a second electrode 16 and a third electrode 17 that are in contact with the ion conductive layer 14.例文帳に追加

抵抗変化素子１０は、金属イオンが伝導可能なイオン伝導層１４と、イオン伝導層１４と接する第１電極１２、第２電極１６および第３電極１７と、を備えている。 - 特許庁

The first electrodes 11a to g are formed between a first transparent substrate 19 and a resin film 18 (transparent insulating layer) and the second electrodes 12a to e are formed between the resin film 18 and a liquid crystal layer 16.例文帳に追加

第1電極１１ａ〜ｇは第１透明基板１９と樹脂膜１８（透明絶縁層）との間に形成され、第２電極１２ａ〜ｅは樹脂膜１８と液晶層１６との間に形成される。 - 特許庁

The light receiving and emitting element control element 8 is mounted on the electrode of the conductive layer 3, connected to the other conductive layer 3 by wire bonding 9, and sealed with a second sealing resin 19 of transfer mold resin.例文帳に追加

導電層３の電極に受発光素子制御素子８を実装し、他の導電層３とワイヤーボンディング９によって接続し、トランスファーモールド樹脂の第二の封止樹脂１９によって封止する。 - 特許庁

When one kind of liquid crystal is injected to form a second liquid crystal layer 19 as a first stage, the liquid crystal is prevented from entering the first liquid crystal layer 16 side by the guard seal 33.例文帳に追加

最初の段階として第２液晶層１９を形成するため一種目の液晶を注入するとき、ガードシール３３があるので第１液晶層１６側にこの液晶は入り込まない。 - 特許庁

The air filter unit includes (a) a filter frame and (b) a filter medium 30 disposed inside the filter frame and comprising a relatively coarse first layer 30a and a relatively thick second layer 30b which are layered on each other.例文帳に追加

エアフィルタユニットは、（ａ）フィルタ枠と、（ｂ）フィルタ枠内に配置され、積層された相対的に粗である第１層３０ａと相対的に密である第２層３０ｂとを含む濾材３０とを備える。 - 特許庁

The specific surface area of carbon as the conductive powder contained in the second porous layer 33b is larger than that of carbon as the conductive material contained in the first porous layer 33a.例文帳に追加

第２の微細孔層３３ｂに含まれる導電性粉末としてのカーボンの比表面積が、第１の微細孔層３３ａに含まれる導電性粉末としてのカーボンの比表面積に比べて大きい。 - 特許庁

Electrode pads 121, 122 and 123, which are formed into a rectangular shape, extending in the longitudinal direction NT of the NOx sensor element are arranged to the protective layer 7 and electrode pads 124, 125 and 126 are arranged on the second alumina layer 102.例文帳に追加

保護層７に、ＮＯｘセンサ素子の長手方向ＮＴに延びる矩形状に形成された電極パッド１２１，１２２，１２３が、第２アルミナ層１０２に電極パッド１２４，１２５，１２６が配置される。 - 特許庁

A first substrate 11 provided with a phosphors layer 16 in an inner face thereof, and a second substrate 12 with an electron emission element 18 energizing the layer 16 disposed thereon, are spaced oppositely.例文帳に追加

内面に蛍光体層１６が形成された第１基板１１と、蛍光体層を励起する電子放出素子１８が設けられた第２基板１２とが隙間を置いて対向配置されている。 - 特許庁

This magnetic sensor comprises a first outer layer part A laminated with magnetic sheets 11, a coil part B laminated with sheets 12 (121, 122, 123...12n) with coil patterns 17, and a second outer layer part C laminated with magnetic sheets 13.例文帳に追加

磁性体シート１１を積層した第１外層部Ａと、コイルパターン付きシート１２（１２_1，１２_2，１２_3…１２ｎ）を積層したコイル部Ｂと、磁性体シート１３を積層した第２外層部Ｃとからなる磁気センサ。 - 特許庁

The first layer 161 and the second layer 162 are formed continuously so that they are brought into direct contact with one another, without a surface natural oxide film, to reduce the resistance value of the crossing portion 160.例文帳に追加

第１層１６１および第２層１６２を連続して形成することにより、表面自然酸化膜などを介在させることなく、直接接触させ、交差部分１６０の抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The solder paste printed on the pads 11 and 12 and the alignment mark is made to reflow, whereby a solder bump 18 is formed on the pad 11, a solder ball mounting solder layer 19 is formed on the pad 12, and a second solder layer is formed on the alignment mark.例文帳に追加

パッド１１，１２及びアライメントマークに印刷されたハンダペーストをリフローして、パッド１１にハンダバンプ１８を、パッド１２にハンダボール取付用ハンダ層１９を、アライメントマークに第二ハンダ層を形成する。 - 特許庁

A first conductor path 40 provided above a substrate 10 as covered with a first insulating layer 50 is connected to a second conductor path 60 as contacted therewith via a contact hole L' of the first insulating layer 50.例文帳に追加

基板１０上に被着され第１の絶縁層５０により覆われた第１の導体路４０を、第１の絶縁層５０のコンタクトホールＬ′を介して第２の導体路６０と接触接続する。 - 特許庁

(c) The belt molding body 49 is taken out of a belt molding apparatus 100, and reversed, and the belt molding body 49 is arranged in such a manner that the second rubber layer 54 may be confronted with the forming section 9, and the first rubber layer 53 may be confronted with the bladder 3.例文帳に追加

(c)ベルト成形体49をベルト成形装置100から取り出して反転させ、このベルト成形体49を第二ゴム層54が型付部9に対向し第一ゴム層53がブラダー3に対向するように配する。 - 特許庁

A gap G is provided on the heating resistor layer 16 on one slope surface 15b of the glaze layer 15 to form a first electrode 17a and a second electrode 17b, using the gap G portion as a heating part 18.例文帳に追加

このグレーズ層１５の一斜面１５ｂの発熱抵抗体層１６上に間隙Ｇを設けて第１の電極１７ａ、第２の電極１７ｂを形成し間隙Ｇ部分を発熱部１８とする。 - 特許庁

A part of the second oxide layer is removed to expose a central portion of the diffusion preventive region, and it leaves the first oxide layer and an oxide sidewall spacer to cover a periphery of the diffusion preventive region.例文帳に追加

第２の酸化物層の一部は、拡散防止領域の中央部を露出するべく除去され、拡散防止領域の周囲を覆うための第１の酸化物層及び酸化物側壁スペーサを残す。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7 indirectly constitute a pn junction with the potential control layer 2a being interposed therebetween, around the active layer 5.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において電位制御層２ａを挟んで間接的にｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

In a prescribed position on the medium for printing 23, a first printing layer 25 configuring visible recognition information such as patterns or characters, and a second printing layer 26 comprising the detection marker 21 are formed by printing.例文帳に追加

被印刷媒体２３上の所定位置に、絵柄や文字などの視覚認識情報を構成する第１印刷層２５と、前記検出用マーカー２１からなる第２印刷層２６とを印刷形成する。 - 特許庁

An opening 26 is disposed in a space S1 between the first layer and the second layer and filament fibers is filled by air pressure from a nozzle 20-1 and the space S1 is packed with the filament fibers as fillers.例文帳に追加

第１層と第２層との間の空間Ｓ１に開口２６を設け、ノズル20-1よりフィラメント繊維を空気圧により注入し、空間Ｓ１を充填材としてのフィラメント繊維で充填する。 - 特許庁

An upper electrode 17 is formed to the upper surface of the AlN layer 12 within the first aperture 15, while a lower electrode 18 is formed to the lower surface of the AlN layer 12 within the second aperture 16.例文帳に追加

第１の開口１５内においてＡｌＮ層１２の上面に上部電極１７が形成され、第２の開口１６内においてＡｌＮ層１２の下面に下部電極１８が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film 1205 functioning as a blocking layer is formed on the substrate 1203 side of the TFT 1201, and a second insulating film 1206 is formed as a protective film on the opposite upper layer side.例文帳に追加

ＴＦＴ１２０１の基板１２０３側には、ブロッキング層として機能する第１絶縁膜１２０５が形成され、その反対の上層側には保護膜として第２絶縁膜１２０６が形成される。 - 特許庁

In the PBS 12, when S-polarized light is made incident from the upper surface 32a of the second transparent substrate 32, the reflected light thereof is reflected by the splitter layer 34 and diffracted by the hologram layer 36.例文帳に追加

ＰＢＳ１２は、第２透明基板３２の上面３２ａからＳ偏光光が入射すると、その反射光をスプリッタ層３４で反射させるとともに、ホログラム層３６で回折させる。 - 特許庁

A second high frequency circuit substrate includes a third dielectric material layer, a slot formed therein, a fourth dielectric material layer, and a high frequency transmission line formed therein.例文帳に追加

第２の高周波回路基板には、第３の誘電体層と、第３の導体層で形成されたスロットと、第４の誘電体層と、第４の導体層に形成された高周波伝送線路が形成されている。 - 特許庁

A first metallization layer 15 different from a second metallization layer 16 of Schottky metal having great influence on the rectifying characteristics is arranged in contact with a P type guard ring region 13.例文帳に追加

整流特性に多大なる影響力をもつショットキー金属である第２の金属層１６とは異なる第１の金属層１５を、Ｐ型ガードリング領域１３に接触するように配置する。 - 特許庁

The solar cell has a structure in which a second conductivity type (p-type) hydrogenated amorphous silicon oxide layer 3 is formed on a first conductivity type (n-type) crystal silicon substrate 1 via a nondoped hydrogenated amorphous silicon layer 2.例文帳に追加

第一導電型（ｎ型）の結晶シリコン基板１上に、ノンドープの水素化アモルファスシリコン層２を介して第二導電型（ｐ型）の水素化アモルファスシリコンオキサイド層３を備えた太陽電池である。 - 特許庁

The n-type second clad layer 12B has a higher conduction band sub-level lower end than an active layer 14 to thereby secure a sufficient electron barrier for carrier confinement and also suppress type II light emission.例文帳に追加

ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。 - 特許庁

A first capacitor structure has a first dielectric layer (14), a first gate layer (16) and first and second lateral sides, and is overlaid on a first conductive type of channel area in a semiconductor substrate (4).例文帳に追加

第１のコンデンサ構造は、第１の誘電体層（１４）、第１のゲート層（１６）、第１及び第２の横方向サイドを有し、半導体基板（４）における第１の導電型のチャンネル領域上に重なる。 - 特許庁

When a groove for removing a SiGe layer is formed by an SBSI method, an SOI layer 5 is formed in a shape having a first region 5a, a second region 5b and a third region 5c.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法において、ＳｉＧｅ層を除去するための溝を形成する際に、ＳＯＩ層５を第１領域５ａ、第２領域５ｂ及び第３領域５ｃを有する形状に形成する。 - 特許庁

This multiple pipe is formed by alternately radially laminating and fixing a first layer 1 of forming a large corrugated foil material 1a in a cylindrical shape and a second layer 2 of forming a planar foil material 2a in a cylindrical shape.例文帳に追加

大波状箔材１ａを筒状に形成した第１層部１と、平板状箔材２ａを筒状に形成した第２層部２とを径方向に交互に積層固定して成ることとした。 - 特許庁

The antenna is provided with an antenna conductor 11, first resin parts 12, 12a and 12b, a resin layer 13 and a second resin layer 14, which are formed around the antenna conductor 11 by resin molding for multiple times.例文帳に追加

アンテナ導体１１と、複数回の樹脂成形によってアンテナ導体１１の周囲に形成された第１樹脂部１２、１２ａ、１２ｂ、樹脂層１３、第２の樹脂層１４とを備えた。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b are formed in the vicinity of the laser output side end surface 15 and the reflection side end surface 16, respectively.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、レーザ出射側端面１５の近傍および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

Thus, on the top surface of the projected part 11a of the substrate 11A, an island-like laminate 14A composed of a isolated first semiconductor layer 12a and an isolated second semiconductor layer 13a is formed.例文帳に追加

これにより、基板１１Ａの凸部１１ａの頂面の上に、孤立した第１の半導体層１２ａ及び孤立した第２の半導体層１３ａよりなる島状の積層体１４Ａが形成される。 - 特許庁

By making a second laser beam having different wavelength from the first laser beam enter the bottom surface of the peeled part, when the part of the covering layer is left on the bottom surface of the peeled part, the remaining covering layer is removed.例文帳に追加

剥離部分の底面に、第１のレーザビームとは波長の異なる第２のレーザビームを入射させ、剥離部分の底面に被覆層の一部が残っている場合には、残っている被覆層を除去する。 - 特許庁

An etching stop layer 103 is formed on the first face, and an etching mask layer 104 having an opening portion is formed on a second face opposed to the first face of the silicon substrate 101.例文帳に追加

そして、前記第１の面の上に、エッチングストップ層１０３を形成し、シリコン基板１０１の前記第１の面に対向する第２の面の上に、開口部を有するエッチングマスク層１０４を形成する。 - 特許庁

To provide an integrated thin film solar battery along with its manufacturing method, capable of improving fitting strength of the connection between a first electrode layer and a second electrode layer for a lower contact resistance.例文帳に追加

第１電極層と第２電極層との接続部の付着強度を向上し、接触抵抗を低減することができる集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The transmissive liquid crystal display device has a specific first optically anisotropic layer with at least a fixed nematic hybrid alignment structure and a specific second optically anisotropic layer laminated together and disposed therein.例文帳に追加

少なくともネマチックハイブリッド配向構造を固定化した特定の第１の光学異方性層および特定の第２の光学異方性層を積層して配置した透過型液晶表示装置。 - 特許庁

The resist is coated again and left on the wafer formed by the first impurity layer, and a second impurity layer 7 is formed while being masked by a resist 5b and ion-implanted by a P-type impurity.例文帳に追加

さらにレジストを塗布し、第１不純物層が形成された基板面上にレジストを残し、このレジスト５ｂをマスクにＰ型不純物をイオン注入して第２の不純物層７を形成する。 - 特許庁

By using discharging by the application of voltages to the first electrode layer and the second electrode layer, a treatment gas 8 introduced in the gap 7 is activated, and the activated treatment gas 9 is discharged.例文帳に追加

第一の電極層と第二の電極層とに対する電圧の印加による放電を用いて、ギャップ７内に導入された処理ガス８を活性化し、活性化した処理ガス９を排出する。 - 特許庁

A first coating layer 21 on the outdoor side consisting of a lightweight cellular concrete panel 21A and a second coating layer 22 on the indoor side consisting of a calcium silicate 22A are laminated to constitute the external wall section 20.例文帳に追加

そして、軽量気泡コンクリートパネル２１Ａからなる屋外側の第１被覆層２１と、ケイ酸カルシウム板２２Ａからなる屋内側の第２被覆層２２とを積層して外壁部２０を構成する。 - 特許庁