「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(266ページ目) - Weblio英語例文検索

The respective light emitting parts 25A to 25F are constituted by holding an organic EL layer formed of organic light emitting material between first and second electrodes.例文帳に追加

各発光部２５Ａ〜２５Ｆは有機発光材料で形成される有機ＥＬ層を、第１及び第２の電極で挟持して構成する。 - 特許庁

The second layer 12B contains Si and oxygen as an oxide, and the content of oxygen is preferably ≥10 atom%.例文帳に追加

また、第２層１２Ｂは酸化物としてケイ素と酸素とを含んでおり、酸素の含有量は１０原子数％以上であることが好ましい。 - 特許庁

Thereafter, a second insulating film 17, extending from the inside of the groove 16 onto the P-type semiconductor layer 12 outside the groove 16, is formed.例文帳に追加

その後、メサ溝１６内からメサ溝１６の外側のＰ型半導体層１２上にかけて延在する第２の絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

A second passivation layer 44 which is plane on the front surface is formed on the color filters 43 from the material contg. the silicon nitride or the silicon oxide.例文帳に追加

その後、上面が平面である第２パシベーション層がカラーフィルタ上に窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料から形成される。 - 特許庁

The multilayered adhesive film with copper foil 19 is produced by laminating copper foil onto the second thermosetting adhesive layer 12 side of the multilayered adhesive film.例文帳に追加

前記の多層接着フィルムの第２の熱硬化性接着剤層１２側に銅箔を積層した銅箔１９付き多層接着フィルム。 - 特許庁

In the manufacturing method, the display device is made by installing a display element between first and second substrates having a conductive layer and a terminal.例文帳に追加

導電層及び端子を有する第一基板と第二基板との間に表示素子を挟装してなる表示装置の製造方法である。 - 特許庁

After the passing of the first light through the mediation layer, the peak of the first dominant wavelength drops more sharply than the peak of the second dominant wavelength does.例文帳に追加

第１の光が媒介層を通過した後、第１の主波長のピークの低下幅は第２の主波長のピークの低下幅よりも大きくなる。 - 特許庁

The cholesteric liquid crystal layer continues displaying the second information together with the first information without consuming power again after application.例文帳に追加

また、コレステリック液晶層は、一度印加された後再度電力を消費せずに、第一の情報に併せて第二の情報を表示し続ける。 - 特許庁

The active component array substrate includes a first substrate, a plurality of first lines, a plurality of second lines, a plurality of pixel structures and a first alignment layer.例文帳に追加

アクティブコンポーネントアレイ基板は第１基板と、複数の第１ラインと、複数の第２ラインと、複数の画素構造と、第１配向層とを含む。 - 特許庁

The second light emitting material is configured so as to absorb light emitted by the light emitting layer and emit light with a different wavelength.例文帳に追加

第２の発光性材料は、発光層によって放射された光を吸収し、異なる波長の光を放射するように構成されている。 - 特許庁

Thereafter, the formation of an upper electrode layer and a second RTA treatment are effected (step S9-S11) and the ferroelectric capacitor is formed (step S12).例文帳に追加

その後、上部電極層の形成や第２のＲＴＡ処理を行い（ステップＳ９〜Ｓ１１）、強誘電体キャパシタを形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

The varistor element 1 is composed of a multilayer of a varistor layer which exhibits varistor properties and a first and a second internal electrodes stacked on it.例文帳に追加

バリスタ素体１は、バリスタ特性を発現するバリスタ層と、第１及び第２の内部電極とが積層された積層体として構成される。 - 特許庁

Electronic parts arrayed on a first substrate are selectively transferred onto a second substrate where an adhesive resin layer is formed.例文帳に追加

第１の基板上に配列された電子部品を接着樹脂層が形成された第２の基板上に選択的に転写する方法である。 - 特許庁

The layer 17B comprises a first resin film 17B1 having a little filler content, and a second resin film 17B2 with the filler completely filled.例文帳に追加

第２絶縁層１７Ｂは、フィラーの含有量が少ない第１樹脂膜１７Ｂ１と、フィラーが高充填された第２樹脂膜１７Ｂ２から成る。 - 特許庁

Thereafter, on the flattened spacer insulating film 13 and upper electrode 10, a conductive second hydrogen barrier layer 14 is formed.例文帳に追加

その後、平坦化されたスペーサ絶縁膜１３及び上部電極１０の上に、導電性を有する第２の水素バリア層１４を形成する。 - 特許庁

In the insulating layer, the through-holes 245 are formed in positions where the row wiring electrodes 221 and the second wiring electrodes face each other.例文帳に追加

絶縁層には、列配線電極２２１及び第２配線電極とそれぞれ対向する位置に複数のスルーホール２４５が形成されている。 - 特許庁

An electronic emission element 9 has an electron acceleration layer 4 including insulative fine particles 4a between a first electrode 1 and a second electrode 6.例文帳に追加

電子放出素子９は、第１電極１と、第２電極６との間に、絶縁性微粒子４ａを含む電子加速層４を有する。 - 特許庁

The surface of the resin sheet 4 joined to the second particle layer 3 is drilled to form ventilation holes 41 to complete the mold 1 for the skin material.例文帳に追加

第２粒層３に接合された樹脂シート４の表面を穿孔して、通気孔４１を形成し、表皮材成形型１を完成する。 - 特許庁

In the dielectric layer 21, a communicating portion 112 is formed which allows the first principal plane 117 side and the second principal plane 118 side to communicate with each other.例文帳に追加

誘電体層２１には、第１主面１１７側と第２主面１１８側とを連通させる連通部１１２が形成されている。 - 特許庁

Fine abrasive grains are blasted to the second layer, and a fine structure 5 defined by the specified pattern is formed on the surface of the workpiece.例文帳に追加

前記第2の層に前記微細砥粒を噴射し、前記所定のパターンで定まる微細構造（５）を前記被加工物の表面に形成する。 - 特許庁

The wiring board 101 is provided with the solder resist layer 127 having main surface-side second openings 129 of diameters of ≤60 μm.例文帳に追加

配線基板１０１は、開口径が６０μｍ以下である主面側第２開口１２９が形成されたソルダーレジスト層１２７を備える。 - 特許庁

The second optical compensation layer 13 has a refractive index distribution of nx>ny=nz and the in-plane retardation Re_2 is 80 to 170 nm.例文帳に追加

第２の光学補償層１３は、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの屈折率分布を有し、かつ、その面内位相差Ｒｅ_２が８０〜１７０ｎｍである。 - 特許庁

In the shell layer 12 manufactured in such a manner, the center part 12C and first and second end parts 12E and 12F are turned to highly rigid areas.例文帳に追加

こうして製造された外皮層１２においては、中心部１２Ｃ、第１および第２端部１２Ｅ、１２Ｆが高剛性領域となる。 - 特許庁

Then, the mortar is covered with a net 20, and mortar 12 as a second layer is trowelled, followed by rolling a roller 30 on the mortar 12 to fluff the short fibers 9 from a front surface of the mortar 12.例文帳に追加

次いで、ローラ３０をこのモルタル１２の上にかけ、短繊維９をモルタル１２の表面から突出させて毛羽立ち状とする。 - 特許庁

A reinforcement layer 34 (braid 35) provided in the shaft 12 has a first spiral part 38 and a second spiral part 50 different in spiral direction from each other.例文帳に追加

シャフト１２に設けられた補強層３４（編組３５）は、螺旋方向が互いに異なる第１螺旋部３８と第２螺旋部４０を有する。 - 特許庁

Then, a second growth layer 22 is grown so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is ≤10 μm/h.例文帳に追加

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。 - 特許庁

The middle layer 33 contains the first area 33a and the second area 33b, that is closer to the proximal end than 33a.例文帳に追加

中間層３３は、第１の領域３３ａと、第１の領域３３ａより基端側に位置する第２の領域３３ｂとを有している。 - 特許庁

Next, apertures are formed via the second passivation layer 44 and the first passivation layers 41 by carrying out photolithography work and etching work.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ−作業およびエッチング作業を実施して、第２パシベーション層および第１パシベーション層を介して開口部を形成する。 - 特許庁

Uniaxial tensile strain is applied to a side wall of the channel layer in the second crystal plane direction <110> perpendicular to a current direction.例文帳に追加

1軸性引張り歪が電流方向と垂直な第２の結晶面方位＜１１０＞方向にチャネル層の側壁に対して加えられている。 - 特許庁

The second bonded part functions as a protective layer of the first bonded part and prevents the electronic component from falling off and the solder from flowing away during the reheat treatment.例文帳に追加

第２接合部は、第１接合部の防御層として機能し、再熱処理時の電子部品の脱落や、はんだの流れ出しが防止される。 - 特許庁

A second conductivity type semiconductor layer 15 is formed in a first region of the well region 13 isolated by an element isolation region 12.例文帳に追加

素子分離領域１２により分離されたウェル領域１３の第１の領域内に第２導電型の半導体層１５形成されている。 - 特許庁

The circuit conforming to the main pattern and the mark conforming to the sub-pattern are formed by the photo-etching using the second mask via a light shielding film layer 4.例文帳に追加

遮光膜層４を介し第２のマスクによる写真蝕刻を通じ、主パターンに従う回路部と、副パターンに従うマークとが形成される。 - 特許庁

A second substrate 4 is adhered to the adhesion layer 9 so that the function of the flow passage 10 is not damaged and a dispersion medium or a dispersed system is injected.例文帳に追加

流路１０の機能を損ねないように第２基板４を接着層９に接着し、分散媒又は分散系を注入する。 - 特許庁

The projected guard ring area 17 forms a p-n junction 23 on the second area 13c of the barium nitride semiconductor layer 13 of a first conductivity type.例文帳に追加

凸状のガードリング領域１７は第１導電型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃにｐｎ接合２３を成す。 - 特許庁

A mesa diode comprises: a first semiconductor layer formed by a nitride semiconductor having a first conductivity type different from the first conductivity type; a second semiconductor layer formed by a nitride semiconductor having a second conductivity type and having, at an edge, a thin film region of a thickness thinner than that of another part; and an upper electrode formed on at least a part above the second semiconductor layer other than the thin film region.例文帳に追加

第１導電型を有する窒化物半導体で形成された第１半導体層と、第１半導体層上に、第１導電型と異なる第２導電型を有する窒化物半導体で形成され、端部に他の部分より厚さが薄い薄膜領域を有する第２半導体層と、薄膜領域以外の第２半導体層の上方の少なくとも一部に形成された上部電極と、を備えるメサ型ダイオードを提供する。 - 特許庁

The subscriber unit comprises: a first transceiver configured to communicate with a first wireless network via a plurality of physical layer channels assigned; a second transceiver configured to communicate with a second wireless network; and a processor linked to the first transceiver and the second transceiver and configured to maintain a communication session with the first wireless network on a physical layer if there are not the plurality of physical layer channels assigned.例文帳に追加

本発明に係る加入者ユニットは、複数の割り当てられた物理層チャンネルを介して第１のワイヤレスネットワークと通信するように構成される第１のトランシーバと、第２のワイヤレスネットワークと通信するように構成される第２のトランシーバと、第１のトランシーバおよび第２のトランシーバに連結され、複数の割り当てられた物理層チャンネルがない場合、物理層の上で、第１のワイヤレスネットワークとの通信セッションを維持するように構成されるプロセッサ、を備える。 - 特許庁

The light-emitting device includes: a first semiconductor layer of a first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type different from the first conductivity type; and a light emitting layer provided between the first and second semiconductor layers.例文帳に追加

第１の導電型を有する第１の半導体層と、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２の半導体層と、第１の半導体層と第２の半導体層の間に設けられた発光層と、を含む半導体発光装置において、第１の半導体層上に形成された第１電極と、第２の半導体層上に形成された第２電極と、第２の半導体層および第２電極を覆う透光性電極と、を含む。 - 特許庁

The display device having a self light-emitting display element includes: a first electrode 60 disposed on a substrate; a second electrode 66 disposed opposite to the first electrode 60; an optical active layer 64 disposed between the first electrode 60 and second electrode 66; and an electron injection layer EI disposed between the optical active layer 64 and second electrode 66 and formed of a non-deliquescent material.例文帳に追加

自発光性の表示素子を備えた表示装置であって、 前記表示素子は、基板上に配置された第１電極６０と、 第１電極６０に対向して配置された第２電極６６と、 第１電極６０と第２電極６６との間に配置された光活性層６４と、 光活性層６４と第２電極６６との間に配置され、非潮解性の材料によって形成された電子注入層ＥＩと、 を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device packaged while including a semiconductor, a noise shielding layer SDa or a noise shielding layer consisting of a meshed conductive layer is formed in a predetermined region of the upper layer of a first semiconductor chip 12 including an active element to cover the entire surface of that region, and a second semiconductor chip 16 including an active element is stacked on the upper layer of the noise shielding layer SDa.例文帳に追加

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子を含む第１半導体チップ１２の上層の所定の領域に、例えばこの領域を全面に被覆するノイズ遮蔽層ＳＤａあるいはメッシュ状導電層からなるノイズ遮蔽層などのノイズ遮蔽層が形成されており、このノイズ遮蔽層ＳＤａの上層に、能動素子を含む第２半導体チップ１６が積層されている構成とする。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device comprises: a magnetization-fixed layer containing a first ferromagnetic film whose direction of magnetization is substantially fixed in a certain direction; a non-magnetic layer deposited on the magnetization-fixed layer; a magnetization free layer containing a second ferromagnetic film whose direction of magnetization varies corresponding to an external magnetic field; and an amorphous conductive layer formed on the magnetization free layer.例文帳に追加

磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の強磁性体膜を含む磁化固着層と、前記磁化固着層の上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層の上に設けられ、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜を含む磁化自由層と、前記磁化自由層の上に設けられた非結晶質の導電層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

In a photovoltaic cell provided with a photovoltaic cell layer 32 having a semiconductor junction and a current collector electrode 34 provided on the incident side of this photovoltaic cell layer 32 parallel connecting to bypass diode, the bypass diode layer 38 having the second semiconductor junction layer different from the first semiconductor junction layer of the photovoltaic cell layer 32 is provided beneath the current collector electrode 34.例文帳に追加

光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力層３２と、この光起電力層の光入射側に設けられた集電電極３４とを備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、光起電力層の半導体接合層である第１の半導体接合層とは別の第２の半導体接合層を有するバイパスダイオード層３８として集電電極の下部に設ける。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaP substrate having first and second major surfaces, a light emitting layer of InGaAlP based semiconductor provided on the first major surface of the GaP substrate, a contact layer provided on the light emitting layer, an ohmic electrode provided selectively on the contact layer, and a metal layer provided to cover the ohmic electrode and the contact layer on the periphery thereof.例文帳に追加

第１及び第２の主面を有するＧａＰ基板と、前記ＧａＰ基板の前記第１の主面上に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に選択的に設けられたオーミック電極と、前記オーミック電極及びその周囲の前記コンタクト層を覆うようの設けられた金属層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The interconnections of gradient potentials V3 and V7 which are supplied to the N-type regions 64 and 66 of the same line respectively are formed in the same line of a third metal layer and second metal layer, respectively, and adjacently located up and down.例文帳に追加

同一行のＮ型領域６４及び６６にそれぞれ供給される階調電位Ｖ３とＶ７の配線は、それぞれメタル第３層及びメタル第２層の同一行に形成されて、上下に隣り合っている。 - 特許庁

After depositing a support medium 41 so as to embed the groove, dry etching of the support medium 41 is carried out so as to form a shape of the element region, and subsequently, dry etching of the second semiconductor layer 12/the first semiconductor layer 11 is carried out.例文帳に追加

この溝を埋め込むようにして、支持体４１を成膜した後、当該支持体４１を素子領域の形にドライエッチし、連続して第２半導体層１２／第１半導体層１１をドライエッチする。 - 特許庁

With this structure, etching is accurately carried out to expose the second n-type layer 112, and the contact resistance of the n-electrode 16 can be reduced without deteriorating translucency of the n-type layer 11.例文帳に追加

この構造によると、第２ｎ型層１１２が露出するまで正確にエッチングすることができ、ｎ型層１１の透光性などを悪化させることなくｎ電極１６の接触抵抗を低減することができる。 - 特許庁