「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(267ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical film includes: a polarizer; a first optical compensation layer having a refractive index characteristic of nx>ny=nz; and a second optical compensation layer having a refractive index characteristic of nx>ny>nz, sequentially formed in this order.例文帳に追加

本発明の光学フィルムは、偏光子と、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの屈折率特性を有する第１の光学補償層と、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの屈折率特性を有する第２の光学補償層とをこの順に有する。 - 特許庁

This structure further comprises a second barrier metal layer having a diffusion coefficient of the first barrier metal at 250°C of lower than 1×10E-14 cm2/s and a thickness of less than 1.5 μm on the first barrier metal layer.例文帳に追加

この構造は更に、第１のバリア金属層上に、第１のバリア金属の拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−１４ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが１．５μｍ未満である、第２のバリア金属層を含む。 - 特許庁

Preferably the ratio Rth_2/Rthp of absolute value Rth_2 of retardation in the thickness direction of the second birefringent layer to absolute value Rthp of retardation in the thickness direction of the protective layer falls into the range of 1.1 to 4.例文帳に追加

好ましくは、上記保護層の厚み方向の位相差の絶対値Ｒｔｈｐと該第２の複屈折層の厚み方向の位相差の絶対値Ｒｔｈ_２との比Ｒｔｈ_２／Ｒｔｈｐが、１．１〜４の範囲である。 - 特許庁

The substrate (41) is hard to be etched by a first etching liquid as compared with the semiconductor thin film (20) and the release layer (14), and it is also hard to be etched by a second etching liquid as compared with the release layer (14).例文帳に追加

基板（４１）は、半導体薄膜（２０）及び剥離層（１４）に比べ第１のエッチング液によりエッチングされにくいものであり、また、剥離層（１４）に比べ第２のエッチング液によりエッチングされにくいものである。 - 特許庁

An amount of powder required for forming two successive layers is deposited on one side of a treatment chamber, the second layer powder is conveyed to the opposite side of a parts bed of the treatment chamber and, at the same time, the first layer is diffused.例文帳に追加

２つの連続した層の成形に必要な量の粉体を処理チャンバーの１つの側にデポジットし、第２層の粉体を処理チャンバーの部品ベッドの反対側に搬送すると同時に第１の層を拡散する。 - 特許庁

A material of the first coating layer is selected so as to stick to the diffusion zone being respective backings, and is desirably selected so that a material of the second coating layer provides an excellent bearing surface.例文帳に追加

第１の被覆層の材料が、それぞれの下地となる拡散領域に付着するように選択され、第２の被覆層の材料が良好なベアリング面を提供するように選択されているのが望ましい。 - 特許庁

Each variable member 60 has a first part 61 in contact with the diffusion-layer parts 24, 25 and a second part 62 not in contact with the diffusion-layer parts 24, 25 and composed of a material softer than that of the first part 61.例文帳に追加

可変部材６０は、拡散層部２４，２５と接触する第１の部分６１と、拡散層部２４，２５と接触せず第１の部分６１よりも柔らかい素材で構成される第２の部分６２と、を有する。 - 特許庁

A first material liquid L1 having a low alignment layer material concentration is applied to a substrate P and a second material liquid L2 having a high alignment layer material concentration is applied to the substrate P to which the first material liquid L1 has been applied.例文帳に追加

基板Ｐ上に配向膜材料濃度が低い第１の材料液Ｌ１を塗布し、第１の材料液Ｌ１が塗布された基板Ｐ上に配向膜材料濃度が高い第２の材料液Ｌ２を塗布する。 - 特許庁

Subsequently, in the two-layered sample constituted by laminating the layer 1 of the first substance and the layer 2 of the second substance, the temp. response of the rear surface of the two-layered sample is actually measured after pulse heating is applied to the surface of the two-layered sample.例文帳に追加

次いで、第１物質の層１と第２物質の層２の積層により構成される２層試料において、当該２層試料の表面をパルス加熱し、そのときの裏面の温度応答を実測する。 - 特許庁

An interlaid layer 13 of Pt or the like is formed on the second layer 16, a connection terminal 14 formed of an Fe-Ni-Co alloy is mounted on it, and a lead terminal 7 of, for instance, Ni is fixed to the connection terminal 14.例文帳に追加

第２層１６の上にＰｔなどの介在層１３を形成し、その上にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る接続端子１４を取付け、この接続端子１４に、たとえばＮｉのリード端子７が固定される。 - 特許庁

To provide a jointing member, which is capable of attaining high heat resistance of a resin layer 21 covering a fitting section 11 and high adhesion to a metal substrate or a second resin layer 22, and which is suitable for use at higher temperatures.例文帳に追加

嵌合部１１を被覆する第１の樹脂層２１の耐熱性、および下地金属や第２の樹脂層２２との密着性を向上して、より高温での使用に適した結合部材１を提供する。 - 特許庁

Moreover, second resin insulating layers 5 with a reinforcing textile filled therein circumferentially contact the perimeters of the metal layers 3 on the both sides of the first resin insulating layer 4, has a thickness the same as or greater than those of the metal layers, and is added to the first resin insulating layer 4.例文帳に追加

さらに、第１樹脂絶縁層４には、両面の金属層３端縁全周に接し、厚みが金属層厚みと同等以上である補強繊維充填第２樹脂絶縁層５を付加する。 - 特許庁

A detector (22) comprises an electrode consisting of a first layer of a conductive material, a readout line consisting of a second layer of a conductive material, and a via electrically connecting the readout line and the electrode.例文帳に追加

導電性材料の第一の層で形成された電極と、導電性材料の第二の層で形成された読み出し線と、読み出し線及び電極を電気的に接続するバイアとを備えた検出器（２２）である。 - 特許庁

A polarization function laminate comprises a layer including a circular polarization element, and is laminated on a surface of the touch panel laminate having one of the first and second transparent conductive layers via the transparent adhesive layer.例文帳に追加

偏光機能積層体は、円偏光素子を含む層を備えており、タッチパネル積層体の第１及び第２の透明導電性層の一方を有する面に透明な接着剤層を介して積層される。 - 特許庁

The liquid phase diffusion junction layer 56 is made of a first metal layer 52 for junction, that is combined (liquid phase diffusion) with the liquid phase diffusion metal, and a second metal for junction that decreases liquid phase diffusion temperature.例文帳に追加

液相拡散接合層５６は、液相拡散金属と化合（液相拡散）させる第１の接合用金属層５２と、液相拡散温度を下げる第２の接合用金属とにより生成されている。 - 特許庁

When applying a pressure to the artificial tactor from above, the first cushion layer 3 is deformed according to the pressure, and the sensor 1 is displaced downward with the sensor 1 supported on the second cushion layer 4 having a small deformation amount.例文帳に追加

この人工触覚器に上方より圧力を作用すると、第１のクッション層３は加圧力に応じて変形し、センサ１は変形量の少ない第２のクッション層４上に支持された状態で下方に変位する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element 11a includes a base 13 made of a GaN semiconductor, a first conductivity-type AlGaN region 15, a second conductivity-type GaN-based semiconductor layer 17 and an active layer 19.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子１１ａは、ＧａＮ半導体からなる支持体１３と、第１導電型ＡｌＧａＮ領域１５と、第２導電型ＧａＮ系半導体層１７と、活性層１９とを備える。 - 特許庁

A second-type single layer package P2, provided with a lead 133 exposed over the lower surface of a molded part 136, is mounted to a first- type single layer package P1 provided with a lead 33 extending to outside a molded part 36.例文帳に追加

成形部３６の外側まで延長されたリード３３を有する第１型単層パッケージＰ１上に、成形部１３６の下面に露出されたリード１３３を有する第２型単層パッケージＰ２を実装する。 - 特許庁

The guide rail 6 is erected in the shaft 5 and is supported by a first bracket 7 provided in an upper part of the low layer part construction body and a second bracket 8 provided in a lower part of the high layer part construction body.例文帳に追加

昇降路５内にはガイドレール６が立設されており、低層部建築体の上部に設置された第１のブラケット７と高層部建築体の下部に設置された第２のブラケット８により支持されている。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 20 laminated on an element formation surface 11a covers a plurality of switching elements Sw and has a contact hole H1 at a position opposed to the second upper electrode P2 of each switching element Sw.例文帳に追加

素子形成面１１ａに積層される層間絶縁層２０は、複数のスイッチング素子Ｓｗを覆い、各スイッチング素子Ｓｗの第二上部電極Ｐ２と対向する位置にコンタクトホールＨ１を有する。 - 特許庁

A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁

A second polarizing plate 50 on the display side includes a polarizer layer 53 which polarizes incident light and emits it, and an optically anisotropic layer 56 of coating type which is arranged on the side from which the light is emitted in the polarizer 53.例文帳に追加

表示面側の第２偏光板５０は、入射光を偏光して出射する偏光子５３の層と、偏光子５３から光が出射する側に配置される塗布型の光学異方性層５６と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device adapted to be capable of relaxing the stress of an upper part semiconductor layer (that is, a second semiconductor layer) of an SOI structure when forming the SOI structure of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にＳＯＩ構造を形成する際に、ＳＯＩ構造上部の半導体層（即ち、第２半導体層）の応力を緩和できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first nitride layer 3a is formed in the vicinity of an interface between the internal wall oxide film 3 and the silicon substrate 1 with the thermal nitriding, and a second nitride layer 3b is formed on the surface of the internal wall oxide film 3 with the radical nitriding process.例文帳に追加

熱窒化処理によって内壁酸化膜３とシリコン基板１との界面近傍に第１窒化層３ａが形成され、ラジカル窒化法によって内壁酸化膜３の表面に第２窒化層３ｂが形成される。 - 特許庁

A first insulation layer, a floating gate, a second insulation layer, and a control gate are provided on a semiconductor substrate having a channel forming region between a pair of impurity regions formed while spaced apart from each other.例文帳に追加

互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成する半導体基板と、その上層部に、第１の絶縁層、浮遊ゲート、第２の絶縁層、制御ゲートを設ける。 - 特許庁

The sealing resin layer is made of an epoxy resin, and the relation between the heat conduction rate (λ_1) of the first sealing resin and the heat conduction rate (λ_2) of the second sealing resin layer is preferably λ_1≥λ_2.例文帳に追加

上記第１の封止樹脂層はエポキシ樹脂からなり、上記第１の封止樹脂層の熱伝導率（λ_１）と第２の封止樹脂層の熱伝導率（λ_２）の関係は、λ_１≧λ_２であることが好ましい。 - 特許庁

This is an organic electroluminescent element that comprises a first electrode, an organic luminous layer and a second electrode, and a blue light emitting material of the organic luminous layer is a tetraphenylmethane compound as expressed by the following formula (1).例文帳に追加

有機電界発光素子は、第１電極、有機発光層、及び第２電極を含む有機電界発光素子として、有機発光層の青色発光物質が下記化学式のテトラフェニルメタン化合物である。 - 特許庁

On an interlayer insulating film 109 serving as a patterning layer, a predetermined range is removed to have an etching region for exposing at least a part of the upper clad layer 106 or a second conductive semiconductor region 108.例文帳に追加

パターニング層としての層間絶縁膜１０９は、その所定範囲を除去して上部クラッド層１０６又は第２導電型半導体領域１０８の少なくとも一部を露出させるエッチング領域を有する。 - 特許庁

An AC reference signal of a reference signal source 12 is supplied to a second conductive layer 5 of a touch panel 1, and signal currents for position detection are extracted from electrodes 7, 8, 9 and 10 of a first conductive layer 3.例文帳に追加

基準信号源１２の交流基準信号をタッチパネル１の第２導電層５に供給し、第１導電層３の各電極７，８，９，１０から位置検出用の信号電流を取り出す構成にする。 - 特許庁

The piston rod 28 is thereby returned to the initial position under the condition where the residual deformation is generated in the layer 18, when the residual deformation is generated in the layer 18 between the first structure 12 and the second structure 16.例文帳に追加

よって、第１構造体１２と第２構造体１６との間の層１８に残留変形が生じた場合、この層１８に残留変形が生じている状態で、ピストンロッド２８を初期位置に戻すことができる。 - 特許庁

The layer A15 consists of oxide containing Zn, Mg and O, and the second electrode layer 16 comprises at least one element R selected from the group consisting of Al, Ga and In, Zn, Mg and O.例文帳に追加

そして、層Ａ１５がＺｎとＭｇとＯとを含む酸化物からなり、第２の電極層１６が、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素ＲとＺｎとＭｇとＯとを含む。 - 特許庁

A lead electrode 23 extended from an exciting electrode 21 of a crystal oscillator body 2 is made of thin films formed by sputtering or vapor-deposition whose first layer is a Ti film 23a and whose second layer is a Pd film 23b.例文帳に追加

水晶振動体２の励振電極２１から延在する引出電極２３は、スパッタリング又は蒸着により形成された薄膜であり、第一層がＴｉ膜２３ａ、第二層がＰｄ膜２３ｂである。 - 特許庁

Since the cap Si layer 9 has tensile strain and the second SiGe layer 7 has compression strain in the semiconductor wafer 1, both the carrier mobility of the NMOS and the PMOS can be improved.例文帳に追加

本発明の半導体ウェハー１では、キャップＳｉ層９が引張り歪みを有し、第２のＳｉＧｅ層７が圧縮歪みを有するので、ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳの両方のキャリア移動度を向上させることができる。 - 特許庁

In the transmissive region of the first transparent substrate 10, a first transparent electrode layer 15, an insulating film 16, and a second transparent electrode layer 17A having a plurality of slits S and electrode portions 17 are disposed in this order.例文帳に追加

第１の透明基板１０の透過領域には、第１の透明電極層１５、絶縁膜１６、複数のスリット部Ｓ及び電極部１７を有した第２の透明電極層１７Ａがこの順で配置されている。 - 特許庁

A front panel 101 is formed by arranging a pair of display electrodes (a first display electrode 103a, and a second display electrode 103b), a dielectric layer 106, and a protective layer 107 in order on an opposed surface of a front glass substrate 102.例文帳に追加

前面パネル１０１は、前面ガラス基板１０２の対向面上に、表示電極対（第１表示電極１０３ａ，第２表示電極１０３ｂ）、誘電体層１０６、保護層１０７が順に配されてなる。 - 特許庁

The ferroelectrics thin film 16 contains a first layer 18 changed in composition as tending from the conductive thin film 14 toward to the thickness of the thin film, on which a second layer 20 of fixed composition is formed.例文帳に追加

強誘電体薄膜１６は、導電性薄膜１４から膜厚方向に向かって組成が変化した第１の層１８を含み、第１の層１８上に組成が一定の第２の層２０を形成する。 - 特許庁

The first coating layer 5 and second coating layer 6 are formed of, for example, metal plating, and have thicknesses such that the coefficient of linear expansion of the submount portion 3 is substantially equal to that of the semiconductor element 2.例文帳に追加

第１の被覆層５及び第２の被覆層６は、例えば金属メッキで形成されており、サブマウント部３の線膨張係数が半導体素子２の線膨張係数に略等しくなるような厚さを備えている。 - 特許庁

Ink passages 23a-23d are formed on the first layer and second layer of ink absorbing materials such that the ink passages are perpendicular to each other and the series of ink passages are bent in three-dimensional directions.例文帳に追加

第一層と第二層のインク吸収材２２ａ、２２ｂには、それぞれ直交する方向にインク流路２３ａ〜２３ｄが形成され、一連のインク流路が三次元方向に屈曲されて形成されている。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

At least one of the sidewalls 10a, 10b is removed, and after a gate electrode metal layer is deposited in the first opening 8 and the second opening 11, the first insulation layer 6 is removed to form a gate electrode 13.例文帳に追加

側壁１０ａ、１０ｂの少なくとも一方を除去し、第１開口部８と第２開口部１１とにゲート電極用金属層を堆積させた後、第１絶縁層８を除去して、ゲート電極１３を形成する。 - 特許庁

Then a metal silicide layer 13b of a Ni_1-yPt_ySi phase is formed by removing the unchanged portion of the alloy film, and then applying a second heat treatment to cause a further reaction of the metal silicide layer 13a.例文帳に追加

その後、未反応の合金膜を除去してから、第２の熱処理を行って金属シリサイド層１３ａを更に反応させることで、Ｎｉ_１−ｙＰｔ_ｙＳｉ相の金属シリサイド層１３ｂを形成する。 - 特許庁

First and second spacer layers 31 and 32 are used as a part of a mask at forming within a p-type base layer 24 by ion implantation, so that the p-type base layer 24 can be formed with higher precision through self- alignment.例文帳に追加

ｐ型ベース層２４をイオン注入により形成する際のマスクの一部として第１および第２スペーサ層３１，３２を用いることによって、ｐ型ベース層２４をセルフアラインにより高い精度もって形成する。 - 特許庁

The gas sensor is provided with: a porous dielectric layer 14 having a large number of pores P partitioned by pore walls; a first electrode 13 arranged in an inside of the pore wall in the porous dielectric layer 14; and a second electrode 11b.例文帳に追加

ガスセンサは、孔壁で仕切られた多数の孔Ｐを有する多孔質誘電体層１４と、多孔質誘電体層１４の孔壁の内部に配置された第１電極１３と、第２電極１１ｂとを備える。 - 特許庁

In this multilayer printed wiring board 1, a plurality of vias 4-7 that connect a power supply wire 2 in a first wiring layer with a power supply wire 3 in a second wiring layer are arranged in parallel to a direction along which a current flows.例文帳に追加

多層のプリント配線板１において、第１の配線層の電源配線２と、第２の配線層の電源配線３とを接続する複数のヴィア４〜７を電流の流れる方向に並行して配置する。 - 特許庁

A floating gate 45 of a memory transistor MT is formed of a first layer gate electrode material film L1, and a control gate 6 is formed of laminated film of a second and a third layer gate electrode material films L2, L3.例文帳に追加

メモリトランジスタＭＴの浮遊ゲート４は第１層ゲート電極材料膜Ｌ１により形成され、制御ゲート６は第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３の積層膜により形成される。 - 特許庁