「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(268ページ目) - Weblio英語例文検索

The phosphor layer includes first phosphor particles that are provided in the trenches and are smaller than the trench width, and second phosphor particles that are provided on the transparent layer and are larger than the trench width and the first phosphor particles.例文帳に追加

蛍光体層は、溝内に設けられ、溝の幅よりも小さい第１の蛍光体粒子と、透明層上に設けられ、溝の幅及び第１の蛍光体粒子よりも大きい第２の蛍光体粒子とを含む。 - 特許庁

Then, a probe for analyzing nucleic acid is fixed to the second metal layer or the insulation layer 603 at the gap position and the nucleic acid in the sample is analyzed, by generating localized surface plasmon with optical irradiation to the gap.例文帳に追加

そして、ギャップ位置の第二の金属層又は絶縁層６０３に、核酸を分析するプローブを固定し、ギャップへの光照射により局在型表面プラズモンを発生させ、試料中の核酸を分析する。 - 特許庁

In the laminated semiconductor chip 27, at least a pixel array 23 and a multi-wiring layer 41 are formed on the first semiconductor chip 22, and a logic circuit 25 and a multi-wiring layer 55 are formed on the second semiconductor chip 26.例文帳に追加

積層半導体チップ２７では、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイ２３と多層配線層４１が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路２５と多層配線層５５が形成される。 - 特許庁

The photoelectric conversion element is provided with the photoelectric conversion layer 12 including the fullerenes between a first electrode 11 and a second electrode 15, and a quenching agent for deactivating the excited state of the fullerenes is contained in the photoelectric conversion layer 12.例文帳に追加

第１電極１１と第２電極１５との間にフラーレンを含む光電変換層１２を備え該光電変換層１２内に前記フラーレンの励起状態を失活させる消光剤を含有させる。 - 特許庁

The second filler layer 13b has an ethylene-vinyl acetate copolymer, having a lower amount of contained vinyl acetate than the ethylene-vinyl acetate copolymer contained in the first filler layer 13a, or polyethylene as the primary component.例文帳に追加

第２の充填剤層１３ｂは、第１の充填剤層１３ａに含まれるエチレン・酢酸ビニル共重合体よりも酢酸ビニル含量が少ないエチレン・酢酸ビニル共重合体、またはポリエチレンを主成分としている。 - 特許庁

The quantum well layer 3 includes first compound semiconductor layers 3a and 3c, and a second compound semiconductor layer 3b causing crystals of the first compound semiconductor layers 3a and 3c to generate lattice strain.例文帳に追加

量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 - 特許庁

The first-type layer portion includes a plurality of wires 26 for electrically connecting the plurality of through electrodes to the respective corresponding electrode pads 23, whereas the second-type layer portion does not include the plurality of wires 26.例文帳に追加

第１の種類の階層部分は、複数の貫通電極をそれぞれ対応する電極パッド２３に電気的に接続する複数の配線２６を含むが、第２の種類の階層部分は複数の配線２６を含まない。 - 特許庁

A second insulating layer 109 is formed so that a side of the first insulating film 108, an upper part of a base layer 104 between the ledge structure 105a and base electrode 111 and un upper surface of the base electrode 111 are covered.例文帳に追加

第２絶縁層１０９は、第１絶縁層１０８の側面、レッジ構造部１０５ａとベース電極１１１との間のベース層１０４の上、およびベース電極１１１の上面を覆うように形成されている。 - 特許庁

A first active material layer 2a having a carbon material as a main component, and a second layer 3a to which metal based active material particles are bound by a binder are laminated on a copper foil 1a serving as a collector.例文帳に追加

集電体である銅箔１ａ上に、炭素材料を主成分とする第一の活物質層２ａ、および、金属系活物質粒子が結着剤により結着された第二の層３ａを積層する。 - 特許庁

Consequently, the display state of the selected object 110 in the second display layer is maintained in spite of display changing operation for the first display layer and the operability of the object selecting operation can be improved.例文帳に追加

これにより、第１の表示層に対する表示変更操作に関わらず、第２の表示層における選択オブジェクト１１０の表示状態を維持して、オブジェクト選択作業の操作性を向上することができる。 - 特許庁

After a TFT array substrate 10, where the alignment layer 16 is formed, is mounted on a stage 100, the entire surfaces of a first portion 16a and a second portion 16b of the alignment layer 16 are irradiated with a UV light.例文帳に追加

配向膜１６が形成されたＴＦＴアレイ基板１０をステージ１００の載置下の後、配向膜１６の第１部分１６ａ及び第２部分１６ｂの表面全体にＵＶ光を照射する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then executing a photoresist layer 38 on a second mask 34, arranged at a pitch of a distance 2x and deviated at a distance x to the openings 33A of the first mask 33, that is, one pitch on the photoresist layer 38, and secondary exposure.例文帳に追加

次に距離２ｘのピッチで配列し且つ第一マスク３３の開口３３Ａ…に対して距離ｘ、即ち１ピッチ分ずれた第二マスク３４をフォトレジスト層３８に施して二次露光を行う。 - 特許庁

The first wiring line 27 and second wiring line 29 have a double-layer overlap wiring part 30 disposed to successively overlap with each other, and the overlap part (double-layer overlap wiring parts 30) of the wiring lines function as one wiring line.例文帳に追加

第１配線２７と第２配線２９は、互いに連続的に重なるように配置された２層重ね配線部３０を有し、配線の重なり部（２層重ね配線部３０）が１本の配線として機能する。 - 特許庁

After the lower layer wiring 13 is subjected to patterning to a first interlayer insulating film 12 on a semiconductor substrate 11, an etching stop layer 14, a second interlayer insulating film 15, and a reflection preventing film 16 are successively built up.例文帳に追加

半導体基板１１上の第１の層間絶縁膜１２に下層配線１３をパターニングした後、エッチング停止層１４及び第２の層間絶縁膜１５及び反射防止膜１６を順次堆積する。 - 特許庁

The silicide layer 12 is a low-resistance region, the second exposed regions 14R of the N^+-diffusion layer 14 are medium-resistance regions, and the exposed region 13R of the N-well 13 is a high-resistance region.例文帳に追加

シリサイド層１２は低抵抗領域を、Ｎ^＋拡散層１４の第二露出領域１４Ｒは中抵抗領域を、Ｎウェル１３の露出領域１３Ｒは高抵抗領域をそれぞれ形成している。 - 特許庁

A wiring 193 which is branched from a line of a certain picture signal line 122 and which intersects other picture lines 122 uses the wiring 112b of a first layer and the wiring 181b of a second layer by connecting them in parallel.例文帳に追加

ここで、ある１本の画像信号線１２２から分岐して、他の画像信号線１２２とは交差する配線１９３を、第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとの並列接続して用いる。 - 特許庁

At least part of the side leakage prevention part 7 is formed of a three-dimensional sheet 10 formed with multiple joint portions 4 by partially joining a first layer 2 consisting of nonwoven fabric with a second layer 3 consisting of a sheet-like material.例文帳に追加

サイド防漏部７は、少なくとも一部が、不織布からなる第１層２とシート状物からなる第２層３とが部分的に接合されて多数の接合部４が形成されている立体シート１０からなる。 - 特許庁

A first layer formed in a film on a collector by a sputtering method, and a second layer formed in a film further thereon by vacuum deposition or wet plating are structured to have the same composition containing Si or Sn.例文帳に追加

集電体上にスパッタ法により成膜される第１層と、さらにその上に、真空蒸着または湿式めっきにより成膜された第２層がＳｉまたはＳｎを含んだ同じ組成を持つ構造を有する。 - 特許庁

The inner wall surface of the through hole 3. the bottom face of the through hole 3 blocked by the first wiring layer 5, and a wiring forming area on the principal plane 2b of the semiconductor substrate 2 are covered with a second insulating layer 6.例文帳に追加

貫通孔３の内壁面、第１の配線層５で塞がれた貫通孔３の底面、および半導体基板２の第２の主面２ｂの配線形成領域は、第２の絶縁層６で覆われている。 - 特許庁

A current block semiconductor region 9 is provided on the side surface 3a of the first conductive semiconductor region 3 on the side surface 5a of the active layer 5, and on the side surface 9a of the second conductive semiconductor layer 9.例文帳に追加

電流ブロック半導体領域９は、第１導電型半導体領域３の側面３ａ上、活性層５の側面５ａ上及び第２導電型半導体層９の側面９ａ上に設けられている。 - 特許庁

The horizontal HEMT further includes a second conduction type semiconductor substance which is complementary to the first conductive type, and a third layer 13 disposed at least partially in the first layer 11.例文帳に追加

さらに、上記横型ＨＥＭＴは、上記第１導電型に対して相補的な第２導電型の半導体物質を有し、少なくとも部分的に上記第１層１１の中に配置された第３層１３を有する。 - 特許庁

The organic EL element having a first electrode 2, an organic layer 6 including an emitting layer, and a second electrode 7, and a normal temperature glass film 11 covering the organic EL element are formed on one surface of a first substrate 1.例文帳に追加

第１基板１の一面に、第１電極２、発光層を含む有機層６、第２電極７を備えた有機ＥＬ素子と、当該有機ＥＬ素子を覆う常温ガラス膜１１とが形成されている。 - 特許庁

The first gap filling layer 23 fills a gap between the light emitting panel 21 and the light transmitting member 27, and the second gap filling layer 25 fills a gap between the light transmitting member 27 and the light focusing lens array 24.例文帳に追加

第１隙間充填層２３は発光パネル２１と透光部材２７との間の隙間を埋めており、第２隙間充填層２５は透光部材２７と集束性レンズアレイ２４との隙間を埋めている。 - 特許庁

The second layer of this electrode structure includes a high conductivity material that is coupled to the first layer of the electrode structure in an area not directly over the electro-optical device to improve the conductivity of the transparent electrode structure.例文帳に追加

この電極構造の第２の層は、電気光学デバイスの上に直接でない領域の電極構造の第１の層に接続する高伝導材料を含み、透明電極構造の伝導率を改良する。 - 特許庁

In the multilayer substrate 10 where copper layers L1-L6 and insulating resin layers P1-P5 are laminated alternately, heating electronic components 11, 12 are mounted, respectively, on the first layer L1 and the second layer L6.例文帳に追加

銅層Ｌ１〜Ｌ６と絶縁性の樹脂層Ｐ１〜Ｐ５とが交互に積層される多層基板１０において、第１表層Ｌ１および第２表層Ｌ６には発熱する電子部品１１，１２がそれぞれ実装されている。 - 特許庁

Then, the ceramic layer is impregnated with binder slurry constituted by containing a binder in water as a binder impregnation step, and the binder slurry is dried to form a ceramic layer in which the binder is contained as a second drying step.例文帳に追加

次いで、バインダ含浸工程として、セラミックス層に、バインダを水に含有させてなるバインダスラリーを含浸させ、第２乾燥工程として、バインダスラリーを乾燥させて、バインダが含まれるセラミックス層を形成する。 - 特許庁

A first periodic structure 21 is formed by repeating a plurality of times a first composition compound semiconductor layer 22 and a second composition compound semiconductor layer 23 on a wafer in a predetermined growing time.例文帳に追加

ウエハ上に、第１組成の化合物半導体層２２と第２組成の化合物半導体層２３とをそれぞれ一定の成長時間で複数回繰り返し成長して第１の周期構造２１を形成する。 - 特許庁

An inventive anti-oxidation film S is formed on a second metal layer 106c of gold (Au) having a thickness of about 200 nm and located above a p-type contact layer 105b by lift-off method employing photolithography.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの上方に位置する金（Ａｕ）から成る膜厚約２００ｎｍの第２金属層１０６ｃの上には、フォトリソグラフィーを用いたリフトオフ法にしたがって、本発明の酸化防止膜Ｓを形成する。 - 特許庁

For this semiconductor laser element, an etching stop layer 107, p- second and third clad layers 108 and 109 and a contact layer 110 are formed in a striped ridge shape, and a current injection region 120 is constituted.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、エッチングストップ１０７層、ｐ−第二及び第三クラッド層１０８、１０９、及びコンタクト層１１０がストライプ状リッジ形に形成され、電流注入領域１２０を構成する。 - 特許庁

Barreling the shaft material 11 after nitriding, a second process hardening layer 15c by barreling is formed in an outer most surface layer part including a surface 8a of the surface part 15 of the periphery region 8.例文帳に追加

窒化処理の後、さらに軸素材１１にバレル加工を施すことにより、周囲領域８の表層部１５の、表面８ａを含む最表層部に、バレル加工による第２の加工硬化層１５ｃが形成される。 - 特許庁

The materials othe two layers are; the first layer 18 with a higher foaming ratio is of foaming rubber while the second layer 20 with a lower foaming ratio is of non-foaming rubber consisting of a rubber substance and carbon, etc.例文帳に追加

これら二種類のゴム層の材質として、高発泡率とされる第１層１８が発泡ゴムにより構成され、低発泡率とされる第２層２０がゴム材とカーボン等から成る非発泡ゴムにより構成される。 - 特許庁

The first layer extends in an upward direction from the featherline of the sole to a height on the upper which is at least 1.5 inches (about 3.8 cm) above the ground engaging surface of the sole and is attached to the second layer at height.例文帳に追加

第１の層は、靴底のフェザーラインから上方向に、靴底の接地面の少なくとも１．５インチ（約３．８ｃｍ）上方にあるアッパー上の高さ位置に亘って延在し、その高さで第２の層に取付けられる。 - 特許庁

An insulating layer 35 having a first insulating layer 36 and second insulating layers 37 that face the transmission display regions 22 and the reflection display region 21 in the pixel electrode 6 is formed on a counter electrode 34 of a counter substrate 31.例文帳に追加

画素電極６内の透過表示領域22および反射表示領域21に対向する第１の絶縁層36および第２の絶縁層37を有する絶縁層35を対向基板31の対向電極34上に形成する。 - 特許庁

The tunnel junction region 19 includes a second conductivity type semiconductor layer 23 and a first conductivity type semiconductor layer 25, both of which form a tunnel junction TJ.例文帳に追加

トンネル接合領域１９は、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５を含み、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５はトンネル接合ＴＪを成す。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is formed with a first insulating film 40 on a semiconductor substrate 33 surface, a diffusion layer 43 and a second insulating film 44 on the diffusion layer and includes an element isolation means 86 for isolation neighboring pixels.例文帳に追加

半導体基板３３表面の第１の絶縁膜４０と、拡散層４３とその上の第２の絶縁膜４４によって形成され、隣接する画素間を分離する素子分離手段８６を有する。 - 特許庁

The gate electrodes of both transistors are connected to an internal circuit, while the source diffusion layer of the first MOS transistor and the drain diffusion layer of the second MOS transistor are formed respectively so as to be separated from each other and are connected by a metal wiring.例文帳に追加

両トランジスタのゲート電極は内部回路に接続されており、第１ＭＯＳトランジスタのソース拡散層と第２ＭＯＳトランジスタのドレイン拡散層は各々離間して形成されてメタル配線で接続されている。 - 特許庁

The GaN based LED element 100 includes a laminate structure containing a substrate 10, a first layer 11 consisting of a GaN based semiconductor, and a second layer 12 consisting of the GaN based semiconductor and containing an emission member in this order.例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、基板１０と、ＧａＮ系半導体からなる第１の層１１と、ＧａＮ系半導体からなり発光部を含む第２の層１２と、をこの順に含む積層構造を備えている。 - 特許庁

The manufacturing method forms thereafter the first photodegradable positive type resist layer having structure serving as the ink flow channel on a polished face, forms the second photodegradable positive type resist layer to cover it, and forms thereafter an ink delivery port.例文帳に追加

その後、研磨面の上にインク流路となる構造を有する第二の光崩壊性ポジ型レジスト層を形成し、それを被覆するように第二のネガ型レジスト層を形成した上で、インク吐出口を形成する。 - 特許庁

The film 13 is a multi-layer film in which layers of the second thermoplastic resin whose melting point is lower than that of the first thermoplastic resin are laminated on both sides of a layer of the first thermoplastic resin.例文帳に追加

一軸配向網状フィルム１３は、第１の熱可塑性樹脂からなる層の両面に、第１の熱可塑性樹脂よりも低い融点の第２の熱可塑性樹脂からなる層が積層された多層フィルムである。 - 特許庁

The second metal layer 5 includes an electrical wiring portion, and one or more of fourth metal layers 38 constituting other electrical wiring portion are integrated on the electrical wiring portion through an electrical insulating resin layer.例文帳に追加

第２金属層５は、電気配線部分を備えており、電気配線部分の上には電気絶縁樹脂層を介して他の電気配線部分を構成する１以上の第４金属層３８が一体化されている。 - 特許庁

Then, a second HTS layer 16 is accumulated and pattern-formed on at least one part of the first HTS layer 14 and the exposed upper face of the substrate 18 so that the SNS Josephson junction can be formed.例文帳に追加

次に、第１のＨＴＳ層（１４）及び基板（１８）の露出した上面の少なくとも一部の上に第２のＨＴＳ層（１６）を堆積し及びパターン形成し、それによってＳＮＳジョセフソン接合を形成する。 - 特許庁

A first color filter layer 13 having a spectral characteristic corresponding to a second color filter layer 34 provided in the reflection system region 42 of each pixel 4 is provided between a pixel electrode 21 and a gate insulating film 7 of the array substrate 2.例文帳に追加

アレイ基板２の画素電極21とゲート絶縁膜７との間に、各画素４の反射方式領域42に設けた第２のカラーフィルタ層34に対応した分光特性を有する第１のカラーフィルタ層13を設ける。 - 特許庁

The non-pattern is removed, the Ga oxide film under the non-pattern is removed together with the removal of the non-pattern making the pattern as a mask, the first protection layer and the second protection layer are formed to obtain a channel protective film.例文帳に追加

この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。 - 特許庁

On the rear surface of a base material film 1, a first adhesive layer 2 to adhere a container and a label is provided at one end, and a second adhesive layer 3 to adhere the labels to each other is provided at the other end.例文帳に追加

基材フィルム１の裏面であって、一方の端部に、容器とラベルを接着する第１の接着剤層２が設けられ、他方の端部に、ラベル同士を接着する第２の接着剤層３が設けられている。 - 特許庁

The shrink film for the cover tape is constituted by piling up at least two layers, namely, a first layer including a high-density polyethylene with a density of 0.942-0.970 g/cm^3 and a second layer including a high-pressure low-density polyethylene.例文帳に追加

密度が０．９４２〜０．９７０ｇ／ｃｍ^3の高密度ポリエチレンを含む第１の層と、高圧法低密度ポリエチレンを含む第２の層と、の少なくとも２つの層を積層して備えるカバーテープ用シュリンクフィルム。 - 特許庁