「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(274ページ目) - Weblio英語例文検索

The first condition is a condition of thinning the thickness of the interface layer more than when formed by the second condition, and the second condition is a condition of being faster in a forming speed of the layers more than when formed by the first condition.例文帳に追加

第１条件は、界面層の厚さが第２条件で形成する場合に比べて薄くなる条件であり、第２条件は、層の形成速度が第１条件で形成する場合に比べて速い条件である。 - 特許庁

The second ferromagnetic layer 16 has first and second ferromagnetic films 13 and 15 comprising of CoFe having a face-centered cubic structure, and an intermediate film 14 comprising Fe_50Co_50 or Fe_70Co_30 or the like interposed thereby.例文帳に追加

第２強磁性層１６は、面心立方構造を有するＣｏＦｅからなる第１および第２の強磁性膜１３，１５と、それらに挟まれた、Ｆｅ_50 Ｃｏ_50 やＦｅ_70 Ｃｏ_30 などからなる中間膜１４とを有する。 - 特許庁

This magnetoresistance effect element is configured such that a free layer 20 in an MR element 1 is a stacked body including first and second FeCo layers 31 and 32 and first to fourth CoFe layers 21 to 24 the thicknesses of which are larger than those of the first and second FeCo layers 31 and 32.例文帳に追加

ＭＲ素子１におけるフリー層２０は、第１および第２のＦｅＣｏ層３１，３２と、これらよりも厚みの大きな第１〜第４のＣｏＦｅ層２１〜２４とを含む積層体である。 - 特許庁

A display device includes a first substrate 10, a second substrate 11 opposing to the first substrate 10, and a liquid crystal layer 13 sealed by a sealing material 12 between the first substrate 10 and the second substrate 11.例文帳に追加

第１基板１０と、上記第１基板１０に対向する第２基板１１と、上記第１基板１０と上記第２基板１１との間にシール材１２によって封止された液晶層１３とを備える。 - 特許庁

On one surface of a base insulating layer 1, a first signal wiring pattern S1 and a first ground pattern G1 are formed and on the other surface, a second signal wiring pattern S2 and a second ground pattern G2 are formed.例文帳に追加

ベース絶縁層１の一方の面には第１の信号配線パターンＳ１および第１のグランドパターンＧ１が形成され、他方の面には第２の信号配線パターンＳ２および第２のグランドパターンＧ２が形成される。 - 特許庁

A via hole 2 penetrating from a first flat surface 1a to a second flat surface 1b is formed in a semiconductor substrate 1, and an electrode pad layer 4 that is a bottom 2a of the via hole 2 is provided on the second flat surface 1b.例文帳に追加

半導体基板１には、一方の平面１ａから他方の平面１ｂに貫通するビアホール２が形成され、ビアホール２の底部２ａとなる電極パッド層４が他方の平面１ｂに設けられている。 - 特許庁

The micro structure is equipped with: a first substrate 1 having a recessed part; and a second substrate 2 which is composed of a multi-layer substrate, connected to the first substrate 1 to seal the recessed part and forms a sealing space 10 between the substrate 1 and the second substrate 2.例文帳に追加

凹部を有する第１の基板１と、多層基板からなり第１の基板１に結合して凹部を密封し第１の基板１との間に密閉空間１０を形成する第２の基板２とを備える。 - 特許庁

A connection structure 1 according to the present invention includes: a first member 2 to be connected; a second member 4 to be connected; and a cured product layer 3 electrically connecting the first and second members 2, 4 to be connected.例文帳に追加

本発明に係る接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、該第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している硬化物層３とを備える。 - 特許庁

A solder mask layer 330 is formed on the surface 311 and has a first opening 331, a second opening 332 and a third opening 333 exposing the groups of first, second and third fingers 321, 322 and 323, respectively.例文帳に追加

はんだマスク層３３０は表面３１１に形成され、第一組、第二組、第三組フィンガー３２１、３２２、３２３群をそれぞれ露出する第一開口３３１、第二開口３３２および第三開口３３３を有する。 - 特許庁

The second internal electrode layer 26 has a third internal electrode 28 extending to be led out to the second side face 6, and a fourth internal electrode 30 extending to be led out to the fourth side face 10.例文帳に追加

第２の内部電極層２６は、第２の側面６に引き出されるように伸びる第３の内部電極２８と、第４の側面１０に引き出されるように伸びる第４の内部電極３０とを有する。 - 特許庁

The capacitive element 10 has a sandwich structure in which the dielectric layer 12 is sandwiched between the first electrode 11 and the second electrode 13, and concavity and convexity are provided on the outer surface of the second electrode 13.例文帳に追加

容量素子１０は、誘電体層１２を第１電極１１と第２電極１３とにより挟むようにしたサンドイッチ構造になっており、第２電極１３の外表面に凹凸が設けられている。 - 特許庁

After the second substrate 1 with two ion implantation layers 4 and 6 formed together is joined with a first substrate 7, a joint silicon single crystal thin film 5 is peeled off from the second substrate 1 by using the ion implantation layer 4 for peeling.例文帳に追加

そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成された第二基板１を第一基板７に結合した後、第二基板１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。 - 特許庁

Symmetry of the alignment mark formed in the second resist layer is improved by suitably adjusting thicknesses, coating process parameters, and baking process parameters of the first and the second resist layers.例文帳に追加

第２のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第１および第２のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 - 特許庁

A three-layer film of first metal, a metal nitride film and second metal is formed beneath the lower electrode of the ferroelectric capacitive element wherein the metal nitride film is composed of a nitride of the first or second metal.例文帳に追加

強誘電体容量素子の下部電極の下に、第１の金属、金属窒化膜、第２の金属を順に積層した３層膜を形成し、該金属窒化膜を第１の金属または第２の金属の窒化物で構成する。 - 特許庁

A liquid crystal device 1 has a first transparent substrate 10 having a first transparent electrode 11 on a surface thereof, a second transparent substrate 20 having a second transparent electrode 21, and a liquid crystal layer 50.例文帳に追加

液晶装置１は、第1の透明電極１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、液晶層５０とを有する。 - 特許庁

On the side face parallel with the layer direction of the multilayer body, a first external electrode 3 connected with a first internal electrode 2 and a second external electrode 3 connected with a second internal electrode 2 are provided.例文帳に追加

この積層体の積層方向に平行をなす側面に、第１の内部電極２が接続された第１の外部電極３と第２の内部電極２が接続された第２の外部電極３とを設ける。 - 特許庁

The reflection layer 3 is provided with a second reflection film 3a formed on the substrate 2 and subjected to nitriding treatment and a first reflection film 3b formed on the second reflection film 3a and subjected to no nitriding treatment.例文帳に追加

反射層３は、基板２上に形成され、窒化処理が施されている第二の反射膜３ａと、第二の反射膜２ａ上に形成され、窒化処理の施されていない第一の反射膜３ｂとを備えている。 - 特許庁

In this manufacturing method of the organic EL display having at least a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode on a support substrate, the pixel separating film and the second electrode separating barrier plate are formed by a silicon compound.例文帳に追加

支持基板上に、少なくとも第一電極、有機ＥＬ層、第二電極を有する有機ＥＬディスプレイの製造方法において、画素分離膜と第二電極分離隔壁を無機のケイ素化合物により形成する。 - 特許庁

A bulk acoustic wave device 10 comprises the first metal electrode 16 and second metal electrode, and the Group-III nitride epitaxial layer 14 sandwiched between the first metal electrode 16 and the second metal electrode.例文帳に追加

バルク音響波デバイス１０は、第１の金属電極１６及び第２の金属電極と、第１の金属電極１６と第２の金属電極の間に挟まれたＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル層１４とを備えている。 - 特許庁

The plurality of pixels include first pixels with a first gap to interpose a liquid crystal layer 300 between an array substrate 100 and a counter substrate 200 and second pixels with a second gap smaller than the first gap.例文帳に追加

これら複数の画素は、アレイ基板１００と対向基板２００との間に液晶層３００を挟持するための第１ギャップを有する第１画素と、第１ギャップより小さい第２ギャップを有する第２画素とを含む。 - 特許庁

The Fermi level is higher than the evergy levels of the first and second valance bands, and the evergy level of the second valance band exists between the Fermi level of the metal layer 130 and the energy level of the first valance band.例文帳に追加

このフェルミエネルギレベルは第１および第２の価電子帯のエネルギレベルより高く、第２の価電子帯のエネルギレベルは金属層１３０のフェルミエネルギレベルと第１の価電子帯のエネルギレベルとの間に存在する。 - 特許庁

Respective conducting between via electrodes 15a (a first and a second via electrode) from the surface of a capacitor to opposed internal electrodes 13a (a first and a second electrode layer) assures a function of the capacitor.例文帳に追加

コンデンサ表面側からのビア電極１５ａ（第１、第２のビア電極）は、対向する内部電極１３ａ（第１、第２の電極層）に対してはそれぞれ通電を図ることができるので、コンデンサとしての機能確保を図る。 - 特許庁

The driving means operates between a first state filling the inside of the case with the first liquid and a second state forming a layer of the second liquid at a region out of the case at a side in contact with the heat transfer member.例文帳に追加

駆動手段は、ケースの内部を第１の液体で満たす第１の状態と、ケースのうち熱伝達部材と接触する側の領域に第２の液体の層を形成する第２の状態との間で動作する。 - 特許庁

A first conductive blind via 108 is connected to the first conductive path at the second node, with the first blind via 108 being formed in the first dielectric layer 94 at the second node.例文帳に追加

第１の伝導性ブラインドヴァイア１０８が第２のノードにおいて第１の伝導通路に接続され、この第１のブラインドヴァイア１０８はこの第２のノードにおける第１の誘電体層９４内に形成される。 - 特許庁

In the panel structure equipped with a honeycomb core 11 and the first and second skins 12 and 13 bonded to the honeycomb core 11, each of the first and second skins 12 and 13 is constituted of one fabric material layer.例文帳に追加

ハニカムコア１１と、このハニカムコア１１に接合された第１および第２の表皮スキン１２、１３とを具備したパネル構体において、第１および第２の表皮スキン１２、１３が１層の織物材で構成されている。 - 特許庁

A plastic resin flowing through the first passage R1 is branched by a branch passage R3 into the second passage R2, and the inner sheath layer 53 is formed by plastic resin supplied via the second passage R2.例文帳に追加

第１の流路Ｒ1を流れる軟化樹脂は分岐流路Ｒ3により分岐して第２の流路Ｒ2側に流れ込み、この第２の流路Ｒ2を経て供給される軟化樹脂により内部シース層５３が形成される。 - 特許庁

The patterned spacer layer defines a channel between the first and second insulating layers that has a sample-receiving chamber, a first port proximate the platform portion and a second port at an outer edge of the analyte test strip.例文帳に追加

型どられたスペーサーは、サンプル受容チャンバと、プラットフォーム部に近接する第１のポートと、検体試験片の外側縁に第２のポートとを有する第１の絶縁層と第２の絶縁層との間のチャネルを規定する。 - 特許庁

The ground conductor 40 has a three layer structure including a first film 41 touching the contact 60, a second film 42 formed on the first film 41, and a third film 43 formed on the second film 42.例文帳に追加

接地導体４０はコンタクト部６０に接する第１の膜４１と第１の膜４１上に形成される第２の膜４２と、第２の膜４２上に形成された第３の膜４３とを含む三層構造を有する。 - 特許庁

The second internal electrode layer 26 has a third internal electrode 28 extended so that it is drawn out to a second side face 6 and a fourth internal electrode 30 extended so that it is drawn out to a fourth side face 10.例文帳に追加

第２の内部電極層２６は、第２の側面６に引き出されるように伸びる第３の内部電極２８と、第４の側面１０に引き出されるように伸びる第４の内部電極３０とを有する。 - 特許庁

The second substrate and the first protective layer are divided so that the plurality of the first semiconductor integrated circuits are divided into individual pieces and a part of the second substrate remains in the periphery of the first semiconductor integrated circuits.例文帳に追加

複数の第１の半導体集積回路を１つずつに分けるように、且つ第１の半導体集積回路の周辺に第２の基板の一部が残るように、第２の基板及び第１の保護層を分断する。 - 特許庁

To provide a device for carrying out surface treatment of a collector for a lithium ion battery in which a first surface coating layer without defects is formed on a collector base material 2, and in which a second surface coating layer having defects of pin holes and with unevenness is formed on the first surface coating layer.例文帳に追加

集電体基材２上に欠陥のない第１表面皮膜層、及び、第１表面皮膜層上に、ピンホールの欠陥、凹凸のある第２表面皮膜層が成膜されたリチウムイオン電池集電体の表面処理を行うことができる装置を提供すること。 - 特許庁

A second conductivity type surface storage layer 25, which restrains a dark current element is formed in a surface of a first conductivity type depletion layer formation region 24 which forms a photoelectric conversion part 23, and the surface storage layer 25 is formed wider than the depletion laver formation region 26.例文帳に追加

光電変換部２３を形成する第１導電型の空乏層形成領域２４の表面に暗電流成分を抑制する第２導電型の表面蓄積層２５を有し、表面蓄積層２５が空乏層形成領域２６より広く形成されて成る - 特許庁

A wire 502 is wrapped up in or covered with a first inner coating layer 520, and the first inner coating layer 520 is coated with a second outer coating layer 522 for the formation of a wire stem 530.例文帳に追加

各種の電子コンポーネントに対して復元性、又は従順性を示す接触構造が、基板にワイヤの自由端をボンディングし、弾力のある形状を有するワイヤステムへと、ワイヤを構成し、ワイヤステムを切断して、ワイヤステムに、ある材料の少なくとも１つの層で保護膜を施すことにより形成される。 - 特許庁

The first electrode 52 is formed on the surface of the planarization layer 48 and is connected to a drain electrode of the current source transistor TS via the conduction hole Hb1 which is formed in a side in the planarization layer 48 and the second insulating layer 46, wherein the side is opposite to the light emitting element E side across the current source transistor TS.例文帳に追加

第１電極５２は、平坦化層４８の面上に形成され、平坦化層４８および第２絶縁層４６のうち電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成された導通孔Ｈb1を介して電流源トランジスタＴSのドレイン電極に接続される。 - 特許庁

After a resin is adhered to the surface of the aluminum material 1, dried, and a carbon-containing substance is adhered onto the dried resin, the aluminum material 1 is arranged in a space comprising a hydrocarbon-containing substance and then heated to form the first conductive layer 2, the interposed layer 3, and the second conductive layer 4.例文帳に追加

アルミニウム材１の表面に樹脂を付着させ、乾燥させ、その上に炭素含有物質を付着させた後に、アルミニウム材１を、炭化水素含有物質を含む空間に配置して、加熱することにより、第１導電層２と介在層３と第２導電層４を形成する。 - 特許庁

This wire fixing connector has: a bed plate 1; a first adhesive layer 3 for adhering the wire 2 on the bed plate 1; and a second adhesive layer 4 placed on the bed plate 1 for covering the first adhesion layer 3 and adhering the wire 2 on the bed plate 1.例文帳に追加

本発明のワイヤ固定接手は、台板１と、台板１に載置されて、ワイヤ２を台板１に接着する第１の接着剤層３と、台板１に載置されて、第１の接着剤層３を被覆するとともに、ワイヤ２を台板１に接着する第２の接着剤層４を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device is a method, wherein second wiring layers 44 and contact layers 34 for connecting a first wiring layer 20 with the layers 44 are simultaneously formed in an insulating layer 50 formed on the layer 20.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１の配線層２０の上に形成された絶縁層５０において、第２の配線層４４と、第１の配線層２０と第２の配線層４４とを接続するためのコンタクト層３４とを同時に形成するものであって、以下の工程を含む。 - 特許庁

A "p" clad layer is grown on the active layer having the semiconductor layer containing In at first temperature (800 to 900°C), and then while only nitrogen gas and ammonia gas are circulated, a laminate of a semiconductor is heat-treated at second temperature (900 to 1,000°C) higher than the first temperature.例文帳に追加

Ｉｎを含む半導体層を備える活性層の上にｐクラッド層を第１の温度（８００〜９００℃）で成長させ、その後、窒素ガスとアンモニアガスのみを流通させながら、第１の温度より高い第２の温度（９００〜１０００℃）で半導体の積層体を熱処理する。 - 特許庁

The method for forming a thermally sprayed diamond composite film comprises thermally spraying metal-coated diamond particles at a high velocity to form the outermost or second outermost layer or an intermediate layer so as to be dispersed in an anchoring manner and allowing the diamond region to expose to the free surface of the outermost layer.例文帳に追加

ダイヤモンド複合溶射皮膜の形成方法は、メタルコートダイヤモンド粒子を高速フレーム溶射して最外層又は最外第２層ないしは中間層を形成してダイヤモンド粒子を投錨的に分散させ、かつ、最外層の自由表面にダイヤモンド領域を露出させるものである。 - 特許庁

The insulating coating 3 comprises a first resin layer 4 that is formed of a polyamideimide resin and covers the outer periphery of the conductor 2, and a second resin layer 5 that is formed of resin having higher extension properties than the polyamideimide resin and covers the outer periphery of the first resin layer 4.例文帳に追加

そして、絶縁皮膜３は、ポリアミドイミド樹脂により形成され、導体２の外周を被覆する第１の樹脂層４と、ポリアミドイミド樹脂より伸長性の高い樹脂により形成され、第１の樹脂層４の外周を被覆する第２の樹脂層５とを有している。 - 特許庁

A first resin layer 10 is formed on a substrate 30 where the first wiring pattern including a mounting land 11c is formed, the second wiring patterns 21a to 21c are formed on the first resin layer, and an opening 15 is formed in the first resin layer to expose the mounting land 11c.例文帳に追加

実装ランド１１ｃを含む第１配線パターンが形成された基板３０の上に第１の樹脂層１０を形成し、第１の樹脂層上に第２配線パターン２１ａ〜２１ｃを形成し、第１の樹脂層に開口部１５を形成し、実装ランド１１ｃを露出させる。 - 特許庁

The translucent thin-film positive electrode 110 comprises a first translucent thin-film positive cobalt (Co) electrode layer 111 having its film thickness of about 15 Å and joined to the contact layer 107, and a second translucent thin-film positive gold (Au) electrode layer 112 having its film thickness of about 60 Å and joined to Co.例文帳に追加

透光性薄膜正電極１１０は、コンタクト層１０７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)より成る薄膜正電極第１層１１１と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)より成る薄膜正電極第２層１１２とで構成されている。 - 特許庁

A second insulation layer (top insulation layer) 6 of the ONO laminate film is composed of a silicon oxide film, a silicon oxide nitride film having oxygen compositions more than a charge storage layer, Al_2O_3 film, ZrSiO film, HfSiO film, HfSiON film, ZrSiON film, or laminate film thereof.例文帳に追加

ＯＮＯ 積層膜の第２の絶縁膜（トップ絶縁膜）６ は、シリコン酸化膜または電荷蓄積層よりも酸素組成の多いシリコン酸窒化膜、または、Ａｌ_２ Ｏ_３膜、ＺｒＳｉＯ 膜、ＨｆＳｉＯ 膜、ＨｆＳｉＯＮ膜、ＺｒＳｉＯＮ膜またはそれらの積層膜のいずれかからなる。 - 特許庁

In the PDP, a first layer where the partial part of the phosphor layer is formed with the phosphor particles and the inorganic binder infilling the void parts among the phosphor particles, and a second layer where a partial part thereof is formed with the phosphor particles are sequentially stacked.例文帳に追加

または、ＰＤＰにおいて、蛍光体層の一部分が蛍光体粒子と前記蛍光体粒子間の空隙部分を埋める無機バインダーにより形成される第一層と、一部分が蛍光体粒子により形成される第二層が順次積層されているものとする。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing an organic electroluminescent element having a first electrode, an organic layer, and a second electrode in this order and includes a preservation process to preserve the organic layer for ≥30 minutes and ≤400 days and a heating process to carry out heat treatment of the organic layer.例文帳に追加

第一の電極と、有機層と、第二の電極とをこの順に有する有機電界発光素子の製造方法であって、該有機層を形成後、該有機層を３０分以上、４００日以下保存する保存工程と、該有機層を加熱処理する加熱工程とを有する。 - 特許庁