「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent increase in interface levels due to nitrogen atoms and hydrogen atoms on an interface between a semiconductor substrate and a silicon oxide film.例文帳に追加

半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory provided with an interface having interchangeability with an interface of a normal static random access memory.例文帳に追加

通常のスタティック・ランダム・アクセス・メモリのインターフェイスと互換性を有するインターフェイスを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce interface level or crystal defect in interface of a single crystal semiconductor layer formed on insulator.例文帳に追加

絶縁層上に形成された単結晶半導体層の界面における界面準位または結晶欠陥を低減させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, LINE INTERFACE DEVICE AND INFORMATION PROCESSING DEVICE USING IT例文帳に追加

半導体装置、およびこれを用いた回線インターフェイス装置および情報処理装置 - 特許庁

An interface chip 2 is laminated on a plurality of laminated semiconductor elements 1.例文帳に追加

積層された複数の半導体素子１の上にインターフェースチップ２が積層される。 - 特許庁

INTERFACE CIRCUIT, AND TESTING METHOD AND DEBUGGING METHOD USING THE SAME FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

インターフェース回路及びそれを用いた半導体装置のテスト方法とデバッグ方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor thin film which can prevent a contamination of an interface.例文帳に追加

界面の汚染を防止できる半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor for sensitization is located at the interface between the electron conductor and the Hall conductor.例文帳に追加

この増感用半導体は電子導体とホール導体間の界面に位置する。 - 特許庁

INTERFACE CIRCUIT HAVING VOLTAGE-LEVEL SHIFTING FUNCTION, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

電圧レベルシフト機能を有するインタフェース回路、半導体集積回路、表示装置 - 特許庁

FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING STABLE CRYSTALLINE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンとの安定した結晶性インタフェースを有する半導体構造の作成方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which accumulation and movement, etc. of charges at the neighborhood of an interface including the interface between a semiconductor substrate and an insulating layer are suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板と絶縁層との界面を含んだ界面近傍での電荷の蓄積や移動が抑制された半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Due to this structure, the crystallinity of the semiconductor layer 5 which forms an interface with the second insulation film 4b can be increased, and at the same time, a defective level of an interface between the semiconductor layer and the second insulation film can be reduced.例文帳に追加

また、第２絶縁膜を酸化物で構成することで、第２絶縁膜の材料によって半導体層から酸素が奪われることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a small leakage current by terminating a dangling bond of a semiconductor interface.例文帳に追加

半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for improving an interface characteristic between a semiconductor substrate and an insulating film.例文帳に追加

半導体基体と絶縁膜の界面特性を向上できる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To easily form a charge transport layer on an interface between an organic semiconductor layer and another organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層と別の有機半導体層との界面に電荷移動層を容易に形成することを可能にする。 - 特許庁

An n^+-type embedded impurity region 3 is formed in an interface of the semiconductor substrate 1 and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体基板１と半導体層２との界面にはｎ^+型の埋め込み不純物領域３が形成されている。 - 特許庁

The system interface specifications and the memory interface specifications are mutually converted by the interface conversion macro so that it is possible to load the memory macro which is common to the semiconductor integrated circuit even when the system interface specifications are different.例文帳に追加

インタフェース変換マクロによりシステムインタフェース仕様およびメモリインタフェース仕様を相互に変換することにより、システムインタフェース仕様が異なる場合にも、半導体集積回路に共通のメモリマクロを搭載できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device excellent in a steepness property of an interface inside quantum well structure.例文帳に追加

量子井戸構造内の界面の急峻性に優れた半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device having a high-speed interface circuit.例文帳に追加

高速化を実現したインタフェース回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Further, a mixed region is provided on an interface between the oxide semiconductor layer and the silicon oxide layer.例文帳に追加

また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。 - 特許庁

An interface region containing a metallic element is provided on a surface of the semiconductor region.例文帳に追加

前記半導体領域の表面には金属元素を含む界面領域が設けられる。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING SEMICONDUCTOR MANUFACTURING FACILITY BY UTILIZING USER INTERFACE例文帳に追加

ユーザーインターフェイスを利用して半導体製造設備を制御するシステム、及びその方法 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device can be sealed with the sealing material 3 without forming any interface.例文帳に追加

界面が形成されるようなことなく封止樹脂３で封止を行なうことができる。 - 特許庁

To provide a method and device for reducing oxidation of the interface of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスのインタフェースの酸化を減少するための方法および装置を開示する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE EQUIPPED WITH CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METALLIC OXIDE INTERFACE HAVING SILICON例文帳に追加

シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを備える半導体構造 - 特許庁

An interface 33 is formed of the gallium nitride-based semiconductor layer 37 and substrate 32.例文帳に追加

界面３３は、窒化ガリウム系半導体層３７と基板３２とにより形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor package such that a crevice in a solder bonding interface can be prevented from spreading.例文帳に追加

半田接合界面の裂け目拡散を防止可能な半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

MULTIPLE POWER SOURCE INTERFACE CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, ELECTRIC CIRCUIT SUBSTRATE, AND BATTERY POWERED EQUIPMENT例文帳に追加

多電源インタフェース回路、半導体集積回路、電気回路基板およびバッテリ駆動機器 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING METALLIC WIRING LAYER FORMED BY UTILIZING INTERFACE ADJUSTMENT LAYER例文帳に追加

界面調節層を利用して金属配線層を形成する半導体素子の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor multilayer structure manufacturing method which actualizes a sharp-profile interface.例文帳に追加

急峻な界面を実現することができる半導体積層構造の製造方法を得る。 - 特許庁

In addition, an interface layer is provided between the semiconductor layer 13 and an intrinsic layer 14.例文帳に追加

さらに、Ｐ型半導体層１３と真性層１４との間に、界面層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device excellent in adhesiveness at an interface and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

界面での密着性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce power consumption in a semiconductor memory device having a series interface.例文帳に追加

直列インタフェースを有する半導体記憶装置における消費電力を低減する。 - 特許庁

Further, there is a layer of oxide on an interface between the hollow 7 and semiconductor substrate.例文帳に追加

中空７と半導体基板の界面に酸化物の層があることを特徴とする。 - 特許庁

OPTICAL SEMICONDUCTOR MODULE, ITS MANUFACTURING METHOD AND LSI PACKAGE WITH INTERFACE MODULE例文帳に追加

光半導体モジュールおよびその製造方法およびインターフェイスモジュール付ＬＳＩパッケージ - 特許庁

An interface circuit 7 is arranged on the semiconductor chip (3) mounted at the lowermost layer.例文帳に追加

最下部に搭載されている半導体チップ３には、インタフェース回路７が設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor structure with which a thin stable silicide interface with silicon can be manufactured.例文帳に追加

薄くて安定したシリコンとのケイ化物インタフェースを作成する方法を提供する。 - 特許庁

The first crystal region is grown from an interface with one impurity semiconductor layer, and the second crystal region is grown towards the interface with the other impurity semiconductor layer from a position separated from the interface with one impurity semiconductor layer.例文帳に追加

一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) whose resistance is low on an interface between a silicide layer and an Si layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

シリサイド層とＳｉ層との界面における抵抗が低いＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device reducing an interface resistance of a metal semiconductor compound electrode provided on a semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板上に設けられる金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A p^+ impurity area 4 is formed in the n^- semiconductor layer 3 from the surface of the n^- semiconductor layer 3 to the interface of the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域４はｎ^-半導体層３の表面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｎ^-半導体層３内部に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor chip 108 has a first interface 500 for electrical signals and a second interface 600 for optical signals.例文帳に追加

半導体チップ１０８は、電気信号用の第１のインタフェース部５００と、光信号用の第２のインタフェース部６００とを有している。 - 特許庁

To provide a communication interface device which can detect data errors generated in a semiconductor storage device in a communication interface device.例文帳に追加

通信インターフェース装置内の半導体メモリ内で発生するデータエラーを検出することができる通信インターフェース装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁