「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Due to the existence of the thin film 41, an epitaxial growth is prevented from starting from the interface between the conductor 56 and the semiconductor region 61, thereby reducing the generation and growth of crystal defects near the interface between the conductor 56 and the semiconductor region 69.例文帳に追加

薄膜４１の存在により導電体５６と半導体領域６１の界面からエピタキシャル成長が開始されるのが抑制され、導電体５６と半導体領域６９との界面近傍における結晶欠陥の発生と成長が低減される。 - 特許庁

A line interface 11 for transmitting and receiving facsimile with a line network side is provided with a semiconductor data access arrangement (DAA), and a switch control unit for controlling a line control switch of the line interface 11 is built in the semiconductor DAA 21.例文帳に追加

ファクシミリ装置１は、回線網側とファクシミリ送受信を行う回線インターフェース１１が半導体データアクセスアレンジメント（ＤＡＡ）を備え、回線インターフェース１１の回線制御用スイッチの制御を行うスイッチ制御部が、半導体ＤＡＡ２１に作り込まれている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element in which band discontinuity of an interface between As-based and P-based layers is reduced when the interface is present in order to reduce light emitting element resistance and improve extraction efficiency of light, and to provide a method of manufacturing a semiconductor laminate.例文帳に追加

Ａｓ系とＰ系との層の界面を有する場合に、界面のバンド不連続を緩和して、発光素子抵抗の減少および光の取り出し効率の向上を図ることができる半導体発光素子および半導体積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device hardly causing deterioration in the vicinity of an interface between an end face of a resonator of a semiconductor laser and a reflective film, low in a threshold current, and high in a yield.例文帳に追加

半導体レーザの共振器端面と反射膜との界面近傍において劣化が起こりにくく、しきい値電流が低く、歩留まりの高い半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which avoids remaining clearance gap at an interface between thermally-oxidized films each growing from top or bottom direction, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer suitable for production of a semiconductor device such as an HEMT, in which Si present in an interface between a substrate and an epitaxial film is effectively inactivated.例文帳に追加

ＨＥＭＴ等の半導体デバイスの作製に好適な、基板とエピタキシャル膜の界面に存在するＳｉが効果的に不活性化された半導体エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device in which a semiconductor/metal interface of proper quality without residues can be obtained in any region which forms a source electrode, a drain electrode and a gate electrode.例文帳に追加

化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where flash is prevented when reflow soldering is performed, stability of a semiconductor element-connecting interface is ensured, and connection reliability with respect to thermal stress is improved.例文帳に追加

リフローはんだ付け時のフラッシュを抑止し、半導体素子接続界面の安定性を確保し、熱応力に対する接続信頼性を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is highly reliable by improving bonding strength over the entire interface of a bump, an under barrier metal, etc., and a semiconductor apparatus using the same.例文帳に追加

バンプ及びアンダーバリアメタル等の界面全体において、接合強度を向上させることにより、信頼性が高い半導体デバイス及びそれを用いた半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁

To determine whether peeling occurs to an interface between a sealing resin and a circuit board of a resin-sealed type semiconductor device even if the peeling is not large enough to break a signal terminal of a semiconductor chip.例文帳に追加

樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂−回路基板間の界面の剥離が、半導体チップの信号端子を断線しない剥離であっても、剥離の有無を判定する。 - 特許庁

To remove an etching product adsorbed onto a semiconductor substrate substantially thoroughly in an interface cleaning process for removing an oxide film on the semiconductor substrate by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング処理により半導体基板上の酸化膜を除去する界面清浄化処理において、半導体基板上に吸着させたエッチング生成物をほぼ確実に除去可能にする。 - 特許庁

A p impurity region 3 defining an nMOS region 202 is provided from an upper surface of the n^- semiconductor layer 2 to an interface with the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-半導体層の内部には、ｎ^-半導体層２の上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけて、ｎＭＯＳ領域２０２を区分するｐ不純物領域３が設けられている。 - 特許庁

At least a part of the external circumference in the interface side in contact with the semiconductor laminating portion 10 among the semiconductor substrate 1 is cut away and thereby a cut-away portion 1a is formed.例文帳に追加

そして、半導体基板１のうち、半導体積層部１０と接触する界面側における外周部の少なくとも一部が欠落されて、欠落部１ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a stable desired breakdown voltage by preventing occurrence of local breakdown on a side of the semiconductor device where a p-n junction interface is exposed.例文帳に追加

ｐｎ接合界面が露呈する半導体装置側面で局所的な降伏が発生するのを防止して、安定した所望の降伏電圧を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a highly efficient semiconductor element by eliminating damages due to plasma and appropriately maintaining the interface characteristics between an amorphous semiconductor layer and a transparent electrode.例文帳に追加

この発明は、プラズマによるダメージを解消し、非晶質半導体層と透明電極との界面特性を良好に保ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this case, the underfill resin is extended from the wiring layer side to the semiconductor chip side so as to cover the interface between the semiconductor chip and wiring layer.例文帳に追加

この場合、前記アンダーフィル樹脂は、前記半導体チップと前記配線層との界面を被覆するようにして、前記配線層側から前記半導体チップ側に向けて延在させる。 - 特許庁

The semiconductor substrate is formed by bonding a plurality of counterpart semiconductor substrates (10, 12) together, and a nitride film or an oxynitride film (11) is formed at the bonded interface between them.例文帳に追加

半導体基板は、複数の半導体基板(10,12)同士を互いに張り合わせて形成した半導体基板であって、張り合わせ界面に、窒化膜或いは酸窒化膜(11)が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device effective for eliminating air bubbles and voids generated near the interface of a bump electrode and a bump part when forming the bump part and mounting the semiconductor device.例文帳に追加

バンプ部の形成および半導体装置の実装の際に、突起電極とバンプ部との界面付近に生じる気泡およびボイドの除去に有効な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can reduce contact resistance as compared with a conventional one by forming an interface containing heavily-doped germanium, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

ゲルマニウムを高濃度に含む界面を形成することができ、従来に比べてコンタクト抵抗を低下させることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

When cleavage is performed along a division line D from the other side of a semiconductor substrate 2, the multilayer semiconductor structure 3 can be divided without making the cleavage interface reach the plating electrode layer 5.例文帳に追加

また、分割線Ｄに沿って半導体基板２の他面側からへき開を行うことで、へき界面をめっき電極層５まで到達させずに多層半導体構造３を分割できる。 - 特許庁

To improve light reflectivity at an interface of a semiconductor layer and a contact electrode, and restrain electrode peeling by simultaneously improving adherence of an electrode, in a semiconductor light-receiving device.例文帳に追加

半導体受光装置において、半導体層とコンタクト電極との界面における光反射率を向上させ、同時に電極の密着性を向上させ、電極剥がれを抑制する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature.例文帳に追加

処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor with an excellent interface state between an oxide semiconductor layer and an insulation film in contact with the oxide semiconductor layer, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a semiconductor layer including N and Ga, a conductive layer ohmic-connected to the semiconductor layer, a metal distributed region existing on an interface between the semiconductor layer and the conductive layer with metal distributed, and a metal intrusion region wherein the atoms of the metal exist by entering the semiconductor layer.例文帳に追加

ＮおよびＧａを含む半導体層と、半導体層にオーミック接続される導電層と、半導体層と導電層との界面に金属が分布して存在する金属分布領域と、半導体層に金属の原子が侵入して存在する金属侵入領域と、を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher.例文帳に追加

半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。 - 特許庁

To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.例文帳に追加

本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can realize element characteristics predicted from a semiconductor region by preventing the occurrence of defects and levels, which may cause leakage currents or yield points in the interface between the semiconductor region and an oxide film covering the region.例文帳に追加

半導体領域を覆う酸化膜との界面において、漏れ電流や降伏点の発生源となる欠陥、準位の発生を防止し、半導体領域から予測される素子特性を実現できる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

The P-type semiconductor region 106 and the portion of the N-type semiconductor region 101 overlapping the transfer gate electrode 103 are disposed adjacent to each other in the direction parallel to the interface between the semiconductor substrate and the insulator.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１０６と、Ｎ型半導体領域１０１の転送ゲート電極１０３と重なった部分とは、半導体基板と絶縁体との界面に平行な方向において互いに隣接して配される。 - 特許庁

At the interface between a semiconductor layer 18, including P and a regrowth p-type semiconductor layer 22 formed above it, a p^+-type semiconductor layer 21 is formed that contains As and Ga, whose doping concentration is 5×10^18 cm^-3 or higher.例文帳に追加

Ｐを含む半導体層１８とその上に形成されたｐ型の再成長半導体層２２との界面に、ドーピング濃度が５×１０^18cm^-3以上であるＧaとＡsとを含むｐ^+型の半導体層２１を形成している。 - 特許庁

Thereby, the lifetime value from interface of the first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 to a cathode side end of a region, in which the net doping concentration of the broad buffer structure in the first semiconductor layer becomes maximum, becomes generally uniform.例文帳に追加

これによって、第１半導体層１と第２半導体層２との界面から、第１半導体層内のブロードバッファ構造のネットドーピング濃度が極大となる領域のカソード側の端部までのライフタイム値が概ね一様となる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a semiconductor layer and a dielectric film set to contact the surface of the semiconductor layer, wherein the dielectric film has an impurity as a positive or negative fixed charge near the interface between the dielectric film and the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有する光電変換装置である。 - 特許庁

Consequently, crystal nucleuses can be generated almost at the fusion point of the semiconductor film 5 on the interface between the semiconductor film 5 and photocatalyst layer 4 and then the polycrystalline semiconductor film can be formed which has the uniform crystal grain size.例文帳に追加

このため、半導体膜５の融点近傍で、半導体膜５と光触媒層４の界面に結晶核を発生させることができ、これにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成することができる。 - 特許庁

A metal oxide film 2 with a metal element other than the components of a compound semiconductor 1 as a component is inserted into the interface between an insulation film 3 and the compound semiconductor 1 for composing this insulated gate compound semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型化合物半導体装置を構成する絶縁膜３と化合物半導体１との界面に、化合物半導体１の構成元素以外の金属元素を構成要素とする金属酸化膜２を挿入する。 - 特許庁

To enable an automatic test of a semiconductor device by connecting a controller for performing conveyance control of a semiconductor device to be tested and sequence control according to a predetermined test procedure to a semiconductor testing apparatus through a simple interface.例文帳に追加

被試験対象の半導体デバイスの搬送制御と所定試験手順に従ったシーケンス制御とを行うコントローラを、半導体試験装置に簡易なインターフェイスで接続し、半導体デバイスの自動試験を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a gallium nitride semiconductor light-emitting element capable of stabilizing a drive voltage by reducing carrier depletion, due to spontaneous polarization and piezo polarization generated at the interface between an AlGaN semiconductor layer and a GaN-based semiconductor layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ系半導体層との界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化ガリウム半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS hetero structure wherein structure defects in semiconductor substrates are decreased, or no structure transition layer exists near an interface between an insulation film on a semiconductor substrate and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中の構造欠陥が低減されたＭＯＳ型ヘテロ構造、或いは、半導体基板上の絶縁膜における半導体基板との界面の近傍に構造遷移層が存在しないＭＯＳ型ヘテロ構造を提供する。 - 特許庁

A thin insulating layer are sandwiched between a substrate of semiconductor containing no impurity and a metal layer in contact with each other, a voltage is applied between the semiconductor and the metal layer so that the metal layer becomes negative, and a hole is induced in a thin layer just below an interface of the semiconductor on the interface of the insulating layer and semiconductor to produce the superconductivity by hole conduction due to hole inducement.例文帳に追加

不純物を含まない半導体の基板と金属層との間に薄い絶縁層を接触挟持させ、更に半導体と金属層の間に金属層を負になるように電圧をかけ、絶縁層と半導体の境界面に於いて、半導体の境界面直下の薄い層内にホールを誘起させ、ホール誘起によるホール伝導で超伝導を出現させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device, provided with an interface capable of being flexibly adapted to the construction and change addition of various systems.例文帳に追加

各種システムの構築、変更追加に柔軟に適合可能なインターフェイスを備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of establishing the characteristics of the bulk of a gate insulating film and the characteristics of an MOS interface.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のバルクの特性とＭＯＳ界面の特性を両立させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device excellent in handleability while highly accurately controlling an external size and forming position of an optical interface.例文帳に追加

光インターフェイスの外形サイズおよび形成位置を高精度に制御でき、かつ、取り扱い性に優れた光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for preventing a crack due to heat from occurring in the vicinity of an interface having appeared on a side face of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の側面に現れた界面近傍に熱によるクラックが発生しないようにする構造体を提供する。 - 特許庁

To achieve a low power consumption of a semiconductor integrated circuit in conformity with an interface standard such as IEEE1394 and HDMI.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４やＨＤＭＩなどのインタフェース規格に準拠した半導体集積回路の低消費電力化を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a large stress is less likely to be generated, in an interface between a metal of a storage capacity and a ferroelectric.例文帳に追加

蓄積容量部の金属と強誘電体の界面に大きな応力が生じにくい半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor luminous element with high luminance which can remarkably suppress the generation of voids on a bonding interface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

接合界面のボイドの発生を著しく抑制できる高輝度の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁