「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a group III nitride semiconductor light emitting device capable of reducing influences of oxides on an interface between a contact layer and an electrode.例文帳に追加

コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor luminous element with high luminance which can remarkably suppress the generation of voids on a bonding interface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

接合界面のボイドの発生を著しく抑制できる高輝度の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a large stress is less likely to be generated, in an interface between a metal of a storage capacity and a ferroelectric.例文帳に追加

蓄積容量部の金属と強誘電体の界面に大きな応力が生じにくい半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which prevents complicated circuit constitution by dispensing with an external interface for controlling refresh operation from the outside.例文帳に追加

リフレッシュ動作を外部から制御するための外部インターフェースを不要とする抑制し、回路構成が煩雑化することを防止する。 - 特許庁

To provide a method of growing a group III-V compound semiconductor, capable of reducing unwanted change of nitrogen composition near an interface.例文帳に追加

界面付近における窒素組成の望まれない変化を縮小可能な、III−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents an interface from developing dry areas when oxidizing a silicon substrate having an off angle.例文帳に追加

オフ角を有するシリコン基板を酸化する際に界面荒れを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An interface assembly (20) for testing a semiconductor wafer prior to the execution of a flip chip bumping process and its method are provided.例文帳に追加

フリップ・チップ・バンピング・プロセスの実行に先立って半導体ウェハを試験するためのインタフェース・アセンブリ（２０）および方法が提供される。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device by preventing humidity from permeating through an interface between a silicon nitride film and an electrode pad.例文帳に追加

窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low resistance silicide layer deposited on a substrate while having a planar interface on atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な界面をもって基板上に堆積され、しかも低抵抗のシリサイド層を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A liquid crystal drive controller (10) has a host interface circuit (20), a driving circuit (21), and an output port (22) on one semiconductor substrate.例文帳に追加

液晶駆動制御装置（１０）は、ホストインタフェース回路（２０）、駆動回路（２１）及び出力ポート（２２）を１個半導体基板に有する。 - 特許庁

To provide a design method for composing an interface for semiconductor integrated circuit, and a bus structure or database used for the design.例文帳に追加

半導体集積回路のインターフェースを構築するための設計方法と、その設計に用いるためのバス構造やデータベースを提供する。 - 特許庁

To relieve projecting/recessed parts in the interface of a polycrystalline semiconductor thin film and a gate insulating film, and to improve the mobility of a thin-film transistor.例文帳に追加

多結晶半導体薄膜とゲート絶縁膜との界面における凹凸を緩和して薄膜トランジスタの移動度を改善する。 - 特許庁

To suppress increase in roughness of an interface between a TiSix layer and an Si semiconductor substrate, which is caused at formation of the TiSix layer which is formed by reacting a Ti layer to the Si semiconductor substrate in the case where the Ti layer, which is a contact material, is deposited on the Si semiconductor substrate by a CVD method in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、コンタクト材であるＴｉをＣＶＤで堆積した場合、ＴｉとＳｉとが反応してＴｉＳｉ_x が生成され、それに起因して発生するＴｉＳｉ_x ／Ｓｉ界面のラフネス増大を抑制しようとする。 - 特許庁

To prevent a reactive product at a Schottky junction interface between an electrode and a semiconductor layer, and to prevent component elements of the electrode from diffusing into a semiconductor layer, and a component element of the semiconductor layer from diffusing into the electrode, in a method for manufacturing a compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法に関し、電極と半導体層のショットキー接合界面での反応生成物の形成を防止するとともに、電極の構成元素の半導体層への拡散を防止し、さらに半導体層の構成元素の電極への拡散を防止すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal, in which the solid-liquid interface can be prevented from being concaved by accelerating the dissipation of heat transferred to the compound semiconductor single crystal from a melt of the compound semiconductor; and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体融液から化合物半導体単結晶に伝達された熱の放熱を促進することにより固液界面の凹化を抑止することができる化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a low cost and a good yield, which can be manufactured in one time of crystal growth process and can suppress a peeling at an interface of a conductor material and an insulating film material, to provide a method of manufacturing the semiconductor device, a semiconductor laser device, and a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

一回の結晶成長工程で製造することができ、導電体材料と絶縁膜材料の界面での剥離を抑えることができる低コストで歩留りの良好な半導体装置とその製造方法および半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, unlike a conventional semiconductor device in which a side surface of a secondary wiring is exposed from a laminating interface between a semiconductor chip and a protection film, when a semiconductor wafer is divided into the semiconductor chips, a breakage or the like of a chipping and dicing blade does not occur, nor do beards, sags or the like of the secondary wiring occur.例文帳に追加

これによって、半導体チップと保護膜との積層界面から２次配線の側面が露出している従来の半導体装置のように、半導体ウェハから半導体チップに分割する際に、チッピング、ダイシングブレードの破損などが発生せず、２次配線のヒゲ、ダレなどが発生しない。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage apparatus which includes a plurality of semiconductor devices whose functions are different from each other, and in which the height of an interface between a gate insulating film and a gate electrode of each semiconductor device is almost the same, and in which each semiconductor device is arranged in a proper region of each partial SOI substrate.例文帳に追加

機能が異なる複数の半導体素子を含み、各半導体素子のゲート絶縁膜とゲート電極との界面の高さが略同じであり、各半導体素子をそれぞれ部分ＳＯＩ基板の適切な領域に配置した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A monitoring device 1 includes: a sensor 2; an interface 3 to which the sensor 2 is connected, and which comprises an oscillator using a wide band gap semiconductor; and an arithmetic unit 4 arranged separately from the interface 3, and processing an oscillation signal output from the interface 3.例文帳に追加

本発明のモニタリング装置１は、センサ２と、このセンサ２が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース３と、インターフェース３とは別に配置され且つインターフェース３から出力された発振信号を処理する演算装置４とを備えている。 - 特許庁

Both of an interface 91 between the first n type conductive area 2 and a semiconductor substrate conductive area 1 as well as an interface 92 between the second n type conductive area 3 and the semiconductor substrate conductive area 92 are formed almost like a plane by working the ends like a table.例文帳に追加

ここで、第１Ｎ型導電領域２と半導体基板導電領域１の境界面９１及び第２Ｎ型導電領域３と半導体基板導電領域１の境界面９２の双方を、半導体基板１００の端部をメサ状に加工することで略平面状に形成する。 - 特許庁

A semiconductor element 1 is constituted by stacking an interface level control layer 5, a semiconductor layer 4, a source electrode 2, a drain electrode 3, a gate electrode 7, a gate insulating film 6, and a substrate 8 in layers, the gate insulating film 6 being provided on one side surface of the interface level control layer 5.例文帳に追加

半導体素子１は、界面準位制御層５と、半導体層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、ゲート電極７と、ゲート絶縁膜６と、基板８とを層状に積層してなり、界面準位制御層５の１側面にゲート絶縁膜６を設けて構成する。 - 特許庁

To improve both interface level density of a semiconductor board and an initial value of various characteristics caused thereby, and stability with time, by terminating dangling bond of a crystal interface of semiconductor board effectively by deuterium.例文帳に追加

半導体基板の結晶界面のダングリングボンドを重水素で効率よく終端することによって、半導体基板の界面準位密度とそれに起因する諸特性の初期値ならびに経時安定性の両方が改善する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Only surface modifications of an electrode and an insulating film are selectively changed, without changing TFT materials, by using a mathematical expression values of differences in Fermi energy on a semiconductor-electrode interface and a semiconductor-gate insulator interface to actualize n-type and p-type TFTs.例文帳に追加

半導体−電極界面、および、半導体−ゲート絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、ＴＦＴ材料を変えずに電極および絶縁膜の表面修飾だけを選択的に変化してｎ型とｐ型のＴＦＴを実現する。 - 特許庁

This semiconductor device (100) for an IC card has a memory card interface control circuit (160) which performs input/output control with an external memory card in addition to an input/output interface control circuit (120) which performs input/output control with the outside, and the semiconductor device (100) has a host function of a memory card.例文帳に追加

ＩＣカード用半導体装置（１００）は、外部との間で入出力制御を行う入出力インタフェース制御回路（１２０）の他に外部のメモリカードとの間で入出力制御を行うメモリカードインタフェース制御回路（１６０）を有し、メモリカードのホスト機能を持つ。 - 特許庁

Due to this structure, there are positive fixed electric charges arising out of the spontaneous polarization effect or piezo polarization effect in the interface between an electron supply layer and the diamond semiconductor layer, and at the same time, a two-dimensional electron gas 13 is generated near the interface between the electron supply layer and the diamond semiconductor layer.例文帳に追加

これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method that can reduce the interface state at an interface between an oxide insulating film, whose major ingredient is a silicon dioxide film, and a silicon carbide semiconductor substrate so as to improve channel mobility, thereby decreasing on-resistance.例文帳に追加

シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the case of a negative or positive photoresist layer patterned by a conventional lithography technique, a photoresist layer in an interface region with a semiconductor substrate is overheated to a temperature higher than its fusing temperature in a short time in order to fusedly bond a photoresist layer at an interface to a layer located therebelow on the semiconductor substrate.例文帳に追加

従来のリソグラフィー技術を用いてパターンされたネガもしくはポジフォトレジスト層の場合、界面のフォトレジスト層を、その下に位置する層と、半導体基板において溶着するために、半導体基板との界面領域のフォトレジスト層は、短期的に、溶解温度より高い温度で過熱される。 - 特許庁

Hence, in the internal region of the laser resonator, a void atom which is one of crystal defects and is generated above and near the semiconductor interface including the oxygen atoms is captured on the semiconductor interface including oxygen atoms, thereby preventing the void atom from being diffused to the active layer.例文帳に追加

これにより、レーザ共振器の内部領域では、酸素原子を含む半導体界面の上方および近傍に生成された、結晶欠陥の一つである空孔原子が、酸素原子を含む半導体界面にて捕獲され、上記空孔原子が活性層へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing technique by which the deterioration of morphology on the surface of a metal or in the interface of the metal and a semiconductor and the expansion of the interface can be suppressed and, at the same time, contact resistance values can be stabilized and the joinability between electrodes and wiring bonding materials can be improved.例文帳に追加

金属の表面や金属と半導体との界面のモホロジの劣化や、界面の拡張を抑えると共に、接触抵抗の抵抗値の安定性や、電極とワイヤーボンド材との接合性を向上させることができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

Even if peeling which is not serious enough to break the signal terminal of the semiconductor chip 2 occurs to the interface between the sealing resin 6 and circuit board 3, the test wiring line 8 disposed at an outer edge of the interface is broken.例文帳に追加

封止樹脂６−回路基板３間の界面において、半導体チップ２の信号端子を断線しない程度の剥離が発生した場合でも、前記界面の外縁に位置するテスト配線８は断線する。 - 特許庁

An interface state density caused by dangling bonds is a little on the interface between the silicon carbide epitaxial layer 3 and the gate insulating films 5a and 5b, so that the silicon carbide semiconductor apparatus 1 can be improved in a driving force.例文帳に追加

また、炭化珪素エピタキシャル層３とゲート絶縁膜５ａ，５ｂの界面には、未結合手に起因する界面準位が少ないので、炭化珪素半導体装置１の駆動力を向上させることができる。 - 特許庁

The security integrated circuit of semiconductor integrated circuit for processing conditional access television is provided with an input interface for receiving encrypted television signals and an output interface for outputting decrypted television signals.例文帳に追加

条件付きアクセステレビジョンの処理のための半導体集積回路は、暗号化されたテレビジョン信号を受信するための入力インターフェースと、復号化されたテレビジョン信号の出力のための出力インターフェースを備える。 - 特許庁

The semiconductor device including SOI-MISFET comprises an insulating layer 14, a semiconductor layer 13 including Ge formed on the insulating layer 14, a plurality of semiconductor dots 15 formed in the area near the interface with the semiconductor layer 13 in the insulating layer 14 to include higher Ge composition than the semiconductor layer 13, and a MIS transistor formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成されたＧｅを含む半導体層１３と、絶縁層１４中の半導体層１３との界面付近に形成された、半導体層１３よりも高いＧｅ組成を有する複数の半導体ドット１５と、半導体層に形成されたＭＩＳトランジスタとを備えた。 - 特許庁

At least one of the first, second, and third components forms a type II semiconductor interface with another of the first, second, and third components.例文帳に追加

第１、第２および第３成分の少なくとも１つは、他の第１、第２および第３成分とタイプＩＩの半導体界面を形成する。 - 特許庁

To obtain a buried hetero semiconductor laser device which is improved in laser characteristics, having a prolonged service life by a method wherein a re-grown interface containing Al is protected against oxidation in a CM-BH structure.例文帳に追加

ＣＭ−ＢＨ構造においてＡｌを含む再成長界面の酸化を防いで良好なレーザ特性および素子寿命を得る。 - 特許庁

Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device.例文帳に追加

かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。 - 特許庁

A laminated semiconductor device comprises core chips CC0 to CC7 each having a unique chip address SID(CORE), and an interface chip IF to control the core chips.例文帳に追加

それぞれ固有のチップアドレスＳＩＤ（ＣＯＲＥ）を保持するコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、これらを制御するインターフェースチップＩＦとを備える。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor device whose performance can be improved by improving the adhesion of a stuck interface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

貼り合わせ界面の密着性向上による性能改善を図ることが可能な有機半導体デバイス、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light-emitting device, for sufficiently reducing an interface resistance between a light emission layer part and a transparent conductive semiconductor substrate.例文帳に追加

発光層部と透明導電性半導体基板との界面抵抗を十分に低減できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hybrid substrate, equipped with semiconductor layers, having different crystal orientations isolated by a conductive or an insulating interface.例文帳に追加

導電性または絶縁性界面によって分離され相異なる結晶方位を有する半導体層を備える混成基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a new type semiconductor element capable of effectively utilizing carriers generated on an interface and capable of ensuring a responsibility at a high speed.例文帳に追加

界面に発生するキャリアを有効に活用することができ、高速応答性が確保できる新しいタイプの半導体素子を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor device is irradiated with radiation, a large amount of holes are accumulated in a BOX layer 2 adjacent to the interface with a silicon layer 3.例文帳に追加

半導体装置に放射線が照射されると、シリコン層３との界面付近におけるＢＯＸ層２内に多量の正孔が蓄積される。 - 特許庁

The conductive backside electrode is biased to form an inverted potential layer at an interface between the first semiconductor layer and the insulating layer in the base.例文帳に追加

この導電性裏側電極にバイアスがかけられて、ベース中に第１半導体層と絶縁層の界面で反転電荷層が形成される。 - 特許庁