「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can attain improvement in the reliability of copper wiring certainly by restraining interface diffusion of copper.例文帳に追加

銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory for effectively utilizing an interface level in a gate insulating film while suppressing the deterioration of the gate insulating film of a memory gate.例文帳に追加

メモリセルのゲート絶縁膜の劣化を抑制しつつ、ゲート絶縁膜内の界面準位を有効に利用することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor single crystal preventing the formation of a concave solid/liquid interface and restraining the generation of a polycrystal part.例文帳に追加

固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving the adhesion properties of the interface between an oxygen barrier film and a lower electrode and preventing a capacitor separation phenomenon.例文帳に追加

酸素バリア膜と下部電極との界面の密着性を向上させ、キャパシタとび現象を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device, irregularities having a sloped side surface is formed on a surface of a substrate or a lamination interface between semiconductors.例文帳に追加

本発明は、半導体発光素子において、基板の表面又は半導体同士の積層界面に側面が傾斜した凹凸を形成したものである。 - 特許庁

To take a measure against static electricity while lowering the withstand voltage of a semiconductor integrated circuit and securing safety in an interface circuit constituting high-speed communication.例文帳に追加

高速通信を構成するインタフェース回路において、半導体集積回路の耐電圧の低下と、安全性を確保しつつ静電気対策を施すこと。 - 特許庁

The organic thin film transistor element comprises a gate insulation layer containing titanium oxide and an organic semiconductor layer having an oriented film formed on at least one interface.例文帳に追加

酸化チタンを含有するゲート絶縁層及び、少なくとも一方の界面に配向膜が形成された有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

To prevent an interface between a columnar electrode and a solder ball from cracking in a semiconductor device having the solder balls formed on the columnar electrodes.例文帳に追加

柱状電極上に半田ボールが形成された半導体装置において、柱状電極と半田ボールとの界面にクラックが発生しにくいようにする。 - 特許庁

To provide a memory interface circuit that can ensure an appropriate access operation whichever of semiconductor storage devices of different supply voltages may be connected.例文帳に追加

電源電圧が異なる半導体記憶装置のいずれを接続した場合でも、その適切なアクセス動作を保証し得るメモリインターフェース回路を提供する。 - 特許庁

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 has a Schottky barrier formed thereon, and a rectification action is generated between them.例文帳に追加

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ショットキー障壁が形成されており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the GaN semiconductor 1 is in a state such as schottky junction, and a rectification action is generated between them.例文帳に追加

有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

Accordingly, the problem can be solved by reducing oxygen deficiency and interface state existing in the oxide semiconductor layer in the region overlapping the gate electrode.例文帳に追加

これによりゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に存在する酸素欠損や界面準位を低減することで、課題を達成できる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes a plurality of first interfaces (11-14), a second interface (21), a bus (22) and a plurality of image processing modules (15-18).例文帳に追加

この半導体集積回路は、複数の第１インタフェース（１１〜１４）と、第２インタフェース（２１）と、バス（２２）と、複数の画像処理モジュール（１５〜１８）を含む。 - 特許庁

In the group III electronic device 31, Fe, Mg, or C contained in the gallium nitride-based semiconductor layer 37 reduces carriers from silicon piled up on the interface.例文帳に追加

このIII族窒化物電子デバイス３１によれば、窒化ガリウム系半導体層３７に含まれるＦｅ、Ｍｇ、Ｃが、界面にパイルアップしたシリコンからキャリアを低減する。 - 特許庁

An interface layer 5 comprising a silicon nitride is provided between a semiconductor layer 12 comprising an active polycrystalline silicon and an insulating layer 6 comprising silicon oxide.例文帳に追加

活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。 - 特許庁

The semiconductor device can include a first gate region and a second gate region, between which an interface covered by the internal spacer layer is formed.例文帳に追加

半導体デバイスは、内部スペーサ層によって覆われた界面を間に有する第１のゲート領域および第２のゲート領域を含むことができる。 - 特許庁

At this time, the concentration of P (phosphorus) is controlled to be lower than 1×10^16 atomicity cm^-3 in an interface with the window layer 27 of the nitride semiconductor laser device 10.例文帳に追加

このとき窒化物半導体レーザ素子１０の窓層２７との界面のＰ（リン）濃度は１×１０^16原子数・ｃｍ^-3以下であるものとする。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas (2DEG) 212 is formed at a heterojunction interface of the group III-V semiconductor layer and the second group III-V intrinsic layer.例文帳に追加

前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と前記第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層とのヘテロ接合界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）２１２が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which both the characteristic of bulk of a gate insulation film and the characteristic of an interface can be satisfied by a low temperature process.例文帳に追加

低温プロセスによってゲート絶縁膜のバルクの特性と界面の特性を両立させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a SATA (Serial Advance Technology Attachment) storage device operating a nonvolatile semiconductor memory by a SATA protocol as an interface realizing high data transmitting speed.例文帳に追加

高速データ伝送速度を実現するインタフェースであるＳＡＴＡプロトコルで不揮発性半導体メモリを動作可能とするＳＡＴＡ貯蔵装置を提供する。 - 特許庁

To provide a graphical user interface device for semiconductor design in which the instruction and correction of logic, layout and wiring in a semiconductor integrated circuit are operated with a single hand and subtle adjustment of them is enabled by smoothly switch-operating the display of the logic, layout and wiring in the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路における論理、配置、配線の表示をスムーズに切り替える操作ができ、論理、配置、配線の指示、修正が片手で操作が可能で、更に微妙な調整も可能とする半導体設計グラフィカルユーザインターフェース装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor substrate, which is high in productivity, by optimizing BMD (bulk micro defect) forming process inside of a wafer and interface oxide film removing process, in the manufacturing method of the semiconductor substrate consisting of two sheets of semiconductor wafers joined directly.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、ウェーハ内部のＢＭＤ形成プロセスと、界面酸化膜除去プロセスを最適化することにより、生産性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device and the semiconductor device which accurately controls the adhesion interface resistance between a light emitting layer of an InGaAlP or AlGaAs compound semiconductor and a GaP substrate and adheres them together.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｌＰ系又はＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体からなる発光層とＧａＰ基板を、接着界面抵抗を精度良く制御して貼り合せることが可能な光半導体装置の製造方法及び光半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In the compound semiconductor crystal for a semiconductor element which is obtained by forming an epitaxial layer on a group III-V compound semiconductor substrate, the ratio of the concentration of oxygen to the concentration of silicon, accumulated in the interface between the substrate and the epitaxial layer, is controlled to ≥2.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にエピタキシャル層を形成した半導体素子用の化合物半導体結晶において、基板とエピタキシャル層との界面に蓄積する酸素と硅素の濃度比（酸素／珪素）が２以上であるようにした。 - 特許庁

The p-type clad layer of a GaN semiconductor laser is constituted of two or more semiconductor layers having different band gaps and, in addition, the part of the p-type clad layer near the active layer-side interface of the layer is constituted of a semiconductor layer having a larger band gap than the other part has.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体レーザのｐ型クラッド層を互いにバンドギャップの異なる２以上の半導体層により構成し、かつ、ｐ型クラッド層の活性層側の界面近傍の部分を他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成する。 - 特許庁

To provide a test method and a test apparatus for a semiconductor device which test a high speed memory interface section at a low speed, dispenses with the mounting of a semiconductor memory device onto a test board and also dispenses with confirmation of operation of the semiconductor memory device itself thereby enabling the mounting area of the test board to be reduced.例文帳に追加

低速で高速メモリインタフェース部の試験ができ、半導体記憶装置のテストボード上への実装が不要で半導体記憶装置自体の動作確認が不要でテストボード実装面積の低減が可能な半導体装置のテスト方法、装置を提供する。 - 特許庁

In an MCM where a plurality of semiconductor chips are integrated into one package, an LVDS circuit using a differential signal is used for an interface between a semiconductor chip A and a semiconductor chip B so that quick and accurate signal transmission can be executed.例文帳に追加

複数の半導体チップをワンパッケージにしたＭＣＭにおいて、半導体チップＡと半導体チップＢとの間のインタフェースに、差動信号を使用したＬＶＤＳ回路を使用するようにしたことから、高速で正確な信号伝送を行うことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent an organic semiconductor layer from peeling at the interface of a protective film while sufficiently protecting the organic semiconductor layer with the protective film, and therefore has excellent characteristics and enhanced yield by virtue of improved mechanical reliability.例文帳に追加

有機半導体層を保護膜で十分に保護しつつも、保護膜界面での剥がれを防止することが可能で、これにより特性が良好であり、かつ機械的信頼性の向上による歩留まりの向上が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate in which the generation of void on a junction interface is effectively suppressed by optimizing the thickness of two wafers to be bonded, the semiconductor substrate being constituted by directly bonding two semiconductor wafers.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼り合せる２枚のウェーハの厚さを最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device which is capable of efficiently removing an oxide film formed on a regrowth interface and superior in mass productivity, and to realize the nitride semiconductor device which is equipped with semiconductor layers improved in accuracy and kept stable and superior in performance.例文帳に追加

再成長界面に形成された酸化膜を効率的に除去でき、量産性に優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供し、半導体層の精度が向上し、良好な性能を安定に実現できる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which the semiconductor device having suitable mechanical strength on a contact interface between a conductive bump and a metal pad can be manufactured through simpler processes, and the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

導電性バンプと金属パッドとの接触界面における好適な機械強度を有する半導体装置を、より簡素なプロセスにて製造することのできる半導体装置の製造方法及びその製法にて製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a highly reliable TFT (thin film transistor) can be manufactured in a high yield by forming a clean semiconductor film/gate insulating film interface and, at the same time, upgrading a semiconductor film or both the semiconductor film and a gate insulating film.例文帳に追加

清浄な半導体膜／ゲート絶縁膜界面を形成すると共に、半導体膜の高品質化、或いは半導体膜及びゲート絶縁膜の双方の高品質化を図り、歩留り及び信頼性の高いＴＦＴの製造方法を実現する事。 - 特許庁

In such a way, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously formed in a low-temperature deposition process and a heat treatment subsequent to the formation of the gate insulating film and the semiconductor layer is substituted for the first heating treatment at the time of the above crystal growth to contrive a reduction in defects in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第１の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。 - 特許庁

The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁

The vicinity of the interface of a first and a second nitride semiconductor layers is constituted such that it may possess p-type conductivity comprising the first p-type nitride semiconductor layer obtained with crystal growth on the substrate, and p-type nitride semiconductor layer 2 consisting of another crystal growth on the first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に結晶成長で得られる第１のｐ型窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層上に別の結晶成長からなるｐ型窒化物半導体層２とを有しており、第１と第２の窒化物半導体層の界面近傍がｐ型の導電性を有するようにする。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device manufacturing method capable of efficiently manufacturing the thin film semiconductor device reduced in varieties of the number or the grain size of crystal in each electrode, compared with the thin film semiconductor device produced by a conventional manufacturing method, and whose interface between a crystal semiconductor thin film layer and an insulation film layer is smooth.例文帳に追加

従来の製造方法による薄膜半導体装置よりも、単位電極毎の結晶粒の数や粒径のばらつきが少なく、かつ結晶半導体薄膜層と絶縁膜層との界面が平滑な薄膜半導体装置を、効率的に製造することのできる薄膜半導体装置製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁

When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加

ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second semiconductor layer 4 is thin to the extent that a depletion layer 7 generated on the interface between the Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 is extended in the thickness direction of the second semiconductor layer 4, for reaching the first semiconductor layer 3 when voltage is applied to cause the reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０に、それよりもバンドギャップの大きい第２の炭化珪素半導体層１１を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第１の炭化珪素半導体層１０の、第２の炭化珪素半導体層１１との界面側に形成する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit is provided with an internal circuit, an interface circuit functioning as a communication interface between the internal circuit and a host controller, and a reset circuit outputting a reset signal for resetting the internal circuit and the interface circuit when receiving a reset command from the host controller.例文帳に追加

内部回路と、前記内部回路とホストコントローラとの間の通信インタフェースとして機能するインタフェース回路と、前記ホストコントローラからリセットコマンドを受信した場合に、前記内部回路および前記インタフェース回路をリセットするためのリセット信号を出力するリセット回路とを備えることを特徴とする半導体集積回路。 - 特許庁

To provide an organic transistor which has a high operating frequency and whose power consumption is low and a method of manufacturing the same by improving both carrier injection efficiency and extraction efficiency for an interface between a source electrode and a semiconductor, and an interface between a drain electrode and the semiconductor, and to provide a display device with small pixel variance using the same.例文帳に追加

ソース電極と半導体の界面及びドレイン電極と半導体界面に対してキャリアの注入効率及び抽出効率の向上を両立し、動作周波数が大きく且つ低消費電力な有機トランジスタとその製造方法、及びこれを用いた画素バラツキの小さい表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a forming method of multilayer interconnection that inhibits generation of electromigration on interface, and improves the reliability of a semiconductor device by reducing defects occurring in the interface between the wiring part of the multilayer interconnection and a via, when the multilayer interconnection is formed in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における多層配線の形成に際し、前記多層配線の配線部とビアとの界面において発生する欠陥を低減することにより、前記界面におけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる多層配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that can support various apparatuses and systems where high performance and lower power consumption are required, and has wide input-output of a multi-channel interface, and to provide a semiconductor package including the same.例文帳に追加

高性能及び低電力が要求される多様な装置及びシステムを支援できる、マルチチャネルインタフェース方式のワイド入出力を有する半導体メモリ装置及びそれを含む半導体パッケージを提供する。 - 特許庁