「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming electrodes on a silicon carbide semiconductor device capable of suppressing peeling by improving adhesion of a metal/silicon carbide device interface of a manufactured device in the silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置において、製造されたデバイスの金属/炭化珪素デバイス界面の密着性を向上し剥離を抑制することができる炭化珪素半導体装置の電極形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The light emitting semiconductor device includes a first conductivity first semiconductor first carrier trapping layer, an active region, and a wafer-bonding interface between the active region and the first carrier trapping layer.例文帳に追加

発光半導体デバイスは、第１伝導型を有する第１半導体により形成される第１キャリア閉じ込め層と、活性領域と、上記活性領域と上記第１キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which the fermi level pinning effect does not cause high threshold voltage at interface poly-silicon (Poly-Si)/metal oxide.例文帳に追加

フェルミレベルのピンニングの効果が、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）／金属酸化物の界面で高い閾値電圧を招かないＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を含む半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-speed nonvolatile semiconductor storage device where the rise of both of an interface property between a semiconductor substrate and an insulating layer and a ferroelectric property can be expected, and the dispersion of property is small, and the voltage is low.例文帳に追加

半導体基板と絶縁体層間の界面特性と強誘電特性の両方の向上が望め、特性のばらつきが小さく低電圧で高速不揮発性の半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-phase sheet which can attain continuous production by suppressing solidification caused in the vicinity of an interface between the inner wall of a crucible and a semiconductor material melt.例文帳に追加

ルツボ内壁と半導体材料融液の界面付近から発生する凝固を抑制して、連続生産が可能な固相シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that is low in on-resistance by enhancing the channel mobility of an interface between a silicon carbide region and an oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化珪素領域と酸化膜との界面のチャネル移動度を向上させ、低オン抵抗な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The seal ring 40 passes through the interface between the group of insulating films 20 and the group of interlayer insulating films 30, and is located apart from the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

シールリング４０は、層間絶縁膜群２０と層間絶縁膜群３０との間の界面を貫通し、且つ半導体基板１０と離間して設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an increase in interface resistance caused by the natural oxidation of a high melting point silicide layer can be prevented while relaxing restrictions on a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセス上の制約を緩和しつつ、高融点金属シリサイド層の自然酸化による界面抵抗の増大を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an input/output interface circuit built in a semiconductor device or the like that can input/output multi-value data at a high-speed in spite of its simplified circuitry.例文帳に追加

本発明は、半導体装置等に内蔵される入出力インタフェース回路に関し、簡易な回路で多値データを高速に入出力することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes multiple core chips CC0 to CC7 to which chip identification information LID different from each other is assigned and an interface chip IF for controlling the core chips CC0 to CC7.例文帳に追加

互いに異なるチップ識別情報ＬＩＤが割り当てられた複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７を制御するインターフェースチップＩＦとを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a new compound semiconductor epitaxial wafer by which the adverse effect by the contamination with impurities at the interface between an epitaxial layer and a substrate can be avoided.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板界面の不純物汚染による悪影響を未然に回避できる新規な化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法の提供。 - 特許庁

The interface reaction preventing layer has various functions such as a function of preventing the generation of a substance having a high resistance, which is found in conventional semiconductor device fabricating methods.例文帳に追加

界面反応防止層は従来の半導体装置の製作時に発生する高い抵抗を有する物質の生成を防止するなどの多様な機能を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface light-emission type semiconductor laser wherein the occurrence of interface levels between an embedded layer and an active layer is suppressed or reduced.例文帳に追加

埋込み層と活性層との間の界面準位の発生を抑制あるいは減少させることができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To offer the manufacturing method of semiconductor devices which can maintain film quality of a thick gate oxide film adjacent to an interface of a silicon substrate and which can prevent the deterioration of the device characteristics.例文帳に追加

シリコン基板界面近傍の厚ゲート酸化膜の膜質を良好に維持し、デバイス特性の低下を防いだ有効な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which has a structure capable of efficiently cooling the upper part of a furnace and making the shape of the solid-liquid interface into a projected shape.例文帳に追加

炉体上部を効率よく冷やして固液界面形状を凸化させる構造を有する化合物半導体単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an ultrathin SOI substrate which has an even thickness necessary for manufacturing a nano semiconductor device and has an excellent interface characteristic with high quality.例文帳に追加

ナノ級半導体素子の製作に必須な均一な厚み及び高品質の良好な界面特性を有する超薄型ＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the influence of foreign noise applied to a reset terminal without addition of an analog filter or terminal in a semiconductor integrated circuit including an MPU interface.例文帳に追加

ＭＰＵ用のインタフェースを有する半導体集積回路において、アナログフィルタや端子を追加することなく、リセット端子に印加される外来ノイズの影響を低減する。 - 特許庁

The microcrystalline semiconductor film is deposited thereon; and accordingly, crystallinity of a foundation is influenced particularly in the vicinity of an interface with the foundation and good crystallinity is obtained.例文帳に追加

その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a junction leakage due to silicidation is prevented by suppressing formation of a divot (depression) on an interface between an active region and a device isolation insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、活性領域と素子分離絶縁膜の界面に形成されるディボット(窪み)を抑制して、シリサイド化による接合リークの発生を防止する。 - 特許庁

The semiconductor memory includes the core chips CC0 to CC7 to which mutually different pieces of chip identification information LID are assigned and the interface chip IF which controls the core chips CC0 to CC7.例文帳に追加

互いに異なるチップ識別情報ＬＩＤが割り当てられた複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７を制御するインターフェースチップＩＦとを備える。 - 特許庁

One interface chip IF and a plurality of core chips CC0-CC7 are stacked, and the semiconductor chips are electrically connected by a plurality of through-electrodes.例文帳に追加

１つのインターフェースチップＩＦと、複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７が積層され、これらの半導体チップは複数の貫通電極により電気的に接続されている。 - 特許庁

As described above, C is prevented from piling up, thereby suppressing the formation of a high resistance layer in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an excellent data retention characteristic by previously removing charge captured at a shallow energy level in the vicinity of a channel interface.例文帳に追加

チャネル界面付近の浅いエネルギー準位に捕獲された電荷を予め除去し、データ保持特性の良好な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which requires no redesign of memory block, and can increase the storage capacity merely by applying a simple design change to an interface circuit.例文帳に追加

メモリブロックの再設計が不要で、インターフェース回路に簡単な設計変更を施すだけで記憶容量の規模拡大ができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic transistor, capable of improving the smoothness of the interface of a gate insulating layer and an organic semiconductor layer and obtaining satisfactory transistor characteristics.例文帳に追加

ゲート絶縁層および有機半導体層の界面の平滑性を改善し、良好なトランジスタ特性を得ることが可能な有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, since what is viewed from a controller is that an address space is merely expanded, an interface equal to that of the conventional semiconductor memory device can be used.例文帳に追加

これにより、コントローラからは単にアドレス空間が拡大されたように見えるだけであることから、従来の半導体記憶装置と同じインターフェースを用いることが可能となる。 - 特許庁

To obtain a BGA semiconductor device in which mounting reliability is enhanced by eliminating stripping on the interface of the insulating layer of an insulating film and a bonding film at the time of solder reflow.例文帳に追加

はんだリフロー時に絶縁フィルムの絶縁層と接着用フィルムとの界面で剥離を生じなくし、実装信頼性の向上したＢＧＡ半導体装置を得る。 - 特許庁

To prevent remarkable reduction of operation speed of an interface circuit even when external power source voltage is reduced to be used, in a semiconductor apparatus having an internal power source.例文帳に追加

内部電源を持つ半導体装置において、外部電源電圧を低下させて使用する場合でも、インターフェース回路の動作速度の著しい低下を回避する。 - 特許庁

This semiconductor processor is provided with an interface control circuit 4 and a processing circuit 5, and is attached to an external device, for example, a card slot 11, to receive operation power.例文帳に追加

半導体処理装置は、インタフェース制御回路（４）と処理回路（５）を有し外部装置例えばカードスロット（１１）に装着されて動作電源の供給を受ける。 - 特許庁

To provide a layer structure to stably obtain predetermined element performance by the highly sophisticated control of a n-type impurity profile at a hetero interface in a III-group nitride semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子におけるヘテロ界面のｐ型不純物プロファイルを高度に制御し、所望の素子性能を安定的に実現する層構造を提供する。 - 特許庁

An access signal generation circuit formed in a chip and to be mounted on a semiconductor device converts an external signal to a memory access signal in accordance with an interface of a first memory chip.例文帳に追加

半導体装置に実装されるチップ内に形成されるアクセス信号生成回路は、外部信号を、第１メモリチップのインタフェースに合わせたメモリアクセス信号に変換する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing TDDB or a short-circuit between adjacent wiring even when the arrangement of via wiring is shifted in an interface direction.例文帳に追加

ビア配線の配置が界面方向にずれた場合でも、隣り合う配線間でＴＤＤＢや短絡が生じる事を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing poor packaging of a printed board by enhancing bonding strength of the bonding interface between an electrode and a solder ball.例文帳に追加

電極と半田ボールの接合界面の接合強度を向上させ、プリント基板実装時の実装不良を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photodiode capable of accurately detecting the total amount of ultraviolet rays by avoiding the influence of the reflection at the interface between a silicon semiconductor layer and an insulating layer.例文帳に追加

シリコン半導体層と絶縁層との界面での反射の影響を避けて紫外線の総量を正確に検出することが可能なフォトダイオードを提供する。 - 特許庁

To prevent cracks from being generated further on the interface between a solder ball and a support section for supporting the solder ball in a semiconductor device called CSP having the solder ball.例文帳に追加

半田ボールを備えたＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、半田ボールとそれを支持する支持部との界面にクラックがより一層発生しにくいようにする。 - 特許庁

An amorphous silicon layer 106 is formed on the non-silicon based solar cell via a conductive interface structure 105 that is a semiconductor tunnel junction or the like to form an amorphous silicon-based solar cell.例文帳に追加

その上に半導体トンネル接合等による導電界面構造１０５を介してアモルファスシリコン層１０６を形成しアモルファスシリコンベースの太陽電池とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, improved in interface between a capacitive insulation film and an upper electrode, and also improved in characteristics and life.例文帳に追加

容量絶縁膜と上部電極との界面が良好であり、特性及び寿命を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming the uneven refractive-index interface 1a (10a), an element structure is formed on which a semiconductor crystal layer including a light-emitting layer A is laminated thereon.例文帳に追加

これら凹凸状の屈折率界面１ａ（１０ａ）を形成した後、その上に、発光層Ａを含む半導体結晶層が積層された素子構造を形成する。 - 特許庁

To provide a bipolar semiconductor element capable of keeping a forward voltage low by reducing a stress at an interface between a drift layer and a layer adjacent to the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層とドリフト層に隣接する層との界面の応力を低減して、順方向電圧を低く抑えることができるバイポーラ半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an electroluminescent element displaying high luminous efficiency although a substance having a semiconductor interface of a type II is contained in a luminescent layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

タイプIIの半導体界面を有する物質が発光層に含まれるにも関わらず高い発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate in which a vertical element can be formed and resistance can be decreased on the interface of a low concentration SiC layer and a supporting substrate becoming the active region of the element.例文帳に追加

縦型の素子の形成が可能であり、素子の活性領域となる低濃度のＳｉＣ層と支持基板の界面抵抗が小さい半導体基板を製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high quality level in which the deterioration of transistor characteristics due to a gate insulating film and an increase of any interface layer are suppressed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に起因するトランジスタ特性の劣化や界面層の増加を抑制した高品位の半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To make it possible in the LEC (liquid seal Czochralski) method to prevent the solid/liquid interface shape from bending concavely and to prevent polycrystal formation due to the evaporation of compound semiconductor elements from the surface of a crystal surface.例文帳に追加

ＬＥＣ法において、固液界面形状の凹面化及び結晶表面から化合物半導体元素の揮発による多結晶化を防ぐようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having a high speed interface operating at a high speed and an inspection method for it, capable of inspecting with an inspection device having a lower operation speed.例文帳に追加

高速動作する高速インターフェイスを有するも、これより動作の遅い検査装置を用いて検査可能な半導体集積回路およびその検査方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a high-speed serial interface block 218 allowing split transaction type communication in which a completer issues a response to the request issued by a requester.例文帳に追加

リクエスタが発行したリクエストに対してコンプリータが応答を発行することで行われるスプリットトランザクション型通信を可能とする高速シリアルインタフェースブロック（２１８）を設ける。 - 特許庁