「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an nitride semiconductor thin film which satisfies sufficiently low dislocation density, homogeneity over a wide surface area, manufacturing process convenience, and economy, and which also has high resistance in the vicinity of a substrate interface.例文帳に追加

十分に低い転位密度、広い面積にわたっての均質性、作製プロセスの簡便さ、経済性を満足し、基板界面付近が高抵抗の窒化物半導体薄膜を得る。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can increase a contact area of a metal wiring contact to improve an interface resistance and can increase the immunization of Vcp voltage, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

金属配線コンタクトの接触面積を増加させて界面抵抗を改善し、Ｖｃｐ電圧の免疫力を増加させ得る半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a gate insulating film which has a high dielectric constant and in which an interface with a silicon substrate is stable, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

高い誘電率を有し、かつシリコン基板との界面が安定なゲート絶縁膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provided with an address signal storage circuit 38 capable of storing an address signal outputted from the interface circuit 19 to the time-division bus 16 so that the CPU 12 can read out the address signal.例文帳に追加

インタフェース回路１９から時分割バス１６に出力されたアドレス信号を、ＣＰＵ１２が読出し可能に保持することができるアドレス信号保持回路３８を設ける。 - 特許庁

To provide an oxide film of atom layer level wherein entrance of impurities into an oxidizing process of a silicon crystal surface is suppressed for flatter and evener interface between the oxide film and a semiconductor.例文帳に追加

シリコン結晶表面の酸化工程での不純物混入を抑制し、且つ酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にした原子層レベルの酸化膜を提供すること。 - 特許庁

The dicing/die bonding adhesive tape is used for a semiconductor wafer, and a primer layer is provided on a part of an interface between an adhesive bonding agent layer and the base film where no wafer is pasted.例文帳に追加

半導体ウェハ用ダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、粘接着剤層と基材フィルムの間でウェハの貼合される部位以外にプライマー層が設けられた粘接着テープ。 - 特許庁

Holes migrate along an interface of two kinds of semiconductor layers constituting the superlattice layer 1 and are injected into the light active layer 2, this reducing the element resistance.例文帳に追加

正孔はｐ型超格子層１を構成する２種類の半導体層の界面に沿って移動して、光能動層２に注入されるので素子抵抗を低減することができる。 - 特許庁

The depth W1 from the interface between the semiconductor substrate 11 and the 1st insulating layer 12 up to the bottom part of the insulating area is deeper than a maximum depth W_max of a depletion layer.例文帳に追加

前記半導体基板１１と前記第１の絶縁層１２との界面から前記絶縁領域の底部までの深さＷ１が、空乏層の最大深さＷ_maxよりも深い。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the concentration of an impurity which is injected into a channel area, from being reduced while suppressing occurrence of an interface state in a gate-insulated semiconductor device including a trench element separation.例文帳に追加

トレンチ素子分離を有するゲート絶縁型の半導体装置において、界面準位の発生を抑制しつつ、チャネル領域に注入された不純物の濃度が低下するのを防止する。 - 特許庁

An active area of the 2nd element can be formed avoiding the interface between the base substrate and 2nd semiconductor layer, so leak current can be suppressed and characteristics of a device can be improved.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

To provide an entirely new semiconductor storage device which does not delay read/write access by a refresh operation, and is interface-compatible with a high-speed SRAM such as a QDR SRAM, and to provide a refresh control method.例文帳に追加

リフレッシュによるリード／ライトアクセスを遅延させず、ＱＤＲ ＳＲＡＭ等の高速ＳＲＡＭにインタフェース互換の全く新規の半導体記憶装置とリフレッシュ制御方法の提供。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of reducing an interface state between a GaN layer and an insulating layer, and realizing good electric characteristics by improving a mobility, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

ＧａＮ層と絶縁層との間の界面準位を低減し、移動度を向上させて優れた電気特性を実現する化合物半導体装置、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique to process a high-quality organic field effect device by improving an interface of an organic semiconductor and a gate insulator by the choice of materials and preparation conditions.例文帳に追加

有機半導体とゲート絶縁体の界面を、材料および製造条件の選択によって改善し、高品質の有機電界効果デバイスを加工する技術を提供する。 - 特許庁

The microcrystal semiconductor film containing the metallic element of which crystallinity on the interface between itself and the gate insulating film is raised is used as a channel forming region to form this thin film transistor.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた金属元素を含む微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent to the drift zone.例文帳に追加

この半導体デバイスは、第１のフィールドプレートを、ドリフトゾーンに隣接する誘電層の界面付近の誘電層内の電荷およびドリフトゾーンから電気的に分離する誘電層を含む。 - 特許庁

To improve high-power characteristics by reducing interface strain, related to a semiconductor laser device provided with an active region comprising a quantum well layer of compression strain and a barrier layer of tensile strain.例文帳に追加

圧縮歪の量子井戸層と引張歪の障壁層からなる活性領域を備えた半導体レーザ装置において、界面歪を低減させ高出力特性を改善する。 - 特許庁

Due to this structure, the holes 14 serve as vent holes, causing a gas generated at the bonding interface 15 during that treatment for increasing the adhesiveness to be let out of the semiconductor wafer effectively.例文帳に追加

上記構成によって、この穴がガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に接着界面１５で発生するガスが半導体ウェーハ外に効果的に抜ける。 - 特許庁

To make it possible to substantially reduce interface defects between a semiconductor substrate and an insulating film by means of heat treatment for obtaining excellent reliability as a device.例文帳に追加

熱処理により半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor testing device provided with a bus interface device applicable easily to transfer data continuously to a plurality of optional resistors out of a resistor group for conducting data transfer.例文帳に追加

データ転送を行うレジスタ群の中で任意の複数レジスタに対する連続的なデータ転送が容易に適用可能なバスインターフェース装置を備える半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of fitting threshold voltages of MISFETs having High-k gate insulating films whose interface layer film thicknesses differ.例文帳に追加

界面層膜厚が異なるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を有するＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を合わせこむことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each application A, B, etc. is successively substituted by each library, and operation simulation is performed thereto, whereby the performance of a semiconductor integrated circuit can be evaluated, and an optimum interface can be composed.例文帳に追加

各アプリケーションＡ，Ｂ，…を順次各ライブラリで置換して動作シミュレーションを行なうことで、半導体集積回路の性能が評価でき、最適なインターフェースを合成することができる。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁

It prevents local yield from being generated on a chip side surface where a p-n junction interface is exposed, thus realizing semiconductor diodes 10a and 10b having the stable desired breakdown voltage.例文帳に追加

ｐｎ接合界面が露呈するチップ側面で局所的な降伏が発生するのを防止して、安定した所望の降伏電圧を有する半導体ダイオード１０ａ，１０ｂを実現する。 - 特許庁

Furthermore, by instructing and correcting a quantity corresponding to the rotating quantity of the wheel, the graphical user interface device for semiconductor design is provided in which the subtle adjustment free from excessive change is enabled.例文帳に追加

更に、ホイールの回転量に応じた量の指示や修正を行う事により、変更しすぎのない微妙な調整が可能な半導体設計グラフィカルユーザインターフェース装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a silicon oxide film formed on a silicon substrate or on the interface of a silicon layer and a high-permittivity insulating film are made thin easily.例文帳に追加

シリコン基板又はシリコン層と高誘電率絶縁膜の界面に形成されるシリコン酸化膜を容易に薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent corrosion of an Al wiring electrode by suppressing the increase of charge density at an interface between a substrate and a protective film in a semiconductor device where a silicon nitride film including hydrogen is laminated and formed.例文帳に追加

水素を含む窒化シリコン膜とが積層形成された半導体装置における基板と保護膜との界面の電荷密度の増大を抑え、Ａｌ配線電極の腐蝕を防止する。 - 特許庁

To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁

To obtain a method by which a highly efficient semiconductor laser, having a low threshold can be manufactured by reducing the amount of an oxide in and near the interface between active layers and leaving no remaining sulfides.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層界面、近傍の酸化物を低減でき、残留硫化物もないので、低しきい値、高効率の半導体レーザを製造する製造方法を得る。 - 特許庁

A transmitting-side semiconductor device of a high-speed interface system transmits first and second strobe signals with a phase difference of 90° substantially together with first and second group data.例文帳に追加

高速インターフェース方式の送信側半導体装置は、第１及び第２グループデータとともに、実質的に９０°の位相差を有する第１及び第２ストローブ信号を伝送する。 - 特許庁

Since such laser light functions as an energy liquefying or vaporizing the semiconductor crystal locally with a shallow depth of a few μm at the vicinity of the interface with the substrate, the substrate and the semiconductor crystal are well exfoliated at about the growth temperature of a desired semiconductor crystal formed from a group III nitride compound semiconductor or the like.例文帳に追加

この様なレーザ光は、下地基板との界面近傍において、深さ方向に局所的に浅く数μｍ程度の薄さで半導体結晶を液化或いは気化させるエネルギーとして作用するため、 ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体等から形成される所望の半導体結晶の成長温度近辺において、下地基板と半導体結晶とを良好に剥離させることができる。 - 特許庁

The semiconductor memory device has therein a device information storage part for storing information on the characteristics of the semiconductor memory device, and an interface controller for performing file access suitable for the characteristics of the semiconductor memory device on the basis of the information, and thus, the access device can achieve optimum file access without awareness of the characteristics of the semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明に関わる半導体メモリ装置は、半導体メモリ装置の特性に関する情報を格納する装置情報格納部と、その情報を基に半導体メモリ装置の特性に適したファイルアクセスを行うインターフェース制御部を半導体メモリ装置内に備えることにより、アクセス装置が半導体メモリ装置の特性を意識することなく、最適なファイルアクセスを実現することができる。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a semiconductor substrate having protrusions and recesses formed on the surface, and a metal electrode formed on the protrusions and recesses which are formed on the surface of the semiconductor substrate, a glass layer existing at least partially on the interface of the surface of the semiconductor substrate and the metal electrode, and metal particles existing in the glass layer in contact with the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 - 特許庁

The storage device 11 comprises a controller 16 including an interface 20 and an MPU 21 and configured so that a device driver 17-2 for starting a second access mode 26-2 defined differently from a first access mode can be transferred through the interface when connected to the outside by the first access mode 26-1 through the interface; and a semiconductor memory 16 storing the device driver.例文帳に追加

記憶装置１１は、インターフェイス２０とＭＰＵ２１とを備え、前記インターフェイスを介して第１アクセスモード２６−１により外部と接続する際に、前記第１アクセスモードと別定義である第２アクセスモード２６−２を起動するデバイスドライバ１７−２を前記インターフェイスを介して転送可能に構成されたコントローラ１６と、前記デバイスドライバを格納した半導体メモリ１５とを具備する。 - 特許庁

A semiconductor integrated device 10 includes a plurality of core chips CC0 to CC7, and an interface chip IF for controlling the core chips CC0 to CC7, and each of the core chips CC0 to CC7 and the interface chips CC0 to CC7 includes a plurality of through-electrodes TSV put through the semiconductor substrate and a plurality of pads P0 to P3 connected to the through-electrodes TSV.例文帳に追加

半導体装置１０は、複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７を制御するインターフェースチップＩＦとを備えており、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７及びインターフェースチップＣＣ０〜ＣＣ７の各々は、半導体基板を貫通する複数の貫通電極ＴＳＶと、貫通電極ＴＳＶとそれぞれ接続される複数のパッドＰ０〜Ｐ３とを備えている。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor memory using the flash(F) ROM being non-volatile and programmable semiconductor storage elements is provided with an interface means for forming an interface circuit between the storage elements and outside circuits by using an FPGA capable of loading of a program on a substrate and a program loading means for loading the program corresponding to the FROM to the FPGA at the time of power supply.例文帳に追加

不揮発性でありかつプログラム可能な半導体記憶素子であるフラッシュ（Ｆ）ＲＯＭを使用した半導体記憶装置において、基板上においてプログラムのロードが可能なＦＰＧＡを使用し、前記記憶素子と外部回路とのインターフェイス回路を形成するインターフェイス手段と、電源投入時に、前記ＦＲＯＭと対応したプログラムをＦＰＧＡにロードするプログラムロード手段とを備える。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁

To provide a semiconductor package having its chip surface exposed, in which the bonded interface between a semiconductor chip and sealing resin is not stripped at the time of soldering and electrostatic breakdown does not take place even if a finger of a person having a high potential touches the package.例文帳に追加

半田付け等によっても半導体チップと封止樹脂との間の接合界面が剥離を起さず、高電位の人間の指が接触しても静電破壊を起すことの無い半導体チップ表面露出型の樹脂封止半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is improved in TFT characteristics and having uniform characteristics by making the interface between an active layer proper, especially a region constituting a channel forming region, and a gate insulating film, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a process for producing a semiconductor substrate by bonding two semiconductor wafers directly in which generation of voids in the bonding interface is suppressed effectively by heat treating the wafers to be stuck at a high temperature rise/fall rate.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼りあわせ前のウェーハを高速昇降温熱処理することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for suppressing short channel effects, and for reducing a resistance to be generated on an interface between a surface strap formed on the surface of a semiconductor substrate and a conductive layer formed in a hole.例文帳に追加

本発明は、短チャネル効果を抑制すると共に、半導体基板の表面上に形成された表面ストラップと孔内に形成された導電層との界面に生じる抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁