「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a nitrogen plasma is projected between the source/drain electrode wirings 7 where the oxidized insulating film 9 is formed, and a nitride insulating film 11 is provided at the interface between a semiconductor layer 4 and the oxidized insulating films 9.例文帳に追加

次に、酸化絶縁膜９が形成されたソース・ドレイン電極配線７間に窒素プラズマを照射し、半導体層４と酸化絶縁膜９界面に窒化絶縁膜１１を設ける。 - 特許庁

A switch which switches supply/interruption of clocks is provided for each of the plurality of protocol processing circuits as the interface control semiconductor integrated circuit having the plurality of protocol processing circuits.例文帳に追加

複数のプロトコル処理回路を有するインタフェース制御半導体集積回路として、前記複数のプロトコル処理回路のそれぞれについて、クロックの供給／遮断の切り替えを行うスイッチを設ける。 - 特許庁

In the solar cell 1, a rectification barrier wall exhibiting diode characteristics is preferably formed on the interface between the semiconductor 4 and at least one of the first electrode 3 and the second electrode 5.例文帳に追加

太陽電池１では、第１の電極３または第２の電極５の少なくとも一方と半導体４との界面に、ダイオード特性を有する整流障壁が形成されているのが好ましい。 - 特許庁

The injection drive section 22 injects holes into a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the hole injection part 140 by applying the injection voltage Vin exceeding a threshold value to the switching element 10.例文帳に追加

注入駆動部２２は、閾値を超える注入電圧Ｖｉｎをスイッチ素子１０に印加することによって、ホール注入部１４０から半導体基板１０４のヘテロ接合界面にホールを注入する。 - 特許庁

By changing the selection states of the selectors 15 and optionally changing the connection states of respective function modules in the interface circuit 1, a semiconductor device suited to specific purpose is realized.例文帳に追加

インタフェース回路１において、セレクタ１５の選択状態を変更することにより、各機能モジュールの接続状態を任意に変更することにより、特定の目的に適合した半導体デバイスを実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor element, in which an oxide film is formed on a semiconductor substrate including SiC, includes a step of oxide film formation of forming an oxide film including SiO_2 on the semiconductor substrate in a condition where the SiC is not oxidized; and a step of oxynitride film formation for forming an oxynitride film by oxynitriding SiC at an interface between the oxide film and the semiconductor substratre.例文帳に追加

ＳｉＣからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、上記ＳｉＣを酸化させない条件で、ＳｉＯ_２からなる酸化膜を、上記半導体基板上に形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜と上記半導体基板との界面のＳｉＣを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含む製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor element that can naturally implement a cut-off state of a transistor and increase driving current by selecting the Fermi level of a source region so that the Schottky barrier can be substantially reduced with suppressing the generation of a depletion layer in the neighborhood of the interface with a metal region in a semiconductor region, and a semiconductor element structure having the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a control circuit which instructs the validity/invalidity of the operation of an input-output interface circuit fitting a bus such as an IIC bus with a control signal, responds to operation invalidity with the control signal, and maintains an output element included in the input-output interface circuit an off state independently of a voltage change in an external terminal corresponded to the input-output interface circuit.例文帳に追加

制御信号によりＩＩＣバスのようなバスに適合した入出力インターフェイス回路の動作の有効／無効を指示し、上記制御信号による動作無効に応答し、上記入出力インターフェイス回路に対応された外部端子における電圧変化に無関係に上記入出力インターフェイス回路に含まれる出力素子をオフ状態に維持させる制御回路を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing dispersion and fluctuation of the resistance of a resistive element on account of wiring potential in a wiring layer, charges or interface levels in an insulating film, even if a wiring layer runs above the resistance layer, much charges exist in the isolation film coating over the resistance layer, and many interface levels exist in the interface between the isolation film and the resistance layer.例文帳に追加

抵抗層上方を配線層が走り、抵抗層上方を被覆する絶縁膜中に多くの電荷が存在し、絶縁膜と抵抗層との界面に多くの界面準位が存在しても、これら配線層の配線電位や絶縁膜中の電荷や界面準位による抵抗素子の抵抗値のばらつきや変動を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a first non-volatile memory 14 having a first external interface and capable of recording one bit data in one memory cell; a second non-volatile memory 12 having a test terminal interface and capable of recording a plurality of data in one memory cell; and a control means 13 having a second external interface and for controlling a physical status inside the second non-volatile memory.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１外部インターフェイスを有し１つのメモリセルに１ビットのデータを記録することが可能な第１不揮発性メモリ１４と、テスト端子インターフェイスを有し１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な第２不揮発性メモリ１２と、第２外部インターフェイスを有し前記第２不揮発性メモリ内部の物理状態を制御するように構成された制御手段１３とを具備する。 - 特許庁

When the functional chip 4 is subject to high performance and downsizing accompanied with the advanced micro- fabrication technology, a new semiconductor device 1 can be developed in combination with the interface chip 3 manufactured by the conventional technology, so that the general usefulness of the semiconductor device can be improved and it can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

微細化技術の進展に伴う機能チップ４の高性能化および小型化を行う毎に、従来技術によるインタフェースチップ３とを組み合わせて新しい半導体装置１を開発できるので、半導体装置の汎用性を高め、低コストで製造することができる。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which causes no high dielectric constant gate insulation film/silicon interface near the high dielectric constant gate insulation film or in the gate edge in a semiconductor device which uses silicide for a gate electrode and the high dielectric constant gate insulation film for a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート電極にシリサイドを使用し、ゲート絶縁膜に高誘電率ゲート絶縁膜を使用する半導体装置において、高誘電率ゲート絶縁膜近傍やゲートエッジに高誘電率ゲート絶縁膜／シリコン界面が生じない半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a method for preparing an organic polymer film, having high adhesiveness on the interface with other semiconductor material which comes into contact with the lower surface or higher surface of the film when utilized as an interlaminar insulating film constituting a semiconductor device and enabling further reduction of effective permittivity of the whole film.例文帳に追加

半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、その下面、上面と接する他の半導体材料との界面においては、高い密着性を有し、また、膜全体の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製方法を提供。 - 特許庁

The diode has a p-type nitride semiconductor layer 17 that is selectively formed on the element forming layer 10 and an ohmic electrode 18, with a two-dimensional electronic gas generated by a heterojunction interface as an n-type region and the p-type nitride semiconductor layer 17 as a p-type region.例文帳に追加

ダイオードは、素子形成層１０の上に選択的に形成されたｐ型の窒化物半導体層１７及びオーミック電極１８を有し且つヘテロ接合界面により生じた２次元電子ガスをｎ型領域とし且つｐ型の窒化物半導体層１７をｐ型領域とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a router chip 102-1, including a plurality of connection pads 111 to which an external connection pad of a semiconductor chip 101-1 is flip-chip connected and a plurality of contactless communication interface circuits 113 provided corresponding to the plurality of connection pads respectively.例文帳に追加

半導体装置は、半導体チップ１０１−１の外部接続パッドがフリップチップ接続される複数の接続パッド１１１と、複数の接続パッドにそれぞれ対応して設けられた複数の非接触通信インタフェース回路１１３とを有するルータチップ１０２−１を備えている。 - 特許庁

The Fe-based electrode layer takes in the carbon as a by-product of a sinter processing process for the ohmic electrode to suppress an increase in contact resistance between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode, caused by accumulation of carbon on a junction interface between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode.例文帳に追加

Ｆｅ系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがＳｉＣ半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してＳｉＣ半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that simplifies the structure ranging from the mount section of a semiconductor switching element to a radiating fin, has no problems of separation at the interface between metal in a wiring board and ceramics, and can reinforce heat radiation, and to provide a power module and the radiating fin.例文帳に追加

半導体スイッチング素子の実装部から放熱フィンに至る間の構造を簡単化して、配線基板における金属とセラミックスとの界面でのはがれの問題がなく、放熱を強化することができる半導体装置、パワーモジュールおよび放熱フィンを提供する。 - 特許庁

The interface between the first semiconductor region and the second semiconductor region is located at a first depth in a part corresponding to the photoelectric conversion element, and is located at a second depth smaller than the first depth in a part arranged in lower parts of the element isolation region and the floating/diffusing part.例文帳に追加

そして、第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との界面は、光電変換素子に対応する部分においては第１の深さにあり、素子分離領域および浮遊拡散部の下部に配された部分においては第１の深さよりも浅い第２の深さにある。 - 特許庁

The expansion interface of a first semiconductor device receives from a memory controller B of a second semiconductor device a read request based on a protocol for an external memory A, and sends a read request for the external memory A to a memory controller A according to the read request.例文帳に追加

第１の半導体装置の拡張インタフェースは、第２の半導体装置のメモリ制御装置Ｂから、外部メモリＡに対するプロトコルに基づいた読み出し要求を受信し、当該読み出し要求に応じて外部メモリＡへの読み出し要求をメモリ制御装置Ａに送信する。 - 特許庁

The graded semiconductor layer between a GaN layer 120 and an AlGaN layer 118 of the nitride-based semiconductor laser structure 100 reduces the threshold voltage of the laser structure by reducing the electric potential barrier at an interface between the GaN layer 120 and the AlGaN layer 118.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ構造１００のＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との間の勾配つき半導体層は、ＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との界面における電位障壁を低減することで、レーザ構造の閾値電圧を低減する。 - 特許庁

To provide a fuel cell, i.e. an SOFC having a P type semiconductor film provided on the surface of an interconnector consisting of a dense conductive ceramic provided in a fuel side electrode, which has a high bond strength with regard to the bonding state between "the interface of the interconnector and the P type semiconductor film."例文帳に追加

燃料側電極に設けられた緻密な導電性セラミックからなるインターコネクタの表面にＰ型半導体膜が設けられたＳＯＦＣであって、「インターコネクタとＰ型半導体膜との界面」の接合状態に関し、接合強度が大きな燃料電池を提供する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a resistor component with a high connection reliability, which is free of: failure in an electrical conduction due to an increase in thickness of a semiconductor device caused by the resistor component, or a three-dimensional structure; reduction of an electrical conductivity caused by an interface between the resistor component and an electrode; and a like.例文帳に追加

抵抗素子による半導体装置の厚みの増加や立体構造による導通不良、および抵抗素子と電極との間の界面によって生じる導通性の低下などに囚われない、接続信頼性の高い抵抗素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the organic TFT comprising a gate electrode 2, a gate insulating layer 3, an organic semiconductor layer 5, a source electrode 6, and a drain electrode 7 on a substrate 1, the organic TFT including a fluorine-based polymer layer 4 is prepared at the interface between the gate electrode 3 and the organic semiconductor layer 5.例文帳に追加

基板上１にゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層５、ソース電極６及びドレイン電極７を含む有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層３と有機半導体層５との界面にフッ素系高分子層４を含む有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for semiconductor devices wherein a collector layer (3) consisting of at least a group III-V compound semiconductor, a base layer (4), and an emitter layer (5) are laminated and formed on a substrate (1), C density distribution in the base layer (4) is low near an interface between the emitter layer (5) and it.例文帳に追加

基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 - 特許庁

In NMISQN and PMISQP each equipped with the gate insulating film 7 made of high-k material, channels are made at a position deeper than a contacting interface between the gate insulating film 7 and a p-type semiconductor layer 2a or an n-type semiconductor layer 2b.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ材料で形成されるゲート絶縁膜７を有するＮＭＩＳＱＮとＰＭＩＳＱＰにおいて、その動作時にチャネルがゲート絶縁膜７とＰ型半導体層２ａまたはＮ型半導体層２ｂとの接触界面よりも深い位置に形成されるようにする。 - 特許庁

In the optical module has a package 1, that seals a semiconductor optical element 3 mounted on a lead frame 2 by a resin mold body 8, lens surfaces 5a and 5b having the function of collecting light on an interface between a resin and a gas are provided, at least at two points on the optical axis of the semiconductor optical element 3.例文帳に追加

リードフレーム２上に搭載された半導体光素子３を樹脂モールド体８により封止したパッケージ１を備えた光モジュールで、半導体光素子３の光軸上に、樹脂と気体の界面に集光機能を持たせたレンズ面５ａ，５ｂを、少なくとも２箇所に備えている。 - 特許庁

In the power conversion device of three-level configuration, the thermal resistance of a cooling fin for the outer semiconductor switching element is made larger than that of the inner semiconductor switching element to make the "interface temperature" of an inner IGBT and that of an outer IGBT substantially equal to each other.例文帳に追加

３レベル構成の電力変換装置において、内側ＩＧＢＴと外側ＩＧＢＴの「界面温度」の温度をほぼ等しくするために、内側半導体スイッチング素子よりも外側半導体スイッチング素子の冷却フィンの熱抵抗が大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex form projected to the melt side in the whole growth process with a good reproducibility in a production method of the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.例文帳に追加

半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure, so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer on an interface between the two layers.例文帳に追加

シード層は、半導体構造体内の歪みの緩和のための臨界厚より薄くすることができ、その結果、半導体構造体内の歪みは、シード層内に形成される転位により、又は、シード層と接合層の間を、その２つの層の間の界面において滑らせることにより、緩和される。 - 特許庁

To provide an adhesive composition which does not cause adhered interface peeling and package crack, even when exposed on severe reflow conditions, and can achive high package reliability, in a semiconductor device in which thinned semiconductor chips are laminated in many layers and in a high density.例文帳に追加

薄型化しつつある半導体チップを多積層し高密度化された半導体装置において、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

The blocking region 23 is formed in an interface between the first and second control electrodes 17 and 18 by implantation of dopant elements having solubility in the metal-semiconductor compound lower than solubility in the metal from which the metal-semiconductor compound is formed.例文帳に追加

ブロック領域２３は、第１および第２の制御電極１７、１８の間の境界面に形成され、金属半導体化合物がそれから形成される金属中での溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を注入することにより形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the deterioration of reliability due to stress is prevented by sufficiently relaxing stresses caused at an external connection terminal and an interface between the external connection terminal and wiring, and to provide a method for manufacturing it, in a semiconductor device having a wafer level CSP structure.例文帳に追加

ウエハレベルＣＳＰ構造を有する半導体装置において、外部接続端子および外部接続端子と配線との界面に生じる応力を十分に緩和し、応力による信頼性の低下を防ぐ半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make joint strength higher and to make resistive component of a joint interface sufficiently lower, when a conductive substrate is joined to a laminate constituted by forming a GaN semiconductor on a substrate, and then the substrate on the laminate side is removed to manufacture a GaN semiconductor light emitting element.例文帳に追加

基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。 - 特許庁

To provide a high-performance semiconductor device for preventing influence of an inverting layer that causes failures in electrical characteristics, such as variations in current amplification rate and generation of leakage current, and is formed on the interface between a semiconductor layer and an insulating film in a lateral bipolar transistor of SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の横型バイポーラトランジスタにおいて、電流増幅率の変動とリーク電流の発生等の電気特性の不具合の原因となり、半導体層と絶縁膜との界面に形成される反転層の影響を防止する高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the dose of radiation is monitored, off voltage of the TFT, i.e. the depletion bias of a semiconductor layer, is applied to the control electrode of the photoelectric transducer 2 for monitoring and holes stored on the interface between an insulating film and the semiconductor layer are removed by the operating voltage of the TFT 3.例文帳に追加

放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子２の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるＴＦＴのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、ＴＦＴ３の動作電圧で除去される。 - 特許庁

When the frequency of this temporary storage to the semiconductor memory 51 reaches a prescribed number, the memory control part 52 reads out the picture signal stored in the semiconductor memory 51 on the basis of a request from the recording control part 8 and transfers it to a tape drive 7 through an RF interface 6.例文帳に追加

また、このような半導体メモリ５１への一時的な記憶の回数が所定数に達すると、メモリ制御部５２は、記録制御部８からの要求に基づいて半導体メモリ５１に記憶された画像信号を読み出し、ＲＦインタフェース６を介してテープドライブ７に転送する。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device having a junction interface where first conductivity type SiGe and second conductivity type Si or SiGe touch each other, the junction interface is cleaned, at the part thereof exposed to the surface, with a solution containing hydrofluoric acid and then cleaned with a solution containing sulfuric acid.例文帳に追加

第１導電型のＳｉＧｅと第２導電型のＳｉ又はＳｉＧｅとが相互接触する接合界面を有する半導体装置の作製方法において、前記接合界面が表面に露出する部分を、弗化水素酸を含む溶液で洗浄し、その後、硫酸を含む溶液で洗浄する。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁