「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a highly reliable semiconductor device, in which peel of a wiring film does not occur at the interface between a titanium system metal wiring layer and an insulating film of the semiconductor device that includes the insulating film containing an Si-F group and the titanium system wiring layer.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｆ基を含む絶縁膜とチタン系金属配線層を含む半導体装置のチタン系金属配線層と絶縁膜との界面において、配線膜の剥がれが生じない信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a low price thin film transistor to improve an interface characteristics between a semiconductor layer and a gate insulating film in the thin film transistor including a gate electrode provided on a semiconductor layer via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体層及びゲート絶縁膜間の界面特性を改善する安価な薄膜トランジスタの製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a nitride series semiconductor device capable of high-temperature growth of the nitride semiconductor layer by suppressing the formation of a reactive layer in the interface between oxide and nitride to improve a crystal quality of an upper layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

酸化物と窒化物の界面に反応層が形成されるのを抑制して窒化物半導体層の高温成長を可能にし、上部層の結晶品質を向上させた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a pn interface is formed not by hetero-junction with different kind semiconductor material like the conventional case but by homojunction with ZnO based semiconductor of the i-type ZnO light emitting layer 2 and the n-type ZnO layer 3, hole injection efficiency is high.例文帳に追加

また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、ｉ型ＺｎＯ発光層２とｎ型ＺｎＯ層３とのＺｎＯ系半導体によるホモ接合でｐｎ界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。 - 特許庁

To provide a semiconductor package capable of joining a semiconductor element to a lead frame or a circuit board firmly and enhancing adhesiveness between the junction part and a sealing resin to prevent generation of gap at an interface between both sides.例文帳に追加

半導体素子をリードフレーム又は回路基板に強固に接合することができると共に、この接合部と封止樹脂との密着性を高め、この両者の界面に空隙が生じるのを防止することができる半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide an element having an optimized device structure in a polycrystalline thin film transistor whose trapping phenomenon of carriers in an interface between a semiconductor and an insulator or in a grain boundary in a polycrystalline semiconductor plays an important part in designing a device.例文帳に追加

半導体と絶縁体の界面又は多結晶半導体中の粒界におけるキャリアの捕獲現象がデバイス設計上重要な多結晶薄膜トランジスタにおいて、最適化されたデバイス構造を有する素子の提供を可能とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is not reduced in the nitrogen introducing amount, suppressed in the introduction of damage to an insulating film, and is suppressed in an increase of the nitrogen concentration at the interface between the insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device includes nitrogen in a gate insulation film 205 of an insulated gate field effect transistor formed in a region of width less than 1.5 μm in the length direction of the gate, and in the interface between a semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205.例文帳に追加

この半導体装置は、ゲート長手方向の幅が１.５μｍ以下の領域に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２０５中および、半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面に窒素を含む。 - 特許庁

To provide a means by which to uniformly implant an underfill agent into clearances between semiconductor devices, formed by stacking a plurality of semiconductor devices as well as preventing an interface from being formed between layers of the underfill agent, after having been cured.例文帳に追加

複数の半導体素子を積み重ねて形成する半導体素子の半導体素子間等の隙間に均等にアンダーフィル剤を注入することができると共に、硬化後のアンダーフィル剤の層間の界面の形成を防止する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, which suppresses the occurrence of a void on a bonding interface between a light-emitting operation layer and a support substrate to prevent luminous efficiency, lifetime and bonding strength from decreasing; and to provide the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

発光動作層と支持基板との接合界面においてボイドの発生を抑制し、発光効率、寿命及び接合強度の低下を防止することができる半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The p^--type semiconductor layer 33 composes a pn junction on an interface to the n-type semiconductor layer 32, and includes a plurality of multiplication regions AM for performing avalanche multiplication of a carrier generated by incidence of light to be detected corresponding to the light detection channels.例文帳に追加

ｐ^−型半導体層３３は、ｎ型半導体層３２との界面でｐｎ接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域ＡＭを光検出チャンネルに対応して複数有する。 - 特許庁

To provide an interface circuit capable of reducing its manufacturing cost and accurately performing functional test and debugging by reducing the number of input terminals from the exterior of a miniaturized semiconductor device, and provide a testing method and a debugging method using the same for the semiconductor device.例文帳に追加

小型化された半導体装置外部からの入力端子数を少なくし製造コストを抑制、かつ、機能テスト、デバッグを的確に行うことができるインターフェース回路及びそれを用いた半導体装置のテスト方法とデバッグ方法を提供する。 - 特許庁

Due to local heat generation in the laser spot at this time, the atomic bond between the semiconductor layer 11 and the substrate 10 is broken at their interface, and a pyrolysis layer 11a is formed between the substrate 10 and the semiconductor layer 11.例文帳に追加

このときのレーザスポットの局所的な発熱により、半導体層１１はその基板１０との界面において両者の原子同士の結合が切断されて、基板１０と半導体層１１層との間に熱分解層１１ａが形成される。 - 特許庁

A nitrogen element in the silicon nitride is dispersed in the semiconductor layer 12 comprising the active polycrysalline silicon film to compensate grid distortion in the active polycrystalline silicon film, whereby a desired interface characteristic between the semiconductor layer 12 and the insulating layer 6 is satisfied.例文帳に追加

窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 - 特許庁

A gate insulating film is formed on a gate electrode, a microcrystal semiconductor film containing a metallic element is formed on the gate insulating film, and thereby crystallinity on the interface between the gate insulating film and the microcrystal semiconductor film containing the metallic element is raised.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に金属元素を含む微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び金属元素を含む微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。 - 特許庁

To provide a method and device for testing a semiconductor device capable of evaluating an exact interface state density and its energy distribution of the semiconductor device having an insulating film permitting the tunnel current to easily flow.例文帳に追加

トンネル電流が流れやすい絶縁膜を有する半導体装置について正確な界面準位密度及びそのエネルギー分布を評価することを可能とする半導体装置の試験方法及び試験装置を提供することを提供する。 - 特許庁

The thermoelectric transducer 1 has such a structure that a metal layer 10, a semiconductor layer 11 and the metal layer 10 are joined sequentially, and the size of a Schottky barrier formed in a joint interface between the metal layer 10 and the semiconductor layer 11 is 0 to 0.4 eV.例文帳に追加

熱電変換素子１を、金属層１０、半導体層１１、金属層１０が順に接合され、金属層１０と半導体層１１との接合界面で形成されるショットキー障壁の大きさが０〜０．４ｅＶである構造とする。 - 特許庁

Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained.例文帳に追加

酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing method and a double-faced adhesive sheet used for it, which are capable of protecting a semiconductor wafer against damages and warpage in a thinning process and easily restraining air bubbles from penetrating into an interface between the semiconductor wafer and a support wafer of a hard material.例文帳に追加

半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シートに関し、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと硬質材料の支持ウエハの界面に入る可能性のある気泡を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To manufacture a laminated semiconductor board where no oxide film is present by a method, wherein a natural oxide film is formed and is bonded stably on a bonding surface at a room temperature, and an oxide film present at a bonding interface is removed, when two semiconductor boards are laminated and bonded together into a laminated semiconductor board.例文帳に追加

２枚の半導体基板を接着して貼り合わせ半導体基板を形成する場合に、接合面に自然酸化膜を形成して室温で安定に接着させ、接着界面に介在する酸化膜を除去することにより、全く酸化膜が存在しない貼り合わせ半導体基板を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

By the release of oxygen from the base insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the base insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor package of good design, along with a light emitting diode of high light taking-out efficiency, by uniformizing a temperature at semiconductor operation for suppressing reliability degradation due to thermal degradation of a semiconductor and due to peeling and cracking at a sealing material interface, resulting in dropping of temperature at the center of heating.例文帳に追加

本発明は、半導体の熱劣化や封止材界面での剥離、クラックによる信頼性低下の改善のため、半導体動作時の温度を均一化し、発熱中心の温度を下げ、かつ、意匠性の良い半導体パッケージや光取出し効率の高い発光ダイオードを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of planarizing a semiconductor layer without increasing the number and complexity of manufacturing processes as well as without deteriorating crystal characteristics, and a method of planarizing a surface of a semiconductor layer for stabilizing the interface between the surface of the semiconductor layer and a gate insulating film, in order to achieve a TFT having good characteristics.例文帳に追加

良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor substrate that has improved heat dissipation, can improve reflection properties of a base material to light at a short-wavelength region such as ultraviolet rays, and prevents an interface reaction layer from being formed between a group III nitride semiconductor layer and the metal base material, and to provide a manufacturing method of the semiconductor substrate.例文帳に追加

熱放散が良好でかつ紫外光等の短波長領域の光に対する基材の反射性を向上することができ、III族窒化物の半導体層と金属の基材との間に界面反応層が形成されない高品質な半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of testing the semiconductor device to determine an interface state density of a MIS transistor formed on a semiconductor substrate 1 by using the charge pumping method, first, a value of a first current made to flow to the semiconductor substrate by applying a first measurement signal composed of continuous pulse waves to a gate of the MIS transistor is measured.例文帳に追加

チャージポンピング法を用いて、半導体基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタの界面準位密度を求める半導体装置の評価方法において、まず、パルス波が連続してなる第１の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して前記半導体基板に流れる第１の電流値を測定する。 - 特許庁

In this way, a heavily-doped p-type semiconductor layer is formed near the regrowth interface, thus preventing P from coming off the semiconductor 18 which contains P or a dopant from reevaporating from a p-type GaAlAs second light guide layer 16 and p-type GaAlAs second cladding layer 17, located under the semiconductor layer 18 at regrowth.例文帳に追加

こうして、再成長界面付近に高ドープのｐ型半導体層が形成され、上記再成長時に、上記Ｐを含む半導体層１８からＰが抜けたり、半導体層１８の下にあるｐ型ＧaＡlＡs第２光ガイド層１６およびｐ型ＧaＡlＡs第２クラッド層１７からドーパントが再蒸発するのを防止する。 - 特許庁

To shorten test time of an address processing part in an interface circuit and to reduce a price by reducing the development cost of a semiconductor integrated circuit connecting an independent bus connected to a CPU to a time-division bus not connected to the CPU via the interface circuit.例文帳に追加

ＣＰＵに接続されている独立バスと、ＣＰＵに接続されていない時分割バスとをインタフェース回路を介して接続してなる半導体集積回路に関し、インタフェース回路のアドレス処理部の試験時間の短縮化と、開発費用の低減化による価格の低減化を図る。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interface chip IF which outputs a bank address BA and an active signal ACT0, and core chips CC0-CC7 which are stacked on the interface chip IF, and become active independently on receiving bank address signals BA and active signal ACT0 corresponding thereto.例文帳に追加

バンクアドレス信号ＢＡ及びアクティブ信号ＡＣＴ０を出力するインターフェースチップＩＦと、インターフェースチップＩＦに積層され、それぞれ対応するバンクアドレス信号ＢＡ及びアクティブ信号ＡＣＴ０を受けて独立にアクティブ状態となる複数のメモリバンクを備えるコアチップＣＣ０〜ＣＣ７とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device having the junction interface where a first conductive type SiGe and a second conductive type Si or SiGe come in contact with each other, the surface concentration of a germanium oxide (GeO^2, GeO) in a portion where the junction interface is exposed outside is suppressed to 1.0×10^15 molecule/cm^2 or less.例文帳に追加

第１導電型のＳｉＧｅと第２導電型のＳｉ又はＳｉＧｅとが相互接触する接合界面を有する半導体装置において、前記接合界面が表面に露出する部分のゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２，ＧｅＯ）の表面濃度を１．０ｘ１０^１５ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ^２以下に抑える。 - 特許庁

Nitrogen in the interface between the semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205 prevents diffusion of boron from source and drain part 208 to suppress abnormal diffusion of boron, and simultaneously, the halogen element in the gate insulation film 205 serves to prevent the degradation of the characteristic of the interface of a channel and gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面の窒素が、ソース・ドレイン部２０８からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜２０５中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device where the most signal lines possible can be obtained as against chip size, without being subjected to limitation on the wiring between a pad through a lead wire and an in/out interface cell, by the arrangement relation between the pad the in/out interface cell, and its wiring method.例文帳に追加

パッドと入出力インタフェースセルの配置関係により、引出線を介したパッドと入出力インタフェースセルの配線に制約を受けることがなく、チップサイズに対して可能な限り多くの信号線数を得ることができる半導体集積回路装置およびその配線方法を提供する。 - 特許庁

The processor system has on a single semiconductor substrate a processor 101, a memory controller 105, an external bus interface 104 to which a processor 103 outside the substrate can be connected, and a system bus bridge 106 for interconnecting the processor 101, the memory controller 105 and the external bus interface 104.例文帳に追加

単一の半導体基板上に、プロセッサ１０１と、メモリコントローラ１０５と、当該基板外部のプロセッサ１０３を接続可能な外部バスインターフェース１０４と、プロセッサ１０１、メモリコントローラ１０５、及び外部バスインターフェース１０４を相互に接続するシステムバスブリッジ１０６とを備える。 - 特許庁

A method for controlling the semiconductor processing apparatus including: a controller; and at least one device to be controlled by the controller, which includes an interface for communicating with the device, the interface including an internal clock for measuring a time interval for communication.例文帳に追加

制御器、及び該制御器により制御される少なくともひとつのデバイスを含む半導体処理装置であって、該制御器は該デバイスと通信するためのインターフェイスを備え、該インターフェイスは通信用の時間インターバルを測定するための内部クロックを有するところの装置を制御する方法が与えられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that eliminates nonconformities such as peeling etc., caused by the bonding interface of an SOI substrate and that shows high reliability and high element performance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の貼り合わせ界面に起因する剥離等の不具合が解消され、高い信頼性と高い素子性能とを備えた半導体装置、及びアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which has such constitution that a SRAM is interchangeable with an interface using a DRAM core and which has no buffer for adjusting write timing.例文帳に追加

本発明は、ＤＲＡＭコアを用いてＳＲＡＭとインターフェースが互換の構成であり、書き込みタイミング調整用のバッファを持たない半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is less deteriorated in characteristics over aging and where dislocation is prevented from occurring in an interface between a substrate and a selectively grown multi-quantum well layer.例文帳に追加

基板と選択成長した多重量子井戸層の界面における転位の発生が防止され，経時変化に対する特性劣化が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high speed bus interface of a semiconductor testing device for increasing transfer capacity, reducing the number of signal conductors of a bus, and capable of freely setting order of the signal conductors.例文帳に追加

本発明は、転送容量を増加し、バスの信号線数を削減し、信号線の順番を自由に設定できる半導体試験装置の高速バスインタフェースを提供する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit 3 comprises a CPU 31, a memory interface 32, a digital broadcast processing section 33 connected to two tuners 2a, 2b for receiving one-seg broadcast, and a display controller 34.例文帳に追加

半導体集積回路３は、ＣＰＵ３１、メモリインターフェース３２、ワンセグ放送を受信する２個のチューナー２ａ、ｂに接続のデジタル放送処理部３３、表示コントローラ３４を具備する。 - 特許庁

The motion control device 17a comprises an MPU (microprocessing unit) 20a, a semiconductor storage element 22a and the outside device 18 connected to the MPU 20a via an outside interface 21.例文帳に追加

動作制御装置１７ａには、ＭＰＵ２０ａ、半導体記憶素子２２ａ及びこのＭＰＵ２０ａに外部インターフェース２１を介して接続された外部機器１８が設けられている。 - 特許庁

To form gate insulating films which are different in film thickness on the same substrate and also lower reduction in thickness of semiconductor layer, while controlling the deterioration in quality of a gate insulating film interface.例文帳に追加

ゲート絶縁膜界面の品質の劣化を抑制しつつ、膜厚の異なるゲート絶縁膜を同一基板上に形成するとともに、半導体層の薄膜化を低減させる。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor module which has a very simple structure and can perform collective mass production, and to provide the manufacturing method of the module and an LSI package with interface module.例文帳に追加

非常に単純な構成でしかも一括で大量生産が可能な光半導体モジュールおよびその製造方法およびインターフェイスモジュール付ＬＳＩパッケージの提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which the front surface of AlGaN layer is formed flat and any damage is not given to two-dimensional gas existing on the AlGaN/GaN interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層の表面を平坦とし、かつ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of metallic particles 8 are two-dimensionally arranged on the interface between the first electrode 2 and the semiconductor layer 3 so as to come in contact with the first electrode 2 and excite plasmons by incident beams.例文帳に追加

金属粒子８は、第１電極２及び半導体層３の界面で第１電極２に接触するように２次元的に複数配置され、光の入射によりプラズモンを励起する。 - 特許庁