「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12.例文帳に追加

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a carbon contamination on the surface of silicon carbide is removed, in which an ohmic electrode of a low contact resistance can be formed and in which the good-quality interface between an insulating film and a semiconductor layer can be formed.例文帳に追加

炭化珪素表面のカーボンコンタミを除去して低コンタクト抵抗のオーミック電極や良質な絶縁膜／半導体層の界面が形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

The organic transistor 1 includes an intermediate layer 16 that is made of a mixed body of a conductor 18 and an organic semiconductor 19 on an interface between a source electrode 11 (and a drain electrode) and an organic semiconductor layer 13.例文帳に追加

本発明の有機トランジスタ１は、ソース電極１１（及びドレイン電極）と有機半導体層１３との界面に導電体１８と有機半導体１９との混合体からなる中間層１６を備えている。 - 特許庁

Ion implantation IP1 of fluorine element 4 is performed, and the fluorine element 4 is introduced into interface between the insulator 2 and the single crystal semiconductor layer 3, and into a surface and a side surface of the single crystal semiconductor layer 3.例文帳に追加

フッ素元素４のイオン注入ＩＰ１を行うことにより、絶縁層２と単結晶半導体層３との界面ならびに単結晶半導体層３の表面および側面にフッ素元素４を導入する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature, while shortening the processing time.例文帳に追加

処理時間が短く、かつ処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a transmission error occurs on the serial interface 3 or an error occurs in the semiconductor storage unit 4, the semiconductor storage unit 4 detects the error and stores the detection result in a register which can be accessed from the outside.例文帳に追加

半導体ストレージ装置４は、シリアルインタフェース３上で伝送エラーが生じたり、半導体ストレージ装置４内でエラーが生じると、それらのエラーを検出し、検出結果を外部からアクセス可能なレジスタに記憶する。 - 特許庁

An organic semiconductor layer 7 is held between the source or drain electrode 6 and a drain or source electrode 8, and an organic transistor channel is vertically formed on the interface of the organic semiconductor layer 7 with the gate insulation film 5.例文帳に追加

有機半導体層７は、ソース又はドレイン電極６とドレイン又はソース電極８との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層７とゲート絶縁膜５との界面に垂直方向に形成される。 - 特許庁

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, superior uniformity of a composition of an interface with a semiconductor base, and sufficiently high adhesiveness with a Schottky junction layer.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the p-type region 12 and the n-type region 13 are formed in the vicinity of the interface of the semiconductor substrate 11 and an insulating layer 14, the careiers generated in the semiconductor substrate 11 can be taken in at a high speed.例文帳に追加

半導体基板１１と絶縁層１４との界面近傍にｐ型領域１２およびｎ型領域１３が設けられているので、半導体基板１１で発生するキャリアを高速に取り込むことができる。 - 特許庁

A semiconductor module having a semiconductor element and electrodes connected together through a bonding layer made of an Ag-based or Cu-based material is characterized in that a thin film of the same kind as the bonding layer is formed on an interface between the semiconductor element and bonding layer and an interface between the bonding layer and electrodes, the thin film having thickness of 1 to 200 nm.例文帳に追加

半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor element protective resin 205 formed on a semiconductor element 101 by covering it is also formed in an outer peripheral surface region between an intermediate junction layer 203 of the semiconductor element 101 and a solder junction layer 204 by covering it; and thereby crack resistance in the semiconductor element 101 and a relaxation property of stress applied to an interface between the semiconductor element 101 and a solder material 104 are improved.例文帳に追加

半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit has an external interface circuit, and the external interface circuit has a clock generation circuit (100) which inputs and outputs the data string divided for every fixed cycle and generates a synchronizing clock signal for use in synchronization of data input/output.例文帳に追加

半導体集積回路は外部インタフェース回路を有し、外部インタフェース回路は、一定周期毎に区切られたデータ列を入出力し、データ入出力の同期化に用いる同期クロック信号を生成するクロック発生回路（１００）を有する。 - 特許庁

The radio interface is added in both reading and writing from/to a semiconductor storage medium without changing the configuration of the exiting computer by incorporating the radio interface in an FD type storage medium cartridge loaded on a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加

磁気記録再生装置に装着するＦＤ型記憶媒体カートリッジに無線インタフェースを内蔵させることにより、半導体記憶媒体の読み出し書き込みとともに、無線インタフェースを既存のコンピュータの構成を変更することなく追加する。 - 特許庁

A digital processing circuit 11 and a latch circuit 12 are formed on a single semiconductor substrate by being integrated with a CD-ROM decoder 19 composed of an input interface circuit 13, an error correcting/detecting circuit 14 and an output interface circuit 15.例文帳に追加

デジタル処理回路１１及びラッチ回路１２を、入力インタフェース回路１３、誤り訂正／検出回路１４及び出力インタフェース回路１５からなるＣＤ−ＲＯＭデコーダ１９と共に単一の半導体基板上に集積化して形成する。 - 特許庁

The light emitting device contains an n-type β-Ga_2O_3 substrate or n-type (AlGa)_2O_3 substrate, an interface control layer formed on the substrate, and a light emitter arranged with an AlGaN semiconductor layer formed on the interface control layer.例文帳に追加

ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板あるいはｎ型（ＡｌＧａ）_２Ｏ_３基板と、前記基板上に形成された界面制御層と、前記界面制御層上に形成されたＡｌＧａＮ半導体層によって構成された発光部とを含む発光素子。 - 特許庁

This semiconductor manufacturing apparatus is provided with the interface for communication for communicating data between the main control part and the I/O board, and the address of the I/O space of the interface for communication is allocated to a port on the I/O board.例文帳に追加

本発明の半導体製造装置は、主制御部と入出力ボードの間でデータを通信する通信用インタフェースを含み、入出力ボード上のポートに通信用インタフェースの入出力空間のアドレスが割り当てられている。 - 特許庁

The interface layer may be intentionally added with n-type or p-type impurities for the purpose of canceling the electrical effect of impurities including the compound semiconductor on the connection interface and oxides existing on the surface of Si.例文帳に追加

この界面層には，接続界面の化合物半導体およびＳｉの表面に存在する酸化物をはじめとする不純物の電気的な影響を相殺する目的でｎ型またはｐ型の不純物が意図的に添加されていても良い。 - 特許庁

With the heat treatment of the laminated structure of Mo/Pd, a Pd-Ga compound is formed at the interface between the Pd layer and the group-III semiconductor, carrier concentration of the group-III nitride semiconductor increases and thereby contact resistance between the electrode and the group-III nitride semiconductor is maintained to a lower value.例文帳に追加

Ｍｏ／Ｐｄ積層構造体で熱処理することで、Ｐｄ層とＩＩＩ族窒化物半導体界面にＰｄ−Ｇａ化合物が形成されるとともに、ＩＩＩ族窒化物半導体のキャリア濃度が増大し、電極とＩＩＩ族窒化物半導体の間のコンタクト抵抗が低く保たれる。 - 特許庁

To provide a control method of the position of an axial direction on a phase interface where a melt crystallizes, in a method for producing a single crystal of a semiconductor material by melting granules of a semiconductor material on a dish having a run-off tube made of the semiconductor material and growing a single crystal downward.例文帳に追加

半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。 - 特許庁

To interrupt a through current in a shorter time than the case in a conventional semiconductor device in the case where a potential higher than a power potential on the side of a high potential in a semiconductor device is applied to elements in this semiconductor device comprising an interface circuit for conducting the input/output of a signal between the inerface circuit and other circuit.例文帳に追加

他の回路との間で信号の入出力を行うインターフェース回路を含む半導体装置において、この半導体装置の高電位側の電源電位よりも高い電位が端子に印加された場合に、従来よりも短時間で貫通電流を遮断する。 - 特許庁

A microcrystal semiconductor film is formed by laser treatment by growing a crystal using a crystal nucleus as a seed after forming the crystal nucleus using fluorine-based gas (SiF4) and silane in order to remove an amorphous layer formed on an interface between a microcrystal semiconductor film and an insulating film under the microcrystal semiconductor film.例文帳に追加

微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises an n-type diffusion layer 16 formed in the n^--type semiconductor region 13 at the interface between the insulation layer 12 and the semiconductor region 13 with an n-type impurity concentration gradient increasing from the anode electrode 17 toward the cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、絶縁膜１２とＮ^−型半導体領域１３との界面のＮ^−型半導体領域１３内に、アノード電極１７側からカソード電極１８側にかけてＮ型不純物濃度が高くなるように濃度勾配を設けたＮ型拡散層１６を更に備える。 - 特許庁

To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor.例文帳に追加

Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mesa type semiconductor device, solving the problem wherein cracks are easily formed from an interface between a semiconductor substrate and a passivation film, at a higher level than in a conventional method, the method for manufacturing a highly reliable mesa type semiconductor device.例文帳に追加

半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By the release of oxygen from the insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A polycrystalline semiconductor film is formed and thereafter, rare gas element ions are selectively implanted, in only the channel formation region of the semiconductor film and the regions in the vicinity of the channel formation region and in such a way, that the center of the range of charged particles in the ions is positioned from the interface under the lower side of the semiconductor film to be within a distance of 10 nm ±10 nm.例文帳に追加

多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜のチャネル形成領域およびその近傍領域にのみ選択的に、また、飛程中心が該半導体膜の下側界面から１０ｎｍ±１０ｎｍ内になるよう注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing of a package for a semiconductor device for improving the reliability of the semiconductor device by lowering a resin molding cost, dissolving the problem of resin burrs and securing adhesion over the entire interface of a resin molding part and a lead in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、樹脂成形コストを低く且つ樹脂バリの問題を解消する共に、樹脂成形部とリードとの界面全体に亘って密着性を確保することによって、半導体装置の信頼性を高める半導体装置用パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

By mounting electronic components 3 near the corners 6 of a semiconductor element 2, a resin 5 put between a substrate 12 and the semiconductor element 2 is caused to creep up on a clearance 14 between the semiconductor element 2 and the electronic components 3 to coat the interface 2e with the resin 5.例文帳に追加

電子部品３を半導体素子２の角部６近傍に装着することによって、基板１２と半導体素子２との間に充填した樹脂５を半導体素子２と電子部品３との間の隙間１４へ這い上がらせ、界面２ｅを樹脂５で覆うようにするものである。 - 特許庁

Crystal orientation of a crystalline semiconductor film, formed by a known crystallization processing, can be controlled by subjecting the interface between the underlying film and the amorphous semiconductor film to fluorination processing, which is a preprocessing for forming an amorphous semiconductor film.例文帳に追加

上記の課題を解決するために、非晶質半導体膜形成の前処理として、下地膜と非晶質半導体膜の界面をフッ素化処理することにより、公知の結晶化の処理をして形成した結晶性半導体膜の結晶配向性を制御することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a damage or separation never occurs on an interface below bump electrodes at the time of flip-chip bonding even if a low dielectric constant insulating film is used in a semiconductor chip, when the semiconductor chip is flip-chip-mounted on a wiring substrate, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体チップを配線基板にフリップチップ実装する場合、半導体チップ内に低誘電率絶縁膜を使用してもフリップチップ接続時にバンプ電極下の界面で破壊や剥離を発生することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which excellent continuity characteristic is maintained without generating breakdown on the connecting interface of an anisotropic conductive film and a semiconductor element and/or a circuit board even in the case of positioning under environment having a large temperature change.例文帳に追加

温度変化の大きい環境下に置かれても、異方導電性フィルムと半導体素子及び／または回路基板との接続界面に破壊が生じることなく、良好な導通特性が維持される半導体装置を提供する - 特許庁

In addition, the interface 21 accesses the next semiconductor memory 41 to start writing of the input information signal before the whole capacity of the memory 31 is utilized at a writing state of the information signal in the semiconductor memory 31.例文帳に追加

また、インタフェース２１は、半導体メモリ３１への情報信号の書き込み状態で、該メモリ３１の容量が満杯になる前に、次の半導体メモリ４１にアクセスして、入力された情報信号の書き込みを開始する。 - 特許庁

To attain a semiconductor laser device in which a peeling at interface between a current block layer and a clad layer, and a loss of the clad layer hardly occur and a stable element characteristic can be obtained when cleaving a ridge-like regrowth type semiconductor laser.例文帳に追加

リッジ再成長型半導体レーザを劈開する際に電流ブロック層とクラッド層との界面との剥離及びクラッド層の欠損が生じにくく、安定な素子特性が得られる半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Density of dopant which determines a type of electric conduction of the ground semiconductor layer 107 is chosen 1×10^17 cm^-3 or less in order to stop current at an interface between the ground semiconductor layer 107 and the electrode layer 111.例文帳に追加

下地半導体層１０７の導電型を定める不純物のドーピング濃度が、下地半導体層１０７と電極層１１１との界面で電流が阻止されるように１×１０^17ｃｍ^-3以下に設定されている。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor wherein the carrier density of a protective film side interface of an oxide semiconductor layer is lower than that of a gate insulation layer side and the film thickness of the oxide semiconductor layer is optimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing an SiC semiconductor element having good characteristics by removing carbon clusters which occur in a MOS interface during thermal oxidation of a silicon carbide semiconductor substrate and which reduce, for example, mobility of a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁

Carrier injection efficiency is improved by providing an interface layer 4 which is excellent in adhesion with electrode surfaces between an organic semiconductor layer 3 and a source electrode 5 and between the organic semiconductor layer 3 and a drain electrode 6.例文帳に追加

有機半導体層３とソース電極５および有機半導体層３とドレイン電極６との間に、電極表面との密着性が良好な界面層４を挿入することで、キャリア注入効率が向上する。 - 特許庁

To form an organic transistor having a semiconductor of high crystallinity without a loss of planarity of the interface of a channel organic semiconductor in which carriers propagate and a gate insulating layer, and without reducing the yield.例文帳に追加

キャリアが伝播するチャネルの有機半導体とゲート絶縁体層界面の平坦性を失うことなく、歩留まりを低下させることなく結晶性の高い有機半導体を有する有機トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁

To provide a process for producing a semiconductor substrate by bonding two semiconductor wafers directly in which generation of voids in the bonding interface is suppressed effectively by optimizing the bonding heat treatment conditions.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、接合熱処理条件を最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device capable of repairing any crystal defect caused in the inner wall layer of a trench formed in a substrate and reducing an interface level of the inner wall layer.例文帳に追加

基板に形成されたトレンチの内壁層に生じる結晶欠陥を修復するとともに、内壁層の界面準位を低減することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side.例文帳に追加

酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit equipped with an interface circuit for efficiently executing design, and for accurately and quickly executing signal transmission, and to provide an optical disk recording device using its semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

効率的に設計を行うことができると共に正確で高速に信号伝送を行うことができるインタフェース回路を備えた半導体集積回路及びその半導体集積回路を使用した光ディスク記録装置を得る。 - 特許庁