「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Charge trapping in an insulating layer or at an interface between the insulating layer and a semiconductor layer is considered as a major factor that the threshold voltage changes.例文帳に追加

閾値電圧が変化する主な要因として、絶縁層中又は絶縁層と半導体層の界面における、電荷のトラップが考えられる。 - 特許庁

At least one of the first, second and third components forms a type II semiconductor interface with another of the first, second and third components.例文帳に追加

第１、第２および第３成分の少なくとも１つは、他の第１、第２および第３成分とタイプＩＩの半導体界面を形成する。 - 特許庁

Specifically, the concentration of nitrogen is gradient in the oxide semiconductor layer and a region containing much nitrogen is provided for the interface with the gate insulation layer.例文帳に追加

具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device provided with a file management system having an interface with high compatibility with multiple computer systems.例文帳に追加

多くのコンピュータシステムと親和性の高いインターフェイスを有するファイル管理システムを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

Further, oxygen is introduced into the interface between the semiconductor wafer W and silicon oxynitride film 52 to form a silicon oxide film 53 between them.例文帳に追加

続いて、半導体ウエハＷとシリコン酸窒化膜５２との界面に酸素を侵入させ、両者の間にシリコン酸化膜５３を形成する。 - 特許庁

The energy beam is applied across the oxide film 3, thus forming the flat interface between the semiconductor thin film 3 and oxide film 3.例文帳に追加

酸化膜３越しにエネルギービームを照射することで、半導体薄膜５酸化膜３との間に平坦な界面を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which an ultrathin and fine interface layer is formed which separates a high-k film and a silicon substrate.例文帳に追加

高誘電体膜とシリコン基板とを分離する、極薄かつ緻密な界面層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The interface 31, the CPU 32, the RAM 33, the memory 34 and the ROM 36 are housed in an adapter 26 integrally formed as a semiconductor IC.例文帳に追加

インターフェース３１、CPU３２、RAM３３、不揮発性メモリ３４、ROM３６は、半導体ICとして一体的に形成されているアダプタ２６に収容されている。 - 特許庁

Annealing is carried out under the condition that an increase rate of hydrogen concentration around the interface of a semiconductor film amounts to 20% or below after annealing.例文帳に追加

アニール処理は、アニール処理後において半導体膜の界面付近の水素濃度増加率が２０％以下となるアニール条件で行う。 - 特許庁

To provide an oxide film formation method for a semiconductor element capable of reducing the density of interface trap charge and oxide trap charge.例文帳に追加

本発明は、インタフェーストラップチャージ及びオキサイドトラップチャージの密度を減らすことが可能な半導体素子の酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a dip is formed in a valence band instead of a conduction band in the interface between the light-emitting layer SP- and the gallium nitride semiconductor layer P.例文帳に追加

このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 - 特許庁

Alternatively, the interface between the gate insulating film and the semiconductor region contains hydrogen or hydroxyl group (OH) ranging from 1E20/cm^3 to 1E22/cm^3.例文帳に追加

或いは、ゲート絶縁膜と半導体領域の界面に１Ｅ２０／cm^3から１Ｅ２２／cm^3の範囲の水素あるいは水酸基（ＯＨ）が存在する。 - 特許庁

To provide a device allowing acquisition of a user interface allowing a user to quantitatively evaluate temperature characteristics of each part of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置各部の温度特性をユーザーが定量的に評価できるユーザーインターフェースが得られる装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A nodule produced along an interface between the semiconductor wafer 1 and the aluminum wiring 2 is evaluated on the basis of resistance of the aluminum wiring 2.例文帳に追加

そして、このアルミニウム配線２の抵抗値に基づいて、半導体ウェハ１とアルミニウム配線２との界面に発生するノジュールの評価を行う。 - 特許庁

To provide technology with which a timing test satisfying latency restriction can be easily performed in a memory interface built in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に備えられたメモリインターフェイスにおいて、レイテンシの制約を満たすタイミング試験を容易に実施可能な技術を提供する。 - 特許庁

To put a system into sleep state without complicated software processing in the memory control system having an interface of volatile semiconductor memory.例文帳に追加

揮発性半導体メモリのインタフェースを有するメモリ制御システムにおいて、複雑なソフトウエア処理をすることなくシステムをスリープ状態にする。 - 特許庁

In this structure, a quantity of total reflection light on the interface of the semiconductor layer decreases, resulting in an increase in light extraction efficiency from the optical semiconductor device 3, and the reduction in height of the optical semiconductor apparatus can be achieved by wireless structure.例文帳に追加

これにより、半導体層界面で全反射する光の量が減少することから、光半導体素子３からの光の取り出し効率が向上すると共に、ワイヤレス化により光半導体装置の低背化を実現する事ができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor testing device capable of improving yield of a semiconductor device, and saving the labor and the time required from start until finish of an interface test of the semiconductor device even when an abnormality occurs.例文帳に追加

半導体デバイスの歩留まりの向上を図ることができるとともに、異常が発生したときにおいても半導体デバイスのインターフェーステストを開始してから終了するまでにかかる手間と時間とを省くことができる半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor surface layer, surface characteristics, or interface characteristics are measured and evaluated, by selectively having an electron energy irradiated to a semiconductor so that carriers are excited in the surface layer of the semiconductor and detecting the carrier behavior of the surface layer.例文帳に追加

半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor device manufacturing method that suppress the oxide film growth of a semiconductor crystal substrate interface and include a high dielectric constant crystal thin film and a high dielectric constant epitaxial thin film of high quality.例文帳に追加

半導体結晶基板界面の酸化膜成長を抑制するとともに、高品質な高誘電率結晶薄膜、高誘電率エピタキシャル薄膜を有する半導体装置の製造方法並びに半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A metal layer is formed on a semiconductor transferred to a material with low heat conductivity and interface between the semiconductor and the metal layer is alloyed by irradiation with a laser beam of wavelength which at least one of the semiconductor and metal layer absorbs.例文帳に追加

熱伝導率が低い材料に転写された半導体上に金属層を形成し、半導体もしくは金属層の少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射してこれら半導体と金属層の界面を合金化する。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor film comprises an insulation film formed in contact with the oxide semiconductor film by using a material containing a group 13 element and oxygen, thereby having a favorable interface state between the insulation film and the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with an optoelectronic device as well as a manufacturing method thereof, which comprises a TFT whose characteristics is stabilized by cleaning the interface between a semiconductor film and a gate insulating film.例文帳に追加

半導体膜とゲート絶縁膜との界面を清浄化することにより特性の安定したＴＦＴを備えた半導体装置、電気光学装置、およびそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with high packaging strength capable of suppressing defective connection because of cracks generated at the solder bonded interface when drop impact is applied, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

落下衝撃時に半田接合界面において発生するクラックによる接続不良を抑制し、実装強度が高い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a TFT including stable characteristics by cleaning an interface between a semiconductor film and a gate insulating film, an electrooptic device and a method for manufacturing them.例文帳に追加

半導体膜とゲート絶縁膜との界面を清浄化することにより特性の安定したＴＦＴを備えた半導体装置、電気光学装置、およびそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device interface for a semiconductor tester allowing a low-impedance device test easily with amplitude rise/fall time performance on each driver side of a conventional semiconductor tester.例文帳に追加

本発明は、従来の半導体試験装置の各ドライバ側の振幅と立ち上がりと立ち下がり時間の性能でも、低インピーダンスのデバイス試験が容易できる半導体試験装置のデバイスインタフェースを提供する。 - 特許庁

To provide a contact structure of semiconductor/electrode in which recombination amount of carriers is reduced on the contact interface, and to provide a semiconductor element in which the characteristics are enhanced by employing that contact structure.例文帳に追加

コンタクト界面でのキャリア再結合量を低減した半導体／電極のコンタクト構造を提供すると共に、これを使用することにより特性を向上させた半導体素子を提供する - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving adhesion between mold resin and underfill resin exposed on a side of a ball surface of a semiconductor package to prevent them from peeling on an interface.例文帳に追加

半導体パッケージのボール面側に露出したモールド樹脂とアンダーフィル樹脂との接着性を改善して、両者の界面での剥離を防止することができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To stabilize electrical characteristics of an interface between an electrode and an insulating film, and to prevent gate leakage current from generating, in a semiconductor device having a gate insulating film made by oxidizing a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体が酸化されてなるゲート絶縁膜を有する半導体装置において、電極・絶縁膜界面の電気的特性を安定化させると共にゲートリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

At least at a part 4 of the tunnel insulation film 5 in the vicinity of an interface with the semiconductor substrate 1, there provided is an electric charge trap level at which an electronic potential is higher than a Fermi level of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

トンネル絶縁膜５のうち少なくとも半導体基板１との界面付近の一部４には、電子ポテンシャルが半導体基板１のフェルミレベルよりも高い電荷トラップ準位が設けられている。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, a first image data interface section 110 is disposed in an electrode region 210 and in an input/output buffer region 220 provided along a first side 230 of a semiconductor chip 200.例文帳に追加

第１の画像データインターフェース部１１０は半導体チップ２００の第１の辺２３０に沿って設けられている電極領域２１０及び入出力バッファ領域２２０に配置される。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor wafer 11, having a multilayered structure which is made by laminating a plurality of semiconductor wafers, wholes 14 which reach a bonding interface are formed at intervals of the chip size.例文帳に追加

複数の半導体ウェーハが張り合わされている、半導体ウェーハ１１の多層構造において、半導体ウェーハにチップサイズの間隔で接着界面に達する穴１４があけられている構成を有している。 - 特許庁

To provide a method and a device to arrange a flat adaptable interface between a semiconductor chip and a supporting construction material to cope with the inconsistency of a thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the supporting construction material.例文帳に追加

半導体チップとその支持構造体との熱膨張係数の不整合に対処するための半導体チップと支持構造体との間に平坦な順応性インターフェースを配設する方法および装置。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which a bonding interface of a low resistance is realized in an MIS-type field-effect transistor having a distortion in a channel region, and also to provide the semiconductor device.例文帳に追加

チャネル領域に歪みを有するＭＩＳ型電界効果トランジスタに関し、低抵抗な接合界面を実現する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated device of low power supply voltage, including a signal input circuit capable of reliably receiving data from a semiconductor integrated device of high power supply voltage via an I2C bus interface.例文帳に追加

Ｉ２Ｃバスインターフェイスを介して高電源電圧の半導体集積装置からのデータを確実に受信できる信号入力回路を備えた低電源電圧の半導体集積装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser capable of reducing light scattering on an interface between a dielectric DBR and a semiconductor region due to a mesa shape of a junction region including a tunnel junction.例文帳に追加

トンネル接合を含む接合領域のメサ形状に起因して誘電体ＤＢＲと半導体領域との界面における光散乱を低減可能な面発光半導体レーザを提供する。 - 特許庁

PEC etching is carried out with this configuration to make a secure etching stop nearby an interface between the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and nitride semiconductor layer 2, thereby stabilizing device characteristics.例文帳に追加

この構成に対して、ＰＥＣエッチングを行うと、電流狭窄層（窒化物半導体層３）と窒化物半導体層２の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 - 特許庁

A third input circuit 108 outputs an input signal to be input from the outside of the semiconductor storage device from an interface to the inner part of the semiconductor storage device while receiving the active enable signals.例文帳に追加

第３入力回路108は、アクティブなイネーブル信号を受け取っている間、半導体記憶装置の外部から入力される入力信号をインターフェースから半導体記憶装置の内部へと出力する。 - 特許庁

To provide an interface between semiconductor integrated circuits capable of sharing a bus between the semiconductor integrated circuits and transferring data while restraining increase in hardware and software to the minimum.例文帳に追加

ハードウェア及びソフトウェアの増加を最小限に抑えながらも半導体集積回路間でバスを共有してデータの転送を行うことができる半導体集積回路間インタフェースを提供する。 - 特許庁

This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.例文帳に追加

半導体発光装置は、支持基板３０と、支持基板上に設けられた発光層１２を含む半導体膜１０と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜２０と、を含んでいる。 - 特許庁

The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a nitride semiconductor formed on a hexagonal system SiC substrate, in which nitride semiconductor carrier depletion caused by spontaneous polarization and piezopolarization occurring on the interface between semiconductor layers is reduced to stabilize a drive voltage, and to allow a flat nitride semiconductor layer to grow.例文帳に追加

六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive material film difficult to generate voids in the adhesion interface and excessive squeeze-out of the adhesive material in a semiconductor device having a structure to connect semiconductor chips with an external connecting member having a wiring which mounts the semiconductor chips by using the adhesive material film and a semiconductor mounting external connecting member excellent in reliability which uses the adhesive material film, and a semiconductor device.例文帳に追加

半導体チップとこれを搭載する配線付外部接続部材を接着材フィルムで接続する構造の半導体装置において、接着界面のボイドや接着材の過剰なはみ出しが発生しにくい接着材フィルムおよびそれを用いた信頼性に優れる半導体搭載用外部接続用部材、半導体装置を提供する。 - 特許庁