「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A two-dimensional refractive grating formed by cyclically arranging at least two substances having different refractive indexes is formed in a joint interface region to the sticking layer 15, of at least either the main surface of the semiconductor layer 2 facing the sticking layer 15 or the main surface of the support substrate 11 facing the sticking layer 15.例文帳に追加

半導体層２の貼付け層１５と対向する主表面または支持基板１１の貼付け層１５と対向する主表面の少なくともいずれか一方の、貼付け層１５との接合界面領域に、屈折率の異なる少なくとも２種類の物質が周期的に配置されることによる２次元回折格子が形成されている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

A first insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a wiring groove 3 is formed in the first insulating film 2, a first wiring 6 is formed by burying a metal film 5 in the wiring groove 3, a protection film 7 is formed on the first insulating film 2 and the first wiring 6, and a reaction layer 8 is formed on an interface between the first wiring 6 and the protective film 7.例文帳に追加

半導体基板１の上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２に配線溝３を形成し、配線溝３の内部に金属膜５を埋め込んで第１の配線６を形成し、第１の絶縁膜２及び第１の配線６の上に保護膜７を形成し、第１の配線６と保護膜７との界面に反応層８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

To provide a circuit board having both high heat radiation efficiency and durability, in which a semiconductor chip to be mounted can operate with a large power by preventing the generation of cracks on a solder layer for joining the circuit board to a heat radiation base and the forming of a compound layer on an interface between a metal heat radiation plate and an aluminum layer.例文帳に追加

回路基板と放熱ベースとを接合するはんだ層にクラックが発生すること及び金属放熱板とアルミニウム層との界面に化合物層が形成されることを防止することにより高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供すること。 - 特許庁

To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh.例文帳に追加

半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film.例文帳に追加

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁

An ASIC 20 as the semiconductor integrated circuit includes a high-speed serial interface 30B connectable with a CPU 11, and also includes a dummy debug serial module 22 which has a register specification equal to a normal UART module 23, and when register access for data transmission and reception is performed from the CPU side, considers the register access as a debug command and performs register access to a local bus 21.例文帳に追加

半導体集積回路としてのＡＳＩＣ２０は、ＣＰＵ１１と接続し得る高速シリアルインタフェース３０Ｂを備えていると共に、通常のＵＡＲＴモジュール２３と同等のレジスタ仕様を有し、ＣＰＵ側からデータ送受信のためのレジスタアクセスを行うと、そのレジスタアクセスをデバッグコマンドとみなして、ローカルバス２１へのレジスタアクセスを行うダミーデバッグシリアルモジュール２２を備えた。 - 特許庁

Each of semiconductor devices 1-a, 1-b, 1-c transmits, in response to release of power-on reset after power generation from a receiving signal through a noncontact interface circuit 20, a first identification code 32A and priority order data 23B, and determines whether a first identification inputted thereafter is matched with the transmitted first identification code or not.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置（１−ａ、１−ｂ、１−ｃ）は、非接触インタフェース回路（２０）を介する受信信号から電源を生成した後のパワーオンリセットの解除に応答して、第１の識別コード（３２Ａ）と優先順位データ（３２Ｂ）を送信し、その後入力される第１の識別コードと共に送信した第１の識別コードとが一致するか判定する。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加

シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁

After forming a gate insulating film over a gate electrode, in order to improve quality of a microcrystalline semiconductor film formed in an initial stage, glow discharge plasma is generated by supplying high-frequency powers with different frequencies, and a lower part of the film near a gate insulating film interface is formed under a first film formation condition, which is low in film formation rate but results in a good quality film.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成した後、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し、成膜速度は低いが品質のよい第１の成膜条件でゲート絶縁膜界面付近の膜の下部を形成し、その後、高い成膜速度の第２の成膜条件に変えて膜の上部を堆積する。 - 特許庁

There is provided the semiconductor inspection device that evaluates a contact hole interface state and a thin film of the wafer 23 by using an absorption current measuring method using an electron beam, wherein the wafer 23 and a thin film periphery are indirectly irradiated with electrons emitted from outside the wafer 23 and then a measurement point of the wafer 23 or thin film, etc., is irradiated with the electron beam to take a measurement.例文帳に追加

電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況や薄膜を評価する半導体検査装置において、ウェハ２３外から前記電子ビームを照射し、この照射によってウェハ２３または薄膜周辺に電子を間接的に照射させ、この後に、前記電子ビームをウェハ２３または薄膜等の測定点に照射して前記測定を行う。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer.例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）基板上に形成され、前記シリコン（００１）基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは多結晶の金属酸化物の絶縁層と、前記シリコン（００１）基板と絶縁層との界面に前記シリコン（００１）基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する１原子層の窒素層とを備える半導体装置である。 - 特許庁

In an apparatus for manufacturing the compound semiconductor single crystal by the vertical Bridgman method, a heat shielding member 4 extending in the vertical direction is interposed between a crucible 2 in which the single crystal is grown and a heater 3, arranged around the crucible 2, in such a manner that the solid-liquid interface K in the crucible 2 is located above the heat shielding member 4.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いる化合物半導体単結晶の製造装置において、単結晶の育成が行われるルツボ２と、このルツボ２の周りに配置されたヒータ３との間に、垂直方向に延在する熱シールド部材４を介在させ、この熱シールド部材４の上方にルツボ２内の固液界面Ｋが位置するようにしたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor testing device constituted so that input terminals of the plurality of DUTs are connected in parallel, and that a test signal is applied thereto simultaneously, the plurality of DUTs are mounted on a common DUT interface board, and a wiring pattern distributed in the branched state to the plurality of DUTs is branched at one branch point, and formed so that each length from the branch point to each DUT point is set to be equal.例文帳に追加

複数のＤＵＴの入力端子を並列接続して試験信号を同時に印加するように構成された半導体試験装置において、 前記複数のＤＵＴは共通のＤＵＴインタフェースボードに実装され、前記複数のＤＵＴに分岐配線する配線パターンは１箇所の分岐点で分岐され、この分岐点から各ＤＵＴ点までが等しい長さになるように形成されていることを特徴とするもの。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

With the impurity distribution of the channel layer of a buried channel CCD, a part where impurity concentration is maxim is located at the deepest position in a semiconductor substrate, and potential gradient at an interface part with the insulation film in a depletion state is as gentle as potential gradient in the insulation film, thus achieving the charge transfer device having both high transfer efficiency and large amount of transfer charge.例文帳に追加

埋め込みチャンネルＣＣＤのチャンネル層の不純物分布を、不純物濃度極大部が半導体基板内部の深い位置になり、かつ、前記半導体基板の表面領域での、空乏化状態における前記絶縁膜との界面部での電位勾配が、前記絶縁膜内の電位勾配と同程度で、ゆるやかになるようにすることによって、高い転送効率と大きな転送電荷量という機能を両立した電荷転送装置が実現される。 - 特許庁