「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve a problem in high-speed operating the external interface of a semiconductor circuit that, though measures are taken for the high-speed operation such as: to increase a current; to reduce a voltage; and to eliminate a protective diode, the measures have defects such as: being increased in heat generation; weak for noise; and likely causing electrostatic breakage.例文帳に追加

半導体回路の外部インターフェースを高速動作させるには、電流を増やす、電圧を下げる、保護ダイオードを削除する等の手段があるが、それぞれ、発熱量が増える、ノイズに弱い、静電破壊が起こり易いなどの欠点を有する。 - 特許庁

Cathode electrodes 5a and 5b are pressed and hit with the tips of the pair of probes P1 and P2 so that a pulse current is applied between the cathode electrodes 5a and 5b, forming an ohmic junction at the junction interface between a semiconductor substrate 1 and the cathode electrodes 5a and 5b.例文帳に追加

また、カソード電極５ａ，５ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、カソード電極５ａ，５ｂ間にパルス電流が印加されることにより、半導体基板１およびカソード電極５ａ，５ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁

Because of the nanomesh metal electrode, a strong local electric field is generated at the opening, and more carriers than a normal state are excited in the vicinity of an interface between the namomesh metal electrode and a semiconductor, thus improving the efficiency of conversion.例文帳に追加

ナノメッシュ金属にすることで開口部に発生する強い局在電場により、ナノメッシュ金属電極と半導体界面近傍に通常よりも多くのキャリアが励起され、変換効率を向上することが可能となることを特徴とする太陽電池である。 - 特許庁

To prevent an interconnetion material from intruding into the contact interface of a semiconductor layer and an insulation film by preventing open circuit of a barrier metal underlying the electrode of a bipolar transistor or an MIS type capacitive element.例文帳に追加

バイポーラトランジスタやＭＩＳ型容量素子における電極の下層に設けられたバリアメタルの断線を防止し、半導体層と絶縁膜との接触界面への配線材料の侵入を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can automatically change an output current supply capability of a data output circuit accordingly even when an interface connected to the data output circuit adopts a different power supply voltage, and does not increase steady-state power consumption.例文帳に追加

接続されるインターフェースの電源電圧が異なっていても、それに対応してデータ出力回路の出力電流供給能力を自動的に変化させることができ、かつ定常的な消費電力を増加させない半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor testing apparatus 1 is provided with a controller 11, a converter 12, and a pin electronics section 13 which functions as an interface to a DUT 40 and tests the DUT 40, on the basis of signals obtained by applying test signals to the DUT 40.例文帳に追加

半導体試験装置１は、制御装置１１、変換装置１２、及びＤＵＴ４０に対するインターフェイスとして機能するピンエレクトロニクス部１３を備えており、ＤＵＴ４０に試験信号を印加して得られる信号に基づいてＤＵＴ４０の試験を行う。 - 特許庁

To drastically improve the yield of compound semiconductor single crystals by controlling the shape of a solid-liquid interface to a shape projected toward the melt side with good reproducibility in the growth initial stage from the seeding part up to a constant diameter part in the growth by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での成長において、種付け部から定径部までの成長初期段階での固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御し、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能とする。 - 特許庁

A heat treatment method irradiates emission light from a Xe flash lamp, which serves as a heat source, to a test sample having an interface of a semiconductor substrate 15 including an insulating film containing oxygen, and Si, while at least part of ultra violet rays in the emission light is removed to carry out heat treatment.例文帳に追加

加熱源となるＸｅフラッシュランプの放出光を、前記放出光の内の紫外線の少なくとも一部を除去した状態で酸素を含む絶縁膜とＳｉを含む半導体基体との界面を有する試料に照射して熱処理を行う。 - 特許庁

In an interface 102 for LSI (large scale integrated circuit) provided to the semiconductor integrated circuit (LSI) 100, a transmitting part 106 transmits data to be transferred from an LSI main body 104 of the LSI 100 to the other LSI via the bus 112 based on a spread spectrum system.例文帳に追加

半導体集積回路（ＬＳＩ）１００に備えられたＬＳＩ用インタフェース１０２において、送信部１０６は、ＬＳＩ１００のＬＳＩ本体１０４から他のＬＳＩへバス１１２を介して転送すべきデータをスペクトル拡散方式に基づいて送信する。 - 特許庁

The surface of a semiconductor substrate which has a metal film is cleaned, while preventing the corrosion of the metal film, using cleaning liquid consisting of (1) hydrogen peroxide water, ozone water, or electrolytic anode water, (2) inorganic acid or an alkaline agent, and (3) a complexing agent and/or an interface activator.例文帳に追加

金属膜を有する半導体基板を、（１）過酸化水素水、オゾン水または電解アノード水、（２）無機酸またはアルカリ剤、（３）錯化剤および／または界面活性剤、からなる洗浄液を用いて、金属膜の浸食を防ぎつつ基板表面を洗浄する。 - 特許庁

The image processing modules include processing of performing distortion correction for image data in a predetermined area and processing of writing the distortion-corrected image data in the area in the semiconductor memory through the bus and the second interface.例文帳に追加

そして上記画像処理モジュールは、予め指定された領域内の画像データについて歪み補正を行い、その歪み補正後の上記領域内の画像データを、上記バス及び上記第２インタフェースを介して上記半導体メモリに書き込む処理を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a leakage current in an interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is not generated by potential difference between the surface silicon layer and a retaining substrate in an LDD transistor formed on a SOI substrate, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したＬＤＤ型トランジスタであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic device which is so excellent in voltage endurance characteristics as to be usable to high electric power, and where the position of a flat band is so proper as to avoid occurrence of lowering of an interface level to operate at high speed by using a semiconductor material having a wide band gap.例文帳に追加

ワイドバンドギャップを有する半導体材料を使用しているため耐電圧特性等に優れ、大電力に使用すること等が可能、その上フラットバンドの位置も適切で、界面準位の低下が発生せず、高速作動する電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, in which it is possible to prevent the solid-liquid interface from becoming a recessed face by accelerating radiation heat transfer and heat dissipation from the upper part of the crystal shoulder part by regulating the crystal diameter after seed crystal growth.例文帳に追加

種結晶成長後の結晶径を規定することにより、結晶肩部上部からの輻射伝熱および放熱を促進させ、固液界面の凹面化を抑止することができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a gate insulation film having a high dielectric constant and a gate electrode which contains a dopant and is made of Si or a material containing Si, and which can prevent the generation of fixed electric charge in an interface between the gate insulation film and the gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むＳｉもしくはＳｉを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first device 11A on a gate 11 side is composed mainly of an interface 20, an amplifier 21, a modulator 22 constituting a modulating means 13, a semiconductor laser 23 constituting a light projecting means 14, a galvano- mirror 24 constituting a reflecting means 15, and a driver 26 and housed in a compact box.例文帳に追加

ゲート１１側の第１装置１１は、インターフエース２０、増幅器２１、変調手段１３である変調器２２、投光手段１４である半導体レーザ２３、反射手段１５であるガルバノミラー２４、ドライバ２６から主に構成され、コンパクトなボックスに収納する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing a stress concentration to the bent position of a wiring layer at the corner of a resin post to suppress exfoliations and cracks in the interface between structures and the wiring layer, and improving a mechanical strength of the wiring layer.例文帳に追加

樹脂ポストの角部における配線層の折れ曲がり箇所に応力が集中することを防止し、構造体と配線層の界面における剥離やクラックの発生を抑制し、配線層の機械的強度を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a pre-process for processing a substrate before forming a gate oxide film on a silicon carbide semiconductor substrate, while keeping the temperature of the substrate in a range from the room temperature to 1200 degree centigrade and applying ultraviolet rays to the substrate, the substrate is exposed to ozone to form the interface between oxide film/silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から１２００℃の範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行って酸化膜／炭化珪素界面の作成する。 - 特許庁

This information visualizing device which visualizes the information processed in the online connecting device for connecting the semiconductor manufacturing device online is provided with an interface means which monitors the information transmitted from a standardizing means incorporated in the online connecting device to a host interface means, a display means, and a control means which displays a state or animation on the screen of the display means based on the monitored information.例文帳に追加

半導体製造装置をオンライン化するオンライン化装置内で処理されている情報を可視化する情報可視化装置において、オンライン化装置内の標準化手段からホストインターフェース手段への情報を傍受するインターフェース手段と、表示手段と、傍受した前記情報に基づき前記表示手段の表示画面上に状態表示若しくはアニメーション表示を表示する制御手段とを設ける。 - 特許庁

To provide a film for a semiconductor device, which is formed by sequentially laminating an adhesive film and a cover film on a dicing film, and can prevent interface separation between the respective films, a film lifting phenomenon, and transfer of the adhesive film onto the cover film even during transportation or after long-term storage in a low-temperature condition; and a semiconductor device provided using the same.例文帳に追加

ダイシングフィルム上に接着フィルム及びカバーフィルムが順次積層された半導体装置用フィルムであって、低温状態での輸送や長時間の保管後においても、各フィルム間での界面剥離やフィルム浮き現象、接着フィルムのカバーフィルムへの転写を防止することが可能な半導体装置用フィルム、及びそれを用いて得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The thin-film photoelectric conversion device has at least a zinc oxide layer, a p-type semiconductor layer, the photoelectric conversion layer, and a back electrode layer in order from a light incident side, and is characterized in that a stoichiometric composition ratio of zinc oxide near the interface composed of the zinc oxide layer and p-type semiconductor layer is Zn:O=1+N:1 (where N>0).例文帳に追加

光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁

A semiconductor device (TFT) includes oxidized low-ohmic resistance Si films 8 disposed on a Si semiconductor film 7 so as to form a channel 11, and a source electrode 9 and a drain electrode 10 which are directly connected to the low-ohmic resistance Si films 8, and comprise an aluminum alloy film containing at least Ni atoms, N atoms and O atoms in the vicinity of the connection interface.例文帳に追加

半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 - 特許庁

The color conversion memory module 19 comprises semiconductor memories 3, including a local memory 23 on a board 5 and a color conversion module 4 which includes a control circuit 20 and also one color conversion circuit 25 or more, is connected to a memory interface 26 by a connector 2 and the local memory 23 and the control circuit 20 selectively apply color conversion to data written in or read out from the semiconductor memory 3.例文帳に追加

色変換メモリモジュール１９は基板５上にローカルメモリ２３を含む半導体メモリ３と、制御回路２０を含み一つあるいはそれ以上の色変換回路２５を含む色変換モジュール４からなり、コネクタ２によってメモリインタフェース２６と接続し、半導体メモリ３へ書き込むデータあるいは読み出すデータを、ローカルメモリ２３と制御回路２０によって選択的に色変換する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Each semiconductor device 1 can be connected to each other by the controller connecting interface, and the semiconductor device 1 detects input conditions of a control signal group FC1 and a data bus FIOB1 according to the timing of releasing a reset signal CRST just after power-ON to determine operation as an ATA controller or operation as an extension flash memory.例文帳に追加

コントローラ接続インターフェースによって各半導体装置１を相互に接続することができ、半導体装置１は電源投入直後のリセット信号ＣＲＳＴの解除されるタイミングに従い制御信号群ＦＣ１およびデータバスＦＩＯＢ１の入力条件を検知しＡＴＡコントローラとして動作するか、増設用フラッシュメモリとして動作するかが決定される。 - 特許庁

The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

Each semiconductor device 1 can be mutually connected by the controller connecting interface 20, and the semiconductor device 1 detects the input condition of a control signal group FC1 and a data bus FIOB1 according to a timing in which a reset signal CRST is released just after power supply, and whether this should be operated as an ATA controller 2 or an extended flash memory is decided.例文帳に追加

コントローラ接続インターフェースによって各半導体装置１を相互に接続することができ、半導体装置１は電源投入直後のリセット信号ＣＲＳＴの解除されるタイミングに従い制御信号群ＦＣ１およびデータバスＦＩＯＢ１の入力条件を検知しＡＴＡコントローラとして動作するか、増設用フラッシュメモリとして動作するかが決定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有する半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.例文帳に追加

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁

In the semiconductor laser element, a semiconductor layer interface 116 containing oxygen atoms is present at least above an active layer 103 in the internal region of the laser resonator, and a peak wavelength of photoluminescence on the active layer 103 in end face close region of the laser resonator is shorter than a peak wavelength of photoluminescence on the active layer in the inner region of the laser resonator.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、酸素原子を含む半導体層界面１１６が少なくともレーザ共振器の内部領域の活性層１０３の上方に存在し、かつ、レーザ共振器の端面近傍領域の活性層１０３のフォトルミネッセンスのピーク波長が、レーザ共振器の内部領域の活性層のフォトルミネッセンスのピーク波長よりも短くなっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one.例文帳に追加

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。 - 特許庁

The MSM type semiconductor light receiving element includes a semiconductor substrate, a light absorption layer formed on the semiconductor substrate, a Schottky electrode formed on the light absorption layer, and a light transmission layer formed on the light absorption layer in a region other than that in which the Schottky electrode is formed and made of oxide, a two-dimensional channel being formed on the interface between the light absorption layer and light transmission layer.例文帳に追加

本発明に係るＭＳＭ型半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成されたショットキー電極と、前記光吸収層上において前記ショットキー電極が形成された以外の領域に形成され、酸化物からなる光透過層とを備え、前記光吸収層と前記光透過層との界面に２次元チャネルが形成されることを特長とするものである。 - 特許庁

Further, the amount of the electric charges implanted into the interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1 at this time, so the current between the drain electrode 3 and source electrode 4 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1.例文帳に追加

しかも、このときゲート絶縁層１に印加される圧力に応じて、ゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に注入される電荷の量が変化するため、ゲート絶縁層１に印加される圧力に応じてドレイン電極３及びソース電極４間の電流が変化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a low dielectric constant insulating film formed on an insulating film containing Si, an Si-rich layer whose composition is more rich in Si than the chemically logical composition of the material of the insulating film is provided at the interface between the insulating film containing Si and the low dielectric constant insulating film.例文帳に追加

Ｓｉを含む絶縁膜上に形成された低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、このＳｉを含む絶縁膜と低誘電率絶縁膜との界面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもＳｉ過剰なＳｉリッチ層を設ける。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device and a method of manufacturing the same whereby light-emitting efficiency can be improved by forming patterns with variable optical gradients on the upper and lower surfaces of a substrate receiving light, and reducing total reflection characteristics on an interface in a flip-chip bonding structure.例文帳に追加

本発明は、フリップチップボンディング構造において、光が放出される基板の上下面に夫々光傾度を変えられるパターンを形成し界面での全反射特性を減少させることにより発光効率を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

This semiconductor device has a film whose main component being silicon, and an aluminum alloy film directly connected with a film whose main component being silicon, e.g., an ohmic low resistance Si film 8 and containing at least Al, Ni, and N near the connection interface, e.g., a source electrode 9 or a drain electrode 10.例文帳に追加

半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともＡｌ、Ｎｉ、及びＮを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極９またはドレイン電極１０と、を有する。 - 特許庁

To provide an electrode film having a metal compound film as a conductive connection portion which has high adhesiveness to a metal wire and is reduced in contact resistance on an interface for a transparent conductive film and a manufacturing method thereof, and a light emitting element having the electrode film for the semiconductor element.例文帳に追加

金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device and its manufacturing method which is capable of reducing air gaps in an adhesion interface conventionally generated at irregular intervals in adhesion process, and collects the air gaps in a specific point, to minimize the air gaps in adhesion parts except the point.例文帳に追加

従来接着工程において不定期に発生していた接着界面の空隙を減少させることが可能で、特定の場所に空隙を集めそれ以外の接着部分には空隙が極小になるようにする半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Test signal generating and determining parts 30, 40, and 50 generate timing signals for generating test signals to be inputted to a semiconductor device (DUT) 10, which is an object of test, output the generated timing signals to DUT interface parts 60, 70, and 80, and output the generated timing signals to a multiplexer 20.例文帳に追加

試験信号生成・判定部３０，４０，５０は、ＤＵＴ１０に対して入力される試験信号を生成するためのタイミング信号を生成してＤＵＴインターフェイス部６０，７０，８０に出力するとともに、生成したタイミング信号をマルチプレクサ２０に対して出力する。 - 特許庁

To reduce a cost by especially measuring precisely an electrical characteristic of an element having a differential interface and by measuring a differential signal and other signals with an identical probe card for improving an electric characteristic of the probe card used for a device characteristic measuring of a semiconductor integrated circuit element.例文帳に追加

半導体集積回路素子のデバイス特性測定に用いるプローブカードの電気特性向上のために、特に、差動インターフェースを有する素子の電気的特性を精度良く測定すること、差動信号とその他の信号を同一のプローブカードで測定することによりコストを低減する。 - 特許庁

The charge storage region is provided so as to contact the interface between the substrate and the insulator film (21), and includes a first conductive type (P-type) region (17) formed of a first conductive type (P-type) semiconductor and second conductive type (N-type) regions (11 and 12) provided under the first conductive type (P-type) region.例文帳に追加

そして、電荷蓄積領域は、基板と絶縁膜（２１）との界面に接するように設けられ、第１導電型（Ｐ型）半導体で形成された第１導電型（Ｐ型）領域（１７）と、その下に設けられ第２導電型（Ｎ型）領域（１１、１２）とを含むものである。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor device includes a two-dimensional electron gas 18 formed on an interface between a p-type GaN well layer 7 and an electron supply layer 8, and includes, between the two-dimensional electron gas 18 and an n-type GaN drift layer 6, an MOS type gate inverting the conductivity type of the p-type GaN well layer 7.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体装置は、ｐ型ＧａＮウエル層７と電子供給層８との界面に形成された２次元電子ガス１８を有し、２次元電子ガス１８とｎ型ＧａＮドリフト層６との間に、ｐ型ＧａＮウエル層７の導電型を反転させるＭＯＳ型ゲートを有する。 - 特許庁