「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Each circuit layer in the multilayer semiconductor stack includes an interlayer interface region that is disposed at substantially the same location such that, when the semiconductor dies 12 upon which circuit layers are disposed are arranged together in a stack, conductors disposed within each semiconductor die are aligned with one another to provide an interlayer bus 16 that is oriented vertically with respect to the individual circuit layers.例文帳に追加

回路層が配置されている半導体ダイ１２がスタック内で互いに配置されたときに、各半導体ダイ内に配置されている個々の回路層に関して垂直方向に配向された導電体の層間バス１６を与えるように互いの位置が一致するようにするために、ほぼ同じ位置に配置された層間インターフェース領域を含む。 - 特許庁

To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁

To provide a method of obtaining nitride semiconductor chips having excellent light emitting characteristics without deterioration of crystallinity while preventing occurrence of cracking or chipping in a cut surface or an interface when a nitride semiconductor wafer including a nitride semiconductor as a substrate and a light emitting active layer is cut into chips, the cut chips having a predetermined shape and size with good yield.例文帳に追加

窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。 - 特許庁

The use of silicon oxide containing excessive oxygen can release oxygen from the insulation layer and decrease oxygen defects in the oxide semiconductor layer and interface state density between the base insulation layer or the protective insulation layer and the oxide semiconductor layer; thus, a semiconductor device with less variation in electrical characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a first insulating film on a semiconductor substrate; a step of accumulating nitrogen at an interface between the semiconductor substrate and the first insulating film to form a second insulating film; and a step of implanting oxygen into the second insulating film to convert it to a third insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記第１の絶縁膜の界面に窒素を蓄積させて第２の絶縁膜を形成する段階と、前記第２の絶縁膜に酸素を注入して第３の絶縁膜に変更させる段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

In the electronic appliance 1 having the semiconductor integrated circuit 12 mounted with a processor, a non-contact type interface 13 is provided in a part of an internal circuit of the semiconductor integrated circuit 12 or on the upper face of the semiconductor integrated circuit as a debug terminal for connecting the debugger 2 to the processor and controlling a debug function of the processor.例文帳に追加

プロセッサを搭載した半導体集積回路１２を有する電子機器１において、上記プロセッサにデバッガ２を接続して上記プロセッサのデバッグ機能を制御するためのデバッグ端子として上記半導体集積回路１２の内部回路の一部または上記半導体集積回路の上面に非接触型のインターフェース１３を設けた構成とする。 - 特許庁

The reliable package 7 for housing semiconductor element comprises the heat dissipating member 1 whose thermal conductivity is improved without raising a thermal expansion coefficient, so that the heat from the semiconductor element 3 is effectively dispersed while no high heat stress takes place on the junction interface between the insulating frame 2 and the semiconductor element 3.例文帳に追加

熱膨張率を大きくさせることなく熱伝導率を向上させた放熱部材１を具備し、半導体素子３からの熱を効果的に放散することができると同時に、絶縁枠体２および半導体素子３との接合界面に高い熱ストレスが発生しない、高い信頼性の半導体素子収納用パッケージ７である。 - 特許庁

By this the structure, an influence of a positive electric charge in the thermal oxide film 6 is weakened and an extension of a depletion layer into the N-type semiconductor layer 2 at the interface with the thermal oxide film 6 is secured.例文帳に追加

係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser in which the ohmic characteristics of an electrode are improved by suppressing damage on the interface between a p-electrode and a p-type contact layer, and residue of mask material.例文帳に追加

ｐ電極とｐ型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

In metal, oxide, and semiconductor field effect transistors as well as an insulated gate bipolar transistor; a location having an interface with a high-concentration impurity layer tends to be subjected to reduction of the withstand voltage of the insulating film.例文帳に追加

金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、絶縁膜の絶縁耐圧が低下しやすい箇所は高濃度不純物層と界面をもつ箇所である。 - 特許庁

A semiconductor memory device 1 consists of: the nonvolatile memory 2, such as a flash memory; a control part 3 which controls writing and deletion of data; and an interface 4 for input/output of data.例文帳に追加

半導体メモリ装置１を、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ２と、データの書き込みおよび消去等の制御を行う制御部３と、データの入出力を行うためのインタフェース４とにより構成する。 - 特許庁

To provide a technology for stabilizing the bonding interface between a thin layer made of a semiconductor material and a support substrate onto which the thin layer is to be transferred without reducing the quality of the thin layer.例文帳に追加

半導体材料薄層の品質の低下をもたらすことなしに、半導体材料薄層と該薄層が転写される支持基板との間の接合界面を安定化させる技術の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a structure capable of suppressing degradation of adhesion force in a joint interface even when external force is applied to a member where two substrates are integrated.例文帳に追加

２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A part of a first substrate and a first semiconductor film interface at least are made to separate completely by both the residual energy according to the irradiation by a portion with weak laser intensity and the energy of a portion with strong intensity.例文帳に追加

レーザ強度の弱い部分で照射による残留エネルギーと強度の強い部分のエネルギーとで第１の基板と第１の半導体膜界面の少なくとも一部を完全に分離させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses a weak layer from growing on the interface of a barrier metal layer and a silicon oxide film of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.例文帳に追加

ボンディングパッド部のバリアメタル層とシリコン酸化膜の界面に脆弱層が生成されるのを抑制することにより、ボンディング時のパッド剥がれを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor memory chip (1), a frame decoder (3) for decoding the signal frames is arranged at a poststage of a receiving interface device (2), and an intermediate storage apparatus (4) is arranged between the frame decoder and a memory core (5).例文帳に追加

上記半導体メモリチップ（１）では、信号フレームを復号するフレームデコーダ（３）が受信インターフェースデバイス（２）の後段に配置され、上記フレームデコーダとメモリコア（５）間には中間記憶装置（４）が配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same which is improved in its properties such as reduction of interface level between a substrate and insulation films.例文帳に追加

本発明は、基板とゲート絶縁膜間の界面準位の低減等の特性改善に寄与する半導体装置の製造方法、及びこれらの製造方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a joint for DC coaxial power cables, which is excellent in return insulation performance without such a risk that an air gap might arise at the interface between a joint return internal semiconductor conductive layer and a return reinforcing insulating layer.例文帳に追加

接続部帰路内部半導電層と帰路補強絶縁層の界面に空隙が生じるおそれのない、帰路絶縁性能が良好な電力用直流同軸ケーブルの接続部を提供する。 - 特許庁

This semiconductor inspection device 50 includes a controller 1, an evaluation device 2, an interface 4, a laser generating section 5, a polarization device 6, an objective lens 7, a camera stage 8, an image memory 9, and a display device 10.例文帳に追加

半導体検査装置５０には、制御装置１、評価装置２、インターフェース４、レーザ発生部５、偏光装置６、対物レンズ７、カメラステージ８、画像メモリ９、及び表示装置１０が設けられる。 - 特許庁

To obtain a clean interface by removing contaminants containing the single bond of carbon that especially cannot be removed by a conventional method in the contamination of interfaces, in the manufacturing process of a semiconductor device, which includes a forming of a lamination layer.例文帳に追加

積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing GaN system semiconductor light emitting element for assuring higher junction strength and sufficiently lowering resistance element of junction interface, and also to provide the same element and a lamp.例文帳に追加

接合強度が高く接合界面の抵抗成分を充分に低くすることができるＧａＮ系半導体発光素子の製造方法及びＧａＮ系半導体発光素子、並びにランプを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a wiring film which has proper adhesion of an interface of a barrier layer and a copper or a copper alloy film, and to provide a method for efficiently manufacturing the same.例文帳に追加

バリア膜と銅または銅合金膜の界面における密着性が良好な配線膜を有する半導体装置および該半導体装置を効率良く製造できる方法を提供する。 - 特許庁

In this way, an electric resistance in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 can be reduced, and crystal quality of the epitaxial layer 22 can be improved.例文帳に追加

これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an interface circuit which memorizes data which contains a parity bit even if a defective cell is in the parity bit cell of a memory cell array; and to provide a parity bit allocation method and a semiconductor memory.例文帳に追加

メモリセルアレイ中のパリティビットセルに不良セルがあってもパリティビットを含むデータを記憶することができるインターフェース回路、パリティビット割付方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which has a region made from SiC having a single crystal structure and a support part made from silicon carbide, reducing electrical resistance in the interface between them.例文帳に追加

単結晶構造を有するＳｉＣから作られた領域と、炭化珪素から作られた支持部とを有し、かつ両者の界面の電気抵抗を低減することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate.例文帳に追加

前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-device manufacturing method that reduces specific resistance by uniforming the interface roughness when forming a gate electrode film having a laminated structure of a conductive film and a metal film.例文帳に追加

導電膜と金属膜の積層構造のゲート電極膜を形成する時、界面の粗度を均一にすることにより、比抵抗を減少させる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In more generous modes of this invention, an undesired material arranged on the bonding interface of two silicon-contained semiconductor materials can be removed by a similar annealing process.例文帳に追加

本発明の更なる一般的な態様において、類似したアニール処理を用いて、２つのシリコン含有半導体材料の接合境界面に配置された望ましくない材料を除去することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for connecting a plurality of devices with different interface specifications with a small number of terminals, and for suppressing preliminarily prepared functions from becoming unavailable.例文帳に追加

少ない端子数で多くの異なるインターフェース仕様の装置を接続可能とするとともに、予め用意された機能が利用できなくなることを抑制する半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reliably secure mutual bonding intensity at a contact interface between an insulating layer and a wire buried into the insulating layer, and also a method for manufacturing the semi conductor device.例文帳に追加

絶縁層とその絶縁層への埋め込み配線とが接触する界面における相互の密着強度を確実に確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, the receiving-side semiconductor device does not require any PLL or DLL, so that a circuit scale and power consumption can be reduced less than a conventional QDR interface system.例文帳に追加

本発明によれば、受信側半導体装置では、ＰＬＬあるいはＤＬＬを要しないので、従来のＱＤＲインターフェースシステムよりも回路面積及び電力消耗を減少させることができる。 - 特許庁

To perform a highly precise AC test without a high-speed operative LSI tester, in a semiconductor integrated circuit containing a high-speed interface circuit for transferring serial data.例文帳に追加

シリアルデータを転送する高速インタフェース回路を内蔵した半導体集積回路において、高速動作が可能なＬＳＩテスタによらなくても高精度のＡＣテストを行うことができるようにする。 - 特許庁

To fully employ a merit of using high dielectric material for a gate insulating film efficiently, as well as to form a good quality interface layer between a high dielectric ratio gate insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜と半導体基板との間に良質の界面層を形成することができ、ゲート絶縁膜に高誘電体材料を用いたことによるメリットを十分に生かす。 - 特許庁

Thereafter, a MOS transistor and a capacitor are formed by injecting impurities into the semiconductor substrate (S105, S106), then a hydrogen sintering process is carried out as an interface level reduction treatment (S107).例文帳に追加

その後、半導体基板に不純物を注入する等してＭＯＳトランジスタとキャパシタを形成した（Ｓ１０５，Ｓ１０６）後、界面準位低減処理としての水素シンタリングを行う（Ｓ１０７）。 - 特許庁

To provide a Group III-V compound semiconductor light-emitting diode which allows a problem of light-interception by an electrode to be completely in principle eliminated and also allows a total reflection at an interface to be suppressed effectively.例文帳に追加

電極による光の遮蔽問題を原理的に完全になくすことができ、しかも界面での全反射も効果的に抑えることのできるIII-V族化合物半導体発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

To stably produce a NiSi layer which is a low resistance layer and to reduce a silicon-silicide interface resistance when forming a Ni silicide layer required for a semiconductor device capable of miniaturization and high speed.例文帳に追加

微細化・高速化可能な半導体装置に必要なＮｉシリサイド層を形成する際に、低抵抗層であるＮｉＳｉ層を安定して形成すると共にシリコン−シリサイド界面抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element that can suppresses an increase in element resistance by preventing segregation of a dopant in a region near a hetero interface, thereby enabling both stable operation and high output under high temperatures.例文帳に追加

ヘテロ界面近傍の領域におけるドーパントの偏析を抑制して素子抵抗の上昇を抑制し、高温での安定動作と高出力化を両立可能とする半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Without the recesses and projections, the light of radiation angle which meets the condition of total reflection at an interface between the semiconductor device and air could not be took out of the device results in low light emitting efficiency.例文帳に追加

凹凸がない場合には、半導体素子と空気との界面での全反射条件を満たす放射角度の光は半導体素子の外へ取り出すことができず、素子の発光効率が低い。 - 特許庁

To smooth the transfer of a substrate on the FIMS surface of a load port when manufacturing a semiconductor, improve switching reliability of a FOUP switching mechanism, and improve compatibility and switching reliability of an interface door.例文帳に追加

半導体製造におけるロードポートのＦＩＭＳ面で基板移載を円滑にし、ＦＯＵＰ開閉機構の開閉信頼性向上、およびインターフェイスドアの互換性ならびに開閉信頼性向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which has such structure as lowers a contact interface resistance between a contact plug and a lower electrode of a capacitor, in a microfabrication process, for improved yield.例文帳に追加

微細化加工において、コンタクトプラグとキャパシタの下部電極との接触界面抵抗を低下させ、歩留まりを向上させる構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device 1 includes: the nonvolatile memory 2 such as a flash memory; a control part 3 performing control of writing, erasure or the like of data; and an interface 4 for inputting/outputting the data.例文帳に追加

半導体メモリ装置１を、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ２と、データの書き込みおよび消去等の制御を行う制御部３と、データの入出力を行うためのインターフェース４とにより構成する。 - 特許庁

To obtain a highly reliable structure by reducing the reflection factor of an interface between a semiconductor light emitting element and a sealing resin, and widening the critical angle of total reflection in order to improve external extraction efficiency of light rays.例文帳に追加

光の外部取り出し効率を改善するため、半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及び全反射の臨界角を広くし、信頼性の高い構造を得る。 - 特許庁

The thickness of the oxynitrided film 20 is 25 Å or smaller, the peak of a nitrogen concentration is 20-40%, and the nitrogen concentration at an interface between the oxynitrided film 20 and semiconductor substrate 10 is 3% or lower.例文帳に追加

この酸窒化膜２０の膜厚が２５Å以下であり、窒素濃度のピークが２０〜４０％であり、酸窒化膜２０と半導体基板１０との界面の窒素濃度が３％以下である。 - 特許庁

In a second region 12 including the sidewall nearer on the semiconductor substrate 101 side rather than the first region 11, the metal-containing substrate film 13 has a metal layer 105 at the interface with the Cu film 107.例文帳に追加

第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。 - 特許庁