「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To perform a confirmation test in which a large difference between AC characteristics does not exist in a plurality of current passes concerned in a plurality of through electrodes between an interface chip and a core chip respectively in a semiconductor device of a type using the interface chip.例文帳に追加

インターフェースチップを用いるタイプの半導体装置において、インターフェースチップとコアチップ間の複数の貫通電極にそれぞれ関する複数の電流パスで大きなＡＣ特性の差がないことの確認試験を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device structure, of which junction leak and parasitic resistance are reduced by controlling the structure of a junction interface between a metal silicide and silicon.例文帳に追加

金属シリサイドとシリコンとの接合界面構造を制御することにより、接合リークおよび寄生抵抗を低減するデバイス構造を提供する。 - 特許庁

At the same time, a delaminating part of the resist film 6 which has begun to delaminate from the closely-attached interface is vibrated by a vibration generator 8 to completely delaminate the resist film 6 from the semiconductor wafer 5.例文帳に追加

また、同時に、密着界面から剥離し始めたレジスト膜６の剥離部を振動発生装置８によって振動させ、レジスト膜６を剥離させた。 - 特許庁

To provide a simple method by which a semiconductor light emitting element for which the interface state density at its end face can be suppressed stably over a long period.例文帳に追加

端面での界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができる半導体発光素子を簡便な方法で製造すること。 - 特許庁

To suppress a deterioration in characteristic caused by an increase in temperature and a time lapse variation in threshold caused by electrical charges in a film and/or an interface of a MOS semiconductor element.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体素子において温度上昇による特性劣化や膜中電荷・界面電荷による経時的なしきい値変動を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with a test terminal 16 for outputting a signal (TEST) for prestarting a test of the memory interface 11 differently from the command signal.例文帳に追加

半導体装置１０は、コマンド信号とは別に、予めメモリインターフェイス１１の試験を開始させる信号（TEST）を出力するテスト端子１６を備える。 - 特許庁

On the interface between the element formation regions 12 where the semiconductor elements are to be formed and the element isolation region embedded with the oxide film 10, the oxide nitride film 9 is disposed.例文帳に追加

半導体素子が形成される素子形成領域１２と酸化膜１０が埋め込まれた素子分離領域との界面に酸窒化膜９が配置される。 - 特許庁

To stably transfer data at a high speed while keeping a present specification in a device such as a cellular phone terminal provided with an interface of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリのインタフェースを備えた携帯電話端末などの装置において現状のスペックのままで安定的な高速データ転送を実現する。 - 特許庁

The communication logging device 20 is respectively connected to a semiconductor manufacturing apparatus 16 and an AMHS controller 12 via a D-sub25 interface.例文帳に追加

通信記録装置２０は、Ｄ−ｓｕｂ２５インタフェースを介して、半導体製造装置１６およびＡＭＨＳコントローラ１２にそれぞれ接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and an error analysis method, providing information of an error occurrence source in a high-speed serial interface such as PCIe.例文帳に追加

本発明は、ＰＣＩｅ等の高速シリアルインターフェイスにおけるエラー発生源の情報を提供する半導体集積回路及びエラー解析方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of attaining high reliability and a high production yield by eliminating a void generation portion in a liner/copper interface.例文帳に追加

ライナ／銅界面のボイド生成部位の排除により、高い信頼性および生産歩留まりが得られる半導体デバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

In a region including an interface between the second TCO film and p-type GaN-based semiconductor layer, a metal film is formed which comes into contact with the second TCO film.例文帳に追加

第２のＴＣＯ膜とｐ型ＧａＮ系半導体層との界面上を含む領域に、第２のＴＣＯ膜に接するメタル膜を形成する。 - 特許庁

To arrange a constitution, such that a low noise-resistant circuit is hard to be influenced by the noise generated in a logical circuit and by interface buffer circuit made on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

低ノイズ耐性回路が、同じ半導体基板上に形成された論理回路およびインターフェースバッファ回路で発生するノイズの影響を受け難くする。 - 特許庁

To provide a test interface device for a semiconductor device of simple structure which prevents sockets from being damaged when engaging a contact terminal of the test socket with the adapter socket.例文帳に追加

構造が簡素で、テストソケットのコンタクト端子をアダプタソケットに係合する際にソケットの損傷を防いだ半導体装置のテストインタフェイス装置を提供する。 - 特許庁

Semiconductor wafers of the same type are bonded to each other, while shifting their directions for forming a transposed structure as a fine structure, in the bonded interface.例文帳に追加

同種の半導体ウェハを互いの方位をずらして貼り合わせることにより、その貼合せ界面に微細構造としての転位構造を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser in which the occurrence of COD can be suppressed on the interface of a front end face coat and an active layer at the time of heavy load driving.例文帳に追加

高負荷駆動時に前端面コートと活性層との界面におけるＣＯＤの発生を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a thin film transistor is formed by using the microcrystalline semiconductor film having crystallinity enhanced on the interface to the gate insulating film as a channel formation region.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device which can suppress hysteresis caused by a charge trap while reducing an interface level, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

界面準位を低減しつつ、電荷トラップに起因するヒステリシスを抑制できる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photovoltaic device which has good characteristics by improving interface characteristics of a crystalline silicon substrate and an intrinsic semiconductor layer.例文帳に追加

結晶シリコン基板と真性半導体層の界面特性を改善することで良好な特性を持つ光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with core chips CC0 to CC7 and an interface chip IF which supplies defective chip signals SK0 to SK7 which respectively correspond to core chips CC0 to CC7.例文帳に追加

コアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７にそれぞれ対応する不良チップ信号ＳＫ０〜ＳＫ７を供給するインターフェースチップＩＦを備える。 - 特許庁

The semiconductor memories 101-108 each take in a command address signal synchronized with the supplied clock from the interface chip 110, and each perform operation corresponding to a command.例文帳に追加

半導体メモリ１０１〜１０８は、供給されたクロックに同期したコマンドアドレス信号を、インターフェースチップ１１０から取り込み、コマンドに応じた動作を行う。 - 特許庁

The interface chip 110 reduces a frequency of the control signal, and supplies a clock to semiconductor memories 101-108 through a signal line 121.例文帳に追加

インターフェースチップ１１０は、この制御信号を低周波数化し、半導体メモリ１０１〜１０８に対して、信号線１２１を介してクロックを供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device where a reading operation from an output disable state is made fast in a DRAM operating in an SRAM type interface.例文帳に追加

ＳＲＡＭ型インターフェイスで動作するＤＲＡＭにおいて出力ディスエーブル状態からの読出し動作を高速にした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To materialize a nitride semiconductor device which reduces loss of high frequency components caused by carriers accumulating at the interface on the lower side of a channel layer.例文帳に追加

チャネル層よりも下側の界面に溜まったキャリアによる高周波成分の損失を低減した窒化物半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element, etc. in which the deterioration of an interface between a metal electrode layer and a transparent conductive layer is reduced to raise the quality.例文帳に追加

金属電極層と透光性導電層との界面の劣化を低減して品質を高めた窒化物半導体発光素子等を提供する。 - 特許庁

A 1st gate insulating film (thick gate insulating film) of an n-channel MOS transistor for high dielectric strength has a nitride density peak on an interface formed with a semiconductor substrate.例文帳に追加

高耐圧用のｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの第１のゲート絶縁膜（厚いゲート絶縁膜）は、半導体基板との界面に窒素濃度ピークを有する。 - 特許庁

A flange interface for wrap-around contact regions formed in fabricating semiconductor devices brings a durable and reliable electrical bond.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する際に形成されるラップアラウンド接触領域用のフランジ界面は、耐久性および信頼性の高い電気的結合をもたらす。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulation film exhibiting a good interface state to a semiconductor substrate and good leak characteristics.例文帳に追加

半導体基板との間の界面状態の良好な，かつリーク特性の良好な絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor disk device comprises a host interface 12, a microcontroller 14, a buffer memory 16, a storage medium 18 and a block position management part 20.例文帳に追加

半導体ディスク装置は、ホストインタフェース１２、マイクロコントローラ１４、バッファメモリ１６、記憶媒体１８及びブロック位置管理部２０とを含んで構成されている。 - 特許庁

To provide an interface of much higher reliability between a driving circuit of a semiconductor power element and a microcomputer for controlling the output signal of the driving circuit.例文帳に追加

半導体電力素子の駆動回路と該駆動回路の出力信号を制御するマイクロコンピュータとの間のより信頼性の高いインターフェースを提供する。 - 特許庁

An aluminum composition ratio x is reduced monotonously from 0.20 to 0.15 for the increase of the distance from the interface with the semiconductor layer 103 to its measurement point.例文帳に追加

アルミニウム組成比ｘは、半導体結晶層１０３との界面からの距離の増大に対して、０．２０から０．１５まで単調に減少させる。 - 特許庁

This semiconductor memory 5 has an interface 10, a memory cell array 11, a YUV-RGB conversion circuit 121, an α blend circuit 122 and a control circuit 124.例文帳に追加

半導体メモリ５は、インタフェース１０、メモリセルアレイ１１、ＹＵＶ−ＲＧＢ変換回路１２１、αブレンド回路１２２および制御回路１２４を有する。 - 特許庁

DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, CELL DESIGN SYSTEM BASED ON SELECTION METHOD OF SENSITIZED DYE, AND ESTIMATION METHOD OF PHOTOINDUCED ELECTRON TRANSFER SPEED AT SEMICONDUCTOR INTERFACE例文帳に追加

色素増感太陽電池、増感色素の選定方法および半導体界面での光誘起電子移動速度の推定方法に基づく電池設計システム - 特許庁

To provide an electroluminescent element displaying high luminous efficiency although a substance having a semiconductor interface of a type II is contained in a luminescent layer.例文帳に追加

タイプＩＩの半導体界面を有する物質が発光層に含まれるにも関わらず高い発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

To provide a connection structure of mutual transmission lines which can suppress signal interface to a peripheral semiconductor element, wiring circuit or the like.例文帳に追加

周辺の半導体素子や配線回路などへの信号干渉を抑制することの可能な、伝送線路同士の接続構造を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a power semiconductor module that is hard to produce reaction products that are unnecessary for a bonding interface, consequently making it hard to cause failures such as cracks or the like.例文帳に追加

接合界面に不要な反応生成物を生成させ難く、その結果クラックなどの不具合を発生させ難いパワー半導体モジュールを提供すること。 - 特許庁

A laser beam, incident on the salient of the semiconductor film, is refracted, by a large amount and travels forward toward a substrate, while being totally reflected at an interface between the salient and the air.例文帳に追加

半導体膜の凸部に入射したレーザビームは大きく屈折され、凸部と空気との界面で全反射されながら、基板に向かって進む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can make compatible both the characteristics of bulk and those of an interface in a gate insulating film by a low-temperature process.例文帳に追加

低温プロセスによってゲート絶縁膜のバルクの特性と界面の特性を両立させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form MIS structure where interface level density has been reduced by a method suited for mass production in an insulated gate compound semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型化合物半導体装置に関し、量産に適した方法によって界面準位密度の低減したＭＩＳ構造を形成する。 - 特許庁

This method can be applied to an interface between an a-Si layer and an active semiconductor layer, and the method can be also applied to a back channel type or an etching stop type TFT.例文帳に追加

この方法はａ−Ｓｉの活性半導体層との界面であれば応用でき、またバックチャンネルエッ型やエッチストップ型ＴＦＴにも応用可能である。 - 特許庁

Hydrogen atoms are thereby diffused in a semiconductor device and coupled with dangling bonds existing on the interface between the silicon oxide film and the silicon substrate.例文帳に追加

このアニール工程により、水素原子が半導体装置内を拡散し、シリコン酸化膜とシリコン基板界面に存在するダングリングボンドと結合する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of switching endians correctly from outside even when the endian of a parallel interface is not recognized externally.例文帳に追加

パラレルインタフェースのエンディアンが外部で認識されていなくても外部から正しくエンディアンの切換えを行なうことができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A dug portion 6 which is lower than the interface between the gate insulating film 2 and semiconductor substrate 1 is provided on surfaces of the two impurity diffusion layers 4.例文帳に追加

２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。 - 特許庁

The thick silicon oxide film (second insulating film) 25a prevents oxygen from entering an interface between an embedded insulating layer 12 and the semiconductor layer 13.例文帳に追加

この厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａによって埋込み絶縁層１２と半導体層１３との界面への酸素の侵入を防ぐ。 - 特許庁

To realize a method of forming a polycide gate electrode of a semiconductor element, which improves interface roughness between silicide and polycide by caused by the diffusion of a high-melting-point.例文帳に追加

高融点金属の拡散によるシリサイド/ポリシリコン界面の粗さを改善できる半導体素子のポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁