「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce a thickness of a metamorphic layer caused by diffusion/segregation of In in the hetero-interface between a compound semiconductor including In and a compound semiconductor not including In.例文帳に追加

Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。 - 特許庁

To provide a high-quality and high-performance semiconductor element which has a gate insulating film and a channel and has not a defect in the interface between the gate insulating film and the channel, and to provide the manufacturing method of the semiconductor element.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とチャネル及びその界面の欠陥がなく、高品質・高性能な半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device having such a structure that phosphorus atoms (P) and arsenic atoms (As) are hard to substitute on the interface between two semiconductor layers.例文帳に追加

２つの半導体層の界面において燐原子（Ｐ）と砒素原子（Ａｓ）との置換が生じ難い構造を有する半導体光デバイスを提供する。 - 特許庁

The first insulation layer 48 is formed in the upper side of the semiconductor layer 24 including a termination material for terminating the dangling bond at the interface of the semiconductor layer 24.例文帳に追加

第１絶縁層４８は、半導体層２４よりも上側に形成され、半導体層２４の界面のダングリングボンドを終端させる終端材料を含む。 - 特許庁

To provide a nitride-contained semiconductor device, in which a proper interface is formed between a gate insulating film and a semiconductor layer for less gate leakage current.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と半導体層との間に良好な界面が形成され、ゲートリーク電流の小さい窒化物含有半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve junction characteristics by enhancing interface characteristics between a crystalline silicon semiconductor and an amorphous silicon semiconductor.例文帳に追加

この発明は、結晶系シリコン半導体と非結晶シリコン系半導体との界面特性を向上させ、接合特性を改善させることを目的とするものである。 - 特許庁

To prevent cracks from being made in the interface between a Si substrate and a nitride semiconductor of a nitride semiconductor light emitting element using the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板を使用した窒化物半導体発光素子において、Ｓｉ基板と窒化物半導体との界面におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a transistor with an excellent interface state between an oxide semiconductor layer and an insulation film in contact with the oxide semiconductor layer, and a manufacturing method for the transistor.例文帳に追加

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

The compound semiconductor crystal may also be cut by irradiating the laser in a direction parallel to an interface between the compound semiconductor crystal and the base substrate.例文帳に追加

化合物半導体結晶と下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで化合物半導体結晶を切断加工してもよい。 - 特許庁

The soluble material is applied on the interface between the resist and the uppermost layer of the semiconductor disk so as to adhere with the uppermost layer of the semiconductor disk.例文帳に追加

この可溶性の材料は、半導体ディスクの最上層との境界面において半導体ディスクの最上層と接着するために、塗布されている。 - 特許庁

To suppress peeling from an interface between a sealing resin and a semiconductor element when resin-sealing the semiconductor element that is flip-chip connected on a circuit board.例文帳に追加

回路基板上にフリップチップ接続した半導体素子を樹脂封止するにあたって、封止樹脂と半導体素子との界面からの剥離を抑制する。 - 特許庁

The soluble material is applied on the interface between the resist and the uppermost layer of the semiconductor disk 1 to adhere with the uppermost layer of the semiconductor disk 1.例文帳に追加

この可溶性の材料は、半導体ディスク１の最上層との境界面において半導体ディスク１の最上層と接着するために、塗布されている。 - 特許庁

To provide a standard manufacture interface device capable of preventing contaminations from a semiconductor wafer into a pod and keeping the semiconductor wafer in a clean state.例文帳に追加

ポッド内への半導体ウェハからの汚染を防止し、清浄な状態で半導体ウェハを保管することができる標準製造インターフェイス装置を提供する。 - 特許庁

The position of the interface between the gate electrodes (34 and 14) and the semiconductor substrate 1 is set higher than that between the external base electrode 13 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極（３４，１４）と半導体基板１の界面の位置は、外部ベース電極１３と半導体基板１の界面の位置よりも高くされている。 - 特許庁

A junction interface between the first semiconductor region and the second semiconductor region is a pseudo hetero junction formed of the same materials having different band gap widths from each other.例文帳に追加

第１半導体領域及び第２半導体領域の接合界面は、バンドギャップ幅が異なる同一材料により形成された疑似ヘテロ接合である。 - 特許庁

To suppress the occurrence of breakdown or warpage of a semiconductor wafer, and at the same time, to suppress the occurrence of air bubbles in the interface between the semiconductor wafer and an adhesive tape.例文帳に追加

半導体ウエハーの破損あるいは反りの発生を抑制すると共に、半導体ウエハーと粘着テープとの界面における気泡の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has oxide on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor, the interface level density of an interface between the group III nitride-based compound semiconductor and oxide being made small and the mobility being made high.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。 - 特許庁

A semiconductor storage has a first element that is a transistor, and a second element that is an interface conductive element.例文帳に追加

半導体記憶装置は、トランジスタである第１の素子と界面伝導素子である第２の素子とを備えている。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which has a semiconductor-oxide interface of favorable quality, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

良質な半導体−酸化物界面を有する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor element, having a metallic wiring layer formed by utilizing an interface adjustment layer.例文帳に追加

界面調節層を用いて金属配線層を形成する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance durability of a physical interface exposed to the environment of a semiconductor device, e.g. an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路等の半導体装置の環境に露出された物理的インターフェースの耐久性を向上させる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device which is excellent in practicality for the interface between SiC and a gate insulating film.例文帳に追加

ＳｉＣとゲート絶縁膜との界面に関して実用性に優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

To form a good interface between a III-V compound semiconductor and an oxide layer by a practically simple method.例文帳に追加

実用的に簡単な手法で、良好な３−５族化合物半導体と酸化層との界面を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride-based compound semiconductor element, in which lattice misalignment at an interface with a substrate is relaxed.例文帳に追加

基板との間の界面における格子不整合が緩和された窒化物系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To eliminate the need for supplying a clock signal from an interface chip to a core chip in a stacked semiconductor device.例文帳に追加

積層型の半導体装置においてインターフェースチップからコアチップへのクロック信号の供給を不要とする。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit 3 comprises a CPU 31, an external memory interface 32, and a digital broadcast processing section 33.例文帳に追加

半導体集積回路３は、ＣＰＵ３１、外部メモリインターフェース３２、デジタル放送処理部３３を具備する。 - 特許庁

The semiconductor interface is not parallel to the end face of the substrate, but it is formed by a specific angle.例文帳に追加

そして、前記半導体界面が前記基板端面に対して平行ではなく、所定の角度をもって形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming, at least, one interface region between two semiconductor material regions.例文帳に追加

半導体材料の２つの領域間に少なくとも１つの界面領域を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a contamination on an insulating film interface and control a damage to an insulating film between a semiconductor substrate and a control gate.例文帳に追加

絶縁膜界面の汚染を防止し、半導体基板とコントロールゲートの間の絶縁膜の破壊を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device incorporating a high-speed input interface for speeding up and improving the operating margin.例文帳に追加

高速化、動作マージンの改善を図った高速入力インターフェイスを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve the filter characteristics by preventing roughening of the separation interface of a nitride semiconductor film irradiated by a laser beam.例文帳に追加

レーザ光を照射した窒化物半導体膜の分離界面の荒れを防止してフィルタ特性を向上させる。 - 特許庁

In this manner, an interface of the semiconductor films is thoroughly purified, thereby improving TFT characteristics.例文帳に追加

この様に、半導体膜の界面を徹底的に清浄化することでＴＦＴ特性を良好なものとする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of high light-emission efficiency by improving the steepness of an interface.例文帳に追加

界面の急峻性を改善することにより、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

If the interface is with the active semiconductor layer of amorphous silicon, the process can be applied to other purposes.例文帳に追加

アモルファスシリコンの活性半導体層との界面であれば、この特異なプロセスを応用することが可能である。 - 特許庁

The command bit column C2 is transmitted in a batch from host equipment 2 through an interface part 7 to a semiconductor memory 3.例文帳に追加

コマンドビット列Ｃ２は、インタフェース部７を介して、ホスト機器２から半導体メモリ３に向けて一括送信される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which user interface including control of a defective sector can be easily performed.例文帳に追加

不良セクタ管理を含むユーザインターフェースを簡便に行なうことができる不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a superlattice semiconductor structure capable of embodying excellent interface characteristics and evenness.例文帳に追加

優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, a semiconductor device having a high quality crystal growth structure, especially a high quality interface property, is obtained.例文帳に追加

これにより、良質の結晶成長構造、特に良質の界面特性を持つ半導体素子が得られる。 - 特許庁

Next, laser beams are irradiated on an interface relative to the base material 11 in the semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 13 is separated from the base material 11, thereby forming a nitride semiconductor substrate 13A from the semiconductor layer 13.例文帳に追加

次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、半導体層１３から窒化物半導体基板１３Ａを形成する。 - 特許庁

To provide an input buffer and a semiconductor integrated circuit that can convert a signal according to an LVDS interface into a signal corresponding to an ECL interface with a configuration realized by a bipolar process so as to attain an input by the LVDS level interface.例文帳に追加

バイポーラプロセスにより実現し得る構成により、ＬＶＤＳインタフェースに従った信号をＥＣＬインタフェースに対応する信号に変換し、バイポーラプロセスにおいても、ＬＶＤＳレベルインタフェースによる入力を可能とする。 - 特許庁

In addition, since contact resistances can be reduced in an interface between the source electrode 3 and the organic semiconductor layer 8 and an interface between the drain electrode 4 and the organic semiconductor layer 8, the mobility of electric charges of the thin-film organic transistor 1 is improved.例文帳に追加

さらに、ソース電極３と有機半導体層８との界面と、ドレイン電極４と有機半導体層８との界面とにおけるコンタクト抵抗を低下できるので、薄膜有機トランジスタ１の電荷の移動度を向上できる。 - 特許庁

For example, by placing the semiconductor device in the first operation mode and accessing the built-in memory, it is possible to make the semiconductor device operate as a predetermined system even when a semiconductor memory device is not connected to the interface part.例文帳に追加

例えば、半導体装置を第１動作モードにし、内蔵メモリをアクセスすることで、半導体メモリ装置がインタフェース部に接続されないときにも、半導体装置を所定のシステムとして動作できる。 - 特許庁

To provide a technique for preventing formation of a heavily-doped n-type region on an interface between a semiconductor base layer and a semiconductor layer, in a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having an optimized device structure which includes at lease one interface between a semiconductor and an insulator or a grain boundary made between semiconductor crystal grains.例文帳に追加

半導体と絶縁体との界面又は半導体結晶粒間の粒界を少なくともひとつ含む半導体素子において、最適化されたデバイス構造を有する素子の提供を可能とする。 - 特許庁

Then the interface between the semiconductor layer 13 and the base substrate 11 is irradiated with laser light to separate the semiconductor layer 13 from the base substrate 11 to form a nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、窒化物半導体基板を形成する。 - 特許庁