「semiconductor interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor storage device equipped with a phase-change memory which is sufficiently compatible with a DRAM interface.例文帳に追加

ＤＲＡＭインタフェースに対し互換性の高い、相変化メモリを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The system 110 and the interface 160 are built in different semiconductor integrated circuits, respectively.例文帳に追加

メインシステム１１０と展開インターフェース１６０とは、別体の半導体集積回路に内蔵されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the formation of gaps at a bonding interface between substrates.例文帳に追加

基板間の接合界面の間隙の発生を低減することができる半導体装置を得ること。 - 特許庁

This semiconductor device includes a serial communication interface (109) which operates according to predetermined clocks for operation.例文帳に追加

半導体装置は、所定の動作用クロックに従って動作するシリアルコミュニケーションインタフェース（１０９）を含む。 - 特許庁

Consequently, the interfacial level density in the interface between the insulating film 4 and semiconductor substrate 1 falls.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜４と半導体基板１との界面での界面準位密度が低下する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that facilitates incorporation of a serial interface circuit, and electronic equipment.例文帳に追加

シリアルインターフェース回路の組み込みを容易化できる半導体装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

To prevent peeling of package interface and cracks due to absorption of moisture of a surface-mounted semiconductor package.例文帳に追加

面実装型半導体パッケージの吸湿によるパッケージ界面剥離やクラックの発生を防止する。 - 特許庁

In the photoelectric converting element, a concavo-convex structure is formed on an interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer and the interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer has a specific surface area which is 1.5 to 10 times larger than that of an interface between the transparent conductive layer and the organic semiconductor layer A.例文帳に追加

また、有機半導体層Ａと光電変換層の界面に凹凸構造を形成し、透明導電層と有機半導体層Ａとの界面に対して、有機半導体層Ａと光電変換層との界面が１.５〜１０倍の比表面積を有する光電変換素子としたことを特徴とする。 - 特許庁

An imaging device includes first and second semiconductor chips and a digital interface.例文帳に追加

本発明の一側面によるイメージング装置は、第１および第２半導体チップおよびデジタルインタフェースを含む。 - 特許庁

CLOCK BUFFER CIRCUIT, INTERFACE HAVING THIS CLOCK BUFFER CIRCUIT, AND SYNCHRONOUS TYPE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

クロックバッファ回路およびこのクロックバッファ回路を有するインタフェースならびに同期型半導体記憶装置 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METALLIC OXIDE INTERFACE HAVING SILICON例文帳に追加

シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを有する半導体基板の製造方法 - 特許庁

MEMORY CONTROLLER AND OPERATION SWITCHING METHOD AND INTERFACE DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CHIP AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

メモリ制御装置及び動作切替方法並びにインターフェース装置、半導体集積チップ、記録媒体 - 特許庁

SERIAL INTERFACE CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, WIRING-ERROR DETECTION SYSTEM, AND WIRING-ERROR DETECTION METHOD例文帳に追加

シリアルインターフェース回路、半導体集積回路、配線異常検出システム及び配線異常検出方法 - 特許庁

To obtain a high quality semiconductor active layer and a MOS interface with high throughput but with very reduced impurities.例文帳に追加

高いスループットで極めて不純物の少ない高品質な半導体能動層、ＭＯＳ界面を得る。 - 特許庁

DATA TRANSFER DEVICE AND INTERFACE CONTROL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND PROTOCOL PROCESSING CIRCUIT CONTROL METHOD例文帳に追加

データ転送装置およびインタフェース制御半導体集積回路、ならびにプロトコル処理回路制御方法 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor capable of suppressing cracks or exfoliation of an adhesion interface.例文帳に追加

クラックや接着界面の剥離を抑制する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor structure having a flat plane or a hetero interface at an atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。 - 特許庁

Moreover, an active region is formed on a silicon region with no residual catalyst element to manufacture a semiconductor device, wherein impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

また、残留触媒元素の無いシリコン領域に活性領域を形成して不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an insulated gate semiconductor device in which the creation of a low permittivity oxide film is retarded at the interface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置の製造方法に関し、半導体基板界面における低誘電率の酸化膜生成を抑制する。 - 特許庁

As compared with a case that memory interface circuits are collectively arranged on one side of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is hardly restricted by size reduction.例文帳に追加

半導体基板の一辺にメモリインタフェース回路を集中させる場合に比べて半導体基板はサイズ縮小の制約を受け難い。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device, wherein a defect and impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer, on a substrate having the insulating surface.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、ゲート絶縁膜/半導体層界面の欠陥や不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which stress which occurs on an interface of a thermal oxide film and a semiconductor substrate can be suppressed.例文帳に追加

熱酸化膜と半導体基板の界面で生じる応力を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor package by which peeling on the interface between a first semiconductor chip and a die bonding agent can be suppressed.例文帳に追加

第１の半導体チップとダイボンド剤との界面での剥離を抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, a semiconductor substrate in which a defect in an interface between the single crystal semiconductor layer and the insulating layer is reduced can be provided.例文帳に追加

これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor transistor that has both superior interface properties between a GaN-based semiconductor and a gate insulator and superior film quality of the gate insulator.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体／ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。 - 特許庁

The digital interface is connectively operated between the digital input/output section of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip.例文帳に追加

前記デジタルインタフェースは、前記第１半導体チップの前記デジタル入力/出力部と前記第２半導体チップとの間に連結動作する。 - 特許庁

Signals inputted/outputted to/from the semiconductor chips 3-6 are all inputted/outputted via the interface circuit 7 of the semiconductor chip 3.例文帳に追加

半導体チップ３〜６に入出力される信号は、すべて半導体チップ３のインタフェース回路７を介して入出力されることになる。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas layer 13a is provided immediately below an interface between the first nitride semiconductor layer 13 and the second nitride semiconductor layer 14.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層１３の第２の窒化物半導体層１４との界面直下に２次元電子ガス層１３ａを有する。 - 特許庁

Consequently, the amorphous semiconductor film at a part of an interface with a gate insulating film 3 is converted into a microcrystal semiconductor film 4 having crystallinity.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜３との界面部の非晶質半導体膜を結晶性を有する微結晶半導体膜４に変換する。 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer which can be used for manufacturing a semiconductor laser diode, having higher output by reducing the resistance components of the interface of a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層の界面の抵抗成分を低減し、より高出力な半導体レーザダイオードを作製可能なエピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁

To suppress peeling on the interface between an insulating layer provided on the back side of a semiconductor substrate and the semiconductor substrate, in a semiconductor device in which both front and back sides of the semiconductor substrate are connected by a through wiring layer.例文帳に追加

半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、半導体基板の裏面に設ける絶縁層と半導体基板との界面における剥離を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device is includes an interface roughness mitigating film 20, contacted with an insulating film as well as a wiring contacted through the surface of opposite side while an interface roughness between the wiring and the interface roughness mitigating film is smaller than an interface roughness between the insulating film and the interface roughness mitigating film.例文帳に追加

絶縁膜と接触した界面ラフネス緩和膜であって、その反対側の面で配線とも接触し、当該絶縁膜と当該界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスより、当該配線と当該界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスの方が小さい界面ラフネス緩和膜２０を設ける。 - 特許庁

To provide both a method for producing a semiconductor crystal by which the slip dislocation is scarcely caused and the semiconductor crystal having a convex solid-liquid interface can be grown and an apparatus for producing the semiconductor crystal.例文帳に追加

スリップ転移が発生しにくく、固液界面が凸状の半導体結晶を成長させることのできる半導体結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor laser in which the interface of a GaAs semiconductor region and an InGaAs semiconductor region can be made more steep.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体領域とＩｎＧａＡｓ半導体領域との界面をより急峻することを可能な、半導体レーザを作製する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The concentration of the element in an interface region IFR containing an interface 25 between the first metallic layer and the second semiconductor layer is set to be higher than a first metallic internal region 51c separated from the interface in the first metallic layer.例文帳に追加

第１金属層と第２半導体層との界面２５を含む界面領域ＩＦＲにおける前記元素の濃度は、第１金属層のうちの界面から離れた第１金属内部領域５１ｃよりも高い。 - 特許庁

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the transistor, a first interface reforming film 11 including a metal film or a semiconductor film is so formed on a substrate 10 as to form successively an insulation film 12 and a semiconductor film 13 on the first interface reforming film 11.例文帳に追加

基板１０上に、金属膜又は半導体膜を含む第１の界面改質膜１１を形成し、この第１の界面改質膜１１の上に絶縁膜１２，半導体膜１３を順に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can efficiently reduce interface state density at an interface between a substrate and a gate insulation film while inhibiting characteristic deterioration in a constituent material of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の構成材料の特性劣化を抑制しつつ、基板とゲート絶縁膜との界面の界面準位密度を効率的に低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laminated film in which flatness is obtained at an interface between an Si substrate and a metal layer formed adjacent thereto so as to reduce junction leakage at the Si/metal interface in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体デバイスなどにおけるＳｉ／金属界面では接合リークを抑制すべく、Ｓｉ基板と、これに隣接して形成される金属層との界面平坦性を確保した半導体積層膜を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing separation or the like in an interface by efficiently reinforcing the interface between an end face of a semiconductor chip and a fillet against thermal stress generated by the warpage at low and high temperatures.例文帳に追加

低温時や高温時の反りによる熱応力に対して半導体チップの端面部とフィレットとの界面を効率的に補強し、この界面での剥離等を防止することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a processor part 110, an internal interface part 130, an external interface part 140, a plurality of processing circuits 121-126, and a connection control circuit 180.例文帳に追加

半導体装置１００は、プロセッサ部１１０、内部インターフェース部１３０、外部インターフェース部１４０、処理回路１２１〜１２６及び接続制御回路１８０を備える。 - 特許庁

By the addition of nitrogen, a highly crystalline region can be formed in the vicinity of the interface of the oxide semiconductor layer and a stable interface state can be obtained.例文帳に追加

この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having good silicide/silicon interface in which a crystal defect or roughness of the interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なシリサイド／シリコン界面を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The CPP structure has an interface (an interface group) comprising appropriately selected different materials (indicating general conductive materials such as a metal, a semiconductor and an alloy of them, etc.).例文帳に追加

このＣＰＰ構造部分は、適切に選択された異種材料（金属、半導体とその合金など、導電性物質一般を指す）からなる界面（界面群）を持っている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an antenna connection function for contactless interface by minimizing modification on a terminal alignment and a terminal shape of a memory card incompatible with the contactless interface.例文帳に追加

非接触インタフェース未対応のメモリカードの端子配列や端子の形状に対する変更を最小限に抑えて非接触インタフェース用のアンテナ接続機能を設ける。 - 特許庁