「semiconductor rectifier」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

COMPOSITE SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING RECTIFIER ELEMENT例文帳に追加

整流素子を含む複合半導体装置 - 特許庁

RECTIFIER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

整流回路及び半導体集積回路 - 特許庁

RECTIFIER CIRCUIT, POWER SUPPLY CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

整流回路、電源回路及び半導体装置 - 特許庁

a rectifier element made from a semiconductor, called crystal diode 例文帳に追加

クリスタルダイオードという半導体で作られた整流要素 - EDR日英対訳辞書

The rectifier element has a first nitride semiconductor layer 3.例文帳に追加

整流素子は、第１の窒化物半導体層３を備えている。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes the rectifier element D and the transistor T.例文帳に追加

半導体装置１は整流素子ＤとトランジスタＴとを備える。 - 特許庁

The rectifier module groups 5, 6 each include a plurality of rectifier modules (semiconductor packages) 5X and the like.例文帳に追加

各整流器モジュール群５、６は、複数の整流器モジュール（半導体パッケージ）５Ｘ等を含んで構成されている。 - 特許庁

POWER SUPPLY CIRCUIT HAVING SEMICONDUCTOR CONTROL RECTIFIER ELEMENT, AND POWER SUPPLY EMPLOYING THE POWER SUPPLY CIRCUIT例文帳に追加

半導体制御整流素子を有する電源回路及びこれを用いた電源装置 - 特許庁

To perform the trimming of a plurality of semiconductor rectifier elements provided in a trimming circuit in a short period of time.例文帳に追加

トリミング回路に設けられた複数の半導体整流素子のトリミングを短時間で行う。 - 特許庁

an apparatus called a crystal rectifier that is used for changing electrical current by means of a special semiconductor 例文帳に追加

結晶整流器という,特殊な半導体を用いて交流を直流に変える装置 - EDR日英対訳辞書

To provide a semiconductor rectifier device using a wideband gap semiconductor which has sufficient surge current resistance and improves the reliability.例文帳に追加

十分なサージ電流耐性を有し、かつ、信頼性の向上するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。 - 特許庁

To prevent thermal destruction caused by acceleration of current concentration due to an increase in the temperature and lowering of the resistance of a certain SiC semiconductor rectifier when current is concentrated on the SiC semiconductor rectifier in a circuit in which the plurality of SiC semiconductor rectifiers are used in parallel.例文帳に追加

複数のＳｉＣ半導体整流素子を並列に用いた回路内で、一つの素子に電流が集中すると、その素子の温度が上昇し、抵抗が下がるために、電流集中が加速されて引き起こされる熱破壊を防ぐ。 - 特許庁

By constituting an attachment position to a heat radiating fin 9 of a rectifier 2 so that the outside of a rectifier 2 package may project outside from the heat radiating fin 9, a contacting face area of the rectifier 2 and the heat radiating fin 9 decreases, and the quantity of heat conducted from the rectifier 2 to semiconductor switching elements 3 and 4 decreases.例文帳に追加

整流素子２の放熱フィン９への取付位置を、整流素子２パッケージの外形が放熱フィン９外形よりはみ出た位置になるように構成することにより、整流素子２と放熱フィン９の接触面積が減少し、整流素子２から半導体スイッチング素子３、４へ熱伝導する熱量が減少する。 - 特許庁

A semiconductor rectifier device includes first wideband gap semiconductor regions 16 of a first conductivity type, and second wideband gap semiconductor regions 18 of a second conductivity type formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions.例文帳に追加

第１導電型の第１のワイドバンドギャップ半導体領域１６と、第１の半導体領域に挟まれて形成される第２導電型の第２のワイドバンドギャップ半導体領域１８とを備えている。 - 特許庁

To provide a rectifier circuit capable of suppressing degradation or dielectric breakage of a semiconductor element under overcurrents.例文帳に追加

過電流による半導体素子の劣化または絶縁破壊を抑えることができる、整流回路の提供を課題とする - 特許庁

To provide the structure of a semiconductor control rectifier wherein an electro-static discharge protection circuit consists of PNP and NPN transistors.例文帳に追加

本発明の静電放電保護回路はＰＮＰ及びＮＰＮトランジスタより成った半導体制御整流器構造を提供する。 - 特許庁

To provide a high voltage semiconductor rectifier which reduces a voltage at which a minority carrier is injected and which uses a wide bandgap semiconductor having a sufficient surge current resistance.例文帳に追加

小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた高耐圧半導体整流装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor rectifier using a wide band-gap semiconductor that reduces a voltage in which minority carriers are injected and has sufficient surge current resistance.例文帳に追加

小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor rectifier using a wide band-gap semiconductor that reduces a voltage in which minority carriers are injected and has sufficient surge current resistance.例文帳に追加

少数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。 - 特許庁

A DC voltage generation circuit 34 for generating DC voltage in an inverter circuit 35 of a controller 27 is a rectifier circuit which selectively works as a voltage doubler rectifier circuit or full-wave rectifier circuit depending on the continuity or non-continuity of a semiconductor AC switching element.例文帳に追加

制御装置２７におけるインバータ回路３５に直流電圧を生成する直流電圧生成回路３４を半導体交流スイッチング素子の導通または不導通によって倍電圧整流回路または全波整流回路として選択的に機能する整流回路とした。 - 特許庁

The semiconductor rectifier device also includes a plurality of third wideband gap semiconductor regions 32 of the second conductivity type, at least a portion of which is connected to the second semiconductor regions, which is formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions, and whose width is narrower than that of the second semiconductor region.例文帳に追加

また、少なくとも一部が第２の半導体領域に接続され、第１の半導体領域に挟まれて形成され、第２の半導体領域より幅の狭い、複数の第２導電型の第３のワイドバンドギャップ半導体領域３２を備えている。 - 特許庁

Plane mounting semiconductor elements 11, 12, 13, 14 are mounted on one side of a both-side mountable rectifier circuit substrate 4 while plane mounting semiconductor elements 21, 22, 23, 24 are mounted on the other side of the rectifier circuit substrate 4 to contrive miniaturization.例文帳に追加

面実装半導体素子１１，１２，１３，１４を、両面実装可能な整流回路基板４の一方の面に搭載するとともに、同様に面実装半導体素子２１，２２，２３，２４を整流回路基板４の他方の面に搭載することで、小型化を図る。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit IC includes rectifier circuits D1 to D4, switched capacitors SC1 and SC2, switched capacitor drive circuits SC_DR1 and SC_DR2, a demodulation circuit ASK_Demod, and internal circuits CPU and NVMU.例文帳に追加

半導体集積回路ICは、整流回路D1…D4、スイッチドキャパシタSC1、2、スイッチドキャパシタ駆動回路SC_DR1、2、復調回路ASK_Demod、内部回路CPU、NVMUを具備する。 - 特許庁

The protective circuit 20 for power facilities to bypass the current when cut off by a breaker 10 comprises a rectifier and a capacitor 23 connected in series with the rectifier, in such a manner that the rectifier has a plurality of semiconductor rectifiers 21 connected in series with each other.例文帳に追加

電力用の遮断素子１０の遮断時における電流をバイパスするための電力用の保護回路２０であって、保護回路２０は、整流部とこの整流部に直列に接続された容量部２３とを有し、整流部は、複数の半導体整流素子２１が直列に接続された構成を有する。 - 特許庁

To solve the problem in a single-phase switching rectifier, wherein turning on/off of a semiconductor switch brings about power loss, as well as surge and noise.例文帳に追加

単相スイッチング整流装置は、半導体スイッチのオン・オフによって電力損失、サージ及びノイズが発生するという問題を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having electrical characteristics such as high breakdown voltage, low reverse saturation current, and high on-current, especially a power diode including a non-linear element and a rectifier.例文帳に追加

高耐圧、低逆方向飽和電流、高いオン電流などの電気特性を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

In the individual rectifier elements 65 and 66, two semiconductor chips are placed flat in one metal case, and two lead-out wires are led out, respectively.例文帳に追加

各整流素子６５、６６は、１つの金属容器内に２個の半導体チップが平面配置され、それぞれ２本の引出線が引き出されている。 - 特許庁

A rectifier element layer 21 includes: a semiconductor layer 24; an electrode layer 23 provided on one end side of the semiconductor layer 24; an electrode layer 26 provided on the other end side of the semiconductor layer 24; and an electrode layer 25 provided between the electrode layer 26 and the semiconductor layer 24.例文帳に追加

整流素子層２１は、半導体層２４と、半導体層２４の一端側に設けられた電極層２３と、半導体層２４の他端側に設けられた電極層２６と、電極層２６と半導体層２４の間に設けられた電極層２５とを備える。 - 特許庁

To impart a pressing force uniformly and surely to a semiconductor element and a rectifier element and to enhance heat dissipation through a compact arrangement.例文帳に追加

半導体素子および整流素子に均一な加圧力を確実に付与するとともに、コンパクトな構成でかつ放熱性の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

To ensure pressure contact of a plurality of semiconductor elements and rectifier elements being stacked, and to enhance heat dissipation through a compact arrangement.例文帳に追加

積層される複数の半導体素子および整流素子を確実に圧接させるとともに、コンパクトな構成でかつ放熱性の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for improving an integration degree of a semiconductor rectifier element and reducing loss by reducing voltage drop in the forward direction.例文帳に追加

半導体整流素子の集積度を向上するとともに、順方向の電圧降下を低減することにより損失を低減する製造方法を提供する。 - 特許庁

A generator 1 comprises a main rotary machine 2, a regulator 3, a rectifier circuit (three-phase bridge) 4 which is a semiconductor power converter, and an AC exciting fan motor 5.例文帳に追加

発電機１は、主回転機２、レギュレータ３、半導体電力変換器である整流回路（三相ブリッジ）４、および交流励磁式のファンモータ５を有する。 - 特許庁

The rectifier element 10 includes an n^- semiconductor layer 2 consisting of a wide band gap semiconductor; Schottky electrodes 3 and 5 forming Schottky contact with the n^- semiconductor layer 2; and a cathode electrode 4 capable of applying potential different from that of the Shottky electrode 5 and electrically connected to the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

整流素子１０は、ワイドバンドギャップ半導体よりなるｎ^-半導体層２と、ｎ^-半導体層２にショットキー接触したショットキー電極５およびショットキー電極３と、ショットキー電極５とは異なる電位を印加可能であるカソード電極４とを備えている。 - 特許庁

The pressure contact semiconductor device 10 comprises first and second cooling mechanisms 22 and 24 disposed at the opposite ends in the stacking direction of semiconductor elements 14a-14c and rectifier elements 18a-18c.例文帳に追加

圧接型半導体装置１０は、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃの積層方向両端に配置される第１および第２冷却機構２２、２４を備える。 - 特許庁

The pressure contact semiconductor device 10 comprises first and second cooling mechanisms 22 and 24 disposed at the opposite ends in the stacking direction of stacked semiconductor elements 14a-14c and stacked rectifier elements 18a-18c.例文帳に追加

圧接型半導体装置１０は、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃの積層方向両端に配置される第１および第２冷却機構２２、２４を備える。 - 特許庁

To ensure reliable pressure contact among a plurality of semiconductor elements and among a plurality of rectifier elements being stacked, and to enhance heat dissipation through a compact arrangement.例文帳に追加

積層される複数の半導体素子同士および整流素子同士を、確実に圧接させるとともに、コンパクトな構成でかつ放熱性の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

To ensure electrical connection among a plurality of semiconductor elements and among a plurality of rectifier elements being stacked and to block the effect of vibration effectively.例文帳に追加

積層される複数の半導体素子同士および整流素子同士を、電気的に確実に接続するとともに、振動等による影響を有効に阻止することを可能にする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device U2 includes: antenna terminals LA and LB; a rectifier circuit B1; a source-voltage terminal V_DD; a shunt regulator circuit B2; a series regulator circuit B3.例文帳に追加

半導体集積回路装置Ｕ２は、アンテナ端子ＬＡ、ＬＢ、整流回路Ｂ１、電源電圧端子Ｖ_DD、シャントレギュレータ回路Ｂ２、シリーズレギュレータ回路Ｂ３を具備する。 - 特許庁

This constitution enables decision of the trigger voltage of the semiconductor control rectifier by the threshold voltage of the MOS transistor of which the switch circuit consists.例文帳に追加

こうした構成によると、半導体制御整流器のトリガ電圧がスイッチ回路を構成するＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧により決定されることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a rectifier circuit is not supplied with a higher voltage than a predetermined level even when the device receives such a high-frequency signal as to break down elements in the circuit.例文帳に追加

回路内の素子が破壊されるような高周波信号が供給された場合においても一定以上の電圧がかからない整流回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with a substrate 5, a JFET, a back electrode 28 and a rectifier element structure (SBD formed in a bonding part of a back contact electrode 27 and an n-type layer 12).例文帳に追加

半導体装置１は、基板５と、ＪＦＥＴと、裏面電極２８と、整流素子構造(裏面コンタクト電極２７とｎ型層１２との接合部に形成されるＳＢＤ）とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an increase of reverse current in a rectifier element, and capable of preventing diffusion of impurities such as fluorine and hydrogen to a memory element.例文帳に追加

整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that suppress an influence of a fixed charge in an interlayer film formed between memory cells on a rectifier element, and further prevent wiring and electrodes from oxidizing.例文帳に追加

メモリセル間に形成される層間膜中の固定電荷による整流素子への影響を抑制でき、さらに配線及び電極の酸化を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of maintaining the characteristic of a transistor T while improving an area utilization efficiency, with a low forward direction voltage of a rectifier element D.例文帳に追加

本発明は、面積利用効率を向上しつつ、トランジスタＴの特性を維持し、更に整流素子Ｄの低順方向電圧化を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The high-efficiency electric power semiconductor rectifier device (10) includes a δP++layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+substrate (18), an anode (20), and a cathode (22).例文帳に追加

δＰ＋＋層（１２）、Ｐ−ボディ（１４）、Ｎ−ドリフト領域（１６）、Ｎ＋基板（１８）、アノード（２０）、及びカソード（２２）を含む高効率電力半導体整流デバイス（１０）が開示される。 - 特許庁