「semiconductor rectifier」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device 3 including a rectifier 4 which rectifies received power and a regulator 6 which stabilizes rectified power output to supply to inner circuits, is equipped with voltage divider circuits 5 and 7 which divide the output of the rectifier 4 and the regulator 6 respectively, and a comparator 8 which compares the output of the voltage divider circuits 5 and 7 mutually.例文帳に追加

受信電力を整流する整流器４と、整流出力を安定化して内部回路へ供給するレギュレータ６とを含む半導体装置３であって、整流器４及びレギュレータ６の出力をそれぞれ分圧する分圧回路５、７と、分圧回路５、７の出力を互いに比較する比較器８とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an antenna portion for receiving external radio waves; a rectifier circuit portion for rectifying output of the antenna portion and outputting DC voltage VDD0; a regulator circuit for receiving output of the rectifier circuit portion and outputting VDD that is a constant voltage; and a booster circuit for boosting the DC voltage VDD0.例文帳に追加

外部からの電波を受信するアンテナ部と、アンテナ部の出力を整流して直流電圧ＶＤＤ０を出力する整流回路部と、整流回路部の出力を受信して一定の電圧であるＶＤＤを出力するレギュレータ回路と、直流電圧ＶＤＤ０を昇圧する昇圧回路とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an antenna portion receiving external radio waves, a rectifier circuit portion rectifying output of the antenna portion and outputting DC voltage VDD0, a regulator circuit receiving output of the rectifier circuit portion and outputting VDD that is a constant voltage, and a booster circuit boosting the DC voltage VDD0.例文帳に追加

外部からの電波を受信するアンテナ部と、アンテナ部の出力を整流して直流電圧ＶＤＤ０を出力する整流回路部と、整流回路部の出力を受信して一定の電圧であるＶＤＤを出力するレギュレータ回路と、直流電圧ＶＤＤ０を昇圧する昇圧回路とを有する。 - 特許庁

The forced air-cooled rectifier for plating comprises a gate signal controller having a temperature detecting means and a time limiting means and inserted between agate signal generating means and a semiconductor element.例文帳に追加

温度検出手段と限時手段とからなるゲート信号コントローラを形成して，ゲート信号生成手段と半導体素子の中間に挿入するメッキ用強制風冷式整流装置を構成する。 - 特許庁

By simultaneously applying voltage to all the plurality of trimming circuits (11-14) and turning selected switching elements (15-18) on, selected semiconductor rectifier elements (5-8) can be shorted to be broken down.例文帳に追加

複数のトリミング回路（１１〜１４）の全てに同時に電圧を印加し且つ選択されたスイッチ素子（１５〜１８）をオンすることにより選択された前記半導体整流素子（５〜８）を短絡破壊できる。 - 特許庁

To provide a reliable alternator wherein vibration in a terminal to which an external load is connected is prevented from being transmitted to a semiconductor device attached to the cooling plate of a rectifier instrument.例文帳に追加

外部負荷が接続されるターミナルの振動を整流装置のクーリングプレートに装着される半導体素子へ伝達されるのを阻止して、信頼性の高い交流発電機を提供することにある。 - 特許庁

The rectifier has a first semiconductor region of a first conductive type to which an impurity of a first impurity density is injected and a second semiconductor region of a second conductive type to which an impurity of a second impurity density that is lower than the first impurity density is injected.例文帳に追加

整流素子は、第１の不純物濃度で不純物が導入された第１導電型の第１半導体領域と、第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度で不純物が導入された第２導電型の第２半導体領域とを有する。 - 特許庁

A semiconductor circuit comprises: a high-side switch; a rectifier connected in series with the high-side switch; a control circuit controlling ON or OFF of the high-side switch; and a low-side circuit.例文帳に追加

実施形態によれば、ハイサイドスイッチと、前記ハイサイドスイッチと直列に接続された整流素子と、前記ハイサイドスイッチをオンまたはオフに制御する制御回路と、ローサイド回路と、を備えた半導体回路が提供される。 - 特許庁

To provide a DC power supply apparatus with a transformer, capable of achieving high-frequency operation of a semiconductor switch by attaching an auxiliary circuit for suppressing switching loss, and a countermeasure circuit for surge voltage generated by a rectifier diode.例文帳に追加

トランスを備えた直流電源装置において、半導体スイッチの高周波動作化のために、スイッチング損失を低減する補助回路と整流ダイオードの発生するサージ電圧の対策回路を設ける。 - 特許庁

When power to a semiconductor NCU (SDAA) from a modem is interrupted when the equipment is in SLEEP in the non-ringing call termination mode, a circuit for automatically connecting the rectifier circuit to the telephone set and the off-hook detection circuit side is provided.例文帳に追加

無鳴動着信モードで装置がＳＬＥＥＰ時にモデムから半導体ＮＣＵ（ＳＤＡＡ）への電源を断った時に、自動的に整流回路を電話機とオフフック検知回路側に接続する回路を設けた。 - 特許庁

The rectifier circuit further comprises a cut-off circuit 5 for eliminating input of the control signal to the element 7 when the power source is stopped to be operated, and an auxiliary semiconductor switching element 18 for turning off the element 17.例文帳に追加

電源が動作を停止する際に、制御信号が主スイッチ素子７に入力されないようにする遮断回路５と、転流用半導体スイッチ素１７をオフさせる補助半導体スイッチ素子１８を備える。 - 特許庁

In the body sections 72 and 66, cooling passages 78 and 68 for conducting cooling medium to each pressure contact part of the stacked semiconductor elements 14a-14c and rectifier elements 18a-18c are formed.例文帳に追加

本体部７２、６６の内部には、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃの各圧接部位に対応して冷却媒体を通流させる冷却通路７８、６８が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes an antenna 101 which generates AC voltage, a rectifier circuit 102 which rectifies the AC voltage and generates internal voltage Vin, a first protection circuit 107, and a second protection circuit 108.例文帳に追加

半導体装置は、交流電圧を生成するアンテナ１０１と、交流電圧を整流し、内部電圧Ｖｉｎを生成する整流回路１０２と、第１の保護回路１０７と、第２の保護回路１０８と、を有する。 - 特許庁

On/off timing and the sequence, of an input complementary switch consisting of a parasitic body diode and a controllable semiconductor CBS having in parallel a parasitic capacity, an output switch consisting of a controllable semiconductor VBS having in parallel a parasitic capacity, and a complementary output switch which is a semiconductor rectifier having in parallel the parasitic capacity, are controlled.例文帳に追加

寄生ボディダイオード及び寄生容量を並列に持つ制御可能半導体ＣＢＳから成る入力相補スイッチ、寄生容量を並列に持つ制御可能半導体ＶＢＳから成る出力スイッチ、寄生容量を並列に持つ半導体整流器である相補出力スイッチのオン及びオフのタイミング及びシーケンスを制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-protection circuit capable of protecting a rectifier diode from an overvoltage by exactly bypassing a surge voltage with a simple structure when a switching surge excesses a rated value at the time of starting a threshold voltage between diode terminals.例文帳に追加

ダイオード端子間電圧の立ち上がり時に発生するスイッチングサージが定格値を超えるときに、このサージ電圧を簡易な構成で確実にバイパスさせ、整流ダイオードを過電圧から保護する半導体保護回路を提供する。 - 特許庁

The first and second cooling mechanisms 22 and 24 comprise body sections 72 and 66 for imparting a uniform load to the stacked semiconductor elements 14a-14c and rectifier elements 18a-18c in the stacking direction.例文帳に追加

第１および第２冷却機構２２、２４は、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃに対し、それぞれ積層方向に均等な荷重を付与するための本体部７２、６６を備える。 - 特許庁

When the first and second planar conductive members 34 and 36 are held between body parts 66 and 72, a pressure contact load is imparted to the stacked semiconductor elements 14a-14c and the stacked rectifier elements 18a-18c in the stacking direction.例文帳に追加

第１および第２板状導電部材３４、３６は、本体部６６、７２に挟持されることにより、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃに積層方向に圧接荷重が付与される。 - 特許庁

The first cooling mechanism 22 resists against application of an offset load to the stacked semiconductor elements 14a-14c and stacked rectifier elements 18a-18c and swingably supports a plurality of offset load absorbing parts 80 equipped with a heat dissipating function.例文帳に追加

第１冷却機構２２は、半導体素子積層体１４ａ〜１４ｃおよび整流素子積層体１８ａ〜１８ｃに偏荷重が付与されることを阻止するとともに、放熱機能を備えた複数の偏荷重吸収部８０を揺動可能に支持する。 - 特許庁

This static eliminator is provided with an A.C. power source 1, transformers 32 and 42, voltage doubler rectifier circuits 3 and 4, a switch control circuit 8, a discharge electrode 7 and the like, where switches 2a and 2b and semiconductor switches Sa and Sb are arranged on the primary side and secondary side, respectively.例文帳に追加

除電装置は、交流電源１、トランス３２、４２、倍電圧整流回路３，４、スイッチ制御回路８、放電電極７等を備え、一次側にはスイッチ２ａ、２ｂを設け、二次側には半導体スイッチＳａ、Ｓｂを設けている。 - 特許庁

The synchronous rectifier circuit for the switching power source comprises a control circuit 2 for driving a main switch element 7, a semiconductor switch element 17 for a communication for supplying a current synchronously with on and off of the element 7, and a drive transformer 10 driven based on the output of the circuit 2.例文帳に追加

主スイッチ素子７を駆動する制御回路２と、主スイッチ素子７のオン・オフに同期して電流を流す転流用半導体スイッチ素子１７と、制御回路２の出力に基づいて駆動されるドライブトランス１０とを備える。 - 特許庁

When turning off the auxiliary semiconductor device Q2, as current does not flow across DC output terminals of a full-wave rectifier circuit 4 and the capacitor C1 does not charge, the triac Q1 holds off-state and power is not supplied from a commercial AC voltage source e to the load 1.例文帳に追加

補助半導体スイッチング素子Q2をオフすると、全波整流回路４の直流出力端子間に電流が流れず、コンデンサC1を充電しないため、トライアックQ1はオフ状態を維持し、商用交流電源ｅから負荷１に電力を供給しない。 - 特許庁

The conductive noise filter is applied to a system including: a rectifier 4 that converts the output of an AC power supply 1 into DC voltage; and a power converter 6 that converts a DC voltage into an AC voltage by switching operation of a power semiconductor element.例文帳に追加

交流電源１の出力を直流電圧に変換する整流器４と、電力用半導体素子のスイッチング動作により直流電圧を交流電圧に変換する電力変換器６とを有する系に適用される伝導性ノイズフィルタである。 - 特許庁

To provide an optical coupler that can reduce an electromagnetic induction noise (EMI noise) produced at both ends of a semiconductor control rectifier element connected to its output side without giving adverse effect onto the service life of a light emitting element provided at its input side.例文帳に追加

入力側に設けられた発光素子の寿命に悪影響を及ぼすことなく出力側に接続される半導体制御整流素子の両端に発生する雑音端子間電圧（ＥＭＩノイズ）を低減することができる光結合装置を提供する。 - 特許庁

When an auxiliary semiconductor device Q2 is turned on in a switch control circuit 5, current flows across DC output terminals of a full- wave rectifier circuit 4, and then charges a capacitor C1, thereby turning on a triac Q1 and supplying a power from a commercial AC voltage source e to the load 1.例文帳に追加

スイッチ制御回路５で補助半導体スイッチング素子Q2をオンすると、全波整流回路４の直流出力端子間に電流が流れ、コンデンサC1を充電してトライアックQ1をオン状態し、商用交流電源ｅから負荷１に電力を供給する。 - 特許庁

The MOS transistor 33 can be incorporated into an IC as a unit with a CMOS inverter or the like which constitutes the inverting amplifier 32 in the normal transistor making process, and can be made into a single chip IC together with the RMSDC converter 34 comprising a semiconductor rectifier or the like.例文帳に追加

前記ＭＯＳトランジスタ３３は反転増幅器３２を構成するＣＭＯＳインバータ等と一体で通常のトランジスタ作成プロセスでＩＣ内に作込むことができ、半導体整流器等を備えて構成される前記ＲＭＳＤＣコンバータ３４と共に１チップＩＣすることができる。 - 特許庁

A semiconductor module Ms is composed of a switching element Tq, a diode DP, a surge suppressing capacitor Cn, and an inverter circuit Inv, and further it is provided properly with terminals a-b for capacitors, a terminal to be connected with a rectifier circuit DB, a terminal to be connected with a control motor M, etc.例文帳に追加

半導体モジュールＭｓは、スイッチング素子ＴｑとダイオードＤＰとサージ抑制コンデンサＣｎとインバータ回路Ｉｎｖとから構成され、更に、コンデンサ用端子ａ〜ｂ、整流回路ＤＢに接続される端子、制御モータＭに接続される端子等が適宜設けられている。 - 特許庁

The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

A power supply device 1 comprises: a transformer 2 that has a primary coil and a secondary coil; a semiconductor element 3 that constitutes a rectifier circuit connected to the secondary coil side of the transformer 2; at least one smoothing component (a choke coil 41) that constitutes a smoothing circuit smoothing an output voltage; and base plate 5 on which these components are mounted.例文帳に追加

一次コイル及び二次コイルを備えたトランス２と、トランス２の二次コイル側に接続された整流回路を構成する半導体素子３と、出力電圧を平滑化する平滑回路を構成する少なくとも一つの平滑部品（チョークコイル４１）と、これらの部品を搭載するベースプレート５とを備えた電源装置１。 - 特許庁

The battery system electrically connects in parallel an electronic device having a rectifying function such as a rectifier and the like, and rectifying units 30A to 30F comprising at least one of rectifying interfaces such as metal/semiconductor interface and the like, to each of unit cells 10A to 10F electrically connected in series.例文帳に追加

電気的に直列に接続された単位セル１０Ａ〜１０Ｆの各々に対して、整流器などの整流機能を有する電子素子、および、金属−半導体界面などの整流作用を有する界面のうち少なくとも一方よりなる整流部３０Ａ〜３０Ｆを、電気的に並列に接続する。 - 特許庁

The rectifier element 10 can select a state where the difference in potential between the Schottky electrodes 3, 5 and the cathode electrode 4 changes, thereby applying a current between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 is made into a depletion layer to disconnect a current path.例文帳に追加

ショットキー電極５およびショットキー電極３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

When the absolute value of the AC voltage generated in the antenna 101 is larger than a certain value, the first protection circuit 107 cuts the surplus, the second protection circuit 108 functions when the level of the internal voltage Vin generated in the rectifier circuit 102 is high, and by changing resonant frequency, the second protection circuit 108 can decrease the number of signals input to the semiconductor device.例文帳に追加

第１の保護回路は、アンテナ１０１で生成される交流電圧の絶対値がある値よりも大きい場合に、その余剰分をカットし、第２の保護回路１０８は、整流回路１０２で生成された内部電圧Ｖｉｎが大きい場合に機能し、共振周波数をずらすことにより、半導体装置に入力される信号を減少させることができる。 - 特許庁