「semiconductor strain gauge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the other strain gauge, a detecting section 300 of diffused resistor strain gauge type, constituted by a diffused resistor strain gauge 310, is disposed on a semiconductor sensor chip 100, and the semiconductor sensor chip 100 is installed via low-melting glass 24, on the detecting section 200 of thin-film resistor strain gauge type.例文帳に追加

もう一つとして、半導体センサチップ１００に拡散抵抗歪みゲージ３１０で構成された拡散抵抗歪みゲージ式検出部３００を設け、低融点ガラス２４を介して薄膜抵抗歪みゲージ式検出部２００上に半導体センサチップ１００を設置する。 - 特許庁

To stabilize characteristics for a long period of time and stabilize the conversion coefficient of a strain generated in the strain sensor chip corresponding to a strain of a subject to be measured, within a strain range, in a semiconductor strain sensor having a semiconductor strain sensor gauge.例文帳に追加

半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、測定対象物の歪に応じて歪センサーチップに生じる歪の変換係数が、歪測定レンジにおいて安定にする。 - 特許庁

To provide a pressure sensor which can reduce the size of semiconductor chips constituting a strain gauge.例文帳に追加

歪ゲージを構成する半導体チップのサイズ縮小が行える圧力センサを提供する。 - 特許庁

In the bed scale 100, the weight is measured in accordance with the output signal of the metal strain gauge 123 excellent in its accuracy and the active information is estimated in accordance with the output signal of the semiconductor strain gauge 124 excellent in its responsiveness.例文帳に追加

ベッドスケール１００では、精度に優れた金属歪ゲージ１２３の出力信号に基づいて重量が計測され、応答性に優れた半導体歪ゲージ１２４の出力信号に基づいて活動情報が計測される。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain sensor using a semiconductor strain gauge, which can ensure stable characteristics for a long period and perform accurate strain measurement even when mounted on a measuring object differed in coefficient of thermal expansion from a strain sensor chip by minimizing the effect of a thermal strain resulting from the difference in coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因する熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。 - 特許庁

A gauge part whose electric resistance is changed by strain of a semiconductor crystal is formed on a bonding surface with the pressure-receiving member of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の受圧部材との接合面には、半導体結晶が歪むことによって電気抵抗が変化するゲージ部が形成されている。 - 特許庁

The device comprises a semiconductor strain gauge (20) fixed on a member to be measured (10), a transmission module (30) consisting of an integrated circuit fixed to the member to be measured for radio-transmitting the output of the semiconductor strain gauge, and a small battery (40) fixed to the member to be measured for supplying electric power to the semiconductor strain gauge and the transmission module.例文帳に追加

被測定部材（１０）に固定される半導体ひずみゲージ（２０）と、半導体ひずみゲージの出力を無線送信する被測定部材に固定される集積回路からなる送信モジュール（３０）と、半導体ひずみゲージ及び送信モジュールに電力を供給する被測定部材に固定される小型電池（４０）とからなる。 - 特許庁

A compression load sensing element 3 comprising a semiconductor type strain gauge is provided at a lower portion of a diaphragm 2 for receiving combustion pressure of an internal combustion engine.例文帳に追加

内燃機関の燃焼圧力を受けるダイアフラム２の下部に半導体式歪ゲージからなる圧縮荷重検出素子３が設けられる。 - 特許庁

A pressure-sensitive element 4' constituted by forming a diaphragm 1, a strain gauge 2 and an electrode part 3 on a semiconductor substrate 4 is jointed to a stem 9 of an insulation substrate.例文帳に追加

半導体基板４にダイアフラム１，歪ゲージ２，電極部３を形成して成る感圧素子４´が絶縁基板たるステム９に接合される。 - 特許庁

To provide a force or pressure sensor array using a semiconductor strain gauge that simultaneously possesses flexibility, elasticity, and rigidness.例文帳に追加

柔軟性、伸縮性、及び強固性を同時に行う半導体ストレインゲージを用いた力または圧力センサアレイを提供する。 - 特許庁

A semiconductor strain gauge 14 is fixed to a sensor outer wall surface of the diaphragm 18 via an adhesive glass layer 12.例文帳に追加

ダイアフラム１８のセンサ外側壁面には、接着用ガラス層１２を介して半導体歪みゲージ１４が固定される。 - 特許庁

To provide a strain measuring device capable of suppressing the rotation of semiconductor stain gauge and exactly measuring.例文帳に追加

半導体歪みゲージの回転を抑制すると共に正確な測定を可能にする歪み測定装置を提供する。 - 特許庁

The block 120 has a semiconductor substrate 122, first insulation layers 124, and the strain gauge parts 126.例文帳に追加

力検知ブロック１２０は、半導体基板１２２と、第１絶縁層１２４と、歪みゲージ部１２６を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain gauge, which is applicable instead of a conventional metal foil strain gauge to measure the strain of a very small member since the mechanical strength of a sensor itself is low and the temperature drift of the output is small and can obtain a large output even for fine strain, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、センサ自体の機械強度が低く、加えて出力の温度ドリフトが小さいことから、微小部材の歪み計測に当たって従来の金属箔歪みゲージの代わりに適用可能で、しかも、微小な歪みに対しても大きな出力を得ることが可能な半導体歪みゲージおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The strain measuring device provided with a semiconductor strain gauge 1 pasted on a strain element using glass paste is characterized in that the semiconductor stain gauge 1 has a circuit substrate 3 provided with a piezoresistive element 2 and a rotation suppression extension part 4 extending from the circuit substrate 3, and that the rotation suppression extension part 4 is extending from at least one side of the two facing sides of the circuit substrate 3.例文帳に追加

ガラスペーストを用いて起歪体に貼り付けられる半導体歪みゲージ１を備えた歪み測定装置であって、前記半導体歪みゲージ１はピエゾ抵抗素子２が設けられた回路基板部３と、回路基板部３から延びている回転抑制延出部４とを有しており、回路基板部３の対向する２辺の少なくとも一方から回転抑制延出部４が延びていることを特徴とする。 - 特許庁

Strain gauge circuit 201, 202 are formed in an area near power semiconductor elements 151, 152 including regions of the power semiconductor elements 151, 152 such upper surfaces of the power semiconductor elements 151, 152.例文帳に追加

パワー半導体素子１５１，１５２の上面など、パワー半導体素子１５１，１５２の領域を含むパワー半導体素子１５１，１５２の近傍に、ひずみゲージ回路２０１，２０２を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain gauge and the manufacturing method for preventing generation of channels in the semiconductor strain gauge, which stabilizes the resistance value of output by preventing the generation of channel which tends to be generated between electrodes pads, when impurities and charge are adhered around a diffusion resistor region, or when the impurity concentration of the semiconductor substrate is low, and which can be used for various acceleration sensors, pressure sensors, etc.例文帳に追加

半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The load converter has a flexure element 122 distorted in accordance with the load transmitted by the load transmitting part 125, a metal strain gauge 123 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122 and a semiconductor strain gauge 124 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122.例文帳に追加

荷重変換器は、荷重伝達部１２５から伝達された荷重に応じて歪む起歪体１２２と、起歪体１２２に貼り付けられ、起歪体１２２の歪に応じた電気信号を出力する金属歪ゲージ１２３と、起歪体１２２に貼り付けられ、起歪体１２２の歪に応じた電気信号を出力する半導体歪ゲージ１２４とを有する。 - 特許庁

At least one semiconductor or metal-foil strain gauge is fixed to the center support for measuring the bending force or distortion force at the distal end of the catheter.例文帳に追加

１つ以上の半導体または金属箔の歪みゲージが、カテーテルの遠位先端部での曲げ力およびねじれ力の測定をもたらすために、中心支柱に固定されている。 - 特許庁

To achieve a configuration suited for the improvement of sensitivity and precision in a pressure sensor in which a semiconductor substrate having a strain gauge is fixed onto the surface of the diaphragm of a metal stem having a diaphragm for detecting pressure.例文帳に追加

圧力検出用のダイアフラムを有する金属ステムのダイアフラムの表面に、歪みゲージを有する半導体基板を固定してなる圧力センサにおいて、感度の向上および精度の向上に適した構成を実現する。 - 特許庁

In one style of this semiconductor strain gauge, the gauge has a semiconductor substrate where a flexible thin film provided with plural electrodes and plural electric elements are formed; and the flexible thin film is adhered to the semiconductor substrate and the electrodes and electric elements are electrically connected.例文帳に追加

本発明の一態様によると、複数の電極が設けられた可撓性薄膜と、複数の電気素子が形成された半導体基板とを有し、上記可撓性薄膜は上記半導体基板に被着されており、上記複数の電極と上記複数の電気素子とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体歪ゲージが提供される。 - 特許庁

To realize a structure; in which the difference in the incremental resistance between center gauges and side gauges receiving thermal stress is equalized, as much as possible, even a different thermal stress is imparted on the center gauges and the side gauges, in a semiconductor pressure sensor provided with a diaphragm and strain gauge resistances on a semiconductor substrate of (110) face.例文帳に追加

主表面が（１１０）面である半導体基板にダイアフラムおよび歪みゲージ抵抗とを形成してなる半導体圧力センサにおいて、センターゲージとサイドゲージに加わる熱応力に差があっても、両者の抵抗変化量が極力等しくなるゲージ構造を実現する。 - 特許庁

A base plate 31 which causes plastic deformation is provided in a sensor body 37 and provided with a semiconductor diaphragm part 33 equipped with a semiconductor strain gauge 34, and the sensor body 37 is provided with a pressure introduction part which makes fluid pressure operate on the base plate 31.例文帳に追加

センサ本体３７内に塑性変形を生じることのない台板３１を設け、この台板３１に半導体歪みゲージ３４を備えた半導体ダイアフラム部３３を設け、且つ、流体圧を台板３１に作用せしめるための圧力導入部をセンサ本体３７に設ける。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁

The pressure sensor comprises a pressure sensor chip 1 having a semiconductor strain gauge, an IC chip 2 where an amplification circuit for amplifying the output signal of the pressure sensor chip 1 and a temperature- compensating circuit for compensating the temperature of the output signal are integrated, a body 10 in a rectangular parallelepiped shape whose one surface is open, and a cover 20 for blocking the one surface of the body 10.例文帳に追加

半導体ストレインゲージを有する圧力センサチップ１と、圧力センサチップ１の出力信号を増幅する増幅回路および出力信号の温度補償を行う温度補償回路が集積化されたＩＣチップ２と、一面が開放された直方体状のボディ１０と、ボディ１０の上記一面を閉塞したカバー２０とを備える。 - 特許庁