「semipolar」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a light emitting diode which is produced on a semipolar plane and has satisfactory light emitting characteristics.例文帳に追加

半極性面上に作製され良好な発光特性の発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The direction is specifically a -c axis direction, an m axis direction or a normal direction of a semipolar face.例文帳に追加

具体的には、−ｃ軸方向、ｍ軸方向、または、半極性面の法線方向である。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser to provide a low threshold by utilizing a semipolar surface.例文帳に追加

半極性面を用いて低しきい値を提供できるIII族窒化物半導体レーザを提供する。 - 特許庁

DEVICE STRUCTURE HAVING SEMIPOLAR NITRIDE, AND CHARACTERIZED IN NITRIDE NUCLEATION LAYER OR BUFFER LAYER例文帳に追加

半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造 - 特許庁

In the nitride semiconductor growth substrate with the semipolar plane, an AlN, GaN, or AlGaN buffer layer is formed on a principal plane of a sapphire substrate having a semipolar plane.例文帳に追加

半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、ＡｌＮ,ＧａＮ又はＡｌＧａＮバッファ層を形成してなることを特徴とする半極性面を有する窒化物半導体成長基板。 - 特許庁

For example, a semipolar organic boron compound or an organic boron polymer such as a complexed material of a semipolar organic boron compound and a hydrophilic base polymer has a performance of hard water soluble while having string affinity and swelling characteristics to the aqueous ink, and repeatedly has a semipolar bond in a molecule.例文帳に追加

例えば半極性有機ホウ素化合物、もしくは半極性有機ホウ素化合物と親水性基体高分子との複合化物のような有機ホウ素系高分子は、水性インクに対して強い親和性と膨潤性を有しながら水に難溶という性能を兼ね備え、分子内に半極性結合を繰り返し持つ。 - 特許庁

To provide a method for producing a semipolar group III nitride substrate having a low defect density and high quality.例文帳に追加

欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser capable of providing a low threshold by using a semipolar surface.例文帳に追加

半極性面を用いて低しきい値を提供できるIII族窒化物半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser diode capable of performing laser oscillation of light not less than 500 nm by semipolar surfaces.例文帳に追加

半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

In a group-III nitride semiconductor optical element 11a, a principal plane 13a of a semiconductor region 13 is nonpolar or semipolar.例文帳に追加

III族窒化物半導体光素子１１ａでは、半導体領域１３の主面１３ａは無極性又は半極性を示す。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser diode capable of lasing to emit light of 500 nm or more using a semipolar plane.例文帳に追加

半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

Further, there is provided a method for involving an amphoteric surfactant and/or bipolar surfactant and/or semipolar surfactant therein.例文帳に追加

さらに両性界面活性剤及び／又は双極性界面活性剤及び／又は半極性界面活性剤を含有させる方法。 - 特許庁

A semiconductor laser device 11 comprises: a supporting substrate 17 that is composed of a hexagonal group-III nitride semiconductor and has a semipolar primary surface 17a; and a laser structure 13 that is provided on the semipolar primary surface 17a and includes an active layer 25 composed of a gallium nitride-based semiconductor.例文帳に追加

半導体レーザ素子１１は、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面１７ａを有する支持基板１７と、半極性主面１７ａ上に設けられた、窒化ガリウム系半導体からなる活性層２５を含むレーザ構造体１３とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride semiconductor laser having an excellent cleavage plane by using a GaN wafer having a semipolar plane.例文帳に追加

半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics.例文帳に追加

この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium-nitride-based semiconductor laser having a high quality cleavage plane using a GaN wafer having a semipolar plane.例文帳に追加

半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

The group III element nitride semiconductor laser element 11 has a laser waveguide extending in a direction of a line of intersection between the m-n face and the semipolar face 17a.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor laser element 11 has a laser waveguide, extending in a direction of a cross line between the a-n plane and the semipolar surface 17a.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ａ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laser element 11 has a laser waveguide extending in a direction of a line of intersection between the m-n plane and the semipolar plane 17a.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

A composite includes an organosiloxane derivative represented by structural formula (1) and an amphoteric surface active agent and/or a semipolar surface active agent.例文帳に追加

構造式（１）で表されるオルガノシロキサン誘導体と、両性界面活性剤及び／又は半極性界面活性剤とからなることを特徴とする複合体。 - 特許庁

After the principal plane of the sapphire substrate having the (11-22) semipolar plane is subjected to unevenness processing, the AlN, GaN, or AlGaN buffer layer is formed.例文帳に追加

（１１−２２）半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、凹凸加工を施した後、ＡｌＮ,ＧａＮ又はＡｌＧａＮバッファ層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser diode outputting polarized light generated in an active layer having a semipolar surface as a principal surface, while suppressing increase of a threshold.例文帳に追加

半極性面を主面とする活性層で発生した偏光を、しきい値の上昇を抑制して出力できる半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

The III-nitride semiconductor laser element 11 comprises a laser waveguide extending in a direction of a cross line between an m-n plane and a semipolar plane 17a.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

A semiconductor element structure is formed on the AlN, GaN, or AlGaN buffer layer formed on the principal plane of the sapphire substrate having the (11-22) semipolar plane.例文帳に追加

（１１−２２）半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、形成したＡｌＮ又はＡｌＧａＮバッファ層上に半導体素子構造を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element which is improved in luminous efficiency using a group-III nitride semiconductor having a nonpolar plane or semipolar plane as a growth principal plane.例文帳に追加

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、発光効率の向上された半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The pair of torn surfaces 27 and 29 cross the plane defined by the c-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor and the normal axis of the semipolar primary surface 17a.例文帳に追加

一対の割断面２７，２９は、六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸と、半極性主面１７ａの法線軸とによって規定される面とそれぞれ交差する。 - 特許庁

A semiconductor laminate 15 is provided on a group III nitride principal surface 13a which shows semipolar, and has an opening 16 reaching the principal surface 13a.例文帳に追加

半導体積層１５が、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａ上に設けられ、半導体積層１５が主面１３ａに到達する開口１６を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element improved in luminous efficiency by using a group III nitride semiconductor using a nonpolar surface or a semipolar surface as a growth principal surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、発光効率の向上された半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of a structure capable of suppressing occurrence of a crack by using a group III nitride semiconductor using a nonpolar surface or a semipolar surface as a growth principal surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、クラックの発生を抑制できる構造の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The detergent composition comprises (A) a 12-18C fatty acid salt, (B) an amphoteric surfactant and/or a semipolar surfactant and (C) a polyglycerin monoalkyl ether.例文帳に追加

（Ａ）炭素数１２〜１８の脂肪酸塩と、（Ｂ）両性界面活性剤及び／又は半極性界面活性剤と、（Ｃ）ポリグリセリンモノアルキルエーテルとを含有する洗浄剤組成物。 - 特許庁

The liquid finishing agent composition contains (A) a silicone compound, (B) a water-soluble polymer compound having cationicity and (C) an ampholytic surfactant or a semipolar surfactant.例文帳に追加

(A)シリコーン化合物、(B)カチオン性を有する水溶性高分子、及び(C)両性界面活性剤又は半極性界面活性剤を含有する液体仕上げ剤組成物。 - 特許庁

To provide a group III nitride light emitting element having an emission peak wavelength of 410 nm or longer, and including a luminescent layer of a quantum well structure formed on a semipolar surface.例文帳に追加

波長４１０ｎｍ以上の発光ピーク波長を有しており半極性面上に設けられた量子井戸構造の発光層を含むIII族窒化物発光素子を提供する。 - 特許庁

The support base 13 has a principal plane 13a of the semipolar plane, and the principal plane inclines in a predetermined off direction at an off angle within 10-40 degrees from the c plane of the hexagonal system GaN.例文帳に追加

支持基体１３は、半極性面の主面１３ａを有しており、この主面は、該六方晶系ＧａＮのｃ面から１０度〜４０度の範囲内のオフ角度で所定のオフ方向に傾斜している。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device wherein a low threshold voltage is obtained using a group III nitride semiconductor having a nonpolar plane or a semipolar plane serving as a growth principal plane, and light emission efficiency is improved.例文帳に追加

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて低閾値電流を実現し、かつ、発光効率が向上された半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In a group III nitride semiconductor laser element 11, it is possible to use light emission of a band transition which makes a low threshold current possible, because a laser waveguide is extended in a direction of the crossing line of the m-n surface and a semipolar surface 17a.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁

The silicone emulsion (A) contains (a) 5-80 wt% polyorganosiloxane (in a silicone emulsion) having a viscosity of 0.1-5,000 Pa s, (b) 0.5-50 wt.% amphoteric surfactant and/or semipolar surfactant, and (c) water.例文帳に追加

（Ａ）シリコーンエマルジョンは、（ａ）粘度０．１〜５，０００Ｐａ・ｓのポリオルガノシロキサン５〜８０重量％（シリコーンエマルジョン中）と、（ｂ）両性界面活性剤および／または半極性界面活性剤０．５〜５０重量％と、（ｃ）水を含む。 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor light-emitting element, which can enhance the proportion of incorporated In in a step of growing an active layer containing In on a GaN substrate, having a semipolar plane as main surface.例文帳に追加

半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The detergent composition comprises (A) one or two or more surfactants selected from among an anionic surfactant, an amphoteric surfactant and a semipolar surfactant, (B) an antibacterial component and (C) a polyglycerin monoalkyl ether.例文帳に追加

（Ａ）アニオン界面活性剤、両性界面活性剤及び半極性活性剤から選ばれる１種又は２種以上の界面活性剤と、（Ｂ）抗菌成分と、（Ｃ）ポリグリセリンモノアルキルエーテルとを含有する洗浄剤組成物。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar plane of a support base body in which a c-axis of a hexagonal group III nitride is inclined in an m-axis direction.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III element nitride semiconductor laser element having a laser resonator with a high oscillation yield on a semipolar face of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III element nitride is inclined in the m-axis direction.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、高い発振歩留まりのレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser device including a laser resonator allowing a low threshold current on a semipolar surface of a support substrate where the c-axis of hexagonal group III nitride is inclined in the direction of the m-axis.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element with a laser resonator, allowing a low-threshold current on a semipolar surface of a supporting base wherein the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the a-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がａ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laser element 11 includes a laser waveguide extending in a direction of a line of intersection of the m-n plane and semipolar plane 17a so as to utilize light emission of band transition allowing a low threshold current.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用するために、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having an electrode to come in excellent ohmic contact with a p-type group-III nitride semiconductor layer including a nonpolar or semipolar surface as a principal surface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

非極性面または半極性を主面とするｐ型のIII族窒化物半導体層に対して、良好なオーミックコンタクトをとることができる電極を有する窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁