「single rate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

HDSL(high bit rate DSL) can carry as much on a single wire of twisted-pair as can be carried on a T1 line in North America. 例文帳に追加

HDSL(high bit rate DSL)は,単一のツイストペア線上で,北米のT1回線と同じだけ搬送ができる． - コンピューター用語辞典

The method for growing a single silicon crystal further contains controlling the rotation rate of the crucible to ≤5 rotations/min and controlling the rotation rate of the single crystal to ≥13 rotations/min.例文帳に追加

(4)るつぼの回転速度を5回転／分以下、かつ単結晶の回転速度を13回転／分以上とする(1)のシリコン単結晶育成方法。 - 特許庁

To improve the voltage utilization rate of a single/three phase direct conversion device.例文帳に追加

単相／三相直接変換装置の電圧利用率を改善する。 - 特許庁

To drive a LD with a single power source regardless of a bit rate.例文帳に追加

ビットレートにかかわらず、単一電源でＬＤを駆動する。 - 特許庁

SINGLE-PASS GUARANTEED-FIT DATA COMPRESSION METHOD USING RATE FEEDBACK例文帳に追加

レート帰還を使用したシングルパスフィット保証データ圧縮方法 - 特許庁

Single data rate mode signals CL1, BL1 are activated, and a double data rate synchronous DRAM integrated circuit device is operated with a single data rate mode.例文帳に追加

シングルデータレートモード信号ＣＬ１、ＢＬ１を活性化してダブルデータレート同期式ＤＲＡＭ集積回路装置をシングルデータレートモードで動作させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor single crystal pulling process which manufactures a high quality semiconductor single crystal by decreasing the diameter variation of the semiconductor single crystal, controlling the variation of the pulling rate that is the manipulated variable of the diameter control and pulling the semiconductor single crystal as set.例文帳に追加

半導体単結晶の直径変動を低減し、その直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制し、設定通りの半導体単結晶を引上げて、高品質な半導体単結晶を製造する。 - 特許庁

The lowermost absorbent single body 10 has a flexural rigidity higher than that of the upper absorbent single body 20, and further the lowermost absorbent single body 10 has a compression restoring rate higher than that of the upper absorbent single body 20.例文帳に追加

最下部吸収単体１０は、上部吸収単体２０よりも曲げ剛性が高く、最下部吸収単体１０の圧縮回復率も上部吸収単体２０よりも高く設定されている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL LiMn2O4 NANOWIRE AND HIGH-RATE LITHIUM ION BATTERY USING THE SINGLE CRYSTAL LiMn2O4 NANOWIRE例文帳に追加

単結晶ＬｉＭｎ２Ｏ４ナノワイヤーの製造方法及び単結晶ＬｉＭｎ２Ｏ４ナノワイヤーを用いたハイレートＬｉイオン電池 - 特許庁

To provide a feed material for epitaxial growth of single crystal silicon carbide enabling to increase epitaxial growth rate of single crystal silicon carbide.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an aluminum nitride single crystal by which the growth rate of the aluminum nitride single crystal is enhanced.例文帳に追加

窒化アルミニウム単結晶の成長速度の向上を図った窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal, by which the productivity of single crystal rods is enhanced without lowering the dislocation-free rate in a diameter-enlarged part.例文帳に追加

拡径部における無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To detect a blood circulation flow rate with a single blood oxygen saturation analyzer and a single respiration controller.例文帳に追加

ただ一つの血酸素飽和度分析器及び一つの呼吸制御器によって人の血液循環流速を検出。 - 特許庁

To provide a pulling method for a single crystal high in single crystallization rate, productivity and favorable in use efficiency of raw material silicon.例文帳に追加

単結晶化率がよく、生産性がよく、かつ、原料シリコンの利用効率のよい単結晶引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal production process which enables prevention of temperature fluctuation due to melt convection from being caused and improvement in single-crystallized rate.例文帳に追加

融液対流による温度振動を防止して単結晶化率を向上させることができる単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal by which a unitary single crystal having a flat growth surface can be stably obtained at a high growth rate.例文帳に追加

平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a non dislocation rate of a pulled up single crystal rod, by controlling thermal stress of inside of the single crystal rod.例文帳に追加

単結晶棒内部の熱応力を制御して、引き上げられた単結晶棒の無転位化率を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a production method for an AlN single crystal by which the AlN single crystal having few defects can be produced at high growth rate by a flux method.例文帳に追加

フラックス法により、欠陥の少ないＡｌＮ単結晶を大きな成長速度で製造可能なＡｌＮ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide silicon single crystal pulling equipment that has a higher pull-up yield and operational rate, and to provide a method for pulling a silicon single crystal.例文帳に追加

引上歩留及び稼働率がより高いシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶引上方法を提供する。 - 特許庁

To promote the reduction of the decline in growth rate of SiC single crystal, the long time growth of SiC single crystal, and the reduction of the residual amount of SiC powdered raw material.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の成長速度の低下の低減、ＳｉＣ単結晶の長時間成長、ＳｉＣ粉末原料の残留の低減を図る。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal in which the growth rate of the silicon carbide single crystal is high in comparison with that in a known solution growth method.例文帳に追加

公知の溶液成長法に比べて炭化珪素単結晶の成長速度の大きい炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

There is no indication that a single error would result in a downgrade of a given data transfer rate. 例文帳に追加

誤りが一度生じた場合に予め定められたデータ通信速度を低下させることの示唆はない。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR, CRYSTAL GROWTH RATE ENHANCEMENT AGENT, NITRIDE SINGLE CRYSTAL, WAFER AND DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法、結晶成長速度増加剤、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス - 特許庁

The method for growing a single silicon crystal further contains controlling the rotation rate of the crucible to ≤5 rotations/min.例文帳に追加

(2)るつぼの回転速度を5回転／分以下とする(1)のシリコン単結晶の育成方法。 - 特許庁

To equalize a reactant gas flow rate within a single cell while a reactant gas pressure in an electrode is heightened.例文帳に追加

電極での反応ガス圧力を高めるとともに、単セル内での反応ガス流量を均一化する。 - 特許庁

The transform coefficients are selected and combined such that the data rate remains similar as a single transform.例文帳に追加

変換係数は、データレートが単一の変換と同様のままになるように選択されて結合される。 - 特許庁

The spin transistor uses a single potential barrier structure to increase the current change rate.例文帳に追加

スピントランジスタは、電流変動率を増大するために単一のポテンシャル障壁構造を使用する。 - 特許庁

A measurement part for recording perspiration rate and a measurement part of the GSR are integrated into a single probe.例文帳に追加

発汗量記録ための測定部分とＧＳＲの測定部分を単一のプローブで一体化させる。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a nitride single crystal, which can increase a growth rate of a crystal.例文帳に追加

結晶の成長速度を向上させることが可能な窒化物単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single flow regulating valve having different flow regulating characteristics in different flow rate regions.例文帳に追加

異なる流量域において異なる流量調節特性を有する単一の流量調節弁。 - 特許庁

To provide a sprinkling apparatus capable of easily adjusting a flow rate with a single hand and simple in maintenance.例文帳に追加

片手で容易に流量調整ができ、メンテナンスも簡単な散布装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal SiC with a fast growth rate of the crystal.例文帳に追加

結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a single end heat exchanger in which durability and heat exchanging rate can be enhanced.例文帳に追加

耐用性を高め、かつ、熱交換率を上げ得るシングルエンド熱交換器を提供する。 - 特許庁

To obtain a network tester which can conduct a plurality of communication rate communication tests through a single action testing operation.例文帳に追加

複数の通信速度疎通試験をワンタッチ試験操作できるネットワーク試験器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal improved in crystal growth rate by a solution process.例文帳に追加

結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a PWM while keeping a scanning rate at the same speed as a single scanning of one filed.例文帳に追加

走査速度を１フィールドの一回走査と同じ速度にしたまま、ＰＷＭを実現する。 - 特許庁

Here, a single job constituting the critical path is displayed, and input of an improvement rate is prompted.例文帳に追加

ここでは、クリティカルパスを構成する単体ジョブを表示して改善率の入力を促す。 - 特許庁

In the early stage (step S21) of the growth of the silicon carbide single crystal, the argon gas is introduced in the reaction system at a higher flow rate than the standard flow rate A.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶の成長初期において、基準流量Ａよりも多い流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。 - 特許庁

At that time, the spring rate of the analyzing model is a single spring rate K in a tension direction on the flat surface of the belt element 17.例文帳に追加

このとき、その解析モデルのばね定数は、ベルト要素の平面部における張り方向の単一のばね定数Ｋとする。 - 特許庁

The single tickets 2 and 3 are purchasable, for example, at a discount rate of several percent for a rental and at a discount rate of tens of percent for an extension.例文帳に追加

この単券２，３は例えば、レンタル用の場合は数％の割引率で購入でき、延長用は数１０％の割引率で購入できる。 - 特許庁

To stably grow a silicon single crystal without inhibiting single crystallization rate when an N++ type silicon single crystal added with a dopant in a high concentration and having a low resistivity is pulled up.例文帳に追加

ドーパントが高濃度に添加された低抵抗率のＮ++型のシリコン単結晶の引上げるに際して、単結晶化率が阻害されることなく安定して育成することができるようにする。 - 特許庁

To provide a cost-effective method of manufacturing a silicon carbide single crystal by which the growth rate of the single crystal can be increased and a high purity silicon carbide single crystal can be obtained.例文帳に追加

結晶の成長速度を更に高めることができると共に高純度の炭化珪素単結晶を得ることができ、コスト的に有利な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a nitriding rate in single crystal growth and to prevent discoloring of a single crystal upon growing a single crystal by a flux method using a source material containing an easily oxidizing substance or easily moisture absorbing substance such as Na.例文帳に追加

Naなどの易酸化性物質または易吸湿性物質を含む原料を用いてフラックス法により単結晶を育成するのに際して、単結晶育成時の窒化率を向上させ、単結晶の着色を防止することである。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal which improves productivity of a single crystal rod without decreasing a dislocation-free rate in a neck part and an enlarged diameter part when producing the single crystal.例文帳に追加

単結晶を製造する際に、絞り込み部および拡径部において、無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal accurately controllable of a growth rate of a silicon single crystal as well as controllable of a gap upon pulling a silicon single crystal by CZ (Czochralski) method.例文帳に追加

ＣＺ法によりシリコン単結晶を引上げる際に、ギャップの制御とともにシリコン単結晶の育成速度をより高精度に制御し得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁