「source element type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LIGHT SOURCE ELEMENT FOR PROJECTION TYPE VIDEO DISPLAY DEVICE AND PROJECTION TYPE VIDEO DISPLAY DEVICE EQUIPPED WITH LIGHT SOURCE UNIT CONSTITUTED OF LIGHT SOURCE ELEMENT例文帳に追加

投写型映像表示装置の光源エレメントおよびこの光源エレメントにより構成された光源ユニットを備えた投写型映像表示装置 - 特許庁

OPTICAL ELEMENT HOLDING MECHANISM, LIGHT SOURCE DEVICE AND PROJECTION TYPE DISPLAY APPARATUS例文帳に追加

光学素子保持機構、光源装置および投影型表示装置 - 特許庁

FIELD EMISSION TYPE CATHODE SUBSTRATE, FIELD EMISSION LIGHT SOURCE, AND FIELD EMISSION TYPE DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

電界放出型カソード基板、電界放出型光源および電界放出型表示素子 - 特許庁

To stably provide a field emission type electron source element with high current density.例文帳に追加

電流密度の高い電界放出型電子源素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR APPLYING VOLTAGE TO PHOTO-ADDRESSABLE TYPE DISPLAY ELEMENT AND POWER SOURCE DEVICE, AND DRIVING DEVICE FOR THE PHOTO-ADDRESSABLE TYPE DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

光アドレス型表示素子への電圧印加方法および電源装置、並びに光アドレス型表示素子の駆動装置 - 特許庁

PHASE TYPE OPTICAL ELEMENT, LIGHT SOURCE UNIT, OPTICAL SCANNER AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

位相型光学素子、光源ユニット、光走査装置および画像形成装置 - 特許庁

A source-follower circuit is used for an offset circuit and an N channel type element is used as a source-follower TR.例文帳に追加

オフセット回路にソ−スフォロワ回路を使用し、かつソ−スフォロワトランジスタとしてＮチャネル型素子を用いる。 - 特許庁

WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, LIGHT SOURCE INTEGRATED TYPE WAVELENGTH CONVERSION DEVICE, AND ITS ASSEMBLING METHOD例文帳に追加

波長変換素子、光源一体型波長変換装置及びその組立方法 - 特許庁

The optical device is provided with a light source, a reflection type holographic optical element and a reflection type optical element that reflects at least part of a luminous flux emitted from the light source.例文帳に追加

光源と、反射型ホログラフィック光学素子と、光源から射出される光束の少なくとも１部を反射する反射型光学素子とを備えた光学装置である。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SURFACE CONDUCTION TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT, ELECTRON SOURCE AND IMAGE FORMATION DEVICE例文帳に追加

表面伝導型電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法 - 特許庁

To specify the type of a peripheral light source with the use of one semiconductor photoreceptor element.例文帳に追加

１つの半導体受光素子を用いて、周辺光源の種類を特定する。 - 特許庁

A field emission type electron source element 10a and Peltier element 30 are formed on the side of a main surface of an n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の主表面側に電界放射型の電子源素子１０ａとペルチェ素子３０とが形成されている。 - 特許庁

The EL element 13 makes a light emission display by itself and also serves as a display light source for the reflection type display element.例文帳に追加

ＥＬ素子１３は自ら発光表示すると共に、反射型表示素子の表示用光源を兼ねる。 - 特許庁

A gain element 40 and a wavelength variable filter 50 are used as a wavelength scanning type light source 10.例文帳に追加

波長走査型光源１０としてゲイン素子４０と波長可変フィルタ５０を用いる。 - 特許庁

FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRON GUN, AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

電界放出型電子源素子、その製造方法、電子銃および画像表示装置 - 特許庁

ELECTRIC FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE ELEMENT, ELECTRON GUN, AND CATHODE RAY TUBE DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

電界放出型電子源素子、電子銃及びそれを用いた陰極線管装置 - 特許庁

FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE ELEMENT, ELECTRON GUN AND CATHODE-RAY TUBE DEVICE USING THEM例文帳に追加

電界放出型電子源素子及び電子銃及びこれらを用いた陰極線管装置 - 特許庁

POLARIZATION CONVERTING ELEMENT, LIGHT SOURCE DEVICE AND PROJECTION-TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME例文帳に追加

偏光変換素子、これを備えた光源装置および投射型液晶表示装置 - 特許庁

Then, the flow velocity of the material gases including the group-III element source material, the group V element source materials, and the p-type impurity material is set larger than 0.2 m/sec.例文帳に追加

この際に、ＩＩＩ族原料、Ｖ族原料及びｐ型不純物原料を含む原料ガスの流速を０．２ｍ／ｓｅｃより大きくする。 - 特許庁

SURFACE CONDUCTION TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRON SOURCE USING SURFACE CONDUCTION TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT, AND IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加

表面伝導型電子放出素子及びその製造方法、並びに該表面伝導型電子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置 - 特許庁

A power source control part 25 and a power source supply on/off switch 36 intermittently supply a power source to the hall element 37 of the disk type jog dial part 5.例文帳に追加

電源制御部２５及び電源供給オン／オフスイッチ３６は、ディスク型ジョグダイヤル部５のホール素子３７に対し、間欠的に電源を供給する。 - 特許庁

POLARIZATION DEGREE LOWERING TYPE OPTICAL ELEMENT, AND SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY USING THE SAME例文帳に追加

偏光度低下型光学素子及びそれを用いた面光源装置並びに液晶ディスプレイ - 特許庁

A light-emitting device 1 has an emission type semiconductor element such as a light emitting diode 2 as a light source.例文帳に追加

発光装置１は、光源として発光ダイオード２のような発光型半導体素子を有する。 - 特許庁

FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE ELEMENT, CATHODE-RAY TUBE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR CATHODE-RAY TUBE例文帳に追加

電界放出型電子源素子および陰極線管装置および陰極線管の製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANODIC OXIDATION, FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

陽極酸化方法および陽極酸化装置および電界放射型電子源およびメモリ素子 - 特許庁

The element has a SiC substrate 1A in which an n^- type drift region 2 is formed between a p^+ type source region 4 and an n^+ type drain region 1.例文帳に追加

ｐ^＋形ソース領域４とｎ^＋形ドレイン領域１との間にｎ^−形ドリフト領域２が形成されたＳｉＣ基板１Ａを備える。 - 特許庁

The lamp unit 10 is made of a plurality of light source element rows 11a, 11b, wherein a plurality of light source elements 12 made from short-arc type discharge lamps and reflectors are arranged as one light source element row by lining up in one direction.例文帳に追加

ショートアーク型の放電ランプとリフレクタよりなる複数の光源素子１２を、一方向に並べて配置し、複数列の光源素子列１１ａ，１１ｂからなるランプユニット１０を構成する。 - 特許庁

Furthermore, the organic light emitting element is used as a light source of the organic EL type lighting device.例文帳に追加

また、有機ＥＬ型照明装置の光源として、上記本発明に係る有機発光素子を用いる。 - 特許庁

PROJECTION TYPE DISPLAY SYSTEM, LIGHTING UNIT, AND METHOD FOR MEASURING CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE ELEMENT IN DISPLAY SYSTEM例文帳に追加

投射型表示装置、照明装置、及び表示装置用半導体光源の素子特性測定方法 - 特許庁

A projection type video display device 100 includes an element control part 240 and a light source control part 250.例文帳に追加

投写型映像表示装置１００は、素子制御部２４０及び光源制御部２５０を有する。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source element for high performance color picture tube to which high resolution is required.例文帳に追加

高解像度が要求される高性能カラー受像管用の電界放出型電子源素子を得る。 - 特許庁

To provide a power source monitoring sensor, using a Faraday element type optical switch having higher durability at a lower cost.例文帳に追加

低コストで耐久性の高いファラデー素子型光スイッチを用いた電源監視センサを提供すること。 - 特許庁

The voltage charged to the capacitor 14 is applied between the gate-source of the P-type FET 6 through the path of the first rectifying element 15, first circuit element 7 and second circuit element 8, thereby turning on the P-type FET 6.例文帳に追加

したがって、コンデンサ１４に充電された電圧が第１の整流素子１５-第１の回路素子７−第２の回路素子８を介してＰ形ＦＥＴ６のゲート・ソース間に印加してオンする。 - 特許庁

To realize a highly precise and low-cost electron source substrate concerning the electron source substrate of a picture display device using a surface conduction type electron emitting element.例文帳に追加

表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置の電子源基板に関し、高精度，低コストの電子源基板を実現する。 - 特許庁

The NMOS switch element 2's N-type source diffusion region 9s and P-type substrate contact diffusion region 7 are arranged such that they are adjacent, and the NMOS protection element 3's N-type source diffusion region 15s and P-type substrate contact diffusion region 20 are arranged such that they are spaced.例文帳に追加

ＮＭＯＳスイッチ素子２のＮ型ソース拡散領域９ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域７は隣接して配置されており、ＮＭＯＳ保護素子３のＮ型ソース拡散領域１５ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域２０は間隔をもって配置されている。 - 特許庁

That means, the light of the source light receives action by the 1st field lens 6 and is made incident on the reflection-type modulation element 7.例文帳に追加

すなわち光源光は、第１のフィールドレンズ６で作用を受けて反射型変調素子７へ入射する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR RECTIFYING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND RECTIFYING CIRCUIT FOR POWER SOURCE OF CONTACTLESS TYPE IC CARD例文帳に追加

半導体整流素子およびその製造方法ならびに非接触型ＩＣカードの電源用整流回路 - 特許庁

To provide a projection type display using a reflection type display element capable of performing display by utilizing light from a light source with good efficiency.例文帳に追加

光源からの光を効率良く利用して表示することができる反射型表示素子を用いた投影型表示装置を提供する。 - 特許庁

The virtual image observation optical device has a reflection type spatial optical modulation element, a light source device for illumination, an eyepiece optical system and a light source optical system.例文帳に追加

虚像観察光学装置は反射型空間光変調素子と照明用光源装置と接眼光学系と光源光学系とを有する。 - 特許庁

The complete-depletion type SOI semiconductor device includes an nMOS-type element having a p-type polycrystalline SiGe gate electrode 15, a body region (channel region) 13B made of an n-type semiconductor, a source region 13S, and a drain region 13D.例文帳に追加

ｐ型多結晶ＳｉＧｅゲート電極１５並びにｎ型半導体からなるボディ領域（チャネル領域）１３Ｂ、ソース領域１３Ｓ、ドレイン領域１３Ｄを備えたｎＭＯＳ型素子が含まれる。 - 特許庁

Concentration of the p-type impurity element at the specified depth at the superimposing part between the p-type impurity element region 33 and the source/drain region 35 is set lower than that of the p-type impurity element at the p-type impurity element region 33 other than the superimposing part corresponding to the specified depth.例文帳に追加

そして、ｐ型不純物元素領域３３とソース・ドレイン領域３５との重畳部分における特定深さのｐ型不純物元素の濃度を、特定深さに対応する重畳部分以外のｐ型不純物元素領域３３部分におけるｐ型不純物元素の濃度より低くしている。 - 特許庁

The image display apparatus includes at least a light source, a polarized beam splitter, an optical deflection element, a reflection type space light modulation element and a projection lens.例文帳に追加

本発明の画像表示装置は、光源、偏光分離素子、光偏向素子、反射型空間光変調素子及び投射レンズを少なくとも有している。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR T-TYPE ELEMENT SEPARATION FILM AND FOR ELEVATED SALICIDE SOURCE/DRAIN REGION USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT COMPRISING THE SAME例文帳に追加

Ｔ型素子分離膜の形成方法、これを用いたエレベイテッドサリサイドソース／ドレイン領域の形成方法及びＴ型素子分離膜を有する半導体素子 - 特許庁

Variable pitch type thrusters 15, 15 disposed in a lateral direction on right and left sides of the base element 1 and driven by the drive source, prevent the drift of the base element 1.例文帳に追加

基体１の左右に横向きに配置されて駆動源により駆動される可変ピッチ型スラスター１５、１５が基体１の横流れを防止する。 - 特許庁

The semiconductor element has an n^- region 101, n type source region 103, p type base region 105, n^+ region 107, and gate electrode 113.例文帳に追加

半導体素子は、ｎ^-領域１０１、ｎ型ソース領域１０３、ｐ型ベース領域１０５、ｎ^+領域１０７およびゲート電極１１３を含む。 - 特許庁